JPH0460317B2 - - Google Patents
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- JPH0460317B2 JPH0460317B2 JP60061674A JP6167485A JPH0460317B2 JP H0460317 B2 JPH0460317 B2 JP H0460317B2 JP 60061674 A JP60061674 A JP 60061674A JP 6167485 A JP6167485 A JP 6167485A JP H0460317 B2 JPH0460317 B2 JP H0460317B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面薄型デイスプレイ・デバイスと
して文字、記号及び図形等を含むコンピユータの
出力表示端末機器、その他種々の表示装置に文
字、記号及び図形等の静止画像や動画像の表示手
段として利用される薄膜EL素子に関し、詳しく
はコントラストを向上させる薄膜EL素子に関す
るものである。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention is a flat thin display device that displays characters, symbols, and graphics on computer output display terminal equipment and other various display devices. The present invention relates to a thin film EL element used as a means for displaying still images and moving images, and more specifically relates to a thin film EL element that improves contrast.
従来、この種の薄膜EL素子としては、第６図
ａ及びｂに示すものが紹介されており、同図にお
いて、１はガラス基板、２はIn2O3、SnO2等から
成る透明電極、３はY2O3、Ta2O5等から成る第
１誘電体層、４は発光中心として0.1〜2.0wt％
Mn（又はTb、Sm、Cu、Al、Br等）をドープし
たZnS（又はZnSe等）のEL発光層、５はY2O3、
Ta2O5等から成る第２誘電体層、６はAl等から
なる背面電極、７はV2O3、BC4等からなる光吸
収層、及び８はAl低級酸化物とAlとの多層膜か
らなる複合電極である。ここで、透明電極２はガ
ラス基板１上に複数帯状に平行配列され、背面電
極６と複合電極８は透明電極２と直交する方向に
複数帯状に平行配列されており、透明電極２と背
面電極６又は複合電極８とが平面図的に見て交叉
した位置がパネルの１絵素に相当する。そして、
電極２，６（又は８）間にAC電極を印加するこ
とにより、EL発光層４内に発生した電界によつ
て伝導帯に励起され、且加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Mn発光中心を励起し、
この励起されたMn発光中心が基底状態に戻る際
に黄色の発光を呈する。その際、光吸収層７は、
ガラス基板１側から入射した外部光を吸収して、
EL素子のコントラストを高くすることができる。
Conventionally, this type of thin film EL device has been introduced as shown in Figures 6a and 6b, in which 1 is a glass substrate, 2 is a transparent electrode made of In 2 O 3 , SnO 2 , etc. 3 is a first dielectric layer made of Y 2 O 3 , Ta 2 O 5, etc., and 4 is 0.1 to 2.0 wt% as a luminescent center.
EL light-emitting layer of ZnS (or ZnSe, etc.) doped with Mn (or Tb, Sm, Cu, Al, Br, etc.), 5 is Y 2 O 3 ,
A second dielectric layer made of Ta 2 O 5 etc., 6 a back electrode made of Al etc., 7 a light absorption layer made of V 2 O 3 , BC 4 etc., and 8 a multilayer of Al lower oxide and Al. It is a composite electrode consisting of a membrane. Here, the transparent electrodes 2 are arranged in parallel in a plurality of strips on the glass substrate 1, and the back electrodes 6 and composite electrodes 8 are arranged in parallel in a plurality of strips in a direction perpendicular to the transparent electrodes 2. 6 or the composite electrode 8 intersect with each other when viewed in plan view corresponds to one pixel of the panel. and,
By applying an AC electrode between the electrodes 2 and 6 (or 8), electrons that are excited to the conduction band by the electric field generated in the EL light emitting layer 4 and accelerated to obtain sufficient energy can be directly Excite the Mn luminescent center,
When this excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow light. At that time, the light absorption layer 7 is
Absorbs external light incident from the glass substrate 1 side,
The contrast of the EL element can be increased.
