JPH0461293A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、高熱仁導性の絶縁基材を用いた甲導体素「実
装用の回路基板及びその製造方法に関する。 （従来の技術） 単組成もしくは多成分系、さらには複合材料系の焼結体
からなるセラミックス、単結晶もし、くはガラス及びガ
ラスと他の成分との複合体を用いた無機系もしくは無機
・金属複合体の絶縁基材とし、では、アルミナ、ベリリ
ア、フォルステラライト、スデ゛アタイト、炭化ノ１−
イ素、窒化フルミニウノ２、ノ、うイｉ・、チタニア、
各種のガラスも［、＜はアルミナ−ガラス等のガラス複
合基板、金属ホ１１１１−−基板、立方晶窒化ホウ素や
ダイアモーｌ・の単結晶などが用いられている。これら
の絶縁基材を牢導体実装用回路基板とし１、て用いるた
めには、通常、導体もしくは導体層の形成や異種金属と
の接合を１］的として該基＋ａ表面の一部分もしくは全
面を金属化する必要かある。 上述したセラミックス、ガラス、単結晶からなる絶縁拭
材の表面を金属化するｊＪ広とし、では、高融点金属法
、同時焼成法、厚膜回路形成法、薄膜形成法、直接メソ
４−法も［７くはダイレクトボンドカッパー法や活性金
属接合法などのような金属箔もしくは金属板を接合する
方法などかある。Ｌか１２、これらの導体形成法には以
Ｆに述べるような欠点かある。 即ち、甲導体素子０１高集積化、大電力化、１ａ速化に
伴い゛１−′、導体素了の総光熱量や単位面積あたりの
発熱量が増大［てきでいる。これに利し、近年窒化アル
ミニラｌ１、炭化ゲ・イ素、ダイヤＥ；）’等の１″、
カ熱０、導性の絶縁基材か開発、実用化されつつある。 このため、′１′、導体層基板に列して大電流化や大電
流密度か大曳できる状況になった。かかる窒化アルミニ
ウム、炭化ゲイ素、ダイアモンド等の高熱伝導性の絶縁
基材を用いると、°４′導体素子も、＋　＜は半導体集
積回路素子に大電流もしくは高密度配線て電流を流上る
ようになる。］、かしながら、これらの絶絶縁基材に比
較的大きな電流を高密の配線“ご流し２、かつ配線間隔
や配線幅が小さく、しかも配線密度の高い配線形成、注
は従来ｉ′立されていなかった。上記第１−表に示すよ
うに銅のような金属箔も１−＜は金属板を絶縁体基板２
１−に張りイー１ける方法を除く方法、つまり同時焼成
法、厚膜法、薄膜法、高融点金属メタライズ法、活性金
属メタライズ法、直接メツキ法などによると、通常のメ
ツキを施しても導体路の抵抗値は高密度配線や大電流用
配線としてはかなり高いことがわかる。例ス、ば、配線
幅０，５■で２０ｍｍの配線長を考えてみると、前述（
た各方法ともに配線の抵抗値（絶対値）（、！１〜０．
１Ωであり、２ｖ）亀号ｎ　ニ２０　ｍ　Ａ　ノ４流を
流すと、：？〜２０１ＴＩＶの電圧降五が起こることに
ｔｉす、これは信号線電圧のｏＬ〜　１０（１に相当す
る人きな（ｊｔｊである。また、配線幅５■て２１１ｍ
ｍの配線１文の配線１こ　５００Ｖの・ζソートランジ
スタを実装した［ｉ７Ｊ路基板において、、　ＯＡの電
流を流また時には０．１〜１Ｗの電力が無駄に消費され
ることになる。蒸着やスバンタ等による膜形成やメツキ
法を長時間行なうことにより導体層の膜厚を厚くするこ
とは原理的にはＥｆｆ能であるが、上述の問題点を工業
的に解決する手段としてはきわめて非現実的である。 以上の説明から明らかなようにパワーｌ＝ランジスタ等
のような大電流用、高速素子・高集積回路等の高密度配
線か必要へ回路基板において、絶縁基材」９．の配線と
しては従来のメタライズ方法による配線形成では不十分
である。また、ダイＬ・クトボント法により導体金属を
絶縁基材」、に接合して配線を形成する方法や活性金属
法等により絶縁基材表面を、メタライズしてその−１，
に金属板もし、＜は箔を半田付けもし５くはロウイ・コ
けにより接合して配線を形成する方法によれば絶縁体回
路基板の配線として大電流をなか七るか、金属板の力Ｉ
Ｌ丁精度や接合時の寸法精度、さらには接合時の熱膨脹
や熱変形の問題から配線幅、配線間隔の最小値は０．５
ｍｍ程度であり高密度で狭い間隔で配線を絶縁基材表面
、 がある。 また、上述し、たように銅板接合基材において銅板接合
後に化学ユッチュ／グや電解エツチングにより微細配線
を形成する方法も考えられるか絶縁基材の腐蝕や後加工
に時間がかかりすぎるとの問題点かあり、１−２業的に
成立させるのは困難である。 したがって、従来法による絶縁基材」への配線形成によ
ると高密度−″ご比較的大きな電流を流すことは無理−
〇あり、大電力集積回路素子やハイブリットパワー　Ｉ
Ｃを実装し得る回路基板を製造することか困難であった
。更に、ダイレクトボンド法により金属を絶縁板村上に
接合して配線を形成する方法や活性金属法等により絶縁
体基板表面をメタライズしてその上に金属板もしくは箔
ｔ゛ｒ−ｍ付けも［２くはロウ付げにより接菖Ｌ２て配
線を形成する方法によれば、たとえ導体金属層か絶縁体
基板上に形成されたとし、でも金属層の厚さが０．１１
以十と比較的厚いために、良導体金属層と絶縁基材との
熱膨脹係数の差に起因すＺ〉残留熱応力により、絶縁基
材と配線の界面、とりわけ配線の端部飼近の絶縁体基材
もしくは接合界面に亀裂か生じるという不良か発生し２
易い。具体的には、’ｌ’−導体素子やリード線シール
リング等の金属部材を配線上にボンディングする際、或
いは前記回路基板に！４！−導体素ｒを実装し、信頼性
加速試験（ＴＣＴ、サマルザイクル試験）を行なう際に
加わる温度変動又は素ｊ′の実使用時における熱履歴に
より、絶縁基材と配線の界面部分に加わる熱応力を緩和
