JPH0461328A - テフロンキャリアの洗浄方法 - Google Patents
テフロンキャリアの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0461328A JPH0461328A JP2173920A JP17392090A JPH0461328A JP H0461328 A JPH0461328 A JP H0461328A JP 2173920 A JP2173920 A JP 2173920A JP 17392090 A JP17392090 A JP 17392090A JP H0461328 A JPH0461328 A JP H0461328A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- teflon
- container
- hot water
- pressure
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/106—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by boiling the liquid
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体集積回路製造において使用する半導体ウ
ェハを収納するキャリアの洗浄方法に関する。
ェハを収納するキャリアの洗浄方法に関する。
〈従来の技術〉
半導体集積回路製造工程では、高い歩留りを確保するた
めに、ウェハに付着している異物を除去する等の洗浄が
頻繁に行われている。洗浄にあたり、ウェハをテフロン
キャリアに収納した状態のままて、洗浄液の中に浸漬す
る。その後、純水により洗浄するか、テフロンキャリア
の網目構造のすき間にしみ込んだ洗浄液は完全には除去
できない。このテフロンキャリアにしみ込んだ洗浄液は
、徐々に外部に放出され、収納されているウエノ１を汚
染したり、また、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベ
ーパ乾燥時に、昇温されたキャリアから洗浄液かしみ出
すなとにより、ウエノ１の乾燥むらか発生じる。
めに、ウェハに付着している異物を除去する等の洗浄が
頻繁に行われている。洗浄にあたり、ウェハをテフロン
キャリアに収納した状態のままて、洗浄液の中に浸漬す
る。その後、純水により洗浄するか、テフロンキャリア
の網目構造のすき間にしみ込んだ洗浄液は完全には除去
できない。このテフロンキャリアにしみ込んだ洗浄液は
、徐々に外部に放出され、収納されているウエノ１を汚
染したり、また、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベ
ーパ乾燥時に、昇温されたキャリアから洗浄液かしみ出
すなとにより、ウエノ１の乾燥むらか発生じる。
このため、半導体集積回路製造工程で使用されるテフロ
ンキャリアは定期的に洗浄か行われている。この場合の
洗浄は、温純水により行った後、空気あるいは窒素雰囲
気中で１００〜１５０°Ｃでベーキングする。
ンキャリアは定期的に洗浄か行われている。この場合の
洗浄は、温純水により行った後、空気あるいは窒素雰囲
気中で１００〜１５０°Ｃでベーキングする。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところが、上述した従来の技術によるテフロンキャリア
の洗浄方法では、テフロンキャリアにしみ込んだ洗浄液
を完全に取り除くことはできず、半導体集積回路製造工
程において、その後にそのテフロンキャリア上に収納さ
れたウェハを汚染するという問題があった。
の洗浄方法では、テフロンキャリアにしみ込んだ洗浄液
を完全に取り除くことはできず、半導体集積回路製造工
程において、その後にそのテフロンキャリア上に収納さ
れたウェハを汚染するという問題があった。
以上のことに鑑み、本発明は従来の方法よりさらに効率
よくテフロンキャリアにしみ込んた洗浄液を取り除く方
法を提供することを目的とする。
よくテフロンキャリアにしみ込んた洗浄液を取り除く方
法を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための方法を、実施例を達成する
ための装置を示す第１図を参照しつつ説明すると、温純
水３を入れた槽２内にテフロンキャリア１を浸漬した状
態のその槽２を容器４内に収納する。その後その容器４
内を温純水３が沸騰する圧力に減圧し、温純水３を沸騰
した状態に保つことにより温純水３内のテフロンキャリ
ア１の洗浄を行う。
ための装置を示す第１図を参照しつつ説明すると、温純
水３を入れた槽２内にテフロンキャリア１を浸漬した状
態のその槽２を容器４内に収納する。その後その容器４
内を温純水３が沸騰する圧力に減圧し、温純水３を沸騰
した状態に保つことにより温純水３内のテフロンキャリ
ア１の洗浄を行う。
く作用〉
テフロンキャリアを、温純水を入れた槽内に浸漬し、そ
の槽が収納されている容器内をその温純水か沸騰する圧
力に減圧するので、テフロン高分子の膨張により、その
網目構造のすき間か、拡がるので、すき間にしみ込んで
いる洗浄液か温純水中に放出されやすくなる。
の槽が収納されている容器内をその温純水か沸騰する圧
力に減圧するので、テフロン高分子の膨張により、その
網目構造のすき間か、拡がるので、すき間にしみ込んで
