JPH0461480B2 - - Google Patents
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- JPH0461480B2 JPH0461480B2 JP59247899A JP24789984A JPH0461480B2 JP H0461480 B2 JPH0461480 B2 JP H0461480B2 JP 59247899 A JP59247899 A JP 59247899A JP 24789984 A JP24789984 A JP 24789984A JP H0461480 B2 JPH0461480 B2 JP H0461480B2
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- JP
- Japan
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- laser
- radiation
- axicon
- target
- plasma
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
- H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
- H05G2/0086—Optical arrangements for conveying the laser beam to the plasma generation location
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1 ns or less
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0652—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising prisms
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/23—Optical systems, e.g. for irradiating targets, for heating plasma or for plasma diagnostics
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、一般的に言つて電磁放射パルス特
に100nｍ（103Å）未満の波長範囲の強い高放射
密度の放射パルスを発生する方法と装置に関する
ものである。
に100nｍ（103Å）未満の波長範囲の強い高放射
密度の放射パルスを発生する方法と装置に関する
ものである。
物理学、化学および生物学における基礎研究や
薬学および工学に関する非常に幅広い使用目的
で、出来るだけ小さく、高輝度で、できるだけ短
かいフラツシユを放出するＸ線放射源を得ること
が強く望まれている。ここでＸ線放射とは、電磁
スペクトル範囲で硬（短波長）紫外線すなわち真
空紫外線から軟Ｘ線範囲への変移が漸進的である
ことと、その様な電磁放射を発生する方法は
100nｍ以上から約0.01nｍ（1000Åから0.1Å）ま
での全波長範囲に適用できるので物理的観点から
大体余り特徴のない上記２つのスペクトル範囲間
の境界に一般に認められた規定がないこと、のた
めに真空紫外線（VUV）の範囲も含むものとす
る。
薬学および工学に関する非常に幅広い使用目的
で、出来るだけ小さく、高輝度で、できるだけ短
かいフラツシユを放出するＸ線放射源を得ること
が強く望まれている。ここでＸ線放射とは、電磁
スペクトル範囲で硬（短波長）紫外線すなわち真
空紫外線から軟Ｘ線範囲への変移が漸進的である
ことと、その様な電磁放射を発生する方法は
100nｍ以上から約0.01nｍ（1000Åから0.1Å）ま
での全波長範囲に適用できるので物理的観点から
大体余り特徴のない上記２つのスペクトル範囲間
の境界に一般に認められた規定がないこと、のた
めに真空紫外線（VUV）の範囲も含むものとす
る。
約15年間にわたり世界中では、多くの研究グル
ープが、その様なＸ線放射源特にレーザ誘起プラ
ズマ型の放射源の開発に挑戦して来た。その様な
プラズマは、充分な密度の固体またはガス状物質
を高出力パルスレーザの焦点域（フオーカル・レ
ンジ）に置いたときに、その焦点（フオーカス）
に発生する。この焦点域におけるパワー密度が約
1013W／cm2になるとこのプラズマから上記Ｘ線放
射が観測された。特に、自然発生的なＸ線放射源
のみならず出来る限りコヒーレントな或いは一部
コヒーレントな放射源、すなわちＸ線レーザを得
ようと多大の努力が払われた。Ｘ線領域において
は充分損失が少い共振器を作り得るように充分な
反射性をもつた鏡は知られていないので、本当の
意味でのレーザすなわちレーザビームを取出し得
るような共振器内部に放射材料をもつたレーザを
得ることは、全く不可能という訳ではないかも知
れないが極めて困難なことであることがすぐに判
つた。唯一の代案として、誘導放射によつて、細
長い反転（inverted）媒体の軸に沿う一端に生成
された自然発生的な放射を増強することの可能性
が確認されていた。そのとき他端に発生する強い
一部コヒーレントな放射は、またASE
（Amplified Spontaneous Emission増幅された
自然発生放射）としてドイツ人に呼ばれている。
この技術分野でこれまでに行なわれた物理的な基
礎と実験的および理論的研究の概要については、
下記の論文に記載されている。
ープが、その様なＸ線放射源特にレーザ誘起プラ
ズマ型の放射源の開発に挑戦して来た。その様な
プラズマは、充分な密度の固体またはガス状物質
を高出力パルスレーザの焦点域（フオーカル・レ
ンジ）に置いたときに、その焦点（フオーカス）
に発生する。この焦点域におけるパワー密度が約
1013W／cm2になるとこのプラズマから上記Ｘ線放
射が観測された。特に、自然発生的なＸ線放射源
のみならず出来る限りコヒーレントな或いは一部
コヒーレントな放射源、すなわちＸ線レーザを得
ようと多大の努力が払われた。Ｘ線領域において
は充分損失が少い共振器を作り得るように充分な
反射性をもつた鏡は知られていないので、本当の
意味でのレーザすなわちレーザビームを取出し得
るような共振器内部に放射材料をもつたレーザを
得ることは、全く不可能という訳ではないかも知
れないが極めて困難なことであることがすぐに判
つた。唯一の代案として、誘導放射によつて、細
長い反転（inverted）媒体の軸に沿う一端に生成
された自然発生的な放射を増強することの可能性
が確認されていた。そのとき他端に発生する強い
一部コヒーレントな放射は、またASE
（Amplified Spontaneous Emission増幅された
自然発生放射）としてドイツ人に呼ばれている。
この技術分野でこれまでに行なわれた物理的な基
礎と実験的および理論的研究の概要については、
下記の論文に記載されている。
「“短波長レーザ研究報告（Review of short
Wavelength Laser Research）”、アール・ダブ
リユ・ウエイナント（R.W.Waynant）及びアー
ル・シー・エルトン（R.C.Elton）両氏による。
プロシーデイングズ オブ アイ・イー・イー・
イー（Proc.of IEEE）64巻1976年1059〜1092頁」 他のより最近の報告としては、或るものには応
用面に関する論議もあるが、下記等がある。
Wavelength Laser Research）”、アール・ダブ
リユ・ウエイナント（R.W.Waynant）及びアー
ル・シー・エルトン（R.C.Elton）両氏による。
プロシーデイングズ オブ アイ・イー・イー・
イー（Proc.of IEEE）64巻1976年1059〜1092頁」 他のより最近の報告としては、或るものには応
用面に関する論議もあるが、下記等がある。
「“高出力レーザによる実験（Experiments
With Very High Power Lasers）”、ニユーヨー
ク州 ロチエスタ イースト・リバー・ロード
250 ロチエスタ大学（University of
Rochester）工学および応用科学々部（College
of Engineering and Applied Science）レーザ
エネルギ研究所（Laboratory for Laser
Energetics）で1979年11月29〜30日に開催された
研修会における発表」 「ジエー・エム・フオーサイス（J.M.
Forsyth）及びアール・デイ・フランケル（R.D.
Frankel）両氏による論文“レーザで作られたプ
ラズマ源を使用した生体試料からのフラツシユＸ
線回折（Flash Ｘ−ray Diffraction from
Biological Specimens Using ａ Laser
Produced Plasma Source）：プログレス・レポ
ート”、ロチエスタ大学、工学および応用科学々
部、レーザエネルギ研究所、1980年６月レポート
106番」 「ジー・ジエー・パート（G.J.Pert）氏による
論文“XUVとＸ線レーザ（XUV and Ｘ−ray
Lasers）”、エデインバラメイフイールド・ロー
ド キングス・ビルデイング（King's
Buildings，Mayfield Road，Edinburgh）エデ
インバラ大学物理学部（Edinburgh University
Physics Department）SUSSP出版部、フアース
（W.J.Firth）およびハリソン（R.G.Harrison）
両氏編、プロシーデイングス・オブ・ザ・トウエ
ンテイサード・スコテイツシユ・ユニバーシテイ
ズ・サマー・スクール・イン・フイジクス
（Proc.of the Twenty−third Scottish
Universities Sommer School in Physics）エデ
インバラ、1982年８月、327〜345頁所載」 紙面の都合上、レーザプラズマＸ線源を実現す
る場合の困難性に関する充分な論議はできない
し、また、その詳細については上記諸報告とそこ
に記載された原研究からの数百件の引用を参照し
なければならないが、この発明の目的と従来技術
に対する本発明の利点の説明を容易にするために
幾つかの基本的な点を簡単に述べる。
With Very High Power Lasers）”、ニユーヨー
ク州 ロチエスタ イースト・リバー・ロード
250 ロチエスタ大学（University of
Rochester）工学および応用科学々部（College
of Engineering and Applied Science）レーザ
エネルギ研究所（Laboratory for Laser
Energetics）で1979年11月29〜30日に開催された
研修会における発表」 「ジエー・エム・フオーサイス（J.M.