しかしながら、第６図ａの薄膜EL素子は光吸
収層がV2O3、BC4等からなるので、光吸収効果
が十分でなく、外部光を十分に吸収することがで
きないと共に、比抵抗が十分に大きくないという
問題点があつた。即ち、比抵抗が小さいと、第６
図ａのようにEL発光層と光吸収層が接触してい
る場合には、印加電界により移動自在になつた
EL発光層の絵素部分の電子が光吸収層を介して
絵素部に隣接する非絵素部に移動しクロストーク
が顕著になる。また、印加電圧に対する発光輝度
の立ち上がりがゆるやかであり、発光輝度を高く
するためには、印加電圧を相当高くしなければな
らず、高電圧の印加に伴つて絶縁破壊を起こしや
すい。そこで、第６図ａに示した光吸収層７と第
２誘電体層５とを上下、逆にして形成することも
考えられているが、その場合、背面電極の直下の
光吸収層が電極として機能してしまいクロストー
クを引き起こしてしまうという欠点があつた。
However, in the thin film EL device shown in Figure 6a, the light absorption layer is made of V 2 O 3 , BC 4 , etc., so the light absorption effect is not sufficient, and external light cannot be absorbed sufficiently, and the resistivity is low. The problem was that it wasn't big enough. That is, if the specific resistance is small, the sixth
When the EL light-emitting layer and light-absorbing layer are in contact as shown in Figure a, they become movable due to the applied electric field.
Electrons in the picture element part of the EL light-emitting layer move to the non-picture element part adjacent to the picture element part via the light absorption layer, and crosstalk becomes noticeable. Furthermore, the luminance rises slowly with respect to the applied voltage, and in order to increase the luminance, the applied voltage must be considerably high, and dielectric breakdown is likely to occur with the application of high voltage. Therefore, it has been considered to form the light absorption layer 7 and the second dielectric layer 5 upside down and upside down as shown in FIG. This has the disadvantage that it functions as a simulator and causes crosstalk.
また、第６図ｂの薄膜EL素子においては、単
に背面電極をAlにしたときよりも光吸収効果は
あるが、前述した第６図ａの薄膜EL素子と比較
してコントラストは劣るという欠点があつた。 Furthermore, although the thin film EL element shown in Figure 6b has a better light absorption effect than when the back electrode is simply made of Al, it has the disadvantage that the contrast is inferior to that of the thin film EL element shown in Figure 6a mentioned above. It was hot.
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、印加電圧−発光輝度特性を良
好に維持し、クロストークの発生を防止してコン
トラストの良好な薄膜EL素子を提供することで
ある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a thin film EL element that maintains good applied voltage-emission brightness characteristics, prevents the occurrence of crosstalk, and has good contrast. That's true.
前記の目的を達成するために、第１の発明は、
透光性基板上に設けられた透明電極と背面電極と
の間に、EL発光層、誘電体層、及び光吸収層を
備えた薄膜EL素子において、前記背面電極と前
記光吸収層とを当接させると共に、光吸収層をタ
ンタル窒化物から構成したことを特徴とする薄膜
EL素子であり、第２の発明は、透光性基板上に
透明電極と背面電極とに挟持された、EL発光層、
誘電体層及びタンタル窒化物からなる光吸収層を
設け、かつ前記光吸収層をスパツタリング法によ
つて形成すると共に前記背面電極に当接させるよ
うにしたことを特徴とする薄膜EL素子の製造方
法である。又、その態様としては前記EL発光層
と前記背面電極との間の誘電体層がタンタル酸化
物であること、前記タンタル窒化物からなる光吸
収層の比抵抗が104Ω・cm以上であること、及び
前記タンタル窒化物からなる光吸収層を、タンタ
ルをターゲツトとし、窒素含有雰囲気中におい
て、反応性スパツタリング法により形成すること
等がある。
In order to achieve the above object, the first invention includes:
In a thin film EL element comprising an EL light emitting layer, a dielectric layer, and a light absorption layer between a transparent electrode and a back electrode provided on a light-transmitting substrate, the back electrode and the light absorption layer are arranged in parallel. A thin film characterized in that the light absorption layer is made of tantalum nitride.
