JPH0461326A

JPH0461326A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0461326A
Application number: JP2173182A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Denda; 伝田　匡彦
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1990-06-29
Filing date: 1990-06-29
Publication date: 1992-02-27
Anticipated expiration: 2013-10-15
Also published as: US5217911A; JP2809826B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］この発明は半導体基板と金属膜からなるショットキ接合
を有する半導体装置の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第５図は従来のショットキバリアダイオード（Ｓｃｈｏ
ｔｔｋｙ　Ｂａｒｒｉｒ　Ｄｉｏｄｅ；　Ｓ　Ｂ　Ｄ　
）の製造方法を示す断面図である。

図において、１は半導体基板、２は半導体基板ｌ上に形
成された絶縁膜、３はショットキバリアダイオードの一
方の電極を形成する金属膜、７は絶縁膜２の開口部であ
る。ここではショットキバリアダイオードの他方の電極
は省略している。

次にこのショットキダイオードの製造方法について第５
図（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。

第５図（ａ）は半導体基板１を示している。この半導体
基板としては例えばシリコン単結晶などが使用される。

次に第５図（ｂ）に示すように半導体基板１上に熱酸化
あるいは化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏ
ｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　；　ＣＶ　Ｄ）法により絶
縁膜２を形成する。

絶縁膜２としては酸化硅素膜（ＳｉＯ□）などを使用す
ることができる。

次に第５図（Ｃ）に示すように、基板上のショットキバ
リアダイオードを形成する場所に対応して絶縁膜２に開
口部７を形成する。この開口部の形成方法としては、絶
縁膜がＳｉＯ□膜であればＳｉＯ□膜上にフォトレジス
ト膜のパターンを写真製版によって形成し、このフォト
レジスト膜をマスク材として弗酸溶液によってＳｉＯｚ
Ｍ！を食刻することにより容易に行なうことができる。

この食刻後に、フォトレジストを硫酸あるいは酸素プラ
ズマなどにより除去することにより５ｉＯｚ膜に開口部
７が形成される。

そして、第５図（（１）に示すように絶縁膜２の開口部
７に露出した半導体基板上に金属薄膜層３を形成するこ
とによりショットキバリアダイオードが製作される。こ
の金属薄膜３の形成方法としては電子ビーム蒸着法やス
パッタ法が使用できる。

また、金属膜として例えば白金シリサイドを使用し、半
導体基板ｌとしてシリコンを使用する場合は、白金膜を
全面に形成した後に熱処理を加えることによりシリコン
と接している白金はシリサイド化し、白金シリサイドを
形成するので、熱処理後に王水に浸漬することにより絶
縁膜２上のシリサイド化されていない白金は王水に溶解
し、シリコン基板が露出している開口部にのみ選択的に
ショットキ接合の金属側電極を形成することができる。

ショットキダイオードは半導体基板の表面とそれに接す
る金属膜を接合とする素子であるので、半導体の表面の
状態や表面近傍の半導体基板の結晶性によって大きな影
響を受ける。したがって、半導体基板１上への絶縁膜２
の形成、絶縁膜２の開口部の形成、ショットキダイオー
ドの金属側電極３の形成の各工程については汚染やダメ
ージの少ないプロセスを使う必要がある。

従来からある湿式食刻法は、化学薬品を使った液相−固
相界面における化学反応を利用して物質を除去する方法
であり、材料間の食刻選択比、処理能力が大きく、また
、基板へのダメージがほとんどないことが特徴があるが
、この方式をパターンの形成に用いた場合にはエツチン
グマスクの下への溶液の回り込みによるエツチングの進
行、いわゆる横方向の食刻が生じやすく、特に、半導体
装置を構成する各種の膜に対する密着性に劣るレジスト
を使用した場合にはこのような横方向の食刻は避けるこ
とができない。

また、第５図のショットキバリアダイオードをＩＣ化す
る場合には、寄生容量の低減を図るために絶縁膜２のＷ
！厚を１μｍ程度に形成しなければならず、・このよう
な厚い絶縁膜に湿式食刻法を用いて開口部を形成する場
合には、上述の横方向の食刻が顕著に現れ、微細なパタ
ーンが得られないという問題がある。

