JPH0460908A - 合金磁性薄膜積層体の製造方法 - Google Patents
合金磁性薄膜積層体の製造方法Info
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- JPH0460908A JPH0460908A JP16773490A JP16773490A JPH0460908A JP H0460908 A JPH0460908 A JP H0460908A JP 16773490 A JP16773490 A JP 16773490A JP 16773490 A JP16773490 A JP 16773490A JP H0460908 A JPH0460908 A JP H0460908A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＶＴＲ等に使用される磁気へ・ラドコアの製造
工程に関し、特に合金薄膜積層型ヘッドの特性向上に関
する。
工程に関し、特に合金薄膜積層型ヘッドの特性向上に関
する。
従来の合金薄膜積層型ヘッドの製造工程を第４図（Ａ）
〜（Ｍ）によって説明する。以下、この項で記す（Ａ）
〜（Ｍ）は第４図（Ａ）〜（Ｍ）の意味である。
〜（Ｍ）によって説明する。以下、この項で記す（Ａ）
〜（Ｍ）は第４図（Ａ）〜（Ｍ）の意味である。
まず、非磁性基板１を用意する。（Ａ）０次に非磁性基
板 Ｉの片面に合金磁性薄膜（例えばセンダスト合金）
２をスパッタリング等の方法によって形成する。（Ｂ）
、 このとき高周波特性をよくするために、絶縁層３
を介した多層構造にする。つぎに、この上にさらに低融
点ガラスＡ４をスパッタリング等の方法で被着させる。
板 Ｉの片面に合金磁性薄膜（例えばセンダスト合金）
２をスパッタリング等の方法によって形成する。（Ｂ）
、 このとき高周波特性をよくするために、絶縁層３
を介した多層構造にする。つぎに、この上にさらに低融
点ガラスＡ４をスパッタリング等の方法で被着させる。
（Ｃ）。
こうしてつくられた基板１θ、１０，１０．・・・・を
重ね合わせた状態で溶着治具（図示せず）により基板の
厚さ方向に加圧したまま熱処理炉中で加熱し、低融点ガ
ラスＡによって接合された合金磁性薄膜積層体１２を得
る。（Ｄ）、 この合金磁性薄膜積層体１２を線分２
０．２０．２０・・・および線分２１．２１ 。
重ね合わせた状態で溶着治具（図示せず）により基板の
厚さ方向に加圧したまま熱処理炉中で加熱し、低融点ガ
ラスＡによって接合された合金磁性薄膜積層体１２を得
る。（Ｄ）、 この合金磁性薄膜積層体１２を線分２
０．２０．２０・・・および線分２１．２１ 。
２１・・・で示す位置で切断しくＥ）積層バー１３Ａ。
１３Ｂ、を得る。（Ｆ）、積層バー１３Ａ、１３Ｂに溝
１４．１５を形成しくＧ）、ギャップ形成面１ｅＡ 、
ＩＧＢを研磨する。（Ｈ）、つぎに、研磨面にギャッ
プスペーサとして５１０２膜（図示せず）をスパッタリ
ングで成膜する。この積層バー１３Ａ、１３Ｂの成膜面
を突き合わせて合金磁性薄膜の位置を合わせて、溶着治
具（図示せず）により固定し、低融点ガラスＢ６を載せ
て（Ｉ）、熱処理炉中で加熱接合しヘッドバー１７を得
る。（Ｊ）、続いて、ヘッドバーの先端部分１８を曲面
に研磨 （Ｋ）。
１４．１５を形成しくＧ）、ギャップ形成面１ｅＡ 、
ＩＧＢを研磨する。（Ｈ）、つぎに、研磨面にギャッ
プスペーサとして５１０２膜（図示せず）をスパッタリ
ングで成膜する。この積層バー１３Ａ、１３Ｂの成膜面
を突き合わせて合金磁性薄膜の位置を合わせて、溶着治
具（図示せず）により固定し、低融点ガラスＢ６を載せ
て（Ｉ）、熱処理炉中で加熱接合しヘッドバー１７を得
る。（Ｊ）、続いて、ヘッドバーの先端部分１８を曲面
に研磨 （Ｋ）。
した後、２２，２２，２２．・・・で示す位置でスライ
スして（Ｌ）、ヘッドチップエ９が完成する。（Ｍ）。
スして（Ｌ）、ヘッドチップエ９が完成する。（Ｍ）。
合金磁性薄膜は単に成膜しただけでは良好な磁気特性を
示さず、−膜内には所定の条件で熱処理を行うことで、
特性が発揮される。基板の積層接合には、上記の様に低
融点ガラスを用いる方法があり、接合時にはガラスが軟
化する温度まで加熱を行う。この加熱条件はガラスを適
切に選択することで、合金磁性薄膜の熱処理条件と合わ
せることができ、−度の加熱で接合と膜の熱処理を同時
に済ませることができる。このとき膜の体積は収縮する
傾向にあり、その結果基板には反りが生ずる。
示さず、−膜内には所定の条件で熱処理を行うことで、
特性が発揮される。基板の積層接合には、上記の様に低
融点ガラスを用いる方法があり、接合時にはガラスが軟
化する温度まで加熱を行う。この加熱条件はガラスを適
切に選択することで、合金磁性薄膜の熱処理条件と合わ
せることができ、−度の加熱で接合と膜の熱処理を同時
に済ませることができる。このとき膜の体積は収縮する
傾向にあり、その結果基板には反りが生ずる。
ところが、合金磁性薄膜積層体を作る工程においては、
治具等によって磁性膜が拘束された状態で熱処理される
ことになる。すなわち、合金磁性薄膜を形成し低融点ガ
ラスを表裏に被着させた基板を重ね合わせて、溶着治具
によって基板の厚さ方向に圧力をかけそれぞれの基板を
密着させ、その状態で熱処理を行なう 一方、非磁性
基板と磁性薄膜の熱膨張差および、磁性薄膜の体積収縮
は基板の反りとなっ、て現われる。このため、これらを
治具で加圧することは磁性膜の変形を拘束することにな
る。この状態では加圧力に加えて非磁性基板と磁性膜の
熱膨張差による熱応力、さらには磁性膜の体積収縮に伴
う応力変化が同時に加わった状態で加熱されるために、
磁性膜の良好な磁気特性が発揮されず、結果としてヘッ
ドの特性が悪くなるという問題があった。
治具等によって磁性膜が拘束された状態で熱処理される
ことになる。すなわち、合金磁性薄膜を形成し低融点ガ
ラスを表裏に被着させた基板を重ね合わせて、溶着治具
によって基板の厚さ方向に圧力をかけそれぞれの基板を
密着させ、その状態で熱処理を行なう 一方、非磁性
基板と磁性薄膜の熱膨張差および、磁性薄膜の体積収縮
は基板の反りとなっ、て現われる。このため、これらを
治具で加圧することは磁性膜の変形を拘束することにな
る。この状態では加圧力に加えて非磁性基板と磁性膜の
熱膨張差による熱応力、さらには磁性膜の体積収縮に伴
う応力変化が同時に加わった状態で加熱されるために、
磁性膜の良好な磁気特性が発揮されず、結果としてヘッ
ドの特性が悪くなるという問題があった。
そこで、本発明では非磁性基板上に合金磁性薄膜を形成
した後、外部から応力のかからない状態で熱処理し所望
の磁気特性を得た後に、低融点ガラス等によって接合す
る。
した後、外部から応力のかからない状態で熱処理し所望
の磁気特性を得た後に、低融点ガラス等によって接合す
る。
予め、外部からの例えば、溶着治具による加圧という拘
束のない状態で熱処理を行っているために、良好な磁気
特性を得ることができその後の接合処理においても特性
の劣化が少ない。従って、本発明の製造方法を用いれば
従来よりも磁気ヘッドの特性向上が実現できる。
束のない状態で熱処理を行っているために、良好な磁気
特性を得ることができその後の接合処理においても特性
の劣化が少ない。従って、本発明の製造方法を用いれば
従来よりも磁気ヘッドの特性向上が実現できる。
以下、工程図である第１図を参照しながら本発明の一実
施例を説明する。従来との比較を容易にするため従来例
の工程図を第３図に示す。
施例を説明する。従来との比較を容易にするため従来例
の工程図を第３図に示す。
非磁性基板上にＦｅ−Ａｌ−５ｉを主成分とする合金磁
性薄膜と絶縁体膜を交互にをスパッタリングにより形成
する。（■）、その後、熱処理炉中で加熱し合金磁性薄
膜の特性を出すための熱処理を行う。（■）、そして、
スパッタリングによって低融点ガラスを成膜（（ＩＩＩ
）、）ｌ、た基板を積層して溶着治具で固定し、熱処理
炉で加熱することでガラスを溶融させ接合する。（■）
。
性薄膜と絶縁体膜を交互にをスパッタリングにより形成
する。（■）、その後、熱処理炉中で加熱し合金磁性薄
膜の特性を出すための熱処理を行う。（■）、そして、
スパッタリングによって低融点ガラスを成膜（（ＩＩＩ
）、）ｌ、た基板を積層して溶着治具で固定し、熱処理
炉で加熱することでガラスを溶融させ接合する。（■）
。
また、別の実施例として合金磁性薄膜を形成した後、ス
パッタリング装置内でそのまま加熱を行い熱処理を行い
、続いて低融点ガラスをスパッタリングする方法も可能
である。この場合には基板の積層接合直前まで真空状態
を破ることなく作業ができるために、基板へのゴミの付
着、汚染がきわめて少ない状態を保つことができる。
パッタリング装置内でそのまま加熱を行い熱処理を行い
、続いて低融点ガラスをスパッタリングする方法も可能
である。この場合には基板の積層接合直前まで真空状態
を破ることなく作業ができるために、基板へのゴミの付
着、汚染がきわめて少ない状態を保つことができる。
本発明の工程により製造した合金磁性薄膜積層体の透磁
率の周波数特性を従来の工程で製造した場合と比較して
第２図に示す。
率の周波数特性を従来の工程で製造した場合と比較して
第２図に示す。
以上の説明およびデータから明らかなように、本発明の
製造方法によれば、磁性膜の特性が従来に比べて向上す
るためにＶＴＲ用磁気ヘッド、高密度ディスク装置用ヘ
ッド等に応用することで電磁変換特性の向上が期待でき
る。また接合後の合金磁性膜および基板の残留応力が低
減されるため一〇− に、特に、合金磁性膜の膜厚が厚い場合に問題であった
、接合後の基板のクラックも低減されるために歩留の向
上にも貢献する。
製造方法によれば、磁性膜の特性が従来に比べて向上す
るためにＶＴＲ用磁気ヘッド、高密度ディスク装置用ヘ
ッド等に応用することで電磁変換特性の向上が期待でき
る。また接合後の合金磁性膜および基板の残留応力が低
減されるため一〇− に、特に、合金磁性膜の膜厚が厚い場合に問題であった
、接合後の基板のクラックも低減されるために歩留の向
上にも貢献する。
第１図、は本発明による工程図、第２図は本発明と従来
例による合金磁性薄膜積層体の透磁率の周波数特性を示
すグラフ、第３図は従来例による工程図、第４図は合金
薄膜積層型ヘッドの製造工程を説明するための斜視図で
ある。 Ｉ・・・非磁性基板、 ２・・・合金磁性薄膜、 ４・・・低融点ガラスＡ１ １２・・・合金磁性薄膜積層体、 １３Ａ、Ｂ・・・積属バー １７・・・ヘッドバー 本発明の工程図 第 図 従来の工程図 第 図 （Ａ） 第 図 ＜Ｄ＞ （Ｅ）
例による合金磁性薄膜積層体の透磁率の周波数特性を示
すグラフ、第３図は従来例による工程図、第４図は合金
薄膜積層型ヘッドの製造工程を説明するための斜視図で
ある。 Ｉ・・・非磁性基板、 ２・・・合金磁性薄膜、 ４・・・低融点ガラスＡ１ １２・・・合金磁性薄膜積層体、 １３Ａ、Ｂ・・・積属バー １７・・・ヘッドバー 本発明の工程図 第 図 従来の工程図 第 図 （Ａ） 第 図 ＜Ｄ＞ （Ｅ）
Claims (1)
- 非磁性基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉを主成分とする合金磁
性薄膜と、絶縁体膜を交互に積層形成し、５００℃〜８
００℃の熱処理によって所望する軟磁気特性を得た後に
、上記熱処理温度よりも低い温度で低融点ガラスにより
積層接合することを特徴とする、合金磁性薄膜積層体の
製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16773490A JP2874787B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16773490A JP2874787B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0460908A true JPH0460908A (ja) | 1992-02-26 |
| JP2874787B2 JP2874787B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15855152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16773490A Expired - Lifetime JP2874787B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874787B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16773490A patent/JP2874787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2874787B2 (ja) | 1999-03-24 |
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