JPH0459981A - Masking pattern for etching and production of wiring pattern - Google Patents
Masking pattern for etching and production of wiring patternInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、エツチングによって配線パターンを製造する
際に用いるマスクパターンと、該マスクパターンを用い
た配線パターンの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a mask pattern used in manufacturing a wiring pattern by etching, and a method of manufacturing a wiring pattern using the mask pattern.
〈従来の技術〉
リードフレーム、ＦＰＣ％ＴＡＢ用テープ等の配線パタ
ーンは、近年益々ファイン化の傾向にある。 これらの
配線パターンは、通常はエツチング法によって形成され
るが、配線バターンがファイン化されるに従い、エツチ
ングの際の寸法の精密化が益々重要となってきている。<Prior Art> In recent years, wiring patterns for lead frames, tapes for FPC%TAB, etc. have become increasingly finer. These wiring patterns are usually formed by etching, but as wiring patterns become finer, it is becoming increasingly important to refine the dimensions during etching.
一般に、前記リードフレーム等の配線パターンは、第２
ａ図に示すように、プラスチックフィルムＰ上の金属箔
Ｍの非エツチング部分（エツチング終了後、ラインとな
る部分）をレジストＲ等によってマスクした後、マスク
されていない部分（エツチング終了後、スペースとなる
部分）の金属箔Ｍをエツチングすることによって製造す
るのであるが、エツチングスピードは、スペースとなる
部分の大きさ、主にその幅に応じて異なっていた。 よ
り具体的に述べると、第１図に示すように、マスクされ
ていない部分（マスク部端部間）の距離が大きくなるに
従い、エツチングスピードは縦（深さ）、横両方向共に
大きくなり、そのために、第２ｂ図に示すように、幅広
の非マスク部Ｓｗの金属箔Ｍのエツチングが終了し、プ
ラスチックフィルムＰが現われても、狭い非マスク部Ｓ
ｎには金属箔Ｍが残存していてエツチングは終了してお
らず、第２Ｃ図に示すように、狭い非マスク部Ｓｎの金
属箔Ｍのエツチングを完全に行なわしめると、幅広の非
マスク部Ｓｗの周囲の金属箔Ｍが、必要以上に大きくサ
イドエッチされるという現象が観察された。Generally, the wiring pattern of the lead frame etc.
As shown in figure a, after masking the non-etched parts (the parts that will become lines after etching) of the metal foil M on the plastic film P with a resist R, etc., the unmasked parts (the parts that will become lines after etching) are It is manufactured by etching the metal foil M of the space (part), but the etching speed differs depending on the size of the space, mainly its width. More specifically, as shown in Figure 1, as the distance between the unmasked parts (between the edges of the mask parts) increases, the etching speed increases in both the vertical (depth) and horizontal directions; As shown in FIG. 2b, even when the etching of the metal foil M in the wide non-mask area Sw is completed and the plastic film P appears, the narrow non-mask area S
The etching is not completed because the metal foil M remains in Sn, and as shown in FIG. A phenomenon was observed in which the metal foil M around Sw was side-etched more than necessary.
そこで、従来は、金属箔Ｍの非エツチング部分、すなわ
ち配線パターン１のライン部分りの寸法を精密に制御す
るために、レジストＲ等で形成するエツチング用マスク
パターン２のマスク部Ｈを、所望の配線パターン１のラ
イン部分りよりも大きく設計することで対応していた。Therefore, conventionally, in order to precisely control the dimensions of the non-etched portion of the metal foil M, that is, the line portion of the wiring pattern 1, the mask portion H of the etching mask pattern 2 formed of resist R or the like has been adjusted to the desired size. This was addressed by designing the line portion to be larger than the line portion of wiring pattern 1.
そして、その大きくする程度は、配線パターン１のス
ペースとなる部分の幅に応じて変化させていた。 すな
わち、第３ａ図に示すような幅広のスペースＥｗと狭い
スペースＥｎとを有する配線パターン１を得たい場合に
は、マスクパターン２は、第３ｂ図に示すように、レジ
ストＲ等で形成するマスク部Ｈの幅寸法を、配線パター
ン１のライン部分りの幅寸法Ｃよりも犬きく、かつ、そ
の大きい程度は、マスクパターン２の幅広の非マスクＳ
ｗに接するマスク部Ｈ端は、所望のエツチング端よりも
ａだけ犬キ＜シ、狭い非マスク部Ｓｎに接するマスク部
Ｈ端は、所望のエツチング端よりもわずかにｂだけ大き
くしていた。 なお、ａおよびｂは、予測されるサイド
エッチの大きさに基づいて決定されたエツチング代寸法
であり、ａ＞ｂである。The extent to which it is increased is changed depending on the width of the space of the wiring pattern 1. That is, when it is desired to obtain a wiring pattern 1 having a wide space Ew and a narrow space En as shown in FIG. 3a, the mask pattern 2 is a mask formed of resist R or the like as shown in FIG. 3b. The width of the portion H is larger than the width C of the line portion of the wiring pattern 1, and the extent to which it is larger is the width of the wide non-mask S of the mask pattern 2.