近年の半導体装置の製造プロセスは食刻工程のドライプ
ロセス化が進行しており、単結晶や多結晶のシリコンや
ＳｉＯ□膜、アルミニウム膜などのドライ食刻が実用さ
れている。ドライプロセスの食刻は反応性イオンエツチ
ング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　ＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ；　Ｒ
Ｉ　Ｅ）を利用した方法の開発が進められている。

この方法によれば、反応性イオンが基板表面に対して垂
直に加速されて食刻反応が起こるため、横方向の食刻量
が少なくマスクパターンの寸法に忠実な食刻が可能にな
ること、半導体装置を構成する各種の膜に対する密着性
に劣るレジストでも使用できる範囲が広がること、パタ
ーンの微細化への適応性が高いことが特徴であり、また
これらの結果としてポジ型レジストを使用することが可
能であり、写真製版における露光機としてステップアン
ドリピート型の装置を使用できることがら半導体装置に
おける各種の膜を順次フォトレジストをマスク材として
加工していく場合におけるマスク合わせ精度が向上する
ことなどの特徴がある。

ところが、このようなｔＥ法は、反応性イオンを被食刻
膜に衝突させて食刻を行なうのでイオンの衝突に伴うダ
メージの発生や、食刻に関与しないイオンの付着による
汚染などの問題点がある。

ショットキバリアダイオードは先に述べたように、半導
体表面とそれに接触する金属の界面の接合を利用した素
子であることから表面の汚染や表面付近の欠陥に非常に
弱く、特に白金シリサイドとシリコンのショットキバリ
アダイオードを使用した赤外線検出素子のように白金シ
リサイドの極薄膜（〜５０人）を使用する装置では、シ
リサイドとシリコンの界面がシリコン表面の影響を受け
やすく、このようなシリコン基板のダメージにより赤外
線検出が不可能になるなどの問題が壱り、従来の技術で
は基板１上に形成した絶縁膜２の開口に、ｔＥを使用す
ることは不可能であった。

また、上述した湿式食刻法とＲＩＥ法とを併用し、絶縁
膜２の途中までＲＩＥにより穴を掘り、その後、湿式食
刻法で開口部を設ける方法が考えられるが、この方法は
、ＲＩＥによる食刻速度が圧力等の処理条件によって容
易に変動し、コントロールしにくく、被食割物全体にお
ける食刻速度のウェハ面内での均一性の悪さ、被食刻物
の膜厚の不均一性や膜厚の変動等が原因で、第６図に示
すようにＲＩＥにより形成した絶縁膜２の開口部７ａ〜
７ｄの深さにバラツキが生じ、これによりその後の湿式
食刻を均一に行うことができないという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のように、従来の半導体装置の製造方法では、基板
上の絶縁膜に開口部を形成するのに、湿式食刻法を用い
た場合には横方向の食刻の進行により微細なパターンが
得られないという問題があり、また、ＲＩＥ法はショッ
トキ接合の界面の基板表面にダメージを与え、素子の特
性を劣化させることから、ショットキバリアダイオード
の製造には不向きであるという問題があり、またさらに
絶縁膜の開口部形成にＲＩＥ法と湿式食刻法を併用する
方法では、ＲＩＥ法にょる食刻がウェハ内に均一に行う
ことができず、その後の湿式食刻工程を制御性よく行う
ことができないという問題があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、基板上にショットキ接合の金属層を形成する
ための開口部を設けるにあたって、半導体基板表面を汚
染、損傷することなく、パターン精度よ（開口部が形成
でき、再現性よく高精度に基板上に該基板とショットキ
接合を有する金属層を形成できる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と
金属膜からなるショットキ接合を有する半導体装置の製
造方法において、半導体基板上に薄い第１の絶縁膜を形
成する工程、第１の絶縁膜上の少なくとも一部に第１の
絶縁膜と食刻速度の異なる第２の膜を形成する工程、第
２の膜上に第２の膜と食刻速度が異なる第３の絶縁膜を
形成する工程、乾式の第１の食刻により前記第３の絶縁
膜の一部を制御性、均一性よく微細加工して開口し前記
第２の膜を露出させる工程、乾式または湿式の第２０食
刻により第３の絶縁膜をマスク材として第３の絶縁膜の
開口部の第２の膜を食刻し、前記第１の絶縁膜を露出さ
せる工程、湿式の第３の食刻により前記第３の絶縁膜及
び第２の膜の開口部に露出している第１の絶縁膜を食刻
し、前記半導体基板表面を損傷することなく露出させる
工程、前記開口部に露出した半導体基板上に金属膜を形
成する工程からなるものである。