する作用が働くために接合界面に亀裂が生じるという不
良が発生し易い。この現象は、配線の厚さが厚くなるに
伴って顕著であることが確められている。 このため、例えば銅板−窒化アルミニウムの組８わせに
よる回路基板の場合には鋼板厚を０．３ｍｍ以上にする
ことは実用上困難であった。 （発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、十分な厚さを有すると共に熱応力影響による絶
縁基材からの剥離発生を防止し５た低抵抗の導体層を有
する回路基板及びその製造方法を提供しようとするもの
である。 ［発明の構成］ （課題を解決するだめの手段） 本発明に係わる回路基板は、絶縁板村上に良導電金属を
主成分とし、０，５〜２０　ｖｏｌ９６の該金属より熱
膨張率か低い材料からなる微粒子が分散されだ厚さ２０
μｍ以上の導体層を設けたことを特徴とするものである
。 上記絶縁基材は、例えば単組成もしくは多成分系、さら
には複合材料系のセラミックス焼結体、４を結晶も、＜
はガラス及びガラスと他の成分との複合体を用いた無機
系もしくは無機・金属複合体を挙げることかでき。具体
的には、アルミナ（Ａｌ１０３　）　、ベリリア（Ｂｅ
ｄ）　、７＊ルステライト、ステアタイト、炭化ケ゛イ
素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡρＮ）、窒素ケイ
素、（ＳＩ３Ｎ４）ムライト、チタニア、各種のガラス
もしくはアルミナ−ガラス等のガラス複合材、金属ホー
ロー材、立方晶窒化ホウ素やダイアモンドの単結晶など
を用いることができる。特に、窒化アルミニウム、炭化
リイ素、ダイアモンド、立方晶窒化ホウ素（ＢＮ）　、
窒素々イ素、リン化ホウ素（ＢＰ）、ベリリアもしくは
アルミナの中から選ばれた１つ以上の物質を主成分とす
る単結晶体もしくは多結晶体及びそれらの複合体を用い
ることが好ましい。さらに好ましくは、該のレーザフラ
ッシュメ去によりρｊ定された熱伝導率か１７〔ＩＷ　
／’　ｍ　Ｋ息子である絶縁基材か好適である。まｌ・
、こｉｔらの多結晶体は児ｙ丁焼結、高圧合成、雰囲気
加圧焼結、−軸加圧焼結、反応焼結等によ−４．て迫常
得られる。かかる焼結体の製造に際し−こは、焼結助剤
を用いて焼結したものであ・２でもよい。また、ｉｊ４
」Ｒｅ　焼結体ヲ米国特ｉ第４．８４７２２１号明細書
１、力、されているよりな方法で高純度化処理し−で得
られたもＣ１じＣあ−っでもよく、更に助剤無添加−で
製造さオ］たものであ）でもよい。 上記良導電金属と１では、例えば銅、銀、金等を挙げる
ご、とかできる。 」２微校了を構成Ａる良導電金属より熱膨張率が低い材
料とし、τ、４ヨ、倒さば高融点金属、又（＝窒化アル
ミニウｌ４、炭化ケ・イ素、ダイヤモーンド、立方晶窒
化ホウ素、窒素）１イ素、リン化ホウ素、へりリア、Ｔ
ルミナの中から選ばれる少なくとも］種からなるセラミ
ックス等を用いることかＣきる。 特に、絶縁基材もしくはその主成分と同一の物質又はそ
の主成分を構成する陽イオンの酸化物か望ま１０６１体
的には、絶縁基４１０十成分か窒化アルミ：、ラムの場
合、窒化アルミ−；ラムもしくは酸化アｌＬ、　Ｅニウ
ムの微粒子か均一・に導体層中１、“分散し、ているこ
とか望ましい。かかる＠校了の粒４Ｊ”：　、、！’、
、’

【て１４、微分散性、電気抵抗値及びＩＬ頼性の観
点から　（）、１〜５１ｉ口１の範囲ｄすることか望ま
Ｉい。 また、１１１］記微粒子の導体層中の含イ」二を限定し
７た理由１１、ぞのｆａ　捕０．５　ｖｏｌ％未満にｔ
Ｚ、と、導体層の熱膨張′♀１を絶縁基杓のそれにｉ！
ＩＵさゼることか困難となり、−ノシその量か２０１ｒ
　ｏ　ｌ　９６を越スると微粒子か導体層の構成成分で
ある副溝に比べて抵抗か高いため、助望の低抵抗の導体
層を形成づることかできなくなる。。 −１−２導体層の厚さ苓限定した理由は、厚膜導体層の
人質的な限界である２０　ｌ１ｍ　！、１　ｌに【５な
いと低抵抗化等の効果を実現できなくなるからである。 より好まｊ、い導体層の厚さは、８０Ｉ１ｍ以上である
。 また、本発明に係わる別の回路基板は絶縁基材１−に良
導電金属を主成分と１２．０，５〜２０νｏ　ｌ　９の
の微細な気孔か分散された厚さ２０．ａｖｎ以」−の導
体層り設置うたごとを特徴４４するものである。 」を己微細な気孔の分散量を限定１、た理由１コ、その
二を０．５ｖｏｌｆ）０未満にすると、導体層の熱膨張
イくを絶、縁基祠のそれに近似させるこ１１−か困難と
なる１゜−，１５、導体層中の気孔の量か増大する１″
件っで、抵抗値か増大１２で所望の低抵抗の導体層を形
成すＺ、ことか°できなくなる。例オば、（銅１−気孔
か分散された導体層の導電率）／（銅の導電率）の比率
を縦軸と（５、前記導体層に分散（−た気孔率（ＶＯ１
９０）を横軸と（９、た第７図におＬＴ−ｒ、気孔率の
増大に仕って前記比率か低ドする。このため、前記比率
か６０９６程度（抵抗値で２．７Ｘ、Ｏ−”）　ａなる
２０〜・ｏ１％を気孔率の上限とする。 次に、本発明に係わる回路基板の製造方法を図面を参照
［７て説明する。 ■、まず、第１図（ａ）に示すように絶縁基材１を用意
する。ここに用いる絶縁基材１が非酸化物系（例えばＡ
４７Ｎ等）からなる場合には、酸化性雰囲気中で熱処理
して表面に酸化被膜２を形成する。この場合、金属アル
コキシド等の塗布膜を形成１５、υ１１熱分解等により
酸化被膜を形成、でもよい３．つづいて、写真蝕刻法等
により、、、　′／ｊストパターシ　３を形成［１２、
該レジストパターン　３により絶縁部、祠　Ｉ−１に例