Forsyth）及びアール・デイ・フランケル（R.D.
Frankel）両氏による論文“レーザで作られたプ
ラズマ源を使用した生体試料からのフラツシユＸ
線回折（Flash Ｘ−ray Diffraction from
Biological Specimens Using ａ Laser
Produced Plasma Source）：プログレス・レポ
ート”、ロチエスタ大学、工学および応用科学々
部、レーザエネルギ研究所、1980年６月レポート
106番」 「ジー・ジエー・パート（G.J.Pert）氏による
論文“XUVとＸ線レーザ（XUV and Ｘ−ray
Lasers）”、エデインバラメイフイールド・ロー
ド キングス・ビルデイング（King's
Buildings，Mayfield Road，Edinburgh）エデ
インバラ大学物理学部（Edinburgh University
Physics Department）SUSSP出版部、フアース
（W.J.Firth）およびハリソン（R.G.Harrison）
両氏編、プロシーデイングス・オブ・ザ・トウエ
ンテイサード・スコテイツシユ・ユニバーシテイ
ズ・サマー・スクール・イン・フイジクス
（Proc.of the Twenty−third Scottish
Universities Sommer School in Physics）エデ
インバラ、1982年８月、327〜345頁所載」 紙面の都合上、レーザプラズマＸ線源を実現す
る場合の困難性に関する充分な論議はできない
し、また、その詳細については上記諸報告とそこ
に記載された原研究からの数百件の引用を参照し
なければならないが、この発明の目的と従来技術
に対する本発明の利点の説明を容易にするために
幾つかの基本的な点を簡単に述べる。
先ず最初の困難性は、レーザの焦点域のパワー
密度を充分に高くして、そこの電界強度を原子の
電界強度に打勝つて原子をイオン化させ得るよう
な105V／cm以上の値にすることである。この閾
値は、単にそれに達するだけでなく、内部電子殻
の空位を再充填する（同時に制動（brems）放射
によつて連続スペクトルが生ずる）ことによつて
Ｘ線の線状放射を生成するために原子の多重イオ
ン化を可能とするように、相当超えねばならな
い。
密度を充分に高くして、そこの電界強度を原子の
電界強度に打勝つて原子をイオン化させ得るよう
な105V／cm以上の値にすることである。この閾
値は、単にそれに達するだけでなく、内部電子殻
の空位を再充填する（同時に制動（brems）放射
によつて連続スペクトルが生ずる）ことによつて
Ｘ線の線状放射を生成するために原子の多重イオ
ン化を可能とするように、相当超えねばならな
い。
これまで、その様に高いパワー密度を発生させ
ることは、元々他の目的たとえばレーザ誘起核融
合装置用に開発された、および特に約50psから数
nsの幅のレーザパルスが数ジユール乃至数キロジ
ユールのエネルギを放射するようなCO2レーザや
ネオジウム・ガラスレーザおよびヨードレーザの
如き可能な最高出力を出すために設計された、非
常に大きなレーザ装置においてのみ考慮されてい
た。上記の如き高出力レーザのパルス幅はその主
たる用途や、Ｘ線放射性プラズマの生成とは関係
のない他の要因によつて決定される。
ることは、元々他の目的たとえばレーザ誘起核融
合装置用に開発された、および特に約50psから数
nsの幅のレーザパルスが数ジユール乃至数キロジ
ユールのエネルギを放射するようなCO2レーザや
ネオジウム・ガラスレーザおよびヨードレーザの
如き可能な最高出力を出すために設計された、非
常に大きなレーザ装置においてのみ考慮されてい
た。上記の如き高出力レーザのパルス幅はその主
たる用途や、Ｘ線放射性プラズマの生成とは関係
のない他の要因によつて決定される。
上記形式の高出力レーザの光学素子は、一般に
大きな直径を有し、過大なレーザ放射パワー密度
がその破壊閾値（destruction threshold）を超
すことが無い様なものであることを要する。それ
は、続いて非常に大径の集中光学系を必要とする
ことにつながり、その様な光学系は、レーザビー
ムのビーム拡散度から理論的に計算される寸法の
直径を持つた焦点またはクロスオーバ点を充分実
現できるように製作および修正することは極めて
難かしい。それどころか放射は一般に可成り広い
範囲に拡がつて理論的に可能なパワー密度は達成
できない。
大きな直径を有し、過大なレーザ放射パワー密度
がその破壊閾値（destruction threshold）を超
すことが無い様なものであることを要する。それ
は、続いて非常に大径の集中光学系を必要とする
ことにつながり、その様な光学系は、レーザビー
ムのビーム拡散度から理論的に計算される寸法の
直径を持つた焦点またはクロスオーバ点を充分実
現できるように製作および修正することは極めて
難かしい。それどころか放射は一般に可成り広い
範囲に拡がつて理論的に可能なパワー密度は達成
できない。
また、必要とするパワー密度を更に大きく増大
させることの別の困難性は、放射および膨脹によ
るプラズマの高い冷却速度である。これまで50ピ
コ秒FWHM（full width at half maximum最大
値の２分の１点における全幅）以上のパルス用の
最短レーザパルスの場合でも、プラズマの冷却速
度はレーザパワーの上昇速度に比べて大きく、そ
のため、レーザパルスがその所要ピークパワーに
達するまでの全上昇時間中に冷却損失が入射レー
ザパワーと連続的に交換されているに違いない準
安定状態が発生する。真空中への膨脹と、内部に
反転状態（inversion）を発生する周囲ガスとの
殆ど共振状態にある電荷交換によるこのガスに対
しての膨脹とにおける再結合放射を観測すること
によつて、この膨脹をうまく利用しようとする試
みが多数行なわれた、元のプラズマの体積に比べ
て約1000倍も体積が増大するため、非常に低い放
射密度しか得られず、また上記の反転状態も誘導
放射の割合をASE Ｘ線レーザに必要な自然発生
放射の割合以上にするには遥かに小さなものであ
つた。
させることの別の困難性は、放射および膨脹によ
るプラズマの高い冷却速度である。これまで50ピ
コ秒FWHM（full width at half maximum最大
値の２分の１点における全幅）以上のパルス用の
最短レーザパルスの場合でも、プラズマの冷却速
度はレーザパワーの上昇速度に比べて大きく、そ
のため、レーザパルスがその所要ピークパワーに
達するまでの全上昇時間中に冷却損失が入射レー
ザパワーと連続的に交換されているに違いない準
安定状態が発生する。真空中への膨脹と、内部に
反転状態（inversion）を発生する周囲ガスとの
殆ど共振状態にある電荷交換によるこのガスに対
しての膨脹とにおける再結合放射を観測すること
によつて、この膨脹をうまく利用しようとする試
みが多数行なわれた、元のプラズマの体積に比べ
て約1000倍も体積が増大するため、非常に低い放
射密度しか得られず、また上記の反転状態も誘導
放射の割合をASE Ｘ線レーザに必要な自然発生
放射の割合以上にするには遥かに小さなものであ
つた。
ASEレーザの形についてだけでも、Ｘ線レー
ザを開発する試みにおいて、特に大きな難かしさ
はＸ線範囲の放射の放出状態の寿命が短いことで
あることが判つた。最初の項は、たとえば照射を
受けるべき媒体の長手方向と誘導用レーザビーム
の波面との間に或る角度を形成し、この角度を適
当に選択することによつて上記媒体中の原子の誘
導がその媒体の一端から他端へ向つて光速で伝播
するようにして、進行波誘導を利用することによ
りこの困難性を克服しようとする提案がなされ
た。上記方法によつて、最初に上記一端に生成し
た自然発生的な放射は充分に高い反転状態の誘導
エネルギをもつて他端に向つて進み、誘導放射に
よつて増強されて最後に一部コヒーレントASE
ビームとして高強度をもつて他端から放出され
る。しかし、これまでに必要な正確さをもつて上
記のような進行波誘導作用を得ることのできる構
造について、その論文には説明されていない。た
とえば円筒状レンズの如き集束素子によつたので
は理想的な状態から非常にかけ離れた状態になる
のでこの試みはまだ採用されない。
ザを開発する試みにおいて、特に大きな難かしさ
はＸ線範囲の放射の放出状態の寿命が短いことで
あることが判つた。最初の項は、たとえば照射を
受けるべき媒体の長手方向と誘導用レーザビーム
の波面との間に或る角度を形成し、この角度を適
当に選択することによつて上記媒体中の原子の誘
導がその媒体の一端から他端へ向つて光速で伝播
するようにして、進行波誘導を利用することによ
りこの困難性を克服しようとする提案がなされ
た。上記方法によつて、最初に上記一端に生成し
た自然発生的な放射は充分に高い反転状態の誘導