〔作用］本発明においては、第１の絶縁膜上に第１の絶縁膜とは
食刻速度が異なる第２の膜を形成し、その上に第２の膜
とは食刻速度が異なる第３の絶縁膜を形成し、これらの
膜を上記の第１ないし第３の食刻法により順次食刻して
基板上に金属膜を形成するための開口部を設けるように
したので、まず、第１の食刻により第３の絶縁膜を食刻
する際には第２の膜がストッパとして働き、第１の絶縁
膜の選択的食刻が可能となり、パターン制御性に優れた
微細な開口部が得られ、さらに、第２の食刻により第２
の膜を食刻する場合には第一３及び第１の絶縁膜がマス
ク及びストッパとして働（ので第２の膜を第３及び第１
の絶縁膜に対して選択的に食刻することが可能となり、
第３の絶縁膜の開口部に忠実に第１の絶縁膜に損傷を与
えることなく開口部が形成できる。そして最後に第１の
絶縁膜を食刻するに際しては、薄い第１の絶縁膜を基板
との選択性をもつ湿式食刻により食刻するので、基板表
面に汚染、損傷を与えることなくパターン制御性よく食
刻が行え、基板上に設計通りの寸法を有する開口部が制
御性、再現性よく得られる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例によ
る製造方法を示す。

図において、１はシリコン基板、２．２１は酸化硅素膜
、３はショットキバリアダイオードの金属側電極として
の白金シリサイド、４は多結晶シリコン、７は酸化珪素
膜の開口部である。

次に製造方法について第１図（ａ）〜（へ）を用いて説
明する。

まず、シリコン基板１に酸化硅素膜（Ｓｉｎ−）２を形
成する。この酸化硅素ｌ１１２は熱酸化法やＣＶＤ法に
よって形成すれば良く、膜厚としては５００人〜１００
０人程度で十分である（第１図（ａ）（ｂ））。

次にこの酸化硅素膜２上に多結晶シリコン膜４を形成す
る。多結晶シリコン膜４の形成にはＣＶＤ法を使用し、
膜厚としては例えば０．５μｍ程度のものとする（第１
図（Ｃ））。

次に、多結晶シリコン膜４上に酸化硅素膜２１をＣＶＤ
法などによって形成する。この酸化硅素膜２１は使用目
的によって燐ガラスｌ１ｌ（ＰＳＧ）やボロン−燐ガラ
ス膜（Ｂ　Ｐ　Ｓ　Ｇ）などの膜でも良い、この膜厚は
使用目的によっても異なるが、最低１ｔ１ｍは必要であ
る（第１図＠）。

次に、酸化珪素膜２１上にフォトレジスト膜（図示せず
）を形成し、フォトレジスト膜をマスクに酸化硅素膜２
１をＲＩＥ法によって食刻する。

二のＲＩＥ法の条件としては、例えばＣＨＦ、。

ｃＣＬ　Ｆｚ　、ＣＢｒＦｚ　、ＣＺ　Ｆ４等のフロン
系のガスを用い、圧力１０−”Ｔｏｒｒ、　［力４００
〜５００Ｗ、プラズマ周波数１３．５６ＭＨｚで行う。

このような条件では多結晶シリコン４と酸化珪素２１に
選択性を持たせることができ、例えばＣＨＦ　ｓガスを
使用すれば、多結晶シリコン４の食刻速度は酸化珪素膜
２１に対して１０分の工程度となる。このように、食刻
に選択性を持たせることにより、ＲＩＥ工程において、
多結晶シリコン４はストッパとなり食刻はこの層で停止
する。