λば深さ２０／７ｒｎ以、て幅が（１０μｍ以）二の溝
４を５０μｍ以トの間隔で２つ息子形成する（第１図（
ｂ）図示）。この場合、デンプレート等Ｉ、よるバンク
形成を行い基材］−５に溝を形成１、こむ、よい。ひき
−）づき、第１図（Ｃ）に示すよ）に例、そば銅、銀、
金から選ばれる良導電金属の粉＋５に０．５〜２０　ｙ
ｏ１９ｏの該金属より熱膨張率が低い材料からなる微粒
子及び有機バインダを混合して調製したペースト　５を
前記Ｃ４内に充填する。 次いて、アルゴンなどの希ガスもｌ、　＜は窒素ガス等
の不活性雰囲気中で６００℃以上、好まし２くは」Ω６
６〜、　ｉ）８５℃で焼成を行うことにより第１図（ｄ
）に示すようにに前記溝４と同等の１法を持ち、前記基
材１表向の酸化被膜との間で共晶物層６を介１７て接合
された導体層７を形成することにより回路基板を製造す
る。かかる工程において、レジストパターン３は、燃焼
、除去される。 ■、まず、第２図（ａ）に示すよ・）に絶縁基材ｌをメ
４１意する。ここに用いる絶縁基材　１か非酸化物系（
例えばＡΩＮ等）からなる場合には、酸化性雰囲気中で
熱処理して表面に酸化被膜２を形成する。一つづいて、
基材１全面にシリ：コン酸化膜、シリ″７ン窒化膜等の
絶縁膜８を堆積し５、写真蝕刻法等により形成されたレ
ジストパターン（図示せず）をマスクと［、て前記絶縁
膜８を選択的にエッチングして前述したのと同様な溝４
を２つ以上形成する（第２図（ｂ　、）図示）。ひきつ
づき、第２図（Ｃ）に示すように前述、た組成のペース
ト　５を前記溝４内にその内面から所望の隙間をありで
充填する。次いで、前記■と同様な条件にて焼成を行う
ことにより第２図（ｄ）に示すようにに前記絶縁膜８の
溝４内の埋め込まれたそれとほぼ同等のζＪ法を有し、
前記基１１表面の酸化被膜との間で共品物層６を介し、
て接合された導体層７庖形成することにより回路基板を
製造する。このようなゴー程で製造された回路基板にお
いては、導体層７と溝４内面の間に隙間か形成されるが
、第３図に示すよ・）に合成樹脂層９によりその隙間を
埋め込んでもよい。 ■、まず、第４図（ａ）に小Ａよ−）に絶縁基材ｊを用
意する。っづい゛こ、この絶縁基材　１　、、、、ｈ、
　ｌ：：　ｋ；真蝕刻法等にコリ［、・シストパターン
（図示（４ず）を形成、た後、該レジストバターシをマ
スク２、して前記基（イ　］１表を選択的に］〜ツｆ；
グ（、て前述したのと同様な幅寸性゛ζ・深さの異なる
満４ａ、４ｈを２つ以」−形成する（第４図（ｂ）図示
）。この場Ｎ　、Ｌ／−ザーユソヂレグ、ドライエヅチ
ング、機械加１等により基材表面を選択的に除去し７溝
を形成（７°Ｃもよい。前記絶縁基イ１１が４１−酸化
物系（例えばＡρＮ等）からなる場合には、酸化ｖ１雰
囲気中で熱処理し“Ｃ溝４ａ、４ｂを含む基４４１表面
に酸化被膜２を形成する（第４図（ｃ）図示）。ひきつ
づき、第４図（（１）に小すよ−）に前述した組成のペ
ースト　５を前記溝４ａ、　４ｂ内に充填する。次いて
、前記■点間様な条（’ｌに°ζ゛焼成を行うことによ
り第４図（ｅ）に７」りすようにに前記ａ４と同等の一
＝ｊ法を持ち、前記基材　Ｉ表ｉ１ｉ’ｉの酸化被膜と
の間で共品物層６を介して接合された導体層７ａ、７ｂ
をＪ？ｊ成する口上により回路基板を製造する。 ■、前記■と同様な方法により第５図（ａ）に示すよう
に満４ａ、４ｂを含む絶縁基材　１表面に酸化被膜２を
形成する。つづいて、前述（、た組成のベスト　５を前
記溝４ａ、　４ｂ内にその内面から所望の隙間をあけて
充填する（第５図（ｂ）図示）。次いで、前記■と同様
な条件にて焼成をＨ’、）ことにより第５図（ｅ）に示
すようにに前記絶縁膜８の溝４．ａ、　４ｂ内の埋め込
まれ、それとほぼ同等の寸法を有し、前記基材１表面の
酸化被膜との間で共品物層６を介して接合された導体層
７ａ、　７ｂを形成することにより回路基板を製造する
。 本発明に係わる回路基板の製造方性は、前述し、た方法
の他に次のような種々の形態を採用することできる。 （１）前記■〜■の方法において、微粒Ｊ′の代わりに
気泡が存在するペーストを用いて導体層を形成すること
により回路基板を製造する。ががる方法では、０．５〜
２０ｖｏｌ９６の気孔が分散された導体層か形成さオ］
る。 （２）前ｇ己（ＪＤ〜■の方法において、例えば銅４、
銀、金から選ばれる良導電金属の酸化物、錯体、ハロノ
ア°ン化物、硝酸塩、その他の還元により該良導電金属
単体となり得る化合物の粉末又１はゾル、ゲルに０５〜
２０ｖｏｌ９．：ｉの該金属以外のヰ４１からなる微粒
子及び有機バインダを混合り、　？、ペーストを用いて
導体層を形成することにより回路基板を製造ずＺ〉。か
かる方ｎ２ては、水素ガスとアルゴンなどの礼ノブノ、
もしくは窒素ガス等の不活性ガスとの混合雰囲気中、つ
まり還元性雰囲気中で、該ペースト中の良導電金属の酸
化物などか分解還元Ｉ、て金属となる温度まで加熱保持
し２、し、がる後にアルゴンなとの互ガスもしくは窒素
ガス等の不活性雰囲気中で６００℃以上好ましくは１０
６６〜１０８５℃で焼結セしめ、絶縁基材と接合された
導体層を形成する。 この場合、前記（１）と同様に微粒子の代わりに気泡か
存在するペーストを用いてもよい。 （３）ｊ’ｇ形成をレジストパターン以外−Ｃ行う前記
（２）〜・■の方法におい°Ｃ１銅、銀、金から選ばれ
る良導電金属の粉末に微粒子−及び有機バインダを配合
し、たグリーンシート（又は微粒子を含まないグリーン
ンー　ト）を絶縁基材」−に載せ、１′板もり、＜は溝
パターンに対応するテンプレートにょる一軸加圧もしく