The end of the mask portion H in contact with w was made slightly larger by a than the desired etched end, and the end of the mask portion H in contact with the narrow non-mask portion Sn was made slightly larger by b than the desired etched end. Note that a and b are etching allowance dimensions determined based on the predicted size of side etching, and a>b.
しかし、特に、不均一な配線パターンの場合には、従来
のこのような対策では十分でないことが明らかとなった
。However, it has become clear that such conventional measures are not sufficient, especially in the case of non-uniform wiring patterns.
前記の如く、マスクパターン２のマスク部Ｈの幅寸法を
、配線パターン１のライン部分りの幅寸法＋予測される
サイドエッチの大きさとした場合、エツチング終了時、
第２Ｃ図に示すように、マスク部Ｈ（レジストＲ製）は
、金属箔Ｍのサイドエッチのために”ヒサシ”状となる
。 そして、この”ヒサシ”は、幅広の非マスク部Ｓｗ
の側では、より大きなサイトエッチが生じるために、よ
り長いものとなる。 従って、幅広の非マスク部Ｓｗの
金属箔Ｍの工・ンチングの終了（幅広のスペースの形成
の終了）まで、 ヒサシ”状のレジストＲが残存しない
ことが多々あった。 ヒサシ゛′状のレジストＲが
、エツチング中に、エツチング端夜によって折れたり、
曲がったりしてしまったのである。 エツチング途中で
°゛ヒサジ゛状レジストＲが折れたり曲がったりすると
、その部分のサイドエッチはさらに進む。 そのために
、ライン部分りが予定していた大きさとならず、かつ、
ライン部分りの直線性が著しく悪化するという現象が観
察されたのである。As mentioned above, when the width of the mask portion H of the mask pattern 2 is set to the width of the line portion of the wiring pattern 1 + the size of the predicted side etch, at the end of etching,
As shown in FIG. 2C, the mask portion H (made of resist R) has a "hiza" shape due to the side etching of the metal foil M. And, this “Hisashi” is a wide non-mask part Sw.
The side is longer due to the larger site etch. Therefore, there were many cases where the ``hashi''-shaped resist R did not remain until the processing and etching of the metal foil M of the wide non-mask portion Sw was completed (the formation of the wide space was completed). However, during etching, the edges of the etching may break or break.
It ended up being bent. If the zigzag resist R is bent or bent during etching, the side etching of that portion will proceed further. For this reason, the line portion was not as large as planned, and
A phenomenon was observed in which the linearity of the line portion deteriorated significantly.
〈発明が解決しようとする課題〉
前記の如く、幅広のスペースと狭いスペースとを有する
配線パターンを得るためのエツチング用マスクパターン
として、従来のエツチング用マスクパターンを用いると
、幅広のスペースに隣接するライン部分端部が過剰にエ
ッチングさねでいたり、該ライン部分端部が直線性に劣
るものしか得られなかった。<Problems to be Solved by the Invention> As described above, when a conventional etching mask pattern is used as an etching mask pattern to obtain a wiring pattern having a wide space and a narrow space, The ends of the line portions were excessively etched, and the end portions of the line portions had poor linearity.
本発明は、上記の事実に鑑みてなされたものであり、不
均一な配線パターンをエツチング法によって製造する際
に有用なエツチング用マスクパターンであって、ライン
部分の寸法精度が高く、直線性に優れる配線パターンを
提供するエツチング用マスクパターンと、該マスクパタ
ーンを用いる配線パターンの製造方法の提供を目的とす
る。The present invention has been made in view of the above facts, and is an etching mask pattern useful when manufacturing a non-uniform wiring pattern by an etching method, which has high dimensional accuracy in the line portion and excellent linearity. An object of the present invention is to provide an etching mask pattern that provides an excellent wiring pattern, and a method for manufacturing a wiring pattern using the mask pattern.