The second invention is an EL device, and the second invention includes an EL light emitting layer sandwiched between a transparent electrode and a back electrode on a transparent substrate;
A method for manufacturing a thin film EL device, characterized in that a dielectric layer and a light absorption layer made of tantalum nitride are provided, and the light absorption layer is formed by a sputtering method and brought into contact with the back electrode. It is. Further, as an aspect thereof, the dielectric layer between the EL light emitting layer and the back electrode is made of tantalum oxide, and the specific resistance of the light absorption layer made of tantalum nitride is 10 4 Ω·cm or more. In addition, the light absorption layer made of tantalum nitride may be formed by a reactive sputtering method in a nitrogen-containing atmosphere using tantalum as a target.
以下、本発明の実施例を図に基づき詳細に説明
する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
実施例 １ 第１図は、本例を示す断面図である。Example 1 FIG. 1 is a sectional view showing this example.
先ず、アルミノシリケートガラス（例えば、
HOYA(株)製のNA40）からなる透光性基板１上
に、真空蒸着法により、スズ酸化物を混入した酸
化インジウムからなる透明電極２（膜厚：2000
Å）と、Y2O3からなる第１誘電体層３（膜厚：
3000Å）と、活性物質として0.5重量％のMnを
ZnS中に添加したZnS：Mn焼結ペレツトを蒸着
源にしてZnS：MnからなるEL発光層４（膜厚：
6000Å）と、Y2O3からなる第２誘電体層５（膜
厚：3000Å）とを順次成膜した。次に、スパツタ
リング法により、金属タンタルをスパツタターゲ
ツトとして、窒素ガス（分圧：６×10-1Pa）を
スパツタ装置に導入し、反応性スパツタを行い、
タンタル窒化物からなる光吸収層９（膜厚：1200
Å、比抵抗：約105Ω・cm）を前記第２誘電体層
５上に成膜した。さらに、前記光吸収層９上に
Alからなる背面電極６（膜厚：3000Å）を真空
蒸着法により成膜した。なお、透明電極２と背面
電極６とは、従来と同様に互いに直交するように
複数帯状に配列している。 First, aluminosilicate glass (e.g.
A transparent electrode 2 made of indium oxide mixed with tin oxide (film thickness: 2000 mm
Å) and the first dielectric layer 3 (thickness:
3000Å) and 0.5 wt% Mn as active material.
The EL light emitting layer 4 (thickness:
6000 Å) and a second dielectric layer 5 (thickness: 3000 Å) made of Y 2 O 3 were sequentially formed. Next, using the sputtering method, nitrogen gas (partial pressure: 6 × 10 -1 Pa) was introduced into the sputtering device using tantalum as the sputtering target, and reactive sputtering was performed.
Light absorption layer 9 made of tantalum nitride (thickness: 1200
Å, specific resistance: about 10 5 Ω·cm) was formed on the second dielectric layer 5. Furthermore, on the light absorption layer 9,
A back electrode 6 (thickness: 3000 Å) made of Al was formed by vacuum evaporation. Note that the transparent electrode 2 and the back electrode 6 are arranged in a plurality of strips so as to be orthogonal to each other as in the conventional case.