また、食刻にドライプロセスを用いることから、酸化硅
素膜２１とフォトレジストの密着性が強くなくても横方
向の食刻が発生せずにフォトレジストのパターンに忠実
な開ロアを設けることができる。さらに、フォトレジス
トの密着性が強くなくても良いことから高解像度のポジ
型レジストとステップアンドリピート方式の露光機の使
用が可能となり微細化および高精度マスク合わせが可能
となる（第１図（ｅ））。

次に酸化珪素膜の開口部７に露出している多結晶シリコ
ン膜４を通常のプラズマ食刻法で食刻する。ＣＦａ等の
ガスを使用したプラズマ食刻は酸化硅素膜に対する選択
性が高いことから上部の酸化硅素膜２１は多結晶シリコ
ンの食刻に対するマスク材として働き、下部の酸化硅素
膜２は食刻のストッパ材として働く、プラズマ食刻法の
条件は例えば、上記のＣＦ、ガスを用いた場合、圧力１
（Ｉ”Ｔｏｒｒ、電力２００Ｗ、プラズマ周波数１３゜
５６ＭＨｚとする。このような通常のプラズマ食刻法は
、上記ＲＩＥ法に比較してウェットのガスの反応によっ
て食刻が進行するのでストッパ材としての酸化珪素膜２
表面にほとんどダメージを与えることなく、しかもＲＩ
Ｅ同様にドライプロセスであるので、開口部７の開口サ
イズに忠実に食刻できる（第１図（ｆ））。

その後、開口部に露出している酸化硅素膜２を湿式置割
によって除去して開口し、基板１の表面を露出させる。

この湿式食刻法の食刻液としては弗酸系の水溶液、例え
ば弗酸水溶液、あるいは弗酸と弗化アンモニウムとの混
合水溶液等を使用すると効果的であり、単結晶シリコン
基板１に対して大きな選択比でもって酸化硅素膜のみを
食刻することができる。このとき多結晶シリコン４はマ
スク材として働く。また、酸化硅素膜２が５００人〜１
０００人とかなり薄いことから、この程度の薄さのもの
では湿式食刻法で問題となっていた横方向の食刻量がほ
とんどなく実用上問題とはならない、よって湿式食刻法
によると基板表面に汚染や損傷を与えることなく、かつ
、開口部の寸法を忠実に実現できる。

その後、第１図（ハ）に示すように、絶縁膜２の開口部
７に露出した半導体基板１上に金属薄膜層３を形成する
ことによりショットキ接合を形成する。

この金属薄膜３の形成方法としては電子ビーム蒸着法や
スパッタ法等が使用できる。

また、金属膜として例えば白金シリサイド３を使用する
場合は、白金膜を基板全面に形成した後に熱処理を加え
ることによりシリコンと接している白金をシリサイド化
して白金シリサイド３を形成し、熱処理後に王水に浸漬
することにより絶縁膜２上のシリサイド化されていない
白金は王水に溶解し、シリコン基板が露出している開口
部にのみ選択的にショットキ接合の金属側電橋を形成す
ることができる。

以上のように、本実施例によれば、従来の絶縁膜を３層
構造とし、まず、第１層目の膜として薄い酸化珪素膜２
を設け、さらに第２層目の膜として第１層目の膜と食刻
選択性を有する多結晶シリコン膜４を設け、第３層目の
膜として第２層目の膜と食刻性選択性を有する厚い酸化
珪素膜２１を形成し、３層目の酸化珪素膜２１に多結晶
シリコン膜をストッパ層としてパターン再現性のよいＲ
ＩＥ法等により開口部７を形成し、該開口部に相当する
多結晶シリコン４を酸化珪素膜２をストッパー層として
パターン再現性がよく、しかも酸化珪素膜にダメージを
与えることのないプラズマ食刻法、ＥＣＲを用いた反応
性イオンビーム食刻法ング等により食刻し、さらに薄い
第１層目の酸化珪素膜２は基板表面へのダメージがない
湿式食刻法により食刻し、該開口部にショットキ接合を
形成する金属薄膜を設けるようにしたので、半導体基板
表面の汚染や損傷を避けて精度の良いショットキ接合を
製作できる。