は静水圧加圧によりグリーニジ〜トを溝に充填させるか
、グリーンシートを〕−め満の大きさと同しかそれ以下
に切断加］、（２て溝の中に埋め込口、シかる後アルゴ
ンなどの希ガスもしくは窒素ガス等の不活性雰囲気中で
６００℃以上好ましくは１０６６〜・１０８５℃で焼結
せしめ、絶縁基材と接合された導体層を形成し°Ｃ回路
基板を製造する。この工程において、溝からはみでたグ
リーンシートは加熱−１程の前にパンチング、レーザ　
カッティング等により切断除去するか、もしくは焼結接
合後に研削等により除去する。 り４）溝形成をレジストパターン以外で行う前記■〜・
■の方法において、ハロゲン化銅、ド記構造式で竜され
るビスアセチルアセトナト銅（ＩＩ）錯体もし、くはぞ
の菖導体などの銅、銀、金から選ばれる良導電金属を含
む化合物のガスを原料と１７、熱分解ＣＶ　Ｄ　、、熱
泳動ＣＶＤ、レーサー分解ＣＶ　Ｄ　、プラズマＣＶＤ
、ＥＣＲプラズマＣＶ　Ｄ　。 λ、１０Ｃ■ＤなどのＣＶ　Ｄ　ｔ、、；により絶縁基
材の溝に良導電金属膜を室温以上、１０８５℃以下で堆
積し１溝以夕１の良導電金属膜をエッチバック等により
除去して溝内に良導電金属を残存させた後、アルゴニ、
なとの希ガスも（１，＜は窒素ガス等の不活性雰囲気中
で６００℃以、好ましくは１０６６〜１０８５℃で焼結
せしめ、絶縁基材と接合された導体層を形成し、て回路
基板を製造する。 イυ【５、式中のＲ，、Ｒ２は水素、アルキル基、フル
オロアルキル基を示す。 本発明に係わる回路基板は、前述し５た導体層に半導体
素ｒ、甲導体集積回路素子をダイボンディングするか、
絶縁基材上にＤＢＣ法等により別途接合された銅製導体
Ｌ、又は他の方法により形成。 されたメタライズ層もし５くはその表面苓メツキも１、
＜はＰＶＤ法てニラゲルや金で被覆した導体」に）４′
導体素子、半導体集積回路素子をダイボンディングし、
で実装される。具体的には、第６図に示す構造か挙げら
れる。即ち、図中の１１は絶縁基材てあり、この基材１
１には溝１２内に埋め込まれた複数の導体層１３が設け
られている。なお、これら導体層１３の前記基材１１と
の接触部には酸化被膜との共晶物層１４か形成されてい
る。前記導体層１３以外の前記基１１１表面には、例え
ばＤＢＣ法により接合された複数の銅製導体１５が共晶
物層１４を介して形成されている。これら導体ｊ５上に
は２．！４′ａ（層１６を介して２＋≦導体素子１７が
ダイボンディングされている。これら半導体素子１７上
面の＠極バッド（図示せず）は、ワイヤ１８を介して前
記導体層１３に接続されている。なお、図中の１９は前
記基材１１の裏面側に共晶物層１４を介して接合された
導体である。 また、本発明に係わる回路基板上に抵抗やコンデンサ、
複数の半導体素子も【、＜は半導体集積回路素子′を同
Ｕ、旨こ形成もしくは実装置−１それらの素子間と及び
それら素子と外部端子間を前述Ｅまた導体層で接続した
、いわゆるハイブリッドＩＣ基板や複合基板とし、で用
いることかできる。 （作用） 本発明の回路基板は、絶縁基材上に良導電金属を主成分
とし５、所定量の該金属膜り熱膨張率が低い材籾からな
る微粒子５ｙは気孔が分散された所定厚さの導体層を設
けた構造を有するため、前記微粒−ｆ等により導体層の
熱膨脹率を絶縁基材のそれに近似゛Ｃきる。その結果、
ボンディングやＴＣＴ試験や実使用時の熱サイクルに際
して前記導体層か絶縁基材との熱膨脹率の差に起因する
熱応力によって接合界面付近で亀裂等の不良が発生する
のを防止でき、厚膜印刷の厚さ限界（２０μｍ）以上の
厚さにできる。従って、電気抵抗値が、７Ｘ　１０−６
Ωｅ、ｉｎ以上で３．６Ｘ　１０−’Ωｅ１ｍ以■、最
以下もｌＸｌ０”Ωｃｍ以ドと低抵抗で比較的大きな電
流を流せる高密度の導体層を有する回路基板を得ること
かできる。 また、本発明１ｄ。によれば絶縁基材に満苓ｊ１′、成
し、この溝内にペースト等を充填し、焼成するごとによ
って、前記基材に対（、て機械的嵌合と几晶接合の複合
作用により接合された微細幅の導体層を高密度で形成で
きる。しかも、導体層は所定二の微粒子又は気孔が分散
されているため、既述（たように厚膜印刷の厚さ限界以
１−のｊ早さにできる。 具体的には、厚さか２０μｍ以十、息子び間隔が０．５
■以下の導体層を形成できるため、既述し、かように電
気抵抗値か、７Ｘ１０”−’Ωｃ１１以上で　３．６Ｘ
１０−６ΩＣ「以）′、最悪でも〕×１０−９Ωｃｍ以
ドの低抵抗化と高密度化を実現できる。 （実施例） 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 実施例１ まず、不純物酸素量１，０利＃　％　、　、ｑ′均−次
粒３＝径０，６μｍのＡΩＮ粉に添加物とし２て甲−均
粒径０．１μｍ、純度９９　、９９６のＹ、０３粉を　
３重量００加え、この混合粉をドクターブレード法によ
り厚さ４００μｎ〕の２枚のシルトに作製した。−）づ
いて、こオ′）らミ、−ｈ　’ｔ１５０ｋｇ　ｆ　／　
ｃｍ”のｔ丁力士、８０　′ｃ”Ｃ’４０分間加熱して
積層（７た後、２５１ＤＣ角にＬυ断［、た。 ひさつづき、窒素気流中、最高温度　６００”Ｃま°で
加熱ｌ、５、積層体中のバインダを除去した。この後、
この積層体をカーホン製し〜夕炉内て１気ＩＪの窒素ガ
ス雰囲気トにて１８００℃”ζ　３時間、焼成して２１
）Ｉ角、０．８３５ｎｏｎ厚のＡΩＮ基材を作製し５た
。この基材の熱伝導率をＩ、−サー°ノラソシコ法で測
定（−たところ、２００Ｗ　／　ｎｌに−Ｃあ−った。 次いて、前記基材を１１００℃の乾燥空気中で熱処理Ｌ
ｌて約、５ＩＪｍの酸化被膜をｊ■二成［、た。この基