本例によれば、透光性基板１側から本例の薄膜
EL素子に入射した外部光が、光吸収層９によつ
て、Alからなる背面電極６に到達することが防
止され、一部到達して背面電極６から反射した戻
り光があつても同様に吸収され、第３図の曲線Ａ
に示すような低い反射率特性が得られる。その結
果、コントラスト比Ｃ＝（Ｉ・ｒ＋Ｂ）／（Ｉ・
ｒ）（ただし、Ｉは外部光の強度、ｒは薄膜EL素
子の反射率及びＢは発光輝度である。）であるか
ら、第４図の曲線Ｃに示すように良好なコントラ
スト比が得られる。なお、従来からある光吸収層
を設けていない薄膜EL素子のコントラスト比を
比較例として曲線Ｄに示す。 According to this example, the thin film of this example is
External light incident on the EL element is prevented from reaching the back electrode 6 made of Al by the light absorption layer 9, and even if some of the external light reaches the back electrode 6 and is reflected from the back electrode 6, the same effect occurs. absorbed, curve A in Figure 3
Low reflectance characteristics as shown in can be obtained. As a result, the contrast ratio C=(I・r+B)/(I・
r) (where I is the intensity of external light, r is the reflectance of the thin film EL element, and B is the luminance of light emission.) Therefore, a good contrast ratio can be obtained as shown in curve C in Figure 4. . Note that curve D shows the contrast ratio of a conventional thin film EL element without a light absorption layer as a comparative example.
また、本例は、第２誘電体層５と背面電極６と
の間に光吸収層９を設けているので、第５図の曲
線Ｆで示すように（比較例として前述の第６図ａ
で示した薄膜EL素子の曲線をＧで示す。）発光輝
度の立ち上りが急峻となり、所望する発光輝度
（例えば、周波数100Hz正弦波の交流電圧では、ピ
ーク波長580nｍの橙黄色を発光するときの発光
輝度は100cd／m2）に対する発光開始電圧も低く
抑えることができ、絶縁破壊をも防止することが
できる。さらに、本例の光吸収層９は、窒化度の
高いタンタル窒化物（比抵抗：約105Ω・cm）で
あるから、クロストークも十分に防止することが
できる。なお、本例では、光吸収層の比抵抗が約
105Ω・cmであるが、約104Ω・cm以上であれば同
様な効果がある。 Further, in this example, since the light absorption layer 9 is provided between the second dielectric layer 5 and the back electrode 6, as shown by the curve F in FIG.
The curve of the thin film EL device shown in is indicated by G. ) The rise of the emission brightness is steep, and the emission start voltage is also low relative to the desired emission brightness (for example, with an AC voltage with a frequency of 100Hz sine wave, the emission brightness when emitting orange-yellow light with a peak wavelength of 580nm is 100cd/m 2 ). It is also possible to suppress dielectric breakdown. Furthermore, since the light absorption layer 9 of this example is made of tantalum nitride with a high degree of nitridation (specific resistance: about 10 5 Ω·cm), crosstalk can be sufficiently prevented. In addition, in this example, the specific resistance of the light absorption layer is approximately
10 5 Ω·cm, but a similar effect can be obtained if it is approximately 10 4 Ω·cm or more.
一方、本例では、スパツタリング法によりタン
タル窒化物からなる光吸収層を形成しているの
で、真空蒸着法によつて形成された光吸収層より
も、絶縁性が高く、かつ経時変化も抑えることが
できるので、本例による薄膜EL素子を長期に使
用することができ、また光吸収層の窒化度を高く
する効果もある。 On the other hand, in this example, the light absorption layer made of tantalum nitride is formed by the sputtering method, so it has higher insulation properties and is less likely to change over time than a light absorption layer formed by the vacuum evaporation method. Therefore, the thin film EL device according to this example can be used for a long period of time, and there is also an effect of increasing the degree of nitridation of the light absorption layer.
また、タンタル窒化物は、塩酸、硝酸、硫酸等
の酸に対して耐久性があるので、本例のような
Al等の金属からなる背面電極の直下に光吸収層
を設けている構造の場合、背面電極を前記酸のエ
ツチング液でエツチングした帯状に形成するとき
でも、エツチング液に光吸収層が侵されることが
ない。 In addition, tantalum nitride is resistant to acids such as hydrochloric acid, nitric acid, and sulfuric acid, so it
In the case of a structure in which a light absorption layer is provided directly under a back electrode made of a metal such as Al, even when the back electrode is formed into a band shape etched with the acid etching solution, the light absorption layer may be attacked by the etching solution. There is no.
