JPH0460361B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0460361B2 JPH0460361B2 JP60244555A JP24455585A JPH0460361B2 JP H0460361 B2 JPH0460361 B2 JP H0460361B2 JP 60244555 A JP60244555 A JP 60244555A JP 24455585 A JP24455585 A JP 24455585A JP H0460361 B2 JPH0460361 B2 JP H0460361B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- finger
- strip
- microstrip
- pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロストリツプすなわち条線に
形成した直流遮断器に関するものである。
形成した直流遮断器に関するものである。
第６図は例えばIEEE TRANSACTION ON
MICROWAVE THEORY AND
TECHNIQUES，AUGUST 1972 P555 Octave
−Band Microstrip DC Blocks にある従来の
直流遮断器を示す図であり、第５図は上記第６図
の一部拡大図である。図においては、１は裏面に
接地導体となる金属膜２が形成された誘電体基板
である。基板１の表面には、第１，第２の母線と
なるストリツプ線路導体３ａ，３ｂが形成されて
おり上記第１のストリツプ導体には指状片すなわ
ちストリツプ電極４ａが、また第２のストリツプ
導体には同じく指状片すなわちストリツプ電極４
ｂが互に近接して配置されている。ここで誘電体
基板を暑さ0.635mmのアルミナ基板を使用した場
合には、第１，第２の母線となるマイクロストリ
ツプ線路導体の特性インピーダンスを50Ωとする
ために線路幅は0.6mmに決定される。また指状片
すなわちストリツプ電極４ａ，４ｂはEVEN
MODEインピーダンスZoe130オーム，ODD
MODEインピーダンスZoo24オームとして特性
インピーダンスZo＝Zoe−Zoo／Ｚ＝130−24／２53 オームとなり母線となるマイクロストリツプ線路
導体の特性インピーダンス50オームと整合が取れ
るように、導体幅Ｗ＝0.16mm、導体間隔Ｓ＝
0.025mmとなるように設けられている。また長さ
は使用される周波数の中心周波数における波長
の１／４波長となつている。次に動作について説明 する。前記第１又は第２の母線となるマイクロス
トリツプ線路導体３ａ又は３ｂの一方に加えられ
た直流信号は明らかではあるが、前記第１及び第
２の母線３ａ及び３ｂが直流的につまりは形状的
に切れているので伝送されることはない。しかし
ながら同様に加えられた高周波信号は指状片すな
わちストリツプ電極４ａ，４ｂ間の電極結合によ
り一方より他方へ効率よく伝送されることとな
る。
MICROWAVE THEORY AND
TECHNIQUES，AUGUST 1972 P555 Octave
−Band Microstrip DC Blocks にある従来の
直流遮断器を示す図であり、第５図は上記第６図
の一部拡大図である。図においては、１は裏面に
接地導体となる金属膜２が形成された誘電体基板
である。基板１の表面には、第１，第２の母線と
なるストリツプ線路導体３ａ，３ｂが形成されて
おり上記第１のストリツプ導体には指状片すなわ
ちストリツプ電極４ａが、また第２のストリツプ
導体には同じく指状片すなわちストリツプ電極４
ｂが互に近接して配置されている。ここで誘電体
基板を暑さ0.635mmのアルミナ基板を使用した場
合には、第１，第２の母線となるマイクロストリ
ツプ線路導体の特性インピーダンスを50Ωとする
ために線路幅は0.6mmに決定される。また指状片
すなわちストリツプ電極４ａ，４ｂはEVEN
MODEインピーダンスZoe130オーム，ODD
MODEインピーダンスZoo24オームとして特性
インピーダンスZo＝Zoe−Zoo／Ｚ＝130−24／２53 オームとなり母線となるマイクロストリツプ線路
導体の特性インピーダンス50オームと整合が取れ
るように、導体幅Ｗ＝0.16mm、導体間隔Ｓ＝
0.025mmとなるように設けられている。また長さ
は使用される周波数の中心周波数における波長
の１／４波長となつている。次に動作について説明 する。前記第１又は第２の母線となるマイクロス
トリツプ線路導体３ａ又は３ｂの一方に加えられ
た直流信号は明らかではあるが、前記第１及び第