エネルギをもつて他端に向つて進み、誘導放射に
よつて増強されて最後に一部コヒーレントASE
ビームとして高強度をもつて他端から放出され
る。しかし、これまでに必要な正確さをもつて上
記のような進行波誘導作用を得ることのできる構
造について、その論文には説明されていない。た
とえば円筒状レンズの如き集束素子によつたので
は理想的な状態から非常にかけ離れた状態になる
のでこの試みはまだ採用されない。
最後に、急速に拡散する自由電子の雲による入
射レーザ光の高い反射の問題が、また難点であ
る。その結果、これまで大抵は照射されたレーザ
パワーの約半分だけがプラズマ中に実際に吸収さ
れるだけで、残部は逆に反射されるので複雑な電
子光学的手段で後者（プラズマ）から分離しない
限りレーザが可成り損傷を受ける可能性がある。
射レーザ光の高い反射の問題が、また難点であ
る。その結果、これまで大抵は照射されたレーザ
パワーの約半分だけがプラズマ中に実際に吸収さ
れるだけで、残部は逆に反射されるので複雑な電
子光学的手段で後者（プラズマ）から分離しない
限りレーザが可成り損傷を受ける可能性がある。
この項の結びとして、より短いレーザ波長を使
用すればすべての実験でＸ線放射の発生の効率が
増大することが判つたことも指摘しておく。これ
は極く最近ローデス（Ch.K.Rhodes）氏その他
（T.S.Lukその他、フイジカル・レビユー・レイ
ターズ（Phys.Rev.Lett.51、110〜113頁1983年７
月11日）による基礎的な研究によつて実証されて
おり、すなわちArFレーザの焦点域において、
193nｍと放射強度1014W／cm2で原子および分子ビ
ーム中に極めて高い多重イオン化の可能性が見出
されている。
用すればすべての実験でＸ線放射の発生の効率が
増大することが判つたことも指摘しておく。これ
は極く最近ローデス（Ch.K.Rhodes）氏その他
（T.S.Lukその他、フイジカル・レビユー・レイ
ターズ（Phys.Rev.Lett.51、110〜113頁1983年７
月11日）による基礎的な研究によつて実証されて
おり、すなわちArFレーザの焦点域において、
193nｍと放射強度1014W／cm2で原子および分子ビ
ーム中に極めて高い多重イオン化の可能性が見出
されている。
この発明の目的は、一つの方法とそれを実施す
るための有利な装置を提供することで、この方法
と装置によれば、非常に高い輝度をもつた非常に
時間幅の短かいＸ線放射フラツシユを発生させる
ための、高いパワー密度を持つたホツトプラズマ
を、従来よりも可成り効率良くしかも安い価格の
装置で生成させることができる。
るための有利な装置を提供することで、この方法
と装置によれば、非常に高い輝度をもつた非常に
時間幅の短かいＸ線放射フラツシユを発生させる
ための、高いパワー密度を持つたホツトプラズマ
を、従来よりも可成り効率良くしかも安い価格の
装置で生成させることができる。
従来の技術における傾向は、いつもパワーを増
大させることでパルス幅（パルス持続時間）に注
意が払われなかつたが、この発明は、パルス幅を
相当短くすることによつて所望のVUVまたはＸ
線放射へのレーザ放射の変換効率を大きさにおい
て数桁改善することができ、しかもプラズマを実
質的により有効に加熱し得るという驚くべき事実
の認識を基礎としているものである。この発明に
よつて、入射エネルギを一局所に集中させておく
ことができる。すなわちプラズマまたは放射源の
直径は最早プラズマの膨脹速度に依つて決まるの
ではなくレーザ放射の焦点直径に依つて決まる。
この条件に合つたときのみ、どの点でもレーザと
集束用光学系のビーム化能力を最適化することが
できる。
大させることでパルス幅（パルス持続時間）に注
意が払われなかつたが、この発明は、パルス幅を
相当短くすることによつて所望のVUVまたはＸ
線放射へのレーザ放射の変換効率を大きさにおい
て数桁改善することができ、しかもプラズマを実
質的により有効に加熱し得るという驚くべき事実
の認識を基礎としているものである。この発明に
よつて、入射エネルギを一局所に集中させておく
ことができる。すなわちプラズマまたは放射源の
直径は最早プラズマの膨脹速度に依つて決まるの
ではなくレーザ放射の焦点直径に依つて決まる。
この条件に合つたときのみ、どの点でもレーザと
集束用光学系のビーム化能力を最適化することが
できる。
集束用には、実質的に回折の制限された拡散
（diffraction−limited divergence）状態で到来
するレーザ放射の平面波をターゲツト材料が置か
れている点を中心とする集中性球面波に変換す
る、具合よく修正された対物レンズを使用する
と、たとえば、開口数の高い光学系（顕微鏡の光
学系）をそれに対応してビーム直径の小さなレー
ザと組合せ使用することができる。集束光学系と
して、シユバルツシルド（schwarzschild）光学
系および現在最適とされるアキシコン（axicon）
光学系を使用することもできる。簡単な手段と共
にアキシコン光学系を使用すれば、プラズマの進
行波誘導作用によつて、少なくとも一部コヒーレ
ントなVUVおよびＸ線放射を得ることができる。
（diffraction−limited divergence）状態で到来
するレーザ放射の平面波をターゲツト材料が置か
れている点を中心とする集中性球面波に変換す
る、具合よく修正された対物レンズを使用する
と、たとえば、開口数の高い光学系（顕微鏡の光
学系）をそれに対応してビーム直径の小さなレー
ザと組合せ使用することができる。集束光学系と
して、シユバルツシルド（schwarzschild）光学
系および現在最適とされるアキシコン（axicon）
光学系を使用することもできる。簡単な手段と共
にアキシコン光学系を使用すれば、プラズマの進
行波誘導作用によつて、少なくとも一部コヒーレ
ントなVUVおよびＸ線放射を得ることができる。
この発明の方法によれば、従来よりも実質的に
低いレーザエネルギおよび／または実質的に良好
な効率をもつて、高輝度を有しかつ約102nｍから
約10-2nｍの範囲における真空紫外線およびＸ線
範囲の波長を有する非常に短かい電磁放射パルス
を得ることができる。
低いレーザエネルギおよび／または実質的に良好
な効率をもつて、高輝度を有しかつ約102nｍから
約10-2nｍの範囲における真空紫外線およびＸ線
範囲の波長を有する非常に短かい電磁放射パルス
を得ることができる。
次に、図面に示す実施例を参照しつつ本発明に
ついて説明する。
ついて説明する。
この発明の主たる特徴は、従来使用されていた
レーザよりも長さが数桁短かいパルス幅（パルス
持続時間）を有する短波レーザを使用することに
ある。詳しくは、このパルス幅は、１ピコ秒以下
たとえば0.5ps未満で好ましくは200フエムト秒未
満である。なお1fs（フエトム秒）は10-15sであ
る。１ピコ秒未満の時間内に、プラズマまたはＸ
線放射放出の所要の加熱に必要な全エネルギを、
レーザが集束される（焦点を作る）べきターゲツ
ト物体中に結合することが重要である。
レーザよりも長さが数桁短かいパルス幅（パルス
持続時間）を有する短波レーザを使用することに
ある。詳しくは、このパルス幅は、１ピコ秒以下
たとえば0.5ps未満で好ましくは200フエムト秒未
満である。なお1fs（フエトム秒）は10-15sであ
る。１ピコ秒未満の時間内に、プラズマまたはＸ
線放射放出の所要の加熱に必要な全エネルギを、
レーザが集束される（焦点を作る）べきターゲツ
ト物体中に結合することが重要である。
レーザパルスの上昇速度は100フエムト秒また
それ以下の程度であることが望ましい。これは詳
しく言えば、ターゲツト物体に対するレーザ放射
エネルギの供給速度を少なくとも照射（放射）な
どによるプラズマの損失速度とほぼ等しくなるよ
うにするためである。都合の良いことに、使用す
るレーザのパルスエネルギは、比較的小さく、こ
れまでプラズマ放出Ｘ線の発生用に使用されてい
た大型レーザ装置のエネルギよりも一般に何桁も
大きさが小さいものである。実際に、このパルス
エネルギは１ジユールよりも小さく、従つて小径
のビームで、かつそれに伴つて小さなしかも具合
よく修正可能な光学集束系によつて動作させるこ
とができる。
それ以下の程度であることが望ましい。これは詳
しく言えば、ターゲツト物体に対するレーザ放射
エネルギの供給速度を少なくとも照射（放射）な
どによるプラズマの損失速度とほぼ等しくなるよ
うにするためである。都合の良いことに、使用す
るレーザのパルスエネルギは、比較的小さく、こ
れまでプラズマ放出Ｘ線の発生用に使用されてい
た大型レーザ装置のエネルギよりも一般に何桁も
大きさが小さいものである。実際に、このパルス
エネルギは１ジユールよりも小さく、従つて小径