いる洗浄液か温純水中に放出されやすくなる。
〈実施例〉
第１図は本発明の方法を実施するための装置を示す構成
図である。
図である。
容器４は、例えばアスピレータ等の排気手段（図示せず
）に接続されている。容器４内には槽２か収納されてい
る。その槽２は石英等からなり、温純水３が入れられて
いる。この温純水３中にテフロンキャリア１か浸漬され
た状態で、温純水３が沸騰する圧力にまで、上述の排気
手段により容器４内は減圧され、その圧力か保持される
。
）に接続されている。容器４内には槽２か収納されてい
る。その槽２は石英等からなり、温純水３が入れられて
いる。この温純水３中にテフロンキャリア１か浸漬され
た状態で、温純水３が沸騰する圧力にまで、上述の排気
手段により容器４内は減圧され、その圧力か保持される
。
以上述べた構成の装置を用いて本発明の方法か実施され
る。以下に詳細に説明する。
る。以下に詳細に説明する。
実施例１）
（１）試験片の作成
表面積３５ ｃｍ”のテフロン片を硫酸に２０日間浸漬
する。その後、このテフロン片にしみ込んだ硫酸イオン
濃度をイオンクロマトグラフで分析する。その結果、抽
出液中には、硫酸イオンは４１．９１ｇ／ｃｍ２検出さ
れた。
する。その後、このテフロン片にしみ込んだ硫酸イオン
濃度をイオンクロマトグラフで分析する。その結果、抽
出液中には、硫酸イオンは４１．９１ｇ／ｃｍ２検出さ
れた。
（２）上述の試験片を用いた本発明方法上述のテフロン
片を用いて行う本発明の方法は６０°Ｃの温純水が入れ
られた槽２内に上述のテフロン片を浸漬し、６００ｍｍ
Ｈｇの減圧下で、５分間洗浄後、自然乾燥させ、このテ
フロン片にしみ込んだ硫酸イオン濃度をイオンクロマト
グラフで分析する。また比較例として、６０″Ｃの温純
水中で、５分間洗浄後、自然乾燥させ、このテフロン片
にしみ込んだ硫酸イオン濃度をイオンクロマトグラフで
分析する。以上の結果を表に示す。
片を用いて行う本発明の方法は６０°Ｃの温純水が入れ
られた槽２内に上述のテフロン片を浸漬し、６００ｍｍ
Ｈｇの減圧下で、５分間洗浄後、自然乾燥させ、このテ
フロン片にしみ込んだ硫酸イオン濃度をイオンクロマト
グラフで分析する。また比較例として、６０″Ｃの温純
水中で、５分間洗浄後、自然乾燥させ、このテフロン片
にしみ込んだ硫酸イオン濃度をイオンクロマトグラフで
分析する。以上の結果を表に示す。
表
方法によれば、硫酸イオン除去率は１０％向上した。
実施例２）
１２０°Ｃの硫酸と過酸化水素水の混合液で１５分間ボ
イルしたテフロンキャリアに新品のウェハ（４インチ）
をキャリアの端に入れ、ＴＰＡベーパ乾燥を行い、その
後ウェハ上を光散乱方式の異物検査装置で検査を行う。
イルしたテフロンキャリアに新品のウェハ（４インチ）
をキャリアの端に入れ、ＴＰＡベーパ乾燥を行い、その
後ウェハ上を光散乱方式の異物検査装置で検査を行う。
第３図はその検査の結果のウェハ表面の図である。一方
、上述と同じ条件てボイルしたテフロンキャリアを６０
０ｍｍＨｇの減圧下で５分間洗浄後、上述と同様にＩＰ
Ａベーパ乾燥を行い、その後ウェハ上を光散乱方式の異
物検査装置て検査を行う。第２図はその検査の結果のウ
ェハ表面の図である。
、上述と同じ条件てボイルしたテフロンキャリアを６０
０ｍｍＨｇの減圧下で５分間洗浄後、上述と同様にＩＰ
Ａベーパ乾燥を行い、その後ウェハ上を光散乱方式の異
物検査装置て検査を行う。第２図はその検査の結果のウ
ェハ表面の図である。
以上の結果から、後者ではウェハ表面上に多量の異物５
が検出された。これはテフロンキャリアから放出される
硫酸による乾燥むらである。一方、前者では異物５はほ
とんど検出されず、したかって乾燥むらが発生していな
いことが明らかである。
が検出された。これはテフロンキャリアから放出される
硫酸による乾燥むらである。一方、前者では異物５はほ
とんど検出されず、したかって乾燥むらが発生していな
いことが明らかである。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、温純水か沸騰す
る圧力下の沸騰水中で洗浄するので、従来の方法に比し
て効果的に洗浄液を除去することかできるとともに、半
導体集積回路製造工程において、キャリアに収納されて
いるウェハ汚染を低減てきる。その結果、製品の歩留り
か向上する。
る圧力下の沸騰水中で洗浄するので、従来の方法に比し
て効果的に洗浄液を除去することかできるとともに、半
導体集積回路製造工程において、キャリアに収納されて
いるウェハ汚染を低減てきる。その結果、製品の歩留り
か向上する。
第１図は本発明実施例を実施するための装置の構成図、
第２図および第３図は本発明実施例の効果をあられす図
である。 １・・・テフロンキャリア ２・・・槽 ３・・・温純水 ４・・・容器 ５・・・異物
第２図および第３図は本発明実施例の効果をあられす図
である。 １・・・テフロンキャリア ２・・・槽 ３・・・温純水 ４・・・容器 ５・・・異物
Claims (1)
- ウェハを収納するテフロンキャリアを洗浄する方法で
あって、温純水を入れた槽内に上記テフロンキャリアを
浸漬し、その状態の上記槽を容器内に収納し、その後そ
の容器内を上記温純水が沸騰する圧力に減圧することを