実施例 ２ 第２図は、本例を示す断面図である。Example 2 FIG. 2 is a sectional view showing this example.
先ず、前述したアルミノシリケートガラスの透
光性部材１１の観測表面１２上に、真空蒸着法に
よりMgF2からなる反射防止層１３（膜厚：1000
Å）を成膜し、透光性基板１０を製作する。次
に、この基板１０の観測表面１２と対向する表面
１４上に、スズ酸化物を混入した酸化インジウム
からなる透明電極２（膜厚：2000Å）を真空蒸着
法により成膜し、次に、金属タンタルをスパツタ
ターゲツトとして、O2ガスを30％混入したArガ
ス（分圧：６×10-1Pa）をスパツタ装置内に導
入し、反応性スパツタリングし、Ta2O5からなる
第１誘電体層３（膜厚：4000Å）を成膜した。次
に、前記第１誘電体層３上に、前記実施例１と同
様にZnS：MnからなるEL発光層４（膜厚：6000
Å）を成膜した。次に、前記第１誘電体層と同様
にスパツタリング法によりTa2O5からなる第２誘
電体層５（膜厚：3000Å）を成膜し、引き続き、
O2ガス及びArガスを排気し、N2ガス（分圧：６
×10-1Pa）を導入し、反応性スパツタを行い、
タンタル窒化物からなる光吸収層９（膜厚：1200
Å）を成膜した。そして、前記光吸収層９上に、
前記実施例１と同様にAlからなる背面電極６
（膜厚：3000Å）を積層する。なお、透明電極２
と背面電極６との位置関係及び構造は前述したと
おりである。 First, an antireflection layer 13 (film thickness: 1000 mm
1) to fabricate a transparent substrate 10. Next, a transparent electrode 2 (thickness: 2000 Å) made of indium oxide mixed with tin oxide is formed on the surface 14 of this substrate 10, which faces the observation surface 12, by vacuum evaporation method. Using tantalum as a sputtering target, Ar gas (partial pressure: 6×10 -1 Pa) mixed with 30% O 2 gas was introduced into the sputtering device, and reactive sputtering was performed to form the first dielectric material made of Ta 2 O 5 . Body layer 3 (thickness: 4000 Å) was formed. Next, on the first dielectric layer 3, an EL light emitting layer 4 made of ZnS:Mn (thickness: 6000 mm) is placed on the first dielectric layer 3.
Å) was deposited. Next, a second dielectric layer 5 (thickness: 3000 Å) made of Ta 2 O 5 was formed by sputtering in the same manner as the first dielectric layer, and subsequently,
Exhaust O 2 gas and Ar gas, and replace with N 2 gas (partial pressure: 6
×10 -1 Pa), reactive sputtering was carried out,
Light absorption layer 9 made of tantalum nitride (thickness: 1200
Å) was deposited. Then, on the light absorption layer 9,
The back electrode 6 made of Al as in Example 1
(Film thickness: 3000 Å) is laminated. Note that the transparent electrode 2
The positional relationship and structure between and the back electrode 6 are as described above.
本例によれば、前記実施例１と同様に、外部光
の反射を防止することができ、さらに、反射防止
膜１３を観測表面１２上に被覆していることか
ら、この面から反射をほとんど防止することがで
き、第３図の曲線Ｂで示すように、平均反射率７
％程度（波長：400〜700nｍ）とすることができ
た。この結果、第４図の曲線Ｅに示すように前記
実施例１のものよりも良好なコントラスト比を得
ることができた。さらに、本例では、金属タンタ
ルをスパツタターゲツトとし、Ta2O5膜からなる
第２誘電体層５を成膜し、引き続き同一の金属タ
ンタルをスパツタターゲツトとして、タンタル窒
化物からなる光吸収層９を成膜することができる
ので、第２誘電体層及び光吸収層ともTaを含ん
でいるものであることから互いの付着力が強く、
また、光吸収層内にゴミ等の異物を混入させるこ
ともないことから、光吸収層の絶縁破壊を防止す
ることができ、かつ作業性もよくなる。 According to this example, as in Example 1, reflection of external light can be prevented, and since the anti-reflection film 13 is coated on the observation surface 12, almost no reflection from this surface can be prevented. As shown by curve B in Figure 3, the average reflectance is 7.