のビームで、かつそれに伴つて小さなしかも具合
よく修正可能な光学集束系によつて動作させるこ
とができる。
これまで、プラズマ放出Ｘ線放射の発生用とし
て、約１ピコ秒以下の持続時間をもつた超短レー
ザパルスを供給し得るレーザを使用することは考
えられたことがなかつた。それは、その様に短い
持続時間に得られるレーザエネルギは比較的低く
て、その様なレーザプラズマを有効に発生させる
には不充分であると信じられていたからである。
て、約１ピコ秒以下の持続時間をもつた超短レー
ザパルスを供給し得るレーザを使用することは考
えられたことがなかつた。それは、その様に短い
持続時間に得られるレーザエネルギは比較的低く
て、その様なレーザプラズマを有効に発生させる
には不充分であると信じられていたからである。
レーザとしては、たとえば公開英国特許出願第
2140611号（対応米国出願第607320号、1984年５
月４日出願）に開示されているように、エキシマ
（Excimer）レーザを使用することができる。最
も便利なのは、上記特許出願に記載されているよ
うに、短かいレーザ放射パルスでポンプされる
DFB（distributed feedback）レーザを使用する
ことで、これにはパルス圧縮器を後続させること
もできる。パルス圧縮器としては、たとえば、
「アプライド・フイジクス・レターズ（Appl.
Phys.Lett.）43巻第228頁、1983年」のニコラス
（Nikolaus）氏とグリスコウスキイ
（Grischkowsky）氏の論文に記載の装置を使用
することができる。
2140611号（対応米国出願第607320号、1984年５
月４日出願）に開示されているように、エキシマ
（Excimer）レーザを使用することができる。最
も便利なのは、上記特許出願に記載されているよ
うに、短かいレーザ放射パルスでポンプされる
DFB（distributed feedback）レーザを使用する
ことで、これにはパルス圧縮器を後続させること
もできる。パルス圧縮器としては、たとえば、
「アプライド・フイジクス・レターズ（Appl.
Phys.Lett.）43巻第228頁、1983年」のニコラス
（Nikolaus）氏とグリスコウスキイ
（Grischkowsky）氏の論文に記載の装置を使用
することができる。
この後者の形式のレーザによれば、XeClレー
ザ中で周波数を２倍にし増幅した後最大値の２分
の１点における全パルス幅が約150fsのものが得
られ、そのパルスエネルギは10ｍＪでレーザ波長
は308nｍである。その様なレーザの放射を材料
上に集束させると、これまでの非常に大型のレー
ザ装置で発生させたプラズマの場合にも観測され
たような、最高10keVまでのエネルギを持つこと
もある電子（スーパサーマル電子）を含むプラズ
マが形成される。10keVのエネルギを持つた電子
の速度は丁度光速の19％で、すなわち5.7×109
cm／ｓである。従つて150fsの間にその様な電子
は大体8.6μｍの距離をカバーすることができる。
もし、ターゲツト（これはプラズマを発生するよ
うに照射される材料に対する普通の呼び名であ
る）が、たとえば、直径約5μｍで長さ数mmの円
筒であれば、プラズマは確実に元のターゲツト体
積の10倍未満の体積を占める。100倍も大きな、
普通使用される最大値の２分の１点の全パルス幅
を使用すると、電子はそれに応じて更に100倍も
進行し、すなわち、円筒の直径は100倍に大きく
なり体積は10000倍以上になる。従つて、周知の
方法ではパワー密度はこのプラズマの膨脹のため
に、膨脹のない場合に得られるパワー密度の
10000分の１に減少するが、この発明によりたと
えば150fsという短かいパルス幅を使用すること
によりこのパワー密度の減少は原理的に可能な密
度の10分の１になるに止まり、従つて周知方法に
比べ1000倍以上も改善される。実際に、速い電子
のみならずこの電子との衝突によつてプラズマ中
に生ずるイオンも同様なエネルギを受けて周知方
法で一般に使用されている長い時間の間膨脹冷却
に寄与するが、この発明によつて使用される短か
いパルス持続時間中はこのイオンは事実上静止し
ていると見なし得るが、より大きな改善が得られ
ることになる。
ザ中で周波数を２倍にし増幅した後最大値の２分
の１点における全パルス幅が約150fsのものが得
られ、そのパルスエネルギは10ｍＪでレーザ波長
は308nｍである。その様なレーザの放射を材料
上に集束させると、これまでの非常に大型のレー
ザ装置で発生させたプラズマの場合にも観測され
たような、最高10keVまでのエネルギを持つこと
もある電子（スーパサーマル電子）を含むプラズ
マが形成される。10keVのエネルギを持つた電子
の速度は丁度光速の19％で、すなわち5.7×109
cm／ｓである。従つて150fsの間にその様な電子
は大体8.6μｍの距離をカバーすることができる。
もし、ターゲツト（これはプラズマを発生するよ
うに照射される材料に対する普通の呼び名であ
る）が、たとえば、直径約5μｍで長さ数mmの円
筒であれば、プラズマは確実に元のターゲツト体
積の10倍未満の体積を占める。100倍も大きな、
普通使用される最大値の２分の１点の全パルス幅
を使用すると、電子はそれに応じて更に100倍も
進行し、すなわち、円筒の直径は100倍に大きく
なり体積は10000倍以上になる。従つて、周知の
方法ではパワー密度はこのプラズマの膨脹のため
に、膨脹のない場合に得られるパワー密度の
10000分の１に減少するが、この発明によりたと
えば150fsという短かいパルス幅を使用すること
によりこのパワー密度の減少は原理的に可能な密
度の10分の１になるに止まり、従つて周知方法に
比べ1000倍以上も改善される。実際に、速い電子
のみならずこの電子との衝突によつてプラズマ中
に生ずるイオンも同様なエネルギを受けて周知方
法で一般に使用されている長い時間の間膨脹冷却
に寄与するが、この発明によつて使用される短か
いパルス持続時間中はこのイオンは事実上静止し
ていると見なし得るが、より大きな改善が得られ
ることになる。
この様に、経験を基にした上記論文から明らか
な様に従来はターゲツトにおけるパワー密度とし
て1013W／cm2以上を得なければならなかつたが、
最大値の２分の１点のパルス全幅を短かくするこ
とによつて1010W／cm2未満でＸ線放出が得られ
る。もちろん、この方法はその様に低いパワー密
度のみに限られるものではない。上記のレーザで
達成できるパワー密度は実際は遥に高い。直径
5μｍで長さが２mmの円筒状ターゲツトの表面に
150fs中に10ｍＪのパルスエネルギを集束させる
と、そのターゲツト表面のパワー密度は約２×
1014W／cm2となり、従つてそれに応じた高輝度が
得られる。
な様に従来はターゲツトにおけるパワー密度とし
て1013W／cm2以上を得なければならなかつたが、
最大値の２分の１点のパルス全幅を短かくするこ
とによつて1010W／cm2未満でＸ線放出が得られ
る。もちろん、この方法はその様に低いパワー密
度のみに限られるものではない。上記のレーザで
達成できるパワー密度は実際は遥に高い。直径
5μｍで長さが２mmの円筒状ターゲツトの表面に
150fs中に10ｍＪのパルスエネルギを集束させる
と、そのターゲツト表面のパワー密度は約２×
1014W／cm2となり、従つてそれに応じた高輝度が
得られる。
たとえば150fsという上記の持続時間の短かい
レーザパルスを使用して得られる更に別の利点
は、誘導期間が内部殻中の励起された状態の減衰
時間に適応することである。
レーザパルスを使用して得られる更に別の利点
は、誘導期間が内部殻中の励起された状態の減衰
時間に適応することである。
すなわち、たとえば、波長が3nｍで発振強度
１の場合の許容された電子遷移の自然寿命は、正
確に135fsである。しかし、軽い元素の場合には
この寿命は、放射の無い遷移たとえばオージエ
（Auger）遷移によつて相当減少する。中程度の
重量の元素では、特にここで得られる高度にイオ
ン化された状態下では、実際の減衰時間は目立つ
程短かくはない。これによつて、誘導放射と自然
放出との都合の良い競合が得られ、もしこれが無
いと進行波誘導作用は事実上実現できない。
１の場合の許容された電子遷移の自然寿命は、正
確に135fsである。しかし、軽い元素の場合には
この寿命は、放射の無い遷移たとえばオージエ
（Auger）遷移によつて相当減少する。中程度の
重量の元素では、特にここで得られる高度にイオ
ン化された状態下では、実際の減衰時間は目立つ
程短かくはない。これによつて、誘導放射と自然
放出との都合の良い競合が得られ、もしこれが無
いと進行波誘導作用は事実上実現できない。
この発明の好ましい実施形態における基本的な