〈課題を解決するための手段〉
本発明第一の態様は、隣接するライン間のスペースが均
一でない配線パターンをエツチングによって製造する際
に用いるマスクパターンであって、前記スペースのうち
最狭のスペースのエツチングによる形成と、より幅広の
スペースのエツチングによる形成とが整合するように、
前記ラインを得るための本マスク部の他に、隣接する本
マスク部間であり、かつ、前記配線パターンの前記より
幅広のスペースに対応する部分のうちの所定の部分内で
あって、前記本マスク部端部から所定距！１ｌｔ１１！
１間した本マスク部端部に並行する位置に、仮マスク部
をエツチングの際に所望の配線パターンが完成するエツ
チング条件で該仮マスク部下の金属箔が消滅する大きさ
で付加的に有することを特徴とするエツチング用マスク
パターンである。<Means for Solving the Problems> A first aspect of the present invention is a mask pattern used when manufacturing a wiring pattern in which the spacing between adjacent lines is not uniform by etching, wherein the narrowest space among the spaces is In order to match the etching formation of the wider space with the etching formation of the wider space,
In addition to the main mask portion for obtaining the line, the main mask portion is located between adjacent main mask portions and within a predetermined portion of the portion of the wiring pattern corresponding to the wider space. A predetermined distance from the edge of the mask! 1lt11!
A temporary mask portion is additionally provided at a position parallel to the end of the main mask portion separated by 1 inch, with a size such that the metal foil under the temporary mask disappears under etching conditions that complete the desired wiring pattern during etching. This is an etching mask pattern characterized by:
また、本発明第二の態様は、本発明第一の態様のエツチ
ング用マスクパターンを有するマスクを金属箔上に設け
、エツチングを行なうことを特徴とする配線パターンの
製造方法である。A second aspect of the present invention is a method for manufacturing a wiring pattern, characterized in that a mask having the etching mask pattern of the first aspect of the present invention is provided on a metal foil, and etching is performed.
以下に、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.
本発明第一の態様は、上記の特徴を有するエツチング用
マスクパターンである。The first aspect of the present invention is an etching mask pattern having the above characteristics.
本発明において、本マスク部は、エツチング終了時に金
属箔が残存する大きさでマスクされる部分であり、仮マ
スク部は、エツチング終了時には金属箔がなくなる大き
さでマスクされる部分である。In the present invention, the main mask part is a part that is masked to a size that leaves the metal foil when etching is finished, and the temporary mask part is a part that is masked to a size that leaves no metal foil when etching is finished.
本発明第一の態様を、第４ａ図に基づいて説明する。The first aspect of the present invention will be explained based on FIG. 4a.
第４ａ図は、ＦＰＣ配線パターンおよび該配線パターン
を得るためのマスクパターン２の一例を示す部分正面図
である。 すなわち、同図中破線で示されているものが
ＦＰＣ配線パターン（エツチング後の所望のパターン）
であり、実線で示されているものがマスクパターン２で
ある。FIG. 4a is a partial front view showing an example of an FPC wiring pattern and a mask pattern 2 for obtaining the wiring pattern. That is, what is shown by the broken line in the figure is the FPC wiring pattern (desired pattern after etching).
The mask pattern 2 is shown by a solid line.
同図に破線で示されたＦＰＣ配線パターンは、最狭のス
ペース（幅寸法は２ｅ＋ｈ）とより幅広のスペース（幅
寸法は２ｄ、＋２ｆ＋２ｇ＋ｉ）とを有し、スペース間
に位置するライン部分ＬＩ Ｌ２．Ｌ３、の幅寸法は
いずれもＣである。The FPC wiring pattern indicated by a broken line in the figure has the narrowest space (width dimension is 2e+h) and the wider space (width dimension is 2d, +2f+2g+i), and the line portion LI L2 located between the spaces. ．． The width dimension of both L3 and L3 is C.
このようなＦＰＣ配線パターンを得るために用いる本発
明のエツチング用マスクパターン２は、本マスク部ＫＩ
Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４と仮マスク部Ｋｓ、Ｋｇと非マ
スク部Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃとを有する。The etching mask pattern 2 of the present invention used to obtain such an FPC wiring pattern is
It has K2, K3, K4, temporary mask parts Ks, Kg, and non-mask parts Sa, Sb, Sc.
ここで、本マスク部、仮マスク部および非マスク部の位
置と大ぎさについて説明する。Here, the positions and sizes of the actual mask portion, temporary mask portion, and non-mask portion will be explained.