特徴とするテフロンキャリアの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173920A JPH0461328A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | テフロンキャリアの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173920A JPH0461328A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | テフロンキャリアの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461328A true JPH0461328A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15969529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173920A Pending JPH0461328A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | テフロンキャリアの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461328A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0693001A4 (en) * | 1992-11-30 | 1996-11-27 | Massachusetts Inst Technology | CLEANING AND FINISHING A CERAMIC MOLD |
| US5660621A (en) * | 1995-12-29 | 1997-08-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Binder composition for use in three dimensional printing |
| US5814161A (en) * | 1992-11-30 | 1998-09-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Ceramic mold finishing techniques for removing powder |
| US6112804A (en) * | 1995-10-31 | 2000-09-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Tooling made by solid free form fabrication techniques having enhanced thermal properties |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2173920A patent/JPH0461328A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0693001A4 (en) * | 1992-11-30 | 1996-11-27 | Massachusetts Inst Technology | CLEANING AND FINISHING A CERAMIC MOLD |
| US5814161A (en) * | 1992-11-30 | 1998-09-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Ceramic mold finishing techniques for removing powder |
| US6109332A (en) * | 1992-11-30 | 2000-08-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Ceramic mold finishing |
| US6112804A (en) * | 1995-10-31 | 2000-09-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Tooling made by solid free form fabrication techniques having enhanced thermal properties |
| US6354361B1 (en) | 1995-10-31 | 2002-03-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Tooling having advantageously located heat transfer channels |
| US5660621A (en) * | 1995-12-29 | 1997-08-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Binder composition for use in three dimensional printing |
| US5851465A (en) * | 1995-12-29 | 1998-12-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Binder composition for use in three dimensional printing |
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