特徴は、アキシコンを含む、またはアキシコンの
みより成る光学系によつてレーザビームを線状タ
ーゲツト上に集束させることである。アキシコン
とは、光軸上の一点をその光軸上の線に変形し更
にその逆作用も行なう種類の光学素子に用いる語
である（マクレオード（J.H.McLeod）氏、ジヤ
ーナルオブ・オプチカル・ソサエテイ・オブ・ア
メリカ（J.Opt.Soc.Am，）44、592、1954および
同書50、166、1960参照）。原理的構成を第１図に
示す。これは、実質的に、集束すべきレーザビー
ムに対し非吸収性の光学材料（たとえば石英ガラ
ス）で作られ、取付けおよび中心合せを容易化す
るための筒状延長部を持つた円錐体１の形をした
素子より成る。この円錐体または筒状部の軸は光
学軸Ａ−A′と一致している。この光学軸に対し
て正確に垂直をなす平らなベース領域と円錐体の
表面は光学的に仕上げられた表面で、その理想的
表面からのずれは技術的に可能な限界まで最小に
されている。第１図の断面図に側縁線（edge
ray）３，３′を示す直径Ｄのレーザービームが、
若し上記光軸と平行にベース領域に入射したとす
ると、幾何光学の法則によつて明らかな様に、こ
のビームは、屈折してそのすべての線が円錐体の
頂点とそこから距離Ｌの点との間で必ず光学軸を
通過する（交叉する）ように、円錐体の表面を通
抜けて光学軸に向う径路に進む。幾何光学の法則
によつて簡単に算出できる、光学軸上の長さＬの
領域は、次に第１図において照射を受けるべきタ
ーゲツト２で満たされる。ターゲツト２は直径が
ｄで長さは正確にＬである。入射ビーム中のレー
ザの光線放射パワーは面積πD2／４上に分布され
ているが、アキシコン１を通過するとターゲツト
の発生表面すなわち面積Lπd上に集中する。その
ために照射強度はＦ＝D2／4dL倍に増大される。
この実施例では、一例として前述した形式のエキ
シマ・レーザを使用し、Ｄ＝20mm、ｄ＝５・10-3
mm、Ｌ＝２mmである。これで、Ｆ＝104である。
Ｌは円錐体の円錐角の選択によつて幅広い範囲内
で可変であり、また円錐体内表面におけるレーザ
ビームの入射角がその使用材料の全反射角にほぼ
等しくなるように円錐角を選ぶとＬが０に近づく
ことは、容易に理解できよう。
特徴は、アキシコンを含む、またはアキシコンの
みより成る光学系によつてレーザビームを線状タ
ーゲツト上に集束させることである。アキシコン
とは、光軸上の一点をその光軸上の線に変形し更
にその逆作用も行なう種類の光学素子に用いる語
である（マクレオード（J.H.McLeod）氏、ジヤ
ーナルオブ・オプチカル・ソサエテイ・オブ・ア
メリカ（J.Opt.Soc.Am，）44、592、1954および
同書50、166、1960参照）。原理的構成を第１図に
示す。これは、実質的に、集束すべきレーザビー
ムに対し非吸収性の光学材料（たとえば石英ガラ
ス）で作られ、取付けおよび中心合せを容易化す
るための筒状延長部を持つた円錐体１の形をした
素子より成る。この円錐体または筒状部の軸は光
学軸Ａ−A′と一致している。この光学軸に対し
て正確に垂直をなす平らなベース領域と円錐体の
表面は光学的に仕上げられた表面で、その理想的
表面からのずれは技術的に可能な限界まで最小に
されている。第１図の断面図に側縁線（edge
ray）３，３′を示す直径Ｄのレーザービームが、
若し上記光軸と平行にベース領域に入射したとす
ると、幾何光学の法則によつて明らかな様に、こ
のビームは、屈折してそのすべての線が円錐体の
頂点とそこから距離Ｌの点との間で必ず光学軸を
通過する（交叉する）ように、円錐体の表面を通
抜けて光学軸に向う径路に進む。幾何光学の法則
によつて簡単に算出できる、光学軸上の長さＬの
領域は、次に第１図において照射を受けるべきタ
ーゲツト２で満たされる。ターゲツト２は直径が
ｄで長さは正確にＬである。入射ビーム中のレー
ザの光線放射パワーは面積πD2／４上に分布され
ているが、アキシコン１を通過するとターゲツト
の発生表面すなわち面積Lπd上に集中する。その
ために照射強度はＦ＝D2／4dL倍に増大される。
この実施例では、一例として前述した形式のエキ
シマ・レーザを使用し、Ｄ＝20mm、ｄ＝５・10-3
mm、Ｌ＝２mmである。これで、Ｆ＝104である。
Ｌは円錐体の円錐角の選択によつて幅広い範囲内
で可変であり、また円錐体内表面におけるレーザ
ビームの入射角がその使用材料の全反射角にほぼ
等しくなるように円錐角を選ぶとＬが０に近づく
ことは、容易に理解できよう。
集束用光学素子としてアキシコンを使用すると
驚くべきことに他の重要な利点も得られる。すな
わち、既に望ましいものとして冒頭で説明したが
これまでに未だ実現されていない進行波誘導作用
の可能性である。これについては、第１図のター
ゲツト２の部分が拡大表示されている第２図を参
照して詳細に説明する。またこの第２図では、レ
ーザパルスの電磁波で満たされた斜線表示部が、
その波面４が丁度アキシコン円錐体１の頂部を離
れてこの円錐体１の頂部に接するターゲツト２の
一端に衝突する瞬間の形で示されている。波面４
はターゲツト２の長軸と角度ａをなし、この角度
は初歩的な計算によつて算出できる。
驚くべきことに他の重要な利点も得られる。すな
わち、既に望ましいものとして冒頭で説明したが
これまでに未だ実現されていない進行波誘導作用
の可能性である。これについては、第１図のター
ゲツト２の部分が拡大表示されている第２図を参
照して詳細に説明する。またこの第２図では、レ
ーザパルスの電磁波で満たされた斜線表示部が、
その波面４が丁度アキシコン円錐体１の頂部を離
れてこの円錐体１の頂部に接するターゲツト２の
一端に衝突する瞬間の形で示されている。波面４
はターゲツト２の長軸と角度ａをなし、この角度
は初歩的な計算によつて算出できる。
伝播する波面がターゲツト表面と交わる幾何学
的位置が、第２図の側縁線３に示された距離Ｘだ
け波面が進む間に、ターゲツトの右端から左端へ
進むことは明らかである。距離Ｘは常に距離Ｌよ
り小さいからターゲツト材料中の誘導は波面より
も大きな速度で進行することはすぐに判る。Ｘ線
範囲では殆どすべての物質の屈折率は１より小さ
く従つてＸ線放射の位相速度は光速より大である
から、角度ａ（これは、円錐角とアキシコン１の
屈折率で決まる）を適当に選定することにより、
ターゲツト材料中の誘導の伝播速度をその材料中
の所望波長のＸ線放射の位相速度と丁度等しくす
ることができる。この方法で、第２図において右
から左へ進むＸ線波が生成され、しかもこのＸ線
波は誘導放出によつて連続的に増強される。しか
し、その他の方向、特に第２図の右方、ヘは全放
出のうちの比較的小部分しか放出されない。すな
わちこの構成はASEレーザをなしており、ター
ゲツト材料とポンプ条件の選択に応じて約100n
ｍから10nｍ（1000Åから0.1Å）の上記の全範囲
で動作することができる。
的位置が、第２図の側縁線３に示された距離Ｘだ
け波面が進む間に、ターゲツトの右端から左端へ
進むことは明らかである。距離Ｘは常に距離Ｌよ
り小さいからターゲツト材料中の誘導は波面より
も大きな速度で進行することはすぐに判る。Ｘ線
範囲では殆どすべての物質の屈折率は１より小さ
く従つてＸ線放射の位相速度は光速より大である
から、角度ａ（これは、円錐角とアキシコン１の
屈折率で決まる）を適当に選定することにより、
ターゲツト材料中の誘導の伝播速度をその材料中
の所望波長のＸ線放射の位相速度と丁度等しくす
ることができる。この方法で、第２図において右
から左へ進むＸ線波が生成され、しかもこのＸ線
波は誘導放出によつて連続的に増強される。しか
し、その他の方向、特に第２図の右方、ヘは全放
出のうちの比較的小部分しか放出されない。すな
わちこの構成はASEレーザをなしており、ター
ゲツト材料とポンプ条件の選択に応じて約100n
ｍから10nｍ（1000Åから0.1Å）の上記の全範囲
で動作することができる。
ターゲツトを正確に中心合せして正しい位置に
保持しかつ蒸発後それを新しいターゲツトと容易
に自動化可能なやり方で交換する問題の解決法が
第３図に示されている。すなわちこの目的のため
に図示の様にアキシコン１にはその軸と同軸的な
円筒状通路すなわち円筒孔１０が設けられ、その
孔の直径は照射されるべきターゲツト２よりも僅
か数ミクロンしか大きくない様にされている。タ
ーゲツト２は、アキシコンのベース領域からこの
孔を通過して必要とするターゲツト長Ｌだけ正確
にアキシコンの頂点から前方に突出するまで挿入
される。照射されたターゲツト材料が蒸発した
後、この材料の後方から、たとえば機械的手段で
或いは圧力を加えて再び必要な長さだけアキシコ
ンの頂点から突出するまで、或る量の材料を再補
給する。この単純な方法でターゲツトが常に正確