２の母線３ａ及び３ｂが直流的につまりは形状的
に切れているので伝送されることはない。しかし
ながら同様に加えられた高周波信号は指状片すな
わちストリツプ電極４ａ，４ｂ間の電極結合によ
り一方より他方へ効率よく伝送されることとな
る。
従来のインターデジタル形マイクロストリツプ
直流遮断器は以上のように導体幅Ｗ＝0.16mm導体
間隔Ｓ＝0.025mmとなつており、一般に誘電体基
板上の導体をエツチングによりストリツプ電極を
形成する方法によつては、特に上記導体間隔Ｓ＝
0.025mmを正確に形成するにはサイドエツチング
等が避けられず非常な困難を要し、また微小なサ
イドエツチングが電気特性上に大きな影響を与
え、特に高周波信号の伝送効率を低下させること
となる。
直流遮断器は以上のように導体幅Ｗ＝0.16mm導体
間隔Ｓ＝0.025mmとなつており、一般に誘電体基
板上の導体をエツチングによりストリツプ電極を
形成する方法によつては、特に上記導体間隔Ｓ＝
0.025mmを正確に形成するにはサイドエツチング
等が避けられず非常な困難を要し、また微小なサ
イドエツチングが電気特性上に大きな影響を与
え、特に高周波信号の伝送効率を低下させること
となる。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、導体間隔を広くし、エツチン
グによりマイクロストリツプ線路の形成を容易に
し、かつサイドエツチングによる電気特性への影
響を小さくし特に高周波数信号の伝送効率の低下
を小さくすることのできるインターデジタル形マ
イクロストリツプ直流遮断器を得ることを目的と
する。
になされたもので、導体間隔を広くし、エツチン
グによりマイクロストリツプ線路の形成を容易に
し、かつサイドエツチングによる電気特性への影
響を小さくし特に高周波数信号の伝送効率の低下
を小さくすることのできるインターデジタル形マ
イクロストリツプ直流遮断器を得ることを目的と
する。
この発明に係るインターデジタル形マイクロス
トリツプ直流遮断器は母線より２つのくし形電極
を互いにはまりあうように配列するとともに他方
のくし形電極に向つてそれぞれ突出するように配
列し、かつそれぞれのしく形電極部において指状
片を導体によつて接続したものである。
トリツプ直流遮断器は母線より２つのくし形電極
を互いにはまりあうように配列するとともに他方
のくし形電極に向つてそれぞれ突出するように配
列し、かつそれぞれのしく形電極部において指状
片を導体によつて接続したものである。
本発明によると電磁結合部分をくし形電極とし
たために導体間隔を広くすることができエツチン
グ等によるマイクロストリツプ基板の形成が容易
となり、かつサイドエツチングの影響を小さくす
ることができる。またそれぞれのしく形電極部に
おいて指状片を導体によつて接続したことによつ
て、導体幅が細くなりある周波数において発生す
る共振によつて伝送効率が低下するという問題が
解決される。
たために導体間隔を広くすることができエツチン
グ等によるマイクロストリツプ基板の形成が容易
となり、かつサイドエツチングの影響を小さくす
ることができる。またそれぞれのしく形電極部に
おいて指状片を導体によつて接続したことによつ
て、導体幅が細くなりある周波数において発生す
る共振によつて伝送効率が低下するという問題が
解決される。
以下この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図において１は裏面に接地導体となる金
属膜２が形成された誘電体基板であり、基板１の
表面には、第１，第２の母線となるストリツプ線
路導体３ａ，３ｂが形成されており、上記第１の
ストリツプ導体には指状片すなわちストリツプ電
極４ｆ，４ｄが、第２のストリツプ導体には同じ
く４ｅ，４ｃがそれぞれしく形電極として形成さ
れている。ここで各指状片すなわちストリツプ電
極はそれぞれ幅Ｗをもち、それぞれの指状片は互
いに間隔Ｓをもつている。またそれぞれのしく形
電極を形成する各指状片は導体５で接続されてい
る。これは一般に熱圧着あるは超音波法によりボ
ンデイングされている。本実施例において、例え
ば上記１の誘電体基板として厚さ0.635mmのアル
ミナ基板を使用した場合には、第１，第２の母線
となるマイクロストリツプ線路導体幅は特性イン
ピーダンスを50オームとするために0.6mmとなつ
ている。また指状片すなわちストリツプ電極４
ｆ，４ｄ，４ｅ，４ｃはEVEN MODEインピー
ダンスZoe130オーム，ODD MODEインピー
ダンスZoo24オームとして特性インピーダンス
Zo＝Zoe−Zoo／２＝130−24／２53オームとして母 線となるマイクロストリツプ線路の特性インピー