本マスク部に、 Ｋ２は、その一端が前記最狭のスペ
ースに接し、他端が前記より幅広のスペースに接するラ
イン部分ＬＩ Ｌ２を得るためのマスク部である。In this mask section, K2 is a mask section for obtaining a line portion LIL2 whose one end is in contact with the narrowest space and the other end is in contact with the wider space.
本マスク部に３は、その両端が前記最狭のスペースに接
するライン部分り、を得るためのマスク部である。The mask section 3 is a mask section for obtaining a line portion whose both ends are in contact with the narrowest space.
仮マスク部Ｋｓ、Ｋａは、前記配線パターンの前記より
幅広のスペースの対応する部分内であって、前記本マス
ク部に、、に、から所定距離（ここではｆ ） １ｅｆ
ｔ間した位置であって、本マスク部ＫＩ、Ｋ２部端に並
行する位置に設けられたものである。 この仮マスク部
を付加的に有することが、本発明のエツチング用マスク
パターンの特徴である。The temporary mask portions Ks and Ka are located within the corresponding portions of the wider space of the wiring pattern, and are located at a predetermined distance (here, f) 1ef from the main mask portion to
It is provided at a position parallel to the ends of the main mask portions KI and K2, at a distance of t. The additional provision of this temporary mask portion is a feature of the etching mask pattern of the present invention.
また、非マスク部は、本マスク部Ｋ。Moreover, the non-mask part is the main mask part K.
（Ｋ２）−仮マスク部Ｋｓ（Ｋｇ）間の非マスり部Ｓａ
、仮マスク部Ｋｓ、Ｋａ間の非マスク部ｓｂ、本マスク
部に、 、Ｋ３間の非マスク部Ｓｃ等である。(K2) - Non-masking part Sa between temporary mask part Ks (Kg)
, temporary mask part Ks, non-masked part sb between Ka, real mask part, non-masked part Sc between , K3, etc.
木マスク部Ｋｌ、Ｋ２の幅寸法は、ＦＰＣ配線パターン
のライン部分り、 Ｌ２の幅寸法Ｃよりも、予測さ
れるエツチング代寸法分大きくするのが一般的である。The width dimensions of the wooden mask portions Kl and K2 are generally larger than the width dimension C of the line portion L2 of the FPC wiring pattern by the estimated etching allowance dimension.
第４ａ図の例では、本マスク部に、の幅寸法は、ライ
ン部分Ｌ１の幅寸法Ｃよりｄ、＋ｅたけ大きい。 そし
て、本マスク部に、の仮マスク部に５側の端部は、ライ
ン部分Ｌ１のライン部分Ｌ２側の端部よりも、非マスク
部Ｓａの幅寸法ｆから予測されるエツチング代寸法ｄ１
だけ仮マスク部に５側へ延長されており、本マスク部に
、側の端部は、ライン部分Ｌｌのライン部分Ｌ３側の端
部よりも、非マスク部Ｓｃの幅寸法りから予測されるエ
ツチング代寸法ｅだけ本マスク部に３側へ延長されてい
る。 また、本マスク部に２も同様である。In the example of FIG. 4a, the width of the main mask portion is d, +e larger than the width C of the line portion L1. Then, the end of the main mask part on the 5 side of the temporary mask part is etched by an etching allowance dimension d1 predicted from the width dimension f of the non-mask part Sa than the end of the line part L2 side of the line part L1.
The temporary mask part extends to the 5th side, and the end on the side of the actual mask part is predicted from the width dimension of the non-mask part Sc than the end on the line part L3 side of the line part Ll. The mask portion is extended toward the third side by an etching allowance dimension e. The same applies to the main mask portion 2.
本マスク部に３の幅寸法は、ＦＰＣ配線パターンのライ
ン部分Ｌ３の幅寸法Ｃよりも、予測されるエツチング代
寸法分大きくするのが船釣である。 第４ａ図の例では
、本マスク部に３の幅寸法は、ライン部分Ｌ３の幅寸法
Ｃより２ｅだけ大きい。 そして、本マスク部Ｋ。The width dimension 3 of this mask part is made larger than the width dimension C of the line portion L3 of the FPC wiring pattern by the estimated etching allowance dimension. In the example of FIG. 4a, the width dimension of 3 in the main mask portion is larger than the width dimension C of the line portion L3 by 2e. And this mask part K.
の本マスク部Ｋｌ側の端部、木マスク部に４側の端部い
ずれも、非マスク部Ｓｃの幅寸法りから予測されるエツ
チング代寸法ｅだけ、本マスク部Ｋｌ側および本マスク
部に４側へ延長されている。Both the end on the main mask part Kl side and the end on the wooden mask part 4 side are etched by the etching allowance dimension e predicted from the width dimension of the non-mask part Sc on the main mask part Kl side and the main mask part. It has been extended to the 4th side.