材の表面にトラパン印刷用の感光樹脂（旭化成、ＡＰＲ
）を塗布し、回路パターンのネガフィルムにより露光、
現像をｔｊなってＬ−レ・スｌ−ベターンを形成し、た
。このレジストパターンによって形成さねた溝は、前述
しまた第１図（）））の如く溝の底面かＡρＮ基材に達
しており、溝の深さは０．２５ｍｍ、幅は２ｍｍ、　　
１ｍ＋ｕ、　　０．５ｍ＋ｎ、　０．２５＋ｎｏ＋、　
　０．１ｍｍの溝が０．５＋ｎｍ、０．２５ｍｍ、０．
１＋ｎｍＯ間隔て形成され、更に前記基材の中央には５
■角のコー゛〕の溝か形成された。つづいて、粒ｔ１０
．９μｍの銅粉末に　５°ｏａ度のＰＶＡ水溶液を銅粉
末に対し　３重ｆｆ１９゜添加して混合した後、　２０
（ｌメツシュの篩を通し−Ｃ造粒（、へヘーストを前記
基材の溝に擦り込んで充填１５た。 基オ・イの重量増加と溝の容積、銅粉末の真密度がら計
Ｗ、　した銅粉末の充填率は、約５１　Ｑｏであった。 ひきつづき、フォーミングガス（水素：窒素−２・９の
混合ガスに水蒸気をＯ，０４ｇ／’（ｌ含ませたガス）
中で７００℃にまで昇温加熱し２、レジストを燃焼・除
去した。その後、この基材を、４　ｐｐｍの酸素を含ん
だ窒素雰囲気中で１０７０℃に加熱］、て焼成し、た。 このように焼成により厚さが最大的０．、３ｍｍで、先
に形成された溝の幅よりも伶かに幅の広い導体層が精度
よく形成できた。この導体層の断面を、電子顕微鏡で観
察１゜７、導体層を剥離さセてアルキメデス法で密度を
測定し、たとごろ、相対密度が約９７％で２μｍ以Ｆの
微細な気孔が分散した構造であることがわかった。 上述した方法で製造した５０枚の回路基板に−）いて以
下に説明才るｉ＋価試験を行なった。 （ｆ：）、　ＩＱ流４端了法により導体層の電気抵抗値
をＡｌ１定またところ、鼓も幅の狭い　Ｏ，１，Ｏ３ｌ
ｌ１ｍ、断面積か０．［］１１２ｍｍの導体層部分にお
いても、長さ１８Ｉｌ１ｇＪ当たりの抵抗値か０３ｎ〕
Ωと極めて小さく、初期の目的にかなう導体層か実現て
きた。 ■、前記回路基板において、最も幅の広い（幅２＋ｎＩ
！１）の導体層の上にネールヘッドｊｌ−，１，５＋＋
＋ｍの金属棒を土用（＝１けし５、この金属棒を貞」、
に引っ張−〕て導体層かＡΩＮ基材十から！ＩＪ　ａ−
＃る時の引っ張り加重を測定し一〇接合強度を評価した
。その結果、１４．３−！−２．６ｋｇ／’ｃｍ２の接
合強度か得られ、実用Ｊ−問題のない二とが羅認された
。 ■７回路基板の基材中央部に形成し５た約５■角の導体
層（導体バット）］−に半［（−１層を載ぜｔ−後、回
路基板を不活性雰囲気中でホットブＬ７・−１・上に載
せて牢Ｈ］の融点以１に加熱し、融解（、た十［１層１
に一′１′導体素子を載せ、史に平面スクラブを加え一
ζ−回路ｐ板の導体バンドに対し半導体素子を→−分に
濡らし、気泡を巻き込まない状態て゛七Ｆｉｌ　ｆｉｌ
けした。つづい°Ｃ１回路基板をホットプレー　１・か
ら取り出Ｉ１、室温まで冷却して半導体素子をグ２イボ
シデづングしｔ二。次いで、グイポンデイニゲさ才また
４（導体素子の電極パッド部Ｊ、回路基板の幅０．２５
［Ｄ［ｌと　２ｍｍの導体層の間を超音波ボンダにより
／ルミワイヤで接続（、た後、リー　ド端子を導体層」
−１に゛１−田１人１Ｊより接続した。 このような半導体素子が実装された回路Ｗ教導、＋１５
０℃／−５０℃の→〕〜マルサイクルテストにか（」た
ところ、１００Ｄザイクルの試験後に目視し１、くは実
体顕微鏡で判別できるような亀裂や剥離は全く生（、な
か、］た。また、実装された甲、導体層Ｊ′に−）いて
熱抵抗を調べたところ、実用上問題のないことかわかっ
た。かかる試験により、信頼性に優イＬ１微細で電気抵
抗値の低い導体層が形成されでいることから、大きな電
流密度を取ることがｉ５Ｊ能なｌ導体実装回路基板を実
現できた。 実施例２〜７ ます、２０１ｕ［１１角、　０．６３５１厚さのダイヤ
モ；ド基材、アルミナ基材、六万品窒化オ・つ素弔結晶
基祠、炭化ゲイ索基杓と、直径２ｏ酊−１２Ｉ厚さ゛の
ベリリア括イ２（と、５重ＱＯｏのイッ（・すＴを添加
（１，て窒素雰囲気加圧焼結［，５た２０＋ｕｎ＋角、
０．６３５■厚さの窒化ケイ素基＋（を用ｐ′、＋、た
。０１（記ダイヤセント゛基材と窒化ホウ素基十イに一
ついでは、部分加水分解１、たアルミニ―ウムブロボ４
〜シトのイソブ［〕ビル溶液苓スピンニフーヲィシグ１
こより塗布］２“ご４００℃で熱処理することにより表
面に酸化物被膜を形成［、た。また、炭化ケイ素基材、
窒化ケイ素基材は実施例〕と同様な方法で酸化被膜を形
成［、た。これら６種類の基材に実施例］−と同様の方
法により導体層と導体パッドを形成した。このよう方法
によＩ〕厚さか最大的０．１３ｍ１１で、先に形成され
た溝の幅よりも僅かに幅の広い導体層が精度よく形成−
Ｃきた。この導体層の断面を、電工顕微鏡で観察［２、
導体層を剥離させてアルキメデス法で密度を測定したと
ころ、相対密度かそれぞれ約９７９６で２μｎｌ以Ｆの
微細な気孔か分散（、た構造であることがわかった。 上述した方法で製造し５た２０枚の各回路基板につい”
Ｃ以ドに説明する評価試験を行なった。 ■、　９１流４端ｆ法により導体層の電気抵抗値を計１
定（たところ、最も幅の狭い０．１０３ｍＩｌｌＸｌｆ
ｉ而積かＯ，ＯＬ２＋ｎ面’の導体層部分においても、
長さｌ　８１０［Ｄ当たりの抵抗（ｉｉｊかＱ２８ｒｒ
＋Ω〜０　、３７４　ｍΩと極めて小さく、初期の目的
にかな）導体層が実現てきた。 （２）、前記回路基板において、最も幅の広い（幅２．
１）の導体層の十、にイ、〜ルヘッド径、．５Ｉ５ｍの
金属棒を２ｅ　Ｆｌｌ付け（７、この金属棒を真」に引