に中心合せされた状態を保ちかつしつかりと機械
的に保持されることは、極めて有利である。照射
空間にターゲツト材料をこのやり方で供給する方
法をとれば、レーザフラツシユの開始前丁度良い
時期に上記円筒孔を通して必要な高圧力でガス流
を送りアキシコンの頂点を越えて或る充分な長さ
範囲に充分な密度のガス流を形成することによつ
て、ガス状ターゲツトを使用することも可能にな
ることは、特筆すべきことである。その様なガス
状ターゲツトとしては、たとえばUF6、HD、
HT、Ni（CO）4などを含めて種々多様なガス、蒸
気およびそれらの混合体を使用することができ
る。
保持しかつ蒸発後それを新しいターゲツトと容易
に自動化可能なやり方で交換する問題の解決法が
第３図に示されている。すなわちこの目的のため
に図示の様にアキシコン１にはその軸と同軸的な
円筒状通路すなわち円筒孔１０が設けられ、その
孔の直径は照射されるべきターゲツト２よりも僅
か数ミクロンしか大きくない様にされている。タ
ーゲツト２は、アキシコンのベース領域からこの
孔を通過して必要とするターゲツト長Ｌだけ正確
にアキシコンの頂点から前方に突出するまで挿入
される。照射されたターゲツト材料が蒸発した
後、この材料の後方から、たとえば機械的手段で
或いは圧力を加えて再び必要な長さだけアキシコ
ンの頂点から突出するまで、或る量の材料を再補
給する。この単純な方法でターゲツトが常に正確
に中心合せされた状態を保ちかつしつかりと機械
的に保持されることは、極めて有利である。照射
空間にターゲツト材料をこのやり方で供給する方
法をとれば、レーザフラツシユの開始前丁度良い
時期に上記円筒孔を通して必要な高圧力でガス流
を送りアキシコンの頂点を越えて或る充分な長さ
範囲に充分な密度のガス流を形成することによつ
て、ガス状ターゲツトを使用することも可能にな
ることは、特筆すべきことである。その様なガス
状ターゲツトとしては、たとえばUF6、HD、
HT、Ni（CO）4などを含めて種々多様なガス、蒸
気およびそれらの混合体を使用することができ
る。
第４図には、ターゲツト２を最終集束素子から
任意の距離に配置し得る集束光学系のまた別の実
施例が示されている。前述した図と同じくこの図
は、光学軸Ａ−A′を回転軸とする回転対称構造
の半径方向断面図である。第１の光学素子は、第
１図におけると同様に円錐体アキシコン１である
が、この構造ではその集束線上にはターゲツト材
料が存在せず、レーザビームはその焦点域を通過
した後、第４図に側縁線を６，６′で示す円環状
放射ビームに分割される。この円環状ビームは続
いて２重円錐体の形をした別のアキシコン５に入
射する。第４図に示した例では、アキシコン５は
両側が切り取られた２重截頭円錐体で、その各半
部の円錐角は相等しい。この両円錐体の円錐角と
しては、もち論アキシコン１の円錐角と同一であ
る必要のない、互いに異る角度を選んでもよく、
また屈折率を異にする材料を使用することもで
き、更に図から明らかな様にアキシコン５の寸法
は２つのアキシコン間の距離によつて決ると共に
アキシコン５と第２アキシコンの焦点域との間の
距離によつて決ることは、説明するまでもなくこ
の図から明らかであろう。第４図から判るよう
に、ターゲツトを配置すべき焦点域は周囲全方向
から自由に手を触れ得る空間にあり、これは多く
の用途で重要なことである。２つのアキシコン１
と５の間の空間は、アキシコン１の焦点域に、そ
このレーザエネルギを吸収してターゲツト２に向
けて通過させないプラズマが形成されないように
真空にすべきであることは言うまでもない。
任意の距離に配置し得る集束光学系のまた別の実
施例が示されている。前述した図と同じくこの図
は、光学軸Ａ−A′を回転軸とする回転対称構造
の半径方向断面図である。第１の光学素子は、第
１図におけると同様に円錐体アキシコン１である
が、この構造ではその集束線上にはターゲツト材
料が存在せず、レーザビームはその焦点域を通過
した後、第４図に側縁線を６，６′で示す円環状
放射ビームに分割される。この円環状ビームは続
いて２重円錐体の形をした別のアキシコン５に入
射する。第４図に示した例では、アキシコン５は
両側が切り取られた２重截頭円錐体で、その各半
部の円錐角は相等しい。この両円錐体の円錐角と
しては、もち論アキシコン１の円錐角と同一であ
る必要のない、互いに異る角度を選んでもよく、
また屈折率を異にする材料を使用することもで
き、更に図から明らかな様にアキシコン５の寸法
は２つのアキシコン間の距離によつて決ると共に
アキシコン５と第２アキシコンの焦点域との間の
距離によつて決ることは、説明するまでもなくこ
の図から明らかであろう。第４図から判るよう
に、ターゲツトを配置すべき焦点域は周囲全方向
から自由に手を触れ得る空間にあり、これは多く
の用途で重要なことである。２つのアキシコン１
と５の間の空間は、アキシコン１の焦点域に、そ
このレーザエネルギを吸収してターゲツト２に向
けて通過させないプラズマが形成されないように
真空にすべきであることは言うまでもない。
第１図乃至第４図の構成では純粋に屈折性の光
学的素子を使用しているが、反射型のアキシコン
或いは一部反射性で一部屈折性の組合光学系も使
用することができる。第５図は、その様な一実施
例を示している。これには先ず第１図におけると
同様にアキシコン１が伝達系に使用され、次に内
面銀鍍した中空円錐部の形をしていて第５図に示
すように円環状レーザビームをターゲツト２に集
束するアキシコン７が設けられている。アキシコ
ン１の円錐角と屈折率の選択によりその焦点域の
長さが決定される。この円環状レーザビームの環
の幅はアキシコン７における反射で変ることはな
いか、アキシコン７の焦点域の長さはアキシコン
１の焦点域の長さより短かくなることは無く、む
しろアキシコン７で反射される環状ビーム光線が
光学軸に直角でなければ大抵の場合大きくなる。
アキシコン７の円錐角の選択によつて、波面と光
学軸との間の角度は所望の値に設定することがで
きる。屈折アキシコンと反射アキシコンを使用す
ることによつて、進行波誘導作用を得るために、
焦点域の長さをターゲツト長に合わせることおよ
び波面と光学軸の間の所望の角度に関して大きな
自由度が得られることは明らかである。
学的素子を使用しているが、反射型のアキシコン
或いは一部反射性で一部屈折性の組合光学系も使
用することができる。第５図は、その様な一実施
例を示している。これには先ず第１図におけると
同様にアキシコン１が伝達系に使用され、次に内
面銀鍍した中空円錐部の形をしていて第５図に示
すように円環状レーザビームをターゲツト２に集
束するアキシコン７が設けられている。アキシコ
ン１の円錐角と屈折率の選択によりその焦点域の
長さが決定される。この円環状レーザビームの環
の幅はアキシコン７における反射で変ることはな
いか、アキシコン７の焦点域の長さはアキシコン
１の焦点域の長さより短かくなることは無く、む
しろアキシコン７で反射される環状ビーム光線が
光学軸に直角でなければ大抵の場合大きくなる。
アキシコン７の円錐角の選択によつて、波面と光
学軸との間の角度は所望の値に設定することがで
きる。屈折アキシコンと反射アキシコンを使用す
ることによつて、進行波誘導作用を得るために、
焦点域の長さをターゲツト長に合わせることおよ
び波面と光学軸の間の所望の角度に関して大きな
自由度が得られることは明らかである。
普通回転対称性を保つている正確な円錐面から
変形することによつて、若し必要とするならば、
わん曲した波面によつてターゲツト中の誘電の伝
播速度の局所依存性および／またはターゲツト表
面における集束パワー密度の局所依存性という様
な、改変も可能である。
変形することによつて、若し必要とするならば、
わん曲した波面によつてターゲツト中の誘電の伝
播速度の局所依存性および／またはターゲツト表
面における集束パワー密度の局所依存性という様
な、改変も可能である。
２個またはそれ以上のアキシコンを、大抵は別
の光学素子と組合せて使用すれば、当該専門家
は、この発明の思想から逸脱することなしに、上
述の物理的な条件のみならず、広い制限内で、最
大寸法、最大許容重量または最高生産原価という
様な他の一般的な条件にも、この集束手段を適応
させ得るであろう。
の光学素子と組合せて使用すれば、当該専門家
は、この発明の思想から逸脱することなしに、上
述の物理的な条件のみならず、広い制限内で、最
大寸法、最大許容重量または最高生産原価という
様な他の一般的な条件にも、この集束手段を適応
させ得るであろう。
第６図には、上述した形式のレーザ１２と、使
用レーザ放射の波長用に可能な限り修正された対
物レンズの形の光学的集束系１４たとえば高開口
数の顕微鏡用対物レンズを含む、この発明の一実
施例が示されている。この開口数はたとえば0.4