なお、上記実施例では、３層目の酸化珪素膜２１の食刻
にＲＩＥ法を用いた場合について示したが、これはフォ
トレジストの開口部の形状に忠実に食刻が進行し、微細
加工が可能なドライプロセスの食刻法であればよく、こ
のような特徴を有するものであればＲＩＥ法に限らず、
他の方法でもよい。

また、上記実施例では２層目の多結晶シリコン膜４にプ
ラズマ食刻法で食刻する場合について示したが、この工
程での食刻は、ストッパー層としての第１層目の酸化珪
素膜２の表面にダメージを与えずに、パターン寸法通り
に食刻が進行するような食刻法であればよく、例えば、
他の例としてＥＣＲ形イオン源の反応性イオンビーム食
刻法がある。この方法では特に低損傷、低汚染で食刻が
実現できる。

また、上記実施例では１層目の酸化珪素膜２の食刻に湿
式エツチングを用いたが、本工程での食刻は、基板表面
に与える汚染、損傷が少ないことが必要条件であり、さ
らにこれに加えてパターン寸法の変化の少な食刻であれ
ばなおよく、このような食刻を実現できるものであれば
他の方法でもあってもよい。

なお、上記実施例によるショットキダイオードの製造方
法においては、多結晶シリコン膜４を形成する工程が１
回追加されることになるが、ＩＣ内にショットキバリア
ダイオードを組み込む場合においては、Ｍ　ＯＳ型トラ
ンジスタの製作工程において酸化硅素膜上にゲート電極
となる多結晶シリコン膜を形成する工程が行なわれてお
り、上記の酸化硅素膜と多結晶シリコン膜を第１図にお
ける２と４として使用することが可能であり、製造工程
が複雑になることはない。

以下、ＭＯＳ型トランジスタどショットキバリアダイオ
ードとを基板上に同時に作製する一例について第２図（
ａ）〜Ｕ）を用いて説明する。図において、第１図と同
一符号は同一部分で、２２は素子分離絶縁膜、４ａは多
結晶シリコン膜、４ｂは多結晶シリコンゲート電極、６
はｎ型領域、２３はＭＯＳ型トランジスタ領域、２４は
ショットキバリアダイオード領域である。

まず、第２図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基板を
用意し、基板表面のＭＯＳトランジスタ頭域２３とショ
ットキバリアダイオード領域２４に５００人〜１００Ｏ
Ａ程度の薄い酸化珪素膜２を形成すると同時にこれ以外
の領域には選択的に厚い素子分離用酸化珪素膜２２を形
成する（第２図（ｂ））。

次に基板全面にＣＶＤ法等により０．５μｍ程度の多結
晶シリコンＭ４を形成しく第２図（Ｃ））、フォトレジ
スト（図示せず）をマスクとする食刻によりショットキ
バリアダイオード領域２４上に多結晶シリコン膜パター
ン４ａを形成するとともに、ＭＯＳトランジスタ領域２
３上にはゲート電極パターン４ｂを形成する（第２図（
ｄ））。

そして、ゲート電極４ｂをマスクとするイオン注入法に
よりソース、ドレイン領域となるｎ型領域６をセルファ
ラインで形成する（第２図（ｅ））。

その後、全面にＣＶＤ法により酸化珪素膜２１を１μｍ
程度堆積しく第２図（ｆ））、、フォトレジストをマス
クとしてショットキバリアダイオード領域２４の酸化珪
素膜をＲＩＥ法により選択的に食刻し、開口部に多結晶
シリコン膜４を露出させる。

この食刻は第１図（ｅ）の工程と同様の方法による（第
２図（ｇ））。

さらに、第１図げ）の工程と同様の方法により、下層の
酸化珪素膜２をス）７バとして酸化珪素膜２１の開口部
に露出している多結晶シリコン膜４ａをプラズマ食刻法
等の方法により食刻する（第２図０１））。