っ弘２・って導体層か各基材上から剥離する時の引っ張
り加重をＭ］定［、て接合強度を評価した。その結果、
７〜１５ｋｇ／’ｅ、ｍ’の接合強度か得られ、実用上
問題のないことか確認された。 ■１回路基板の基材中央部に形成した約５ｍ＋＋＋角の
導体層（導体パッド）」、に半１］（層を載せた後、回
路基板を不活性雰囲気中゛Ｃポットプレー　ト」−に載
せて半田の融点以」、に加熱し、融解し、た牢＋ｉＴＩ
層上に゛」゛導体素子−を載せ、更に′＋シ而ススクラ
ブ４加て回路基板の導体パッドに対し半導体層Ｊ′を」
−分に濡ら］７、気泡を巻き込まない状態て＋＝　ｒｎ
　ｂけしだ。つづいて、回路基板をホットプレートから
取り出し、室温まで４却して２４′導体素子をダイボ〉
ディング［ｌこ。次いで、ダイボンディングさ才１）二
十導体素子の電極パッド部と回路基板の幅０．２５＋ｕ
１１、！：２ｍｍ（７）導体層の間を超音波ボンダによ
りアルミ・ツイヤて接続【５た後、リー　ト端子を導体
層上に半１月ｌ去により接続した。 このＪうな半導体層ｊ−か実装された回路基板を、＋　
　、５０で／−５０℃のヅーマルサイクルテストにかけ
たところ、１０００ザイクルの試験後にいずれの回路基
板も「１視もしくは実体顕微鏡で判別できるような亀裂
や剥離は全く生じなかった。また、実装された半導体層
−」′に−）いて熱抵抗を調べたところ、実用、１問題
のないことかわかった。かかる試験により、Ｉｌｉ頼性
に優れ、微細で電気抵抗値の低い導体層が形成されてい
ることから、大きな電流密度を取ることが可能な半導体
装回路基板を実現できた。 実施例８〜１０ 実施例１と同様の表面酸化したＡρＮ基利と、実施例２
〜・７と同様なアルミナ基材及び表面酸化された窒化ノ
１”イ素基材を用い、各基材の表面にトッパン印刷用の
感光樹脂（旭化成、ＡＰＲ）を塗布］５２、回路パター
ンのネガフィルムにより露光、現像をイ１な、でし・、
ンスＬ・パターンを形成Ｌ１、た。この１ノンストパタ
ーンＩごよって形成された満１は、前述ｌ、た第１図（
ｂ）の如く溝の底面が基材に達り。 でおり、溝の深さは０．２５ａｕ＋、幅は２）、１■、
０．５ｍｍ、　０．２５＋ｕ＋、ｏＩＩＩＩＩｌ＋ノ溝
が０．５ｍｍ、０．２５ｍｍ５０．１■の間隔で形成さ
れ、史に前記基材の中央には５ｃｖ角の１つの溝が形成
された。−っづいて、粒径、２７１ｍのＣｕ＝Ｏ粉末に
５９０濃度のＰＶＡ水溶液をＣＩＪ２０粉末に対し３重
量　９６添加して混合した後、２００メツシユの篩を通
した造粉１−たペーストを前記基材−十の溝に擦り込ん
で充填した。基材の屯；増加と、溝の容積、Ｃｕ２Ｏ粉
末の真密度から５１算したＣｕ、、０粉末の充填率は約
４８？ｏであ）ｔユ。ひき−）づき、−７オーミングガ
ス（水素窒素−２：９の混合ガスに水蒸気を０　、０４
　Ｋ　、、、、’ρ含まぜたガス）中で７００℃にまで
昇温加熱［５，１／ンストｉ燃焼・除去しまた。その後
、この基材を、４ｐｐｍの酸素４含んだ窒素雰囲気中−
’Ｃ”　１０７０℃にＩＪＩＩ熱（、て焼成した。二の
よ・うに焼成により厚さか鼓大約０．０９ｍｍ−こ、先
に形成された溝の幅よりも仔かに幅の広い導体層か精度
よ＜　Ｊｔ；成で）だ。こｉらにｌＩ’）導体層の断面
を、電ｆ−顕微鏡で観察１−５、導体層を７１１離させ
゛Ｃアルキメデス法で密度をＡｊ＋定したとご、ろ、い
ずれも相対密ノ■か約９７０ｏで２μｌ’ｌ’ｉ以−ト
の微細へ気孔か分散した構造であることかわかった。 １述した方法で製造し、た５１）枚の各回路基板に−）
い゛ＣＣトド説明する評価試験をイーｊな、−〕だ。 （Ｖ、１ら電流４端ゴ法により導体層の電気抵抗値を測
定またところ、最も幅の狭い０．０８ｍｍ、断面積が０
．０８＋ｎｍ′の導体層部分においても、長さ１８ｍｍ
当たりの抵、抗仙か０４５ｍΩ〜０　、５２　ｍΩど極
めＣ“小さく、初期のＬＩ的にかなう導体層が実現でき
た。 ■、前記回路基板において、最も幅の広い（幅２ｍｍ）
の導体層の上にネールヘッド径１　、５ｍｍｍの金属棒
をＪ’、　ＩＪＪ付けし、この金属棒を真上に引っ張。 て導体層が各基材上から剥離する時の引−）張り加ヰを
測定し、て接合強度を評価した。その結果、１１）〜１
６Ｊ／＋・１１１２の接合強度か得られ、実用１７問題
のないことか確認された。 （＄０回路基板の基材中央部に形成した約５１１１ｒａ
角の導体ＩＷ　ｃ導体パッド）上に半１］ｊ層を載ゼた
後、回路基板をイζ活性雰囲気中でポットプレート上に
載せて十［１］の融点以１−に加熱し、融解した′！ｔ
′田層上に゛４′−導体素子を載せ、更に平面スクラブ
を加んて回路基板の導体パッドに対し半導体素子を十分
に濡らし１、気泡を巻き込まない状態で一’４’　［１
１付ζ）した。つづいて、回路基板をポットプレートか
ら取り出し、室温まで冷却し、て半導体素子巻ダイボン
ディングし戸こ。次いて、グイポンデイコグされｌ：半
導体素子の電極バット部と回路基板の幅０．２５＋＋ｕ
＋＋と　２■の導体層の間を超音波ボンダによりアルミ
ワイヤで接続、た後、リード端ヂを導体層」−７に半田
法により接続した。 このような半導体素子が実装された回路基板を、＠１５
０℃ノー５０℃のサーマルサイクルテストにかけたとこ
ろ、１０００ザイクルの試験後にい１れの回路基板も目
視もしくは実体顕微鏡で判別できるような亀裂やＡｌ１
離は全く牛しなが−ノだ。、また、実装さ才ｌた隼導体
素了について＠抵抗を調−・たところ、実用」７問題の
ないことがわかった。かがる試験にＪ゛す、（１）転層
に優れ、微細で電気抵抗値の低い導体層か１Ｂ成されで
いることから、大きな電流密度を取ることか可能な十導
