JPH0810635B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0810635B2 JPH0810635B2 JP61304587A JP30458786A JPH0810635B2 JP H0810635 B2 JPH0810635 B2 JP H0810635B2 JP 61304587 A JP61304587 A JP 61304587A JP 30458786 A JP30458786 A JP 30458786A JP H0810635 B2 JPH0810635 B2 JP H0810635B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- plasma
- laser light
- plasma processing
- spark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Plasma Technology (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は誘導放電形高周波プラズマ装置等におけるプ
ラズマ処理装置において、 スパークプラグのスパッタリングによってプラズマが
汚染されてしまう従来装置の問題点を解決するため、 集光されたレーザ光の絶縁破壊を利用してプラズマ点
火することにより、 プラズマを汚染することなく点火でき、しかも、プラ
ズマを均一に発生せしめ得るようにしたものである。
ラズマ処理装置において、 スパークプラグのスパッタリングによってプラズマが
汚染されてしまう従来装置の問題点を解決するため、 集光されたレーザ光の絶縁破壊を利用してプラズマ点
火することにより、 プラズマを汚染することなく点火でき、しかも、プラ
ズマを均一に発生せしめ得るようにしたものである。
本発明はプラズマ処理装置、特に、プラズマCVD装置
等に用いられる誘導放電形高周波プラズマ処理装置に関
する。一般に、プラズマCVD装置では微細なウエハを成
膜処理することから、チャンバ内は汚染されることな
く、常に清浄な状態に保たれていることが望まれる。
等に用いられる誘導放電形高周波プラズマ処理装置に関
する。一般に、プラズマCVD装置では微細なウエハを成
膜処理することから、チャンバ内は汚染されることな
く、常に清浄な状態に保たれていることが望まれる。
第２図は従来の誘導放電形高周波プラズマ装置におけ
るプラズマ処理装置の一例の概略図を示す。１はチャン
バで、周知の通りにガス導入及び排気が行なわれる。２
は高周波発生装置で、チャンバ１の外周に取付けられて
いる。HFは高周波電源である。３はスパークプラグで、
チャンバ１の例えば上面側にチャンバ１内に突出して取
付けられている。４はウエハであり、チャンバ１内に設
置されている。
るプラズマ処理装置の一例の概略図を示す。１はチャン
バで、周知の通りにガス導入及び排気が行なわれる。２
は高周波発生装置で、チャンバ１の外周に取付けられて
いる。HFは高周波電源である。３はスパークプラグで、
チャンバ１の例えば上面側にチャンバ１内に突出して取
付けられている。４はウエハであり、チャンバ１内に設
置されている。
ここで、高周波電源HFにより高周波発生装置２におい
て高周波が発生され、スパークプラグ３によりスパーク
が発生され、これにより、チャンバ１内においてプラズ
マ点火が行なわれる。チャンバ１内ではガス導入及び排
気が行なわれ、周知の如くプラズマCVDによってウエハ
４の成膜が行なわれる。
て高周波が発生され、スパークプラグ３によりスパーク
が発生され、これにより、チャンバ１内においてプラズ
マ点火が行なわれる。チャンバ１内ではガス導入及び排
気が行なわれ、周知の如くプラズマCVDによってウエハ
４の成膜が行なわれる。
前記従来装置では、プラズマ点火をスパークプラグ３
のスパークによって行なっているため、経年変化によっ
てスパークプラグ３が摩耗してくると、スパークプラグ
３の金属粒子が飛散してプラズマに入り、プラズマが汚
染されてしまう問題点があった。又、このものは、チャ
ンバ１内のプラズマ発生個所にスパークプラグ３が突出
しているので、チャンバ１内のプラズマが均一にならな
い問題点があった。
のスパークによって行なっているため、経年変化によっ
てスパークプラグ３が摩耗してくると、スパークプラグ
３の金属粒子が飛散してプラズマに入り、プラズマが汚
染されてしまう問題点があった。又、このものは、チャ
ンバ１内のプラズマ発生個所にスパークプラグ３が突出
しているので、チャンバ１内のプラズマが均一にならな
い問題点があった。
本発明になる誘電形高周波プラズマ処理装置は、ガス
導入口及びガス排出口を有するチャンバと、該チャンバ
の外周に取付けた高周波発生装置を有する誘電形高周波
プラズマ処理装置において、 該チャンバ内にレーザ光を集光せしめるレーザ発生装
置を設け、レーザ光の集光部におけるレーザ光による絶
縁破壊によってスパークを発生させてプラズマ点火を行
うように構成してなる。
導入口及びガス排出口を有するチャンバと、該チャンバ
の外周に取付けた高周波発生装置を有する誘電形高周波
プラズマ処理装置において、 該チャンバ内にレーザ光を集光せしめるレーザ発生装
置を設け、レーザ光の集光部におけるレーザ