そして、さらに第１図（９）の工程と同様の方法により
、開口部に露出している酸化珪素膜２を湿式食刻によっ
て除去し、基板表面を露出させた後（第２図（ｉ）、露
出している基板ｌ上に白金シリサイド膜を形成する（第
２図Ｕ））。

このように、ＩＣ内にショットキバリアダイオードを組
み込む製法では、酸化硅素膜２の形成工程、酸化珪素Ｆ
ｆＩＪ２上に多結晶シリコン膜４ａを形成する工程が、
それぞれＭＯＳトランジスタの素子分離絶縁膜２１の形
成工程、ゲート電極４ｂの形成工程と同じ工程で行える
ので、本実施例のショットキバリアダイオードの製法の
ために余分な製造工程を付は加える必要がなく、工程が
複雑になることはない。

さらに、酸化珪素膜２１に開口部を形成するに横方向の
食刻が少ないＲＩＥ法を用いるようにしたので、厚い酸
化珪素膜２１を形成でき、これにより、隣のＭＯＳ）ラ
ンジスタとの分離のための絶縁膜の膜厚も厚く形成でき
るので、フィールド領域にチャネル領域が形成されるの
を防止でき、寄生ＭＯ３）ランジスタの発生を防止でき
る。

また、第１図の実施例ではショットキダイオードの製造
方法について述べたが、実際に使用されるショットキダ
オードにおいては、ショットキ接合の周辺リークを避け
るためにガードリングと称する第２導伝型領域を設けた
り、ショットキダイオードの金属側電極に電位を与える
ための第２導伏型領域が設けられる。

以下、第２導伝型領域を設置する場合について、第３図
を用いて説明する０図において、第１図と同一符号と同
一部分を示し、簡単のため半導体基板１の導電型をｐ型
とする。５はフォトレジスト、１１はｎ型領域である。

第３図に示す本実施例においては、同図（ａ）〜（ｆ）
に示す多結晶シリコン４に開口部を設けるまでは第１図
（ａ）〜（ｆ）の工程と全く同様である。

第３図げ）の工程後、この開口部の一部をフォトレジス
ト５で覆いｎ型不純物をイオン注入あるいは熱拡散など
によって導入し、ｎ型領域１１を形成する（第３図（２
））。

その後、フォトレジスト５を除去し、第１図の場合（ｇ
と同様に、開口部７に露出している酸化硅素膜２を湿式
食刻によって除去する。湿式食刻法の食刻液として弗酸
溶液を使用し、単結晶シリコン基板１に対して選択的に
酸化硅素膜のみを食刻する。また、酸化硅素膜２が５０
０人〜１０００人とかなり薄いことから、基板表面に汚
染や損傷を与えることなく、かつ、開口部の寸法を忠実
に実現できる食刻が可能となる（第３図（社））。

その後、第３図（ｉ）に示すように、絶縁膜２の開口部
７に露出した半導体基板１上に金属薄膜層３を形成する
ことによりショットキ接合を形成する。

ｎ型領域１１はショットキダイオードの周辺に形成され
ガードリングの働きをする。

また、このような第２導伝型領域（ｎ型領域）を有する
ショットキバリアダイオードとＭＯＳトランジスタとを
同一基板上に形成する場合の製造方法を第４図（ａ）〜
（社）に示す０図において、６１はｎ型領域（ガードリ
ング）である。

第４図（ａ）〜（ｇ）までの製法は第２図（ａ）〜（ｇ
）と全く同様であり、第４図（社）以降の工程はショッ
トキノ＼゛リアダイオードの部分に関して第３図（６）
〜（ｉＪの工程と全く同様である。

なお、第３図、第４図に示す実施例では多結晶シリコン
４に開口部を設けた後にフォトレジスト５をマスクとし
てイオン注入を行なってｎ型領域１１．６１を形成して
いるが、特にＩＣに集積する場合には、他の方法として
、第３図（Ｃ）（第４図（ｄ））の工程の後にフォトレ
ジストをマスクにｎ領域不純物をイオン注入しても良く
、また、さらには第３図（Ｃ）（第４図（ｄ））の工程
の後に多結晶シリコンの一部或いは酸化硅素膜の一部を
加えてを除去してイオン注入を行ないｎ型領域を形成し
ても良い。