仮マスク部に５ Ｋ６の幅寸法ｇは、所定の条件でエツ
チングを行なった際に、金属箔の仮マスク部Ｋｓ、Ｋａ
てマスクされた部分が完全にエツチングされる大きさと
する。The width dimension g of 5K6 in the temporary mask part is the width dimension g of the temporary mask part Ks, Ka of the metal foil when etching is performed under predetermined conditions.
The masked area should be etched to a size that completely etches the masked area.
非マスク部のうち、本マスク部に、と仮マスク部に５と
の間の非マスク部Ｓａの幅寸法ｆは、ライン部分Ｌｌの
ライン部分Ｌ２側端部とライン部分Ｌ３側端部とが、同
条件で形成され、かつ、金属箔の仮マスク部に、でマス
クされた部分が完全にエツチングされる大きさとする。Among the non-mask parts, the width dimension f of the non-mask part Sa between the main mask part and the temporary mask part 5 is such that the line part L2 side end part and the line part L3 side end part of the line part Ll are , are formed under the same conditions, and the size is such that the portion masked by the temporary mask portion of the metal foil is completely etched.
仮マスク部Ｋ Ｓ 、Ｋ ８間の非マスク部ｓｂの幅寸
法ｉは、金属箔の仮マスク部に５、Ｋ６てマスクされた
部分が完全にエツチングされる大きさとするが、エツチ
ング代寸法ｄ１．非マスク部ＳａＯ幅寸法ｆ、仮マスク
部Ｋｓ、Ｋａの幅寸法ｇ、ライン部分Ｌｌ、Ｌ２間のス
ペースの大きさ等の影響をうける。The width dimension i of the non-masked part sb between the temporary mask parts K S and K8 is set to such a size that the part masked by the temporary mask parts 5 and K6 of metal foil is completely etched, but the etching allowance dimension d1 ．． It is affected by the width f of the non-mask portion SaO, the width g of the temporary mask portions Ks and Ka, the size of the space between the line portions Ll and L2, etc.
本マスク部Ｋｌ、Ｋ３間の非マスク部Ｓｃの幅寸法りは
、ライン部分Ｌｌ、Ｌ３間のスペースの大きさから、エ
ツチング代寸法（２ｘｅ）を差し引いた大きさである。The width dimension of the non-masked portion Sc between the main mask portions Kl and K3 is the size obtained by subtracting the etching allowance size (2xe) from the size of the space between the line portions Ll and L3.
ただし、非マスク部ＳａＯ幅寸法ｆ＝非マスク部Ｓｃの
幅寸法ｈ、かつ、エツチング代寸法ｄｌ ＝ｅとするの
がよい。However, it is preferable that the width dimension f of the non-masked portion SaO=the width dimension h of the non-masked portion Sc, and the etching allowance dimension dl=e.
このように、本発明のエツチング用マスクパターンの構
成要件の位置および大きさは規定されるのが、その具体
的寸法（エツチング代寸法ｄ、、ｅ、仮マスク部幅寸法
ｇ、非マスク部幅寸法ｆ、ｈ、ｉ等）は、形成される配
線パターン、エツチングされる金属箔の種類と厚さ、レ
ジストの種類と厚さ、エツチング条件等によって適宜選
択される。As described above, the positions and sizes of the constituent elements of the etching mask pattern of the present invention are defined by their specific dimensions (etching allowance dimensions d, , e, temporary mask part width g, non-mask part width The dimensions (f, h, i, etc.) are appropriately selected depending on the wiring pattern to be formed, the type and thickness of the metal foil to be etched, the type and thickness of the resist, etching conditions, etc.
また、第４ａ図の例は、得られる配線パターンのライン
部分の幅寸法が一種類で、スペースの幅寸法は、最狭の
ものとより幅広のものとの２種類であったが、ライン部
分の幅寸法が多種類で、スペースの幅寸法も多種類の配
線パターンを得るために用いるマスクパターンの場合は
、最狭のスペース以外のスペースに対応する部分の全て
の箇所内または一部の箇所内に、仮マスク部を付加的に
有するマスクパターンとすればよい。 そのような場合
、仮マスク部の位置や寸法は、諸条件に鑑み適宜選択す
る。In addition, in the example shown in FIG. 4a, the line portion of the wiring pattern obtained had one width dimension, and the space width dimension was two types, the narrowest one and the wider one, but the line part In the case of a mask pattern used to obtain a wiring pattern with many types of width dimensions and many types of space width dimensions, all or some parts of the part corresponding to spaces other than the narrowest space may be used. The mask pattern may additionally include a temporary mask portion within the mask pattern. In such a case, the position and dimensions of the temporary mask portion are appropriately selected in consideration of various conditions.