% (wavelength: 400 to 700 nm). As a result, as shown by curve E in FIG. 4, a better contrast ratio than that of Example 1 could be obtained. Furthermore, in this example, a second dielectric layer 5 made of Ta 2 O 5 is formed using metal tantalum as a sputter target, and then a light absorbing layer 5 made of tantalum nitride is formed using the same metal tantalum as a sputter target. Since layer 9 can be formed, since both the second dielectric layer and the light absorption layer contain Ta, their adhesion to each other is strong.
Further, since foreign matter such as dust is not mixed into the light absorption layer, dielectric breakdown of the light absorption layer can be prevented and workability is improved.
また、本例によれば、前記実施例１と同様に、
印加電圧−発光輝度特性も良好で、クロストーク
も防止することができる。なお、本例も光吸収層
の比抵抗が約104Ω・cm以上あればよい。 Furthermore, according to this example, similarly to the first embodiment,
The applied voltage-emission brightness characteristics are also good, and crosstalk can be prevented. Note that in this example as well, it is sufficient that the specific resistance of the light absorption layer is about 10 4 Ω·cm or more.
さらに、本例でもスパツタリング法によつて光
吸収層を成膜しているので前記実施例１と同様の
効果がある。 Furthermore, since the light absorption layer is formed by the sputtering method in this example as well, the same effect as in Example 1 can be obtained.
以上、前記実施例１及び２においては、EL発
光層上に順次第２誘電体層、光吸収層及び背面電
極を積層した構成となつているが、EL発光層−
光吸収層−第２誘電体層−背面電極の構成であつ
てもよい。この構成において、発光輝度の立ち上
りは、前記実施例１及び２と比較して実用上問題
とならない程度にゆるやかになるが、コントラス
ト比の向上及びクロストークの防止に対しては同
様の効果があり、さらに、光吸収層の比抵抗が約
104Ω・cm未満であつてもクロストークは発生し
ない効果がある。また、光吸収層の膜厚は、光吸
収量と光吸収層の製造上からみて、1000Å以上で
5000Å以下が望ましい。 As described above, in Examples 1 and 2, the two dielectric layers, the light absorption layer, and the back electrode are sequentially laminated on the EL light emitting layer.
The structure may be a light absorption layer-second dielectric layer-back electrode. In this configuration, the rise in luminance of the emitted light becomes more gradual than in Examples 1 and 2 to the extent that it does not pose a problem in practice, but it has the same effect on improving the contrast ratio and preventing crosstalk. , Furthermore, the specific resistance of the light absorption layer is approximately
Even if the resistance is less than 10 4 Ω・cm, crosstalk does not occur. In addition, the thickness of the light absorption layer should be 1000Å or more, considering the amount of light absorption and the manufacturing of the light absorption layer.
Desirably 5000 Å or less.
次に、前記実施例１、２の反応性スパツタリン
グ法においてはN2ガス雰囲気中で行ったが、N2
ガスとArガス等の不活性ガスとの混合雰囲気中
で行っても同様の効果がある。さらに、前記実施
例では、スパツタリング法により光吸収層を成膜
したが、真空蒸着法であつてもよい。しかし、ス
パツタリング法の方が、光吸収層の窒化度を高め
るのに効果がある。 Next, although the reactive sputtering method of Examples 1 and 2 was carried out in an N 2 gas atmosphere,
Similar effects can be obtained even when the process is carried out in a mixed atmosphere of gas and an inert gas such as Ar gas. Further, in the above embodiments, the light absorption layer was formed by sputtering, but it may also be formed by vacuum evaporation. However, the sputtering method is more effective in increasing the degree of nitridation of the light absorption layer.