体実装回路括板を実現できた。 実施例１１−１３ 実施例↑とｒｉ’ｉ１様に表面酸化し、たＡｇＮη４＋
イに溝を形成した。川し、この場合の溝の深さは０．７
ｍｍとした。 次いて、粒径１２μｍのＣｕ　２０の粉末に粒径、５μ
ｍのアルミナ粉末を３ｖｏｌ０ｃｉ混合したベスト（実
施例１１）、粒径０．９μｎ〕の銅粉末に粒径、１μｎ
】のアルミナ粉末を２ｖｏｌ９ｏ混合しｔ−ベスト（実
施例１２）及び＃ｉ往０．９μｍの銅粉末に粒径、２Ｊ
１ｍのＡΩＮ粉末庖３ｖｏｌ？ｏ混合ｔ、たベスト（実
施例１３）を、前記ＡＩＮ基Ｈ上に形成（また溝に充填
し、た。溝中の固形成分の充填率は、約３５９ｏてあ−
〕た。ひきっづΔ、フォ−ミニグガス（＋素：窒素−２
・９の７昆合ガスに水蒸気をｃｒ、ｏ４ｇ゛Ω含ませた
ノｆス）中で７００℃にまで昇温加熱［２、し、′ス）
・４燃焼・除去した。その後、この基材４．４、１：＋
　Ｉｌｌ　［１１の酸素を含んだ窒素雰囲気中で１０７
０℃１ご加熱し、−Ｃ焼成した。このように焼成により
厚さか約０３〜０　、５ｍｎ＋で、先に形成された溝の
幅よりも僅かに幅の広い導体層が精度よく形成できた。 こｔｉらの導体層の断面を、電ｆ顕微鏡で観察したとこ
ろ、アルミナ粉末やＡｆｉＮ粉末が均一に分散し、でい
る構造であることかわかった。 Ｆ、述またｂ゛法で製造ｌ、た５０枚の各回路基板につ
いて以下に説明する評価試験を行なった。 α）直流４端ｆ法により導体層の電気抵抗価を測定（た
ところ、最も幅の狭い０．０９ｍｍ、断面積か０．０３
ｍｍ’の導体層部分においても、長さ１８ｍｍ当たりの
抵抗値か０　、３３　ｍΩ−・０．４２ｍΩと極めで小
さく、初期の目的にかなう導体層が実現できた。 ■　前記回路基板におい“Ｃ１最も幅の広い（幅２））
の導体層のトにイ、−ルヘッド径１　、５＋ｎｍの金属
棒を′４′ｔｎ　ｆτｊけし、この金属棒を真上に引っ
張って導体層か各基材上から剥離する時の引−）張１〕
加重を測定ｌて接合強度を評価した。その結果、９〜１
９ｋｇ／ｃ［ｌＩ’の接合強度か胃られ、実用１問題の
ないことか確認された。 ■０回路基板の基材中央部に形成し５だ約５ｍｃ角の導
体層（導体パッド）上にＮ　［４１層を載せた後、回路
基板を不活性雰囲気中Ｃホット・ゾトト上に載ぜ°Ｃ＋
１１の融点以上に加熱【２、融解ｌ、た゛］川用１層」
、に半導体素子を載せ、更に平面スクラブを加λ゛Ｃ回
路基板の導体パッドに対【７゛↑′−導体素子を十分に
濡らし、気泡を巻き込まない状懸で十■付けし、た。つ
づいて、回路基板をホットブ１／トから取り出し、室温
まで４却して半導体素子をグイボンディングした。次い
−こ、ダイボンディングさねた半導体素子の電極パッド
部と回路基板の幅０．２５１１＋＋ｎと　２１層ｍの導
体層の間を超召波ボレダによりアルミワイヤで接続した
後、リード端子を導体層１−１に１・−［（］法により
接続した。 このよ）な１導体素ｆか実装された回路基板を、＋１５
１）℃／−５０℃のサーマルザイクルテスト（こかけた
ところ、１０００リーイクルの試験後にいずれの回路基
板もＩＩ視もしくは実体顕微鏡で判別できるような亀裂
や、７１１離は全く生じなかった。また、実装された半
導体素ｒについて熱抵抗を調べたところ、実用１問題の
ないことかわかった。かかる試験により、信頼性に優れ
、微細で電気抵抗値の低い導体層か形成されていること
から、大きな電流密度を取ることか可能な半導体装回路
基板を実現できた。 実施例１４〜１６ 実施例〕と同様な表面酸化し、たＡｌ！Ｎ基祠を基材、
この基材表面にトツバン印刷用の感光樹脂（旭化成、Ａ
ＰＲ）を塗布し、回路パターンのポジフィルムにより露
光、現像を行なってレジストパターンを形成した。この
レジストパターンによって形成された溝は、前述、た第
１図（ｂ）の如く溝の底面かＡρＮ基材に達しており、
溝の深さは　１、２ｍｍ、幅は　２山口、１ｍｍ５　０
．５ｍｍ、　０．２５ｍｃ。 ０．１ｍｕｎの溝か０．５ｍｍ、　０．２５１１＋ｍ、
　　０．１ｍｍの間隔て形成さね、更に前記基材の中央
には５１ＩＩＩｎ角の］−）の溝か形成された。つづい
て、前記回路パターンをマスクと【、５て基材表面を反
応性イオンエッヂレグ法により選択的にエッチジグする
ことにより深さ０．１ｍｍの溝を基材に形成し、た。こ
の後、レジストパターンを除去し、た。 次いて、前記基材の表面に実施例］と同様な方法により
酸化被膜を形成した後、ＣｕＣｌ２、ビスアセデルセチ
ルアセト→１・銅（ＩＩ）錯体、及びビスアセチルアセ
トナト銅（ＩＩ）錯体とトリスアセチルアセトナドアル
ミニウム（、ｍ）ｇ体の混合物を原料ガスとする熱泳動
ＣＶ　Ｌ）法により窒素雰囲気中も（、＜は真空中で７
００℃で銅膜を堆積した。 つづいて、これらの銅膜を溝以外の基材表面か露１七す
るまてエッチバックした後、１０７０℃に５分間加熱し
５、導体層を基材の溝内に焼き付は接合し、た。 このようにし、で形成された各導体層は、前述（た第４
図（ｅ）に示すような形態を〔７ており、厚さは約０．
０５〜０．１１層ｍであった。また、先に形成された溝
の幅と同じ幅の導体層か精度よく形成できた。 更に、これらの導体層の断面を電子顕微鏡゛Ｃ観察１１
、導体層を剥離させてアルキメデス法で密度を測定しま
たとニア）、相対密度か約９７００で　２μｍ以上の微
細ブよ気孔が分散１１、た構造であることかわが・。 た。 １−述］５た方法で製造した５０枚の各回路基板につい
て以上に説明する評偽試験を行な、〕た。 （」）、直流４端子法により導体層の電気抵抗値をＭ１
定［７、たところ、最も幅の狭いＯ，１１１１ｍ、　ｌ
ｌｉ面積が０．０１ｍｍ２の導体層部分においＣも、長