ここに、％ ４ ａ図に示すマスクパターンの寸法の一
例を示す。Here, an example of the dimensions of the mask pattern shown in Figure %4a is shown.
３５μｍ厚の銅箔用のマスクパターン２であって、ライ
ン幅寸法Ｃが４０μｍ、非マスク部ＳｃＯ幅寸法りが１
０〜５０１．ｔｍの場合、仮マスク部ＫＳ Ｋ６の幅
寸法ｇは１０〜５０μｍ１本マスク部Ｋｌ（Ｋ２）と仮
マスク部ＫＳ（Ｋ６）との間の非マスク部Ｓａの寸法ｆ
は１０〜５０μｍ程度が好ましい。Mask pattern 2 for copper foil with a thickness of 35 μm, the line width dimension C is 40 μm, and the non-mask part ScO width dimension is 1
0-501. In the case of tm, the width g of the temporary mask part KS K6 is 10 to 50 μm.The dimension f of the non-mask part Sa between the single mask part Kl (K2) and the temporary mask part KS (K6)
is preferably about 10 to 50 μm.
本発明第二の態様は、前記本発明第一の態様のマスクパ
ターンを有するマスクを用いるエツチング法による配線
パターンの製造方法である。A second aspect of the present invention is a method of manufacturing a wiring pattern by an etching method using a mask having the mask pattern of the first aspect of the present invention.
本発明第二の態様では、マスクパターンとして前記仮マ
スク部を付加的に有する本発明第の態様のパターンを用
いれば、マスクの材質、厚さ、エツチングされる金属の
種類、厚さ、エツチング方法等のエツチング条件は限定
されない。 しかし、好適例を示すと、マスクの材質
はフェノール樹脂系、アクリル樹脂系等のレジスト材料
が好ましく、エツチングされる金属の種類は銅、ステン
レス等であり、また、エツチング方法はスプレーエツチ
ング等である。In the second aspect of the present invention, if the pattern of the first aspect of the present invention which additionally includes the temporary mask portion is used as a mask pattern, the material and thickness of the mask, the type and thickness of the metal to be etched, and the etching method can be changed. Etching conditions such as etching conditions are not limited. However, to give a preferred example, the material of the mask is preferably a resist material such as phenol resin or acrylic resin, the type of metal to be etched is copper, stainless steel, etc., and the etching method is spray etching, etc. .
なお、本発明第二の態様の製造方法を実施するに際し、
エツチングマスクの本マスク部と仮マスク部とは、同じ
材質のもので形成しても、異なる材質のもので形成して
もよく、また、その厚さも、同じでも異なっていてもよ
い。In addition, when carrying out the manufacturing method of the second aspect of the present invention,
The main mask part and the temporary mask part of the etching mask may be made of the same material or different materials, and their thicknesses may be the same or different.
〈実施例〉 以下に、実施例により、本発明を具体的に説明する。<Example> EXAMPLES The present invention will be specifically explained below with reference to Examples.
（実施例）
％ ４ ａ図に示すエツチング用マスクパターン２を、
レジストＲを用いて３５μｍ厚の銅箔上に描いた。 な
お、レジストＲの厚さは４μｍとした。 また、マスク
パターン２の具体的寸法は、ｃ＝４０μｍ、ｄ、＝２０
μｍ、ｅ＝１５μｎ、ｆ＝３０μｍ、ｇ＝３０．ｕｍ。(Example) % 4 Etching mask pattern 2 shown in figure a,
It was drawn on a 35 μm thick copper foil using resist R. Note that the thickness of the resist R was 4 μm. Further, the specific dimensions of the mask pattern 2 are c=40 μm, d,=20
μm, e=15μn, f=30μm, g=30. um.
ｈ＝３０μｍとした。h=30 μm.
これを、スプレーエツチングでエツチングを行ない、Ｆ
ＰＣ配線パターンを得た。 このＦＰＣ配線パターンの
ラインのうち、最狭および幅広のスペースに接するライ
ン部分り、の幅広のスペース側端部について、その直線
性を評価した。 具体的には、第５図にｔとして定義さ
れたライン部分り、の幅広のスペース側端部の凹凸を測
定することにより、その直線性を評価した。 結果はｔ
＝３μｍであった。This is etched using spray etching, and F
A PC wiring pattern was obtained. Among the lines of this FPC wiring pattern, the linearity of the line portions touching the narrowest and widest spaces, and the wide space side ends, was evaluated. Specifically, the linearity was evaluated by measuring the unevenness of the wide space side end of the line portion defined as t in FIG. The result is t
=3 μm.