ダンス50オームと整合が取れるように、導体幅Ｗ
＝0.06mm、導体間隔Ｓ＝0.04mmとなつている。ま
た長さは使用される周波数の中心周波数におけ
る波長の１／４波長となつている。
る。第１図において１は裏面に接地導体となる金
属膜２が形成された誘電体基板であり、基板１の
表面には、第１，第２の母線となるストリツプ線
路導体３ａ，３ｂが形成されており、上記第１の
ストリツプ導体には指状片すなわちストリツプ電
極４ｆ，４ｄが、第２のストリツプ導体には同じ
く４ｅ，４ｃがそれぞれしく形電極として形成さ
れている。ここで各指状片すなわちストリツプ電
極はそれぞれ幅Ｗをもち、それぞれの指状片は互
いに間隔Ｓをもつている。またそれぞれのしく形
電極を形成する各指状片は導体５で接続されてい
る。これは一般に熱圧着あるは超音波法によりボ
ンデイングされている。本実施例において、例え
ば上記１の誘電体基板として厚さ0.635mmのアル
ミナ基板を使用した場合には、第１，第２の母線
となるマイクロストリツプ線路導体幅は特性イン
ピーダンスを50オームとするために0.6mmとなつ
ている。また指状片すなわちストリツプ電極４
ｆ，４ｄ，４ｅ，４ｃはEVEN MODEインピー
ダンスZoe130オーム，ODD MODEインピー
ダンスZoo24オームとして特性インピーダンス
Zo＝Zoe−Zoo／２＝130−24／２53オームとして母 線となるマイクロストリツプ線路の特性インピー
ダンス50オームと整合が取れるように、導体幅Ｗ
＝0.06mm、導体間隔Ｓ＝0.04mmとなつている。ま
た長さは使用される周波数の中心周波数におけ
る波長の１／４波長となつている。
第３図は以上のような構成から導体５を取り除
いた場合のインターデジタル形マイクロストリツ
プ直流遮断器の特性を示した図であり横軸は中心
周波数o，使用周波数LからHを示し縦軸はそ
の周波数における電圧定在波比（VSWR）を示
している。この図において電圧定在波比
（VSWR）は使用周波数内においておおよそ1.3以
内である。ただしＡ部において周波数aの場合
電圧定在波比は1.4以上となつているこれは高周
波信号の伝送効率の低下を示している。これは指
状片すなわちストリツプ導体４ｆ，fd，fe，４ｃ
が細くなつたことにより共振が発生したことによ
る。本発明ではこの上に前記指状片４ｃ，４ｅ間
及び４ｄ，４ｄ間を金属導体５で接続している。
第４図は金属導体５によつて指状片４ｃ，４ｅ
間、４ｄ，４ｆ間を接続した場合の本発明による
インターデジタル形マイクロストリツプ直流遮断
器の特性を示しており、このように本発明による
と前記第１又は第２の母線に加えられた直流信号
は明らかではあるが前記第１及び第２の母線が直
流的に切れているために伝送されることはなく、
同様に加えられた高周波信号は指状片すりわちス
トリツプ電極４ｃ，４ｅ，４ｄ，４ｆ間の電磁結
合により一方より他方へ効率よく伝送されること
となる。
いた場合のインターデジタル形マイクロストリツ
プ直流遮断器の特性を示した図であり横軸は中心
周波数o，使用周波数LからHを示し縦軸はそ
の周波数における電圧定在波比（VSWR）を示
している。この図において電圧定在波比
（VSWR）は使用周波数内においておおよそ1.3以
内である。ただしＡ部において周波数aの場合
電圧定在波比は1.4以上となつているこれは高周
波信号の伝送効率の低下を示している。これは指
状片すなわちストリツプ導体４ｆ，fd，fe，４ｃ
が細くなつたことにより共振が発生したことによ
る。本発明ではこの上に前記指状片４ｃ，４ｅ間
及び４ｄ，４ｄ間を金属導体５で接続している。
第４図は金属導体５によつて指状片４ｃ，４ｅ
間、４ｄ，４ｆ間を接続した場合の本発明による
インターデジタル形マイクロストリツプ直流遮断
器の特性を示しており、このように本発明による
と前記第１又は第２の母線に加えられた直流信号
は明らかではあるが前記第１及び第２の母線が直
流的に切れているために伝送されることはなく、
同様に加えられた高周波信号は指状片すりわちス
トリツプ電極４ｃ，４ｅ，４ｄ，４ｆ間の電磁結
合により一方より他方へ効率よく伝送されること
となる。
なお上記実施例においては基板を厚さ0.635mm
のアルミナ基板としたが厚さは0.635mmに限らず
他の厚さとして同様に例えば母線となるマイクロ
ストリツプ線路幅を決定してよい。また基板を他
の材料例えばテフロン基板としても同様の効果を
奏する。
のアルミナ基板としたが厚さは0.635mmに限らず
他の厚さとして同様に例えば母線となるマイクロ
ストリツプ線路幅を決定してよい。また基板を他
の材料例えばテフロン基板としても同様の効果を
奏する。