さ、８１１１１１＋当たりの抵抗値が０．９ｍΩ〜　、
２ｍΩと極めて小さく、初期の［１的にかなう導体層か
実現できた。 ■、前記回路基板において、最も幅の広い（幅２■）の
導体層の上にネールヘッド径、．５ｍｍの金属棒を半Ｈ
１付けし、この金属棒を真」、に引っ張って導体層か各
基材上から剥離する時の引っ張り加重を測定して接合強
度を評価した。その結果、１４〜１７ｋｇ／ｅａｔ２の
接合強度か得られ、実用上−問題のないことか確認され
た。 ■１回路基板の基材中央部に形成した約５［ＩＩＩｏ角
の導体層（導体パッド）上に崖田層を載せた後、回路基
板を不活性雰囲気中Ｃ゛ホツトプレート上に載せてＩ　
［１１の融点以、■、に加熱し、融解した十１１１層上
に牢導体素了を載ゼ、更に・１′而スクラブを加λて回
路基板の導体バットに対［−１土導体素ｊ′を１分に濡
ら１１７、気泡を巻き込まない状態−Ｃ’　、’４′田
付ｉ、＋シた。−）づして、回路基板をホット・プレー
トから取り出し、室温まで冷却してコ１′導体素了をダ
・イボシヂイングまた。次いで、ダイボンブイシフされ
た半導体素子の電極パット部と回路基板の幅０．２５ｍ
ｍと　２ｍａ＋の導体層の間を超名波ボンダによりアル
ミ１ツイヤて接続し５た後、リ−ト端丁を導体層ト＋Ｊ
”４１ｆＥ法により接続］４た。 このような崖導体素ｆか実装された回路基板を、＋１５
０℃／−５０℃のザーマルサイクルテストにかけたとこ
ろ、１０００サイクルの試験後にいずれの回路基板も目
視もしくは実体顕微鏡で判別できるような亀裂や剥離は
全く生じなかった。また、実装された半導体素子につい
て熱抵抗を調べたところ、実用上問題のないことかイ〕
か・った。かかる試験により、信頼性に優れ、微細で電
気抵抗値の低い導体層か形成されＣいることから、大き
な電流密度を取ることか司能な゛１−導体実装回路基板
を実現できた。 ［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によれば、絶縁ｈ（材の熱膨
張率と近似した導体層を有し、ボンディングやＴＣＴ試
験や実使用時の熱ザイクルに際して前記導体層か絶縁基
材との熱膨張率の差に起因する熱応力によって接合界面
付近で亀裂等の不良が発（４゛するのを防止でき、厚膜
印刷の厚さ限界（２０７１ｍ　）以上の厚さにでき、ひ
いては電気抵抗値が　、７Ｘ１０”’−１″Ωｃｍ以上
で３．６ＸｌＯ−’ΩＣＯ以下、最悪でも、ＸＩＯ’−
５Ωｃｍ以Ｆと低抵抗で比較的大きな電流を流せる高密
度の導体層を有する回路基板、並びに掛かる特性を有す
ると共に幅及び間隔かＱ、５１ｍ以下の微細な導体層を
形成し得る高性能、高密度、高ｔｇ頼件の回路基板の製
造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｃりは本発明に係わる回路ｊｉ（板の
製造−工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発
明に係わる回路基板の別の製造−１７稈を示す断面図、
第一う図は第２図（ａ）〜（ｄ）で製造された回路基板
を改良した回路基板の断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）は
本発明に係わる回路基板の別の製造工程を小ず断面図、
第５図（ａ）〜Ｃ１／ ＜￥）は本発明に係わる回路基板の更に別の製造−■程
庖示す断面図、第６図は本発明に係わる回路基板に牢導
体素子を実装した状態を示４−断面図、第７図は銅を主
体とする導体層中の気孔率と該導体層の導電率に対する
銅の導電率の比率との関係を示す特性図である。 、１１・・絶縁基材、２・酸化被膜、３１／シストパタ
ーン、４．４ａ、４ｂ、＋　２−　ａ、５・ペースト、
６．１４・・共晶接８層、、７ａ、７ｂ、！、３＝導体
層、１７・甲導体素子、１８・ワイヤ。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第 図 （ａ） ａ ｂ （ｂ） ａ ｂ （Ｃ） （ｅ） 笥・４図 （ａ） （ｂ） 第 図 第 図 ａ ｂ （ｂ） （Ｃ） 第 図 第 ド１ 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基材上に良導電金属を主成分とし、０．５〜
   ２０ｖｏｌ％の該金属より熱膨脹率が低い材料からなる
   微粒子が分散された厚さ２０μｍ以上の導体層を設けた
   ことを特徴とする回路基板。
2. （２）絶縁基材上に良導電金属を主成分とし、０．５〜
   ２０ｖｏｌ％の微細な気孔が分散された厚さ２０μｍ以
   上の導体層を設けたことを特徴とする回路基板。
3. （３）絶縁基材上もしくは絶縁基材に形成すべき導体層
   とほぼ同形状の溝を形成する工程と、良導電金属の粉末
   に０．５〜２０ｖｏｌ％の該金属より熱膨脹率が低い材
   料からなる微粒子及び有機バインダを混合してペースト
   を調製する工程と、前記溝内に前記ペーストを充填した
   後、焼成することにより良導電金属を主成分とし、０．
   ５〜２０ｖｏｌ％の微粒子が分散された導体層を形成す
   る工程とを具備したことを特徴とする回路基板の製造方
   法。
4. （４）絶縁基材上もしくは絶縁基材に形成すべき導体層
   とほぼ同形状の溝を形成する工程と、ＣＶＤ法により良
   導電金属を前記溝内に埋め込むことにより良導電金属を
   主成分とし、０．５〜２０ｖｏｌ％の微細な気孔が分散
   された導体層を形成する工程とを具備したことを特徴と
   する回路基板の製造方法。