（比較例）
第４ｂ図に示すエツチング用マスクパターン２を用いた
以外は、実施例と同様に行ない、ＦＰＣ配線パターンを
得た。 なお、マスクパターン２の具体的寸法は、ｃ＝
４０μｍ、ｄ２＝３５μｍ％ ｅ＝１５μｍ％ ｈ＝３
０μｍとした。(Comparative Example) An FPC wiring pattern was obtained in the same manner as in the example except that the etching mask pattern 2 shown in FIG. 4b was used. Note that the specific dimensions of mask pattern 2 are c=
40μm, d2=35μm% e=15μm% h=3
It was set to 0 μm.
このＦＰＣ配線パターンのラインのうち、最狭および幅
広のスペースに接するライン部分りの幅広のスペース側
端部について、実施例と同様にその直線性を評価したと
ころ、ｔ＝１０μｍであった。Among the lines of this FPC wiring pattern, the linearity of the wide space side ends of the line portions touching the narrowest and widest spaces was evaluated in the same manner as in the example, and it was found that t=10 μm.
〈発明の効果〉
本発明により、不均一な配線パターンをエツチング法に
よって製造する際に有用なエツチング用マスクパターン
であって、ライン部分の寸法精度が高く、直線性に優れ
る配線パターンを提供するエツチング用マスクパターン
と、該マスクパターンを用いる配線パターンの製造方法
が提供される。<Effects of the Invention> The present invention provides an etching mask pattern useful when manufacturing non-uniform wiring patterns by an etching method, which provides a wiring pattern with high dimensional accuracy in line portions and excellent linearity. and a method for manufacturing a wiring pattern using the mask pattern.
従って、本発明を適用してリードフレーム、ＦＰＣ，Ｔ
ＡＢ用テープ等を製造すれば、より信頼性の高い製品が
得られるようになり、また、製造時の歩留りが上昇する
。Therefore, by applying the present invention, lead frames, FPCs, T
By manufacturing AB tape, etc., a more reliable product can be obtained, and the yield during manufacturing can be increased.
第１図は、マスク部端部間の距離と、横方向、深さ方向
のエツチングスピードとの関係を示す′グラフである。
第２ａ図、第２ｂ図および第２Ｃ図は、順に、エツチン
グ前、エツチング途中、エツチング終了時のＦＰＣを示
す部分断面図である。
第３ａ図は、配線パターンの部分正面図、第３ｂ図は、
第３ａ図の配線パターンを得るために従来用いられてい
たマスクパターンの部分正面図である。
第４ａ図は、本発明の、第４ｂ図は従来のマスクパター
ンを示す部分正面図である。
第５図は、実施例における直線性の評価試験を説明する
ための線図的模式図である。
符号の説明
１・・・配線パターン、
２・・・マスクパターン、
Ｅｎ・・・狭いスペース、
Ｅｗ・・・幅広のスペース、
Ｈ・・・マスク部、
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ５、Ｋ４・・・本マスク部、Ｋ５、Ｋ、
・・・仮マスク部
り、ＬＬ、Ｋ２．Ｋ３・・・ライン部分、Ｍ・・・金属
箔、
Ｐ・・・プラスチックフィルム、
Ｒ・・・レジスト、
Ｓａ・・・本マスク部−仮マスク部間の非マスク部、
ｓｂ・・・仮マスク部間の非マスク部、Ｓｃ・・・本マ
スク部間の非マスク部、Ｓｎ・・・狭い非マスク部、
Ｓｗ・・・幅広の非マスク部、
ａ・・・エツチング代寸法、
ｂ・・・エツチング代寸法、
Ｃ・・・ライン幅寸法、
ｄ、、ｄ２・・・エツチング代寸法、
ｅ・・・エツチング代寸法、
ｆ・・・本マスク部−仮マスク部間の非マスク部の幅寸
法、
ｇ・・・仮マスク部の幅寸法、
ｈ・・・本マスク部間の非マスク部の幅寸法、ｉ・・・
仮マスク部間の非マスク部の幅寸法、ｔ・・・凹凸
ＦＩＧ、１
Ｆ Ｉ Ｇ、 ２ａ
ＦＩＧ、２ｂ
ＦＩＧ、２ｃ
Ｆ Ｉ Ｇ、 ５FIG. 1 is a graph showing the relationship between the distance between the ends of the mask portion and the etching speed in the lateral and depth directions. FIGS. 2a, 2b, and 2c are partial cross-sectional views showing the FPC before etching, during etching, and at the end of etching, respectively. Figure 3a is a partial front view of the wiring pattern, Figure 3b is
3a is a partial front view of a mask pattern conventionally used to obtain the wiring pattern of FIG. 3a; FIG. FIG. 4a is a partial front view showing a mask pattern of the present invention, and FIG. 4b is a partial front view showing a conventional mask pattern. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a linearity evaluation test in an example. Explanation of symbols 1... Wiring pattern, 2... Mask pattern, En... Narrow space, Ew... Wide space, H... Mask part, K1, K2, K5, K4... Book Mask part, K5, K,
...Temporary mask part, LL, K2. K3...line part, M...metal foil, P...plastic film, R...resist, Sa...non-mask part between main mask part and temporary mask part, sb...temporary mask Non-mask area between parts, Sc... Non-mask area between main mask parts, Sn... Narrow non-mask area, Sw... Wide non-mask area, a... Etching allowance dimension, b...・Etching allowance dimension, C...Line width dimension, d,, d2...Etching allowance dimension, e...Etching allowance dimension, f...Width of the non-mask part between the main mask part and the temporary mask part Dimensions, g...Width dimension of temporary mask part, h...Width dimension of non-mask part between main mask parts, i...