より大きいことたとえば0.6より大きい方がよく
0.95までとすることができる。
用レーザ放射の波長用に可能な限り修正された対
物レンズの形の光学的集束系１４たとえば高開口
数の顕微鏡用対物レンズを含む、この発明の一実
施例が示されている。この開口数はたとえば0.4
より大きいことたとえば0.6より大きい方がよく
0.95までとすることができる。
良好に修正された集束用光学系１４を使用する
ことによつて、端縁線３，３′で決定される比較
的大きな断面を有し回折制限された拡散度をもつ
レーザ放射ビーム１６を、たとえば薄い箔２０よ
りなるターゲツト材料の非常に小さな部分１８上
に集束させることができ、たとえばメガワツト範
囲内の比較的低いレーザ放射パワーで、非常にコ
ンパクトで高い放射密度を有するＸ線放射源２２
を得ることができる。
ことによつて、端縁線３，３′で決定される比較
的大きな断面を有し回折制限された拡散度をもつ
レーザ放射ビーム１６を、たとえば薄い箔２０よ
りなるターゲツト材料の非常に小さな部分１８上
に集束させることができ、たとえばメガワツト範
囲内の比較的低いレーザ放射パワーで、非常にコ
ンパクトで高い放射密度を有するＸ線放射源２２
を得ることができる。
この光学的集束系１４は、普通の方法で作るこ
とができ、もしこの系を或る特定波長のレーザと
共に使用するならば色修正に特別な注意を払う必
要はない。
とができ、もしこの系を或る特定波長のレーザと
共に使用するならば色修正に特別な注意を払う必
要はない。
第１図乃至第５図は、詳細は示されていないが
実質的に１ピコ秒よりも短かい持続時間の放射パ
ルスを生成し得るレーザと組合せてこの発明方法
をそれぞれ好ましい形で実施する場合に使用し得
る光学系の具体的構成例をそれぞれ示す断面図、
第６図はこの発明の方法を実施する装置の一例を
示す概要図である。 １，５……アキシコン素子、２……ターゲツト
空間、３，３′……レーザビームの側縁線、４…
…波面、７……反射アキシコン素子、１０……軸
孔、１１……円錐状アキシコン、１２……レー
ザ、１４……集束用光学系、２０……ターゲツト
材料（箔）、２２……Ｘ線放射源。
実質的に１ピコ秒よりも短かい持続時間の放射パ
ルスを生成し得るレーザと組合せてこの発明方法
をそれぞれ好ましい形で実施する場合に使用し得
る光学系の具体的構成例をそれぞれ示す断面図、
第６図はこの発明の方法を実施する装置の一例を
示す概要図である。 １，５……アキシコン素子、２……ターゲツト
空間、３，３′……レーザビームの側縁線、４…
…波面、７……反射アキシコン素子、１０……軸
孔、１１……円錐状アキシコン、１２……レー
ザ、１４……集束用光学系、２０……ターゲツト
材料（箔）、２２……Ｘ線放射源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １ピコ秒未満の持続時間を有する放射パルス
を放射するレーザと、この放射パルスを棒状ター
ゲツト材料を含んでいる空間中に集束させるため
の集束光学系とによつて、約100nｍ未満の波長
範囲の電磁放射を放出するホツトプラズマを発生
させる装置であつて； 特徴として、上記集束光学系は少なくとも１個
のアキシコン素子より成り、そのアキシコン集束
光学系のパラメータが、そのアキシコン集束光学
系から発出するレーザビームの波面をその光学系
の光学軸上に配置された上記棒状ターゲツト材料
に沿つて、そのターゲツト空間をＸ線が伝播する
速度と少なくともほぼ等しい速度で伝播させるよ
うに設定されている、ホツトプラズマ発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3342531.0 | 1983-11-24 | ||
| DE19833342531 DE3342531A1 (de) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | Verfahren und einrichtung zum erzeugen von kurz dauernden, intensiven impulsen elektromagnetischer strahlung im wellenlaengenbereich unter etwa 100 nm |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143600A JPS60143600A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0461480B2 true JPH0461480B2 (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=6215166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59247899A Granted JPS60143600A (ja) | 1983-11-24 | 1984-11-22 | ホットプラズマ発生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4630274A (ja) |
| EP (1) | EP0143446B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60143600A (ja) |
| AT (1) | ATE40626T1 (ja) |
| DE (2) | DE3342531A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3523641C1 (de) * | 1985-07-02 | 1986-12-18 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung |
| US4704718A (en) * | 1985-11-01 | 1987-11-03 | Princeton University | Apparatus and method for generating soft X-ray lasing action in a confined plasma column through the use of a picosecond laser |
| JPS62117246A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 高輝度ｘ線発生用標的 |
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| WO1987007165A1 (en) * | 1986-05-19 | 1987-12-03 | Automated Laser Systems, Inc. | Precision laser system useful for ophthalmic surgery |
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| US5080456A (en) * | 1990-02-26 | 1992-01-14 | Symbol Technologies, Inc. | Laser scanners with extended working range |
| JP2544236B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1996-10-16 | 理化学研究所 | 多価イオン発生法 |
| CA2123008C (en) * | 1991-11-06 | 2003-01-21 | Shui T. Lai | Corneal surgery device and method |
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| US5656186A (en) * | 1994-04-08 | 1997-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation |
| JP3767927B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2006-04-19 | 沖電気工業株式会社 | 波長変換方法及びそれを用いた波長変換装置 |
| US5835545A (en) * | 1997-07-30 | 1998-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Compact intense radiation system |