上述のように本実施例では、−層目の絶縁膜上に絶縁膜
とはＲＩＥによる食刻速度が異なる膜をＲＩＥのストッ
パ膜として形成し、その上に二層目の絶縁膜を形成し、
上層の絶縁膜をＲＩＥによって食刻し、中間層を一層目
の絶縁膜に対して選択的に食刻を行ない、続いて一層目
の絶縁膜を湿式食刻法によって食刻を行って開口部を設
けることによりショットキ接合を形成したので、半導体
基板表面に汚染や損傷がない極めて精度の良いショット
キ接合を設計通りに製作することができる。

また、本ショットキバリアダイオードはこれをＩＣに集
積化する場合においても、各工程をＭＯＳトランジスタ
の製造工程と同じ工程で行うことができるため、製造工
程数を増やすことなく、容易に作製できる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、基板上の絶縁膜の中
間に、絶縁膜とは食刻速度の異なる膜を形成したので、
絶縁膜に開口部を形成するに際して乾式食刻法と湿式食
刻法を使い分けることが可能になり、半導体基板の汚染
・損傷がなく、精度高いがショットキ接合を制御性、再
現性よく容易製作できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の製造方法に
よるショットキバリアダイオードの製造方法の各主要工
程の断面図、第２図はこの発明の一実施例の半導体装置
の製造方法によるショットキバリアダイオードをＩＣ化
した場合の製法の各主要工程の断面図、第３図はこの発
明の他の実施例の半導体装置の製造方法によるショソト
キバリアダイオードの製造方法の各主要工程の断面図、
第４図はこの発明の他の実施例の半導体装置の製造方法
によるショットキバリアダイオードをＩＣ化した場合の
製法の各主要工程を示す図、第５図は従来の方法による
ショットキバリアダイオードの製造方法を示す断面図、
第６図は従来の問題点を説明するための図である。１・・・半導体基板、２．２１・・・酸化硅素膜、３・
・・白金シリサイド膜、４．４ａ、４ｂ−多結晶シリコ
ン膜、５・・・フォトレジスト、６−　ｎ型領域（ソー
ス、ドレイン領域）、７−開口部、１１．６１・・・ｎ
型領域、２３−Ｍ　ＯＳ型トランジスタ領域、２４−シ
ョットキバリアダイオード領域なお、図中、同一符号は
同一、又は相当部分を示す。第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板と金属膜からなるショットキ接合を有
する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に薄
い第１の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶縁膜上の少なくとも一部に、第１の絶縁膜と
食刻速度が異なる第２の膜を形成する工程と、該第２の膜上に、第２の膜と食刻速度が異なる第３の絶
縁膜を形成する工程と、微細加工が可能な乾式の第１の食刻により、前記第３の
絶縁膜の一部に開口部を形成し、前記第２の膜を露出さ
せる工程と、微細加工が可能でかつ、低損傷、低汚染の乾式あるいは
湿式の第２の食刻により、前記第３の絶縁膜をマスク材
として前記開口部に露出している第２の膜を食刻し、前
記第１の絶縁膜を露出させる工程と、上記半導体基板への損傷、汚染がない湿式の第３の食刻
により、前記開口部に露出している前記第１の絶縁膜を
食刻し、前記半導体基板表面を露出させる工程と、前記開口部に露出した半導体基板上に、基板とショット
キー接合をなす金属膜を形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
（２）上記半導体装置の製造方法は、前記半導体基板中に、該半導体基板と異なる導伝型の不
純物領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
（３）前記半導体基板はシリコン基板であり、前記第１
の絶縁膜及び第３の絶縁膜は酸化珪素膜であり、前記第２の膜は多結晶シリコン膜であり、前記第１の食刻はフロン系のガスを用いた反応性イオン
食刻であり、前記第２の食刻はプラズマ食刻法あるいはＥＣＲ形イオ
ン源を用いた反応性イオンビーム食刻であり、かつ、前記第３の食刻はフッ酸系のエッチング液を用い
た湿式食刻であることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。