Width dimension of non-mask part between temporary mask parts, t...Unevenness FIG, 1 FI G, 2a FIG, 2b FIG, 2c FI G, 5
Claims (2)
ターンを、金属箔をエッチングすることによって製造す
る際に用いるマスクパターンであって、前記スペースの
うち最狭のスペースのエッチングによる形成と、より幅
広のスペースのエッチングによる形成とが整合するよ うに、前記ラインを得るための本マスク部の他に、隣接
する本マスク部間であり、かつ、前記配線パターンの前
記より幅広のスペースに対応する部分のうちの所定の部
分内であって、前記本マスク部端部から所定距離離間し
た本マスク部端部に並行する位置に、仮マスク部を、エ
ッチングの際に所望の配線パターンが完成するエッチン
グ条件で該仮マスク部下の金属箔が消滅する大きさで付
加的に有することを特徴とするエッチング用マスクパタ
ーン。(1) A mask pattern used when manufacturing a wiring pattern in which the spacing between adjacent lines is not uniform by etching metal foil. In addition to the main mask portion for obtaining the line, a portion of the wiring pattern that is between adjacent main mask portions and corresponds to the wider space of the wiring pattern is formed so that the formation of the space by etching matches the formation of the space by etching. A temporary mask portion is placed within a predetermined portion of the main mask portion at a position parallel to the end of the main mask portion at a predetermined distance from the end of the main mask portion, and a desired wiring pattern is completed during etching. An etching mask pattern additionally having a size such that metal foil under the temporary mask disappears under certain conditions.
有するマスクを金属箔上に設け、エッチングを行なうこ
とを特徴とする配線パターンの製造方法。(2) A method for manufacturing a wiring pattern, comprising providing a mask having the etching mask pattern according to claim 1 on a metal foil and performing etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16897190A JPH0814029B2 (en) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Method for manufacturing etching mask pattern and wiring pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16897190A JPH0814029B2 (en) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Method for manufacturing etching mask pattern and wiring pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459981A true JPH0459981A (en) | 1992-02-26 |
| JPH0814029B2 JPH0814029B2 (en) | 1996-02-14 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16897190A Expired - Lifetime JPH0814029B2 (en) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | Method for manufacturing etching mask pattern and wiring pattern |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0814029B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288312A (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Hitachi Cable Ltd | Manufacturing method of tape carrier for semiconductor device |
| WO2010070186A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Upm Raflatac Oy | Method for manufacturing a component by etching |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP16897190A patent/JPH0814029B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288312A (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Hitachi Cable Ltd | Manufacturing method of tape carrier for semiconductor device |
| WO2010070186A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Upm Raflatac Oy | Method for manufacturing a component by etching |
| CN102301445A (en) * | 2008-12-15 | 2011-12-28 | Upmrfid有限公司 | Method for manufacturing a component by etching |
| US8448874B2 (en) | 2008-12-15 | 2013-05-28 | Smartrac Ip B.V. | Method for manufacturing a component by etching |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0814029B2 (en) | 1996-02-14 |
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