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| US6497358B1 (en) | 1999-09-13 | 2002-12-24 | Christopher S. Walsh | Record and verification method and system for radiation therapy |
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| US6341009B1 (en) | 2000-02-24 | 2002-01-22 | Quantronix Corporation | Laser delivery system and method for photolithographic mask repair |
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| US9842188B2 (en) | 2002-10-29 | 2017-12-12 | Practice Velocity, LLC | Method and system for automated medical records processing with cloud computing |
| US10714213B2 (en) | 2002-10-29 | 2020-07-14 | Practice Velocity, LLC | Method and system for automated medical records processing with patient tracking |
| US8606594B2 (en) | 2002-10-29 | 2013-12-10 | Practice Velocity, LLC | Method and system for automated medical records processing |
| US11361853B2 (en) | 2002-10-29 | 2022-06-14 | Practice Velocity, LLC | Method and system for automated medical records processing with telemedicine |
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| CN100525104C (zh) * | 2005-04-29 | 2009-08-05 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 光纤激光触发超宽带电磁脉冲辐射形成方法及其实现系统 |
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| FR2938398B1 (fr) * | 2008-11-07 | 2011-12-16 | Ecole Polytech | Procede et systeme pour augmenter la duree de vie d'un plasma |
| DE102010034438A1 (de) * | 2010-08-16 | 2012-02-16 | AVE Österrreich GmbH | Verfahren zur Durchführung einer Laserspektroskopie, Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens und Sortieranlage aufweisend die Vorrichtung |
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| US9269524B1 (en) * | 2014-01-14 | 2016-02-23 | Sandia Corporation | 3D target array for pulsed multi-sourced radiography |
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| EP3412400A1 (en) * | 2017-06-09 | 2018-12-12 | Bystronic Laser AG | Beam shaper and use thereof, device for laser beam treatment of a workpiece and use thereof, method for laser beam treatment of a workpiece |
| FR3088514B1 (fr) * | 2018-11-12 | 2020-11-20 | Centre Tech Alphanov | Source et procede de generation de rayons x par interaction laser avec une cible |
| EP3726940A3 (en) | 2019-04-16 | 2020-11-11 | Okinawa Institute of Science and Technology School Corporation | Laser-driven microplasma xuv source |
| CN115798741B (zh) * | 2022-12-16 | 2026-04-21 | 上海交通大学 | 一种激光聚变点火靶双锥装配观测及调整系统 |
| US12609202B2 (en) | 2024-04-02 | 2026-04-21 | Experity, Inc. | Method and system for automated differential medical diagnosis assesment |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3823325A (en) * | 1973-07-23 | 1974-07-09 | Atomic Energy Commission | X-ray laser |
| US4514850A (en) * | 1983-05-16 | 1985-04-30 | Rockwell International Corporation | Common-pass decentered annular ring resonator |
| US4516244A (en) * | 1983-09-01 | 1985-05-07 | Rockwell International Corporation | Common-pass decentered annular ring resonator with improved polarization control |
-
1983
- 1983-11-24 DE DE19833342531 patent/DE3342531A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-11-20 US US06/673,615 patent/US4630274A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-22 JP JP59247899A patent/JPS60143600A/ja active Granted
- 1984-11-23 DE DE8484114167T patent/DE3476627D1/de not_active Expired
- 1984-11-23 AT AT84114167T patent/ATE40626T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-11-23 EP EP84114167A patent/EP0143446B1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0143446A2 (de) | 1985-06-05 |
| ATE40626T1 (de) | 1989-02-15 |
| JPS60143600A (ja) | 1985-07-29 |
| US4630274A (en) | 1986-12-16 |
| EP0143446A3 (en) | 1986-07-23 |
| DE3342531A1 (de) | 1985-06-05 |
| DE3476627D1 (en) | 1989-03-09 |
| EP0143446B1 (de) | 1989-02-01 |
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