JPH0459687A - Mn―Znフェライト単結晶育成るつぼ - Google Patents

Mn―Znフェライト単結晶育成るつぼ

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JPH0459687A
JPH0459687A JP16733590A JP16733590A JPH0459687A JP H0459687 A JPH0459687 A JP H0459687A JP 16733590 A JP16733590 A JP 16733590A JP 16733590 A JP16733590 A JP 16733590A JP H0459687 A JPH0459687 A JP H0459687A
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rhodium
ferrite single
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Eiji Nakamura
英二 中村
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 単結晶中に混入する白金もしくはロジウム合金の混入量
を大幅に低減することを可能としたMn−Znフェライ
ト単結晶育成るつぼに関するものである。
(従来の技術) Mn−Znフェライト単結晶をブリッジマン法で育成す
るためにはl 、 640〜1,700℃という高温か
つ酸化雰囲気中で溶解し固化させるのが一般的な育成方
法で、るつぼ材質としては白金もしくは白金−ロジウム
合金が用いられていた。
(発明が解決しようとする課題) これらのるつぼを用いた場合、熔融物とるつぼの界面か
ら白金もしくはロジウムが熔融物中に拡散すること、お
よび白金、ロジウムの蒸気を熔融物表面から吸収するこ
とによって、育成された単結晶中にこれらの粒子が数μ
mから 100μm程度の粒径で析出するという現象が
あり品質上問題となっている。
本発明の目的は、このような欠点を解決した高純度Mn
−Znフェライト単結晶の育成方法を提供しようとする
ものである。
(課題を解決するための手段) 本発明者は、上記課題を解決するために、白金ロジウム
の混入経路を積極的に解明し、その結果、溶融物接触部
からの拡散、混入を抑えることは極めて困難であり、む
しろ熔融物表面からの蒸気吸収を防止することの方が確
実で実用的であるとの結論に達し、このためにはるつぼ
と熔融物との非接触面である熔融物上部のるつぼ空間を
狭小化することと、この空間部のるつぼ内壁を被覆する
ことでるつぼからの蒸気の発生を抑制すれば良いことが
解り、諸条件を検討して本発明に到達した。
本発明の要旨とするところは、 内壁を金属鉄もしくは酸化鉄の被膜で被覆した白金もし
くは白金−ロジウム合金から成るMn−Znフェライト
単結晶育成るつぼにあり、金属鉄もしくは酸化鉄の被膜
の厚さか3〜500μmかよい。
以下、本発明の詳細な説明する。
白金又は白金−ロジウム製るつぼの被覆材としては熔融
物の主成分と同一成分であること、および融点が1.5
00℃以上であることか必要である。
Mn−Znフェライトの場合構成成分元素がFe、 M
n、 ZnOであるが、特にFeとすれば高温酸化雰囲
気中で酸化鉄Fear4となり、安定な酸化被膜を形成
することで白金、ロジウムの蒸気発生を抑制する効果が
大きい。
これら被覆材をるつぼ内壁に被覆するには、真空蒸着法
によれば良(、その厚さは1〜500μm、好ましくは
3〜300μmが良い。1μm未満では白金、ロジウム
蒸気の発生を抑制する効果がなく、500μmを越える
とFe20s成分が目的とするフェライト組成より2モ
ル%以上増加し、組成制御が困難となる。
真空蒸着法の条件としては、Feの場合、真空蒸着装置
のチャンバー内にるつぼを水平に設置して水平軸で回転
出来るようにし、タングステンボートをるつぼ開口部か
らるつぼ内に水平に挿入出来るようにする。るつぼを回
転させながらポートに載せた金属Feを抵抗加熱により
蒸発させ、るつぼ内壁にFeを蒸着させる。膜の厚さは
蒸発させるFeの量で制御する。被覆する場所は、るつ
ぼ内壁の溶融物表面との境界線から幾分下に入った熔融
物と接触する線からるつぼ開口縁部までとするのが良い
以下、本発明の具体的実施態様を実施例と比較例を挙げ
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
(実施例1〜6) 外径70mm、全長200mm、厚さ0.4mmのPt
−100%るつぼの内壁に、真空蒸着法により金属鉄の
被膜を形成した。厚さは第1表に示したように5μm〜
500μmの範囲で各種製作した。このるつぼを用いて
、Mn−Znフェライト単結晶(Mn029、ZnO1
8、Fe2e353各モル%)の育成を行なった結果、
第1表に示したように白金混入量の極めて少ない高純度
Mn−Znフェライト単結晶を得た。
ただし、実施例6は白金混入量は目的を達成したが、M
n−Znフェライト単結晶の組成に原料配合比と比較し
てFeJ3で2モル%増加した。
(実施例7) るつぼ材質をPt−10%Rhとした以外は実施例3と
同様に処理し、白金混入量を求め、その結果を第1表に
示した。
(実施例8) 実施例4の100μmのFe被膜るつぼを大気中1.4
00℃で1時間熱処理し、酸化鉄Fe5r<の被膜とし
て単結晶の育成を行なった。
(比較例1.2) るつぼ材質を白金(比較例1)、白金−ロジウム(比較
例2)とし、被膜処理を施さなかった以外は実施例1と
同様に処理し、白金混入量を求め、第1表に併記した。
(比較例3) 金属Fe被膜を1μmとした以外は実施例1と同様に処
理し、白金混入量を求め、第1表に併記した。
1級l互滅11(各例共通) 溶解育成温度: 1,650 ’C るつぼ移動速度:5mm/h 雰囲気:育成中はl atm 02、降温中は1 at
m N2とした。
(発明の効果) 内壁を金属鉄もしくは酸化鉄被膜で被覆した白金もしく
は白金−ロジウムるつぼを用いてMn−Znフェライト
単結晶を育成すれば白金、ロジウム粒子の混入を大幅に
低減することが出来、品質上の改善効果が太き(、実用
上その利用価値は極めて高い。
特許出願人  信越化学工業株式会社−代理人・弁理士
  山 本 亮 −

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.内壁を金属鉄もしくは酸化鉄の被膜で被覆した白金
    もしくは白金−ロジウム合金から成るMn−Znフェラ
    イト単結晶育成るつぼ。
  2. 2.金属鉄もしくは酸化鉄の被膜の厚さが3〜500μ
    mである請求項1に記載のMn−Znフェライト単結晶
    育成るつぼ。
JP2167335A 1990-06-26 1990-06-26 Mn―Znフェライト単結晶育成るつぼ Expired - Fee Related JP2719220B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62246895A (ja) * 1986-04-18 1987-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶作製用るつぼ
JPH0442885A (ja) * 1990-06-07 1992-02-13 Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk フェライト単結晶作製用るつぼ
JPH0445390A (ja) * 1990-06-13 1992-02-14 Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk 酸化物分散強化材被覆るつぼ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62246895A (ja) * 1986-04-18 1987-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶作製用るつぼ
JPH0442885A (ja) * 1990-06-07 1992-02-13 Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk フェライト単結晶作製用るつぼ
JPH0445390A (ja) * 1990-06-13 1992-02-14 Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk 酸化物分散強化材被覆るつぼ

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