本発明は、以上の実施例に使用した各物質以外
に、ガラス基板についてはソーダライムガラス等
の多成分系ガラス又は石英ガラス、透明電極につ
いてはIn2O3若しくはこれにＷを添加したもの又
はSnO2にSb、Ｆ等を添加したもの、第１誘電体
層及び第２誘電体層については、Al2O3、HfO2
等の酸化物、Si3N4等の窒化物又はこれらの混合
物、発光層についてはZnS：Cu、ZnS：Al（何れ
も黄緑色発光）、Zn（Ｓ・Se）：Cu、Zn（Ｓ・
Ｓ）：Br（何れも緑色発光）、ZnS：Sm（赤色発
光）、ZnS：Tb（緑色発光）、ZnS：Tm（青色発
光）、背面電極についてはTa、Mo、Fe、Ni、
NiCr等の金属をそれぞれ使用してもよい。 In addition to the materials used in the above embodiments, the present invention uses multi-component glass such as soda lime glass or quartz glass for the glass substrate, and In 2 O 3 or a material to which W is added for the transparent electrode. SnO 2 with Sb, F, etc. added, the first dielectric layer and the second dielectric layer are Al 2 O 3 , HfO 2
oxides such as Si 3 N 4, nitrides such as Si 3 N 4 , or mixtures thereof. For the light emitting layer, ZnS:Cu, ZnS:Al (all emit yellow-green light), Zn(S・Se):Cu, Zn(S・Se):
S): Br (all emit green light), ZnS: Sm (red light emit), ZnS: Tb (green light emit), ZnS: Tm (blue light emit), for the back electrode Ta, Mo, Fe, Ni,
Metals such as NiCr may also be used.
以上のとおり、本発明によれば、コントラスト
を向上させることができ、印加電圧−発光輝度特
性を良好に保つことができ、またクロストークも
防止することができる。また、光吸収層は背面電
極を形成するためのエツチング条件に耐性を有し
ていることから、膜ベリに起因するコントラスト
の低下を防止することができる。
As described above, according to the present invention, contrast can be improved, applied voltage-emission brightness characteristics can be maintained favorably, and crosstalk can also be prevented. Furthermore, since the light absorption layer has resistance to the etching conditions for forming the back electrode, it is possible to prevent a decrease in contrast due to film burr.
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図は
本発明の薄膜EL素子における反射率特性図、第
４図は本発明の薄膜EL素子におけるコントラス
ト特性図、第５図は本発明の薄膜EL素子の印加
電圧−発光輝度特性図、及び第６図ａ，ｂは従来
の薄膜EL素子を示す断面図である。
１，１０……透光性基板、２……透明電極、３
……第１誘電体層、４……EL発光層、５……第
２誘電体層、６……背面電極、９……タンタル窒
化物からなる光吸収層、１１……透光性部材、１
３……反射防止膜。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a sectional view showing another embodiment of the present invention, Figure 3 is a reflectance characteristic diagram of the thin film EL element of the present invention, Figure 4 is a contrast characteristic diagram of the thin film EL element of the present invention, and Figure 5 is a diagram of the present invention. The applied voltage-emission luminance characteristic diagram of the thin film EL device of the invention and FIGS. 6a and 6b are cross-sectional views showing a conventional thin film EL device. 1, 10...Transparent substrate, 2...Transparent electrode, 3
...First dielectric layer, 4...EL light emitting layer, 5...Second dielectric layer, 6...Back electrode, 9...Light absorption layer made of tantalum nitride, 11...Transparent member, 1
3...Anti-reflective film.