以上のように、この発明によれば２つのくし形
電極を互いにはまり合うように配列するとともに
他方のくし形電極に向つてそれぞれ突出するよう
に配列し、かつそれぞれのしく形電極部において
指状片を導体によつて接続するようにしたので、
導体間隔を広くすることができエツチング等によ
りマイクロストリツプ線路の形成が容易となりか
つサイドエツチングの影響を小さくできる効果が
ある。
電極を互いにはまり合うように配列するとともに
他方のくし形電極に向つてそれぞれ突出するよう
に配列し、かつそれぞれのしく形電極部において
指状片を導体によつて接続するようにしたので、
導体間隔を広くすることができエツチング等によ
りマイクロストリツプ線路の形成が容易となりか
つサイドエツチングの影響を小さくできる効果が
ある。
第１図はこの発明に係るマイクロストリツプ直
流遮断器の電極部の詳細図、第２図はこの発明の
マイクロストリツプ直流遮断器の全体図、第３図
はマイクロストリツプ直流遮断器の特性図、第４
図は本発明のマイクロストリツプ直流遮断器の特
性図、第５図は従来のマイクロストリツプ直流遮
断器の電極部の詳細図、第６図は従来のマイクロ
ストリツプ直流遮断器の全体図である。 図において、１は誘電体基板、２は接地導体と
なる金属導体、３は母線、４は指状片すなわちス
トリツプ電極５は金属導体である。なお図中同一
符号は同一、又は相当部分を示す。
流遮断器の電極部の詳細図、第２図はこの発明の
マイクロストリツプ直流遮断器の全体図、第３図
はマイクロストリツプ直流遮断器の特性図、第４
図は本発明のマイクロストリツプ直流遮断器の特
性図、第５図は従来のマイクロストリツプ直流遮
断器の電極部の詳細図、第６図は従来のマイクロ
ストリツプ直流遮断器の全体図である。 図において、１は誘電体基板、２は接地導体と
なる金属導体、３は母線、４は指状片すなわちス
トリツプ電極５は金属導体である。なお図中同一
符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 裏面に接地導体が被着された誘電体基板と、
この誘電体基板の表面上に設けられた第１の母線
からくし形に延びる複数の指状片からなる第１の
ストリツプ電極と、前記誘電体基板の表面に設け
られた第２の母線からくし形に延びて前記第１の
指状片に一定の間隔をへだてて交互に対向する複
数の指状片からなる第２のストリツプ電極と、こ
れらの第１及び第２のストリツプ電極のそれぞれ
においてストリツプ電極の指状片を互いに接続す
る導体とを備えたマイクロストツプ直流遮断器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60244555A JPS62102601A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | マイクロストリツプ直流遮断器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60244555A JPS62102601A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | マイクロストリツプ直流遮断器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102601A JPS62102601A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0460361B2 true JPH0460361B2 (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=17120447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60244555A Granted JPS62102601A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | マイクロストリツプ直流遮断器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102601A (ja) |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60244555A patent/JPS62102601A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62102601A (ja) | 1987-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |