JPH0461225A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0461225A JPH0461225A JP16976990A JP16976990A JPH0461225A JP H0461225 A JPH0461225 A JP H0461225A JP 16976990 A JP16976990 A JP 16976990A JP 16976990 A JP16976990 A JP 16976990A JP H0461225 A JPH0461225 A JP H0461225A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- contact hole
- layer
- undoped
- doped
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は￥導体の製造に用いられるコンタクトホール・
デバイスに関する。
デバイスに関する。
〔従来の技術］
コンタクトホールは、２つの異なる第１と第２の導電体
層を分離する絶縁体層に開口されており、第１と第２の
導電体層との間の電気的接続を行う第３の導電体で埋込
まれている。コンタクトホール埋込みに関する従来の処
理技術によれば、コンタクトホールへのアンドープトシ
リコンの気相底１（ＣＶＤ）を処理チャンバ内で行った
後、：コンタクトホール・デバイスを、処理チャンバか
ら取出し７て、拡散炉の中で、アンドープトシリコン膜
にリンをドープしている。
層を分離する絶縁体層に開口されており、第１と第２の
導電体層との間の電気的接続を行う第３の導電体で埋込
まれている。コンタクトホール埋込みに関する従来の処
理技術によれば、コンタクトホールへのアンドープトシ
リコンの気相底１（ＣＶＤ）を処理チャンバ内で行った
後、：コンタクトホール・デバイスを、処理チャンバか
ら取出し７て、拡散炉の中で、アンドープトシリコン膜
にリンをドープしている。
コンタクトホール埋込みに関する他の従来の処理技術は
、リンの原料ガスをシリコン堆積中に処理ヂャンハ内へ
導入し、その場（ｉｎ ５ｉｔｕ）リンドープトシリコ
ンを気相成長（ＣＶＤ）するものであり、この技術によ
れば、堆積されるシリコン膜をその場でドーピングでき
るので、リンの拡散炉処理を省略することができる。
、リンの原料ガスをシリコン堆積中に処理ヂャンハ内へ
導入し、その場（ｉｎ ５ｉｔｕ）リンドープトシリコ
ンを気相成長（ＣＶＤ）するものであり、この技術によ
れば、堆積されるシリコン膜をその場でドーピングでき
るので、リンの拡散炉処理を省略することができる。
高いアスペクト比を有する１／２ミクロン以下のコンタ
クトホールに対して、リンのようなド−ピング不純物は
、シリコンのようなアンドープト半導体で埋込まれたコ
ンタクトホールの底部まで拡散しない。このため、コン
タクトホール内部のシリコンのシート抵抗が大きくなる
。これを回避するために、コンタクトホールを複数の薄
い層に堆積されるシリコンで埋込み、それぞれのシリ：
ノン堆積層にリンをドーピングすることにより、゛２ン
タクトホール内部のシリコンのシート抵抗を減じている
。このようにシリコンが階層的に堆積されると、薄い酸
化膜がシリコン層の間に形成され、接触抵抗を増加させ
る。
クトホールに対して、リンのようなド−ピング不純物は
、シリコンのようなアンドープト半導体で埋込まれたコ
ンタクトホールの底部まで拡散しない。このため、コン
タクトホール内部のシリコンのシート抵抗が大きくなる
。これを回避するために、コンタクトホールを複数の薄
い層に堆積されるシリコンで埋込み、それぞれのシリ：
ノン堆積層にリンをドーピングすることにより、゛２ン
タクトホール内部のシリコンのシート抵抗を減じている
。このようにシリコンが階層的に堆積されると、薄い酸
化膜がシリコン層の間に形成され、接触抵抗を増加させ
る。
これに対し、その場リンドープトシリコンは１つの層に
堆積できるので、内部層の酸化を防１１できる。しかし
、アンドープトシリコンと異なり、その場リンドープト
シリコンは、：７ンタクトホルの被覆性（ｃｏｖｅｒａ
ｇｅ）が悪く、埋込まれた：２ンタクトホール内部に空
隙を残すという問題がある。
堆積できるので、内部層の酸化を防１１できる。しかし
、アンドープトシリコンと異なり、その場リンドープト
シリコンは、：７ンタクトホルの被覆性（ｃｏｖｅｒａ
ｇｅ）が悪く、埋込まれた：２ンタクトホール内部に空
隙を残すという問題がある。
本発明の目的は、内部層の酸化および被覆性の問題点を
解決した半導体装置およびその製造方法を提供すること
にある。
解決した半導体装置およびその製造方法を提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、
開口されたコンタクトボールが、不純物ｌ・゛−ブト崖
導体層および不純物アン１′−ブト４′導体膜の交互の
層で埋込まれこいる絶縁体層を表面に有−する１′導体
サブストレートから成ることを特徴と“４る。
導体層および不純物アン１′−ブト４′導体膜の交互の
層で埋込まれこいる絶縁体層を表面に有−する１′導体
サブストレートから成ることを特徴と“４る。
本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体サブストレーｔ−、、ｈの絶縁体層に開口された
コンタクトホールを、半導体層堆積グロセスを用いて半
導体で埋込むに際し、 堆積の間に、半導体ドーピング不純物源の供給をオン・
オフし、不純物ドープト１′：導体膜および不純物アン
ドープト半導体膜の交互の層を４成することを特徴とす
る。
コンタクトホールを、半導体層堆積グロセスを用いて半
導体で埋込むに際し、 堆積の間に、半導体ドーピング不純物源の供給をオン・
オフし、不純物ドープト１′：導体膜および不純物アン
ドープト半導体膜の交互の層を４成することを特徴とす
る。
その場リンドープト膜はシート・抵抗が小さいが、ニズ
ンタクトホール被覆性が悪く、−・方、アンドープト膜
はコンタクトホール被覆性が良いが、シート抵抗が太き
い。したがって、トーブトシリニｚン膜どアント−ブト
シリコン膜とを交互にしてコンタクトホールを埋込めば
、小さい抵抗と良好な、Ｊンタクトホール被覆性とを与
えることが分かる。
ンタクトホール被覆性が悪く、−・方、アンドープト膜
はコンタクトホール被覆性が良いが、シート抵抗が太き
い。したがって、トーブトシリニｚン膜どアント−ブト
シリコン膜とを交互にしてコンタクトホールを埋込めば
、小さい抵抗と良好な、Ｊンタクトホール被覆性とを与
えることが分かる。
これらの膜は、リンのガス原料の流量によゲて制御され
るリンドーピングにより、同一の処理チャンバ内で堆積
できる。
るリンドーピングにより、同一の処理チャンバ内で堆積
できる。
［実施例〕
第１図は、本発明の半導体装置およびその製造方法の一
実施例を説明するだめのコンタクトホール部分の断面図
である。
実施例を説明するだめのコンタクトホール部分の断面図
である。
この半導体装置は、半導体ザブストレート３を覆う５ｉ
Ｏｚ層２にコンタクトホール１が開けられており、この
コンタクトホール１が、ワンド１１９９３２フ層４とア
ンドープトシリコン層５とで交互に埋込まれている。
Ｏｚ層２にコンタクトホール１が開けられており、この
コンタクトホール１が、ワンド１１９９３２フ層４とア
ンドープトシリコン層５とで交互に埋込まれている。
半導体サブストレート３を覆っているＳｉＯ□層２に開
［−コされているコンタクトホール１は、次の条件によ
る減圧ＣＶ Ｄ （Ｌｏ＠Ｐｒｅｓｓｕｒｅ （Ｊ＋ｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用い
て、リンドープトシリコン膜４とアンドープト・シリコ
ン膜５とを交カーに堆積するごとにより、埋込まれる。
［−コされているコンタクトホール１は、次の条件によ
る減圧ＣＶ Ｄ （Ｌｏ＠Ｐｒｅｓｓｕｒｅ （Ｊ＋ｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用い
て、リンドープトシリコン膜４とアンドープト・シリコ
ン膜５とを交カーに堆積するごとにより、埋込まれる。
堆積温度 ５１０°Ｃ
圧力 ８６０ ｍ Ｔ Ｏｒ ｒシリ
ニ７ンの原料ガス Ｓ ｉ ｚＨａ ＝１００ｓｅｃ
ｍリンの原料ガス １０％Ｐ Ｈｓ ＝４０ｓｅ
ｃｍ不活性ガス Ｎ、 −２４１０ｓｅｃ
ｍドープトシリコン層とアンドープトシリコン膜との交
互層は、チャンバ内でリンの原料ガスの供給を交互にオ
ン・オフすることにより堆積される。
ニ７ンの原料ガス Ｓ ｉ ｚＨａ ＝１００ｓｅｃ
ｍリンの原料ガス １０％Ｐ Ｈｓ ＝４０ｓｅ
ｃｍ不活性ガス Ｎ、 −２４１０ｓｅｃ
ｍドープトシリコン層とアンドープトシリコン膜との交
互層は、チャンバ内でリンの原料ガスの供給を交互にオ
ン・オフすることにより堆積される。
〔発明の効果］
本発明の製造方法を用いて、深さが１ミクロン幅が約０
．２ミクロン以下のコンタクトホールを、埋込むことが
できた。二１ンタクトホールのド−プト膜は接触抵抗を
減らし、一方、アンドープ膜はコンタクトホールの被覆
性を増大させる。また、同一のチャンバ内でのドープし
膜およびアント−ブト膜の堆積により、内部層の汚染と
酸化の問題を除去できた。
．２ミクロン以下のコンタクトホールを、埋込むことが
できた。二１ンタクトホールのド−プト膜は接触抵抗を
減らし、一方、アンドープ膜はコンタクトホールの被覆
性を増大させる。また、同一のチャンバ内でのドープし
膜およびアント−ブト膜の堆積により、内部層の汚染と
酸化の問題を除去できた。
第１図は、本発明の半導体装置と製造方法の−実施例を
説明するための：コンタクトホール部分の断面図である
。 １・・・・・コンタクトホール ２・・・・・Ｓ ｉ、 ０２層 ３・・・・・半導体サブストレー１ ４・・・・・リンドープトシリコン層 ５・・・・・アンドープトシリコン層
説明するための：コンタクトホール部分の断面図である
。 １・・・・・コンタクトホール ２・・・・・Ｓ ｉ、 ０２層 ３・・・・・半導体サブストレー１ ４・・・・・リンドープトシリコン層 ５・・・・・アンドープトシリコン層
Claims (2)
- （１）開口されたコンタクトホールが、不純物ドープト
半導体層および不純物アンドープト半導体膜の交互の層
で埋込まれている絶縁体層を表面に有する半導体サブス
トレートから成る半導体装置。 - （２）半導体サブストレート上の絶縁体層に開口された
コンタクトホールを、半導体層堆積プロセスを用いて半
導体で埋込むに際し、 堆積の間に、半導体ドーピング不純物源の供給をオン・
オフし、不純物ドープト半導体膜および不純物アンドー
プト半導体膜の交互の層を生成する半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16976990A JPH0461225A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16976990A JPH0461225A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461225A true JPH0461225A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15892518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16976990A Pending JPH0461225A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225378A (en) * | 1990-11-16 | 1993-07-06 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a phosphorus doped silicon film |
| KR100447107B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 플러그 폴리-실리콘막의 구조 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP16976990A patent/JPH0461225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225378A (en) * | 1990-11-16 | 1993-07-06 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a phosphorus doped silicon film |
| KR100447107B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 플러그 폴리-실리콘막의 구조 |
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