Claims (1)
極との間に、EL発光層、誘電体層、及び光吸収
層を備えた薄膜EL素子において、前記背面電極
と前記光吸収層とを当接させると共に、光吸収層
をタンタル窒化物から構成したことを特徴とする
薄膜EL素子。 ２ 前記EL発光層と前記背面電極との間の誘電
体層が、タンタル酸化物からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜EL素子。 ３ 前記タンタル窒化物からなる光吸収層の比抵
抗が104Ω・cm以上であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項、又は第２項記載の薄膜EL素
子。 ４ 前記透光性基板の前記透明電極が設けられて
いる面の反対側の面に、反射防止膜が被覆されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項、又は第３項記載の薄膜EL素子。 ５ 透光性基板上に透明電極と背面電極とに挟持
された、EL発光層、誘電体層及びタンタル窒化
物からなる光吸収層を設け、かつ前記光吸収層を
スパツタリング法によつて形成すると共に前記背
面電極に当接させるようにしたことを特徴とする
薄膜EL素子の製造方法。 ６ 前記光吸収層を、タンタルをターゲツトと
し、窒素含有雰囲気中において、反応性スパツタ
リング法により形成することを特徴とする請求項
第５記載の薄膜EL素子の製造方法。 ７ 前記EL発光層、タンタル酸化物からなる誘
電体層、前記光吸収層及び背面電極を順次積層
し、かつタンタルをターゲツトとして酸素含有雰
囲気中において、反応性スパツタリング法により
前記誘電体層を形成し、次にタンタルをターゲツ
トとして窒素含有雰囲気中において、反応性スパ
ツタリング法により前記光吸収層を形成すること
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の薄膜
EL素子の製造方法。[Claims] 1. A thin film EL element comprising an EL light-emitting layer, a dielectric layer, and a light absorption layer between a transparent electrode and a back electrode provided on a light-transmitting substrate, wherein the back electrode and A thin film EL device, characterized in that the light absorption layer is in contact with the light absorption layer, and the light absorption layer is made of tantalum nitride. 2. The thin film EL device according to claim 1, wherein the dielectric layer between the EL light emitting layer and the back electrode is made of tantalum oxide. 3. The thin film EL device according to claim 1 or 2, wherein the light absorption layer made of tantalum nitride has a specific resistance of 10 4 Ω·cm or more. 4. Claims 1, 2, or 4, characterized in that an antireflection film is coated on a surface of the light-transmitting substrate opposite to the surface on which the transparent electrode is provided. Thin film EL device according to item 3. 5. An EL light-emitting layer, a dielectric layer, and a light-absorbing layer made of tantalum nitride are provided on a transparent substrate, and the light-absorbing layer is sandwiched between a transparent electrode and a back electrode, and the light-absorbing layer is formed by a sputtering method. A method for manufacturing a thin film EL element, characterized in that the thin film EL element is brought into contact with the back electrode. 6. The method of manufacturing a thin film EL device according to claim 5, wherein the light absorption layer is formed by a reactive sputtering method in a nitrogen-containing atmosphere using tantalum as a target. 7. The EL light-emitting layer, the dielectric layer made of tantalum oxide, the light absorption layer, and the back electrode are sequentially laminated, and the dielectric layer is formed by a reactive sputtering method in an oxygen-containing atmosphere using tantalum as a target. The thin film according to claim 5, wherein the light absorption layer is then formed by a reactive sputtering method in a nitrogen-containing atmosphere using tantalum as a target.
EL element manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061674A JPS61220292A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Thin film el element and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061674A JPS61220292A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Thin film el element and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220292A JPS61220292A (en) | 1986-09-30 |
| JPH0460317B2 true JPH0460317B2 (en) | 1992-09-25 |
Family
ID=13178027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061674A Granted JPS61220292A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Thin film el element and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220292A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP6899477B2 (en) * | 2019-07-26 | 2021-07-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Flexible OLED device, its manufacturing method and support substrate |
| CN111217342B (en) * | 2020-03-11 | 2021-10-22 | 华北理工大学 | A kind of preparation method of porous niobium nitride powder microwave absorbing material |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0632311B2 (en) * | 1983-02-08 | 1994-04-27 | 日産自動車株式会社 | Display device |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061674A patent/JPS61220292A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61220292A (en) | 1986-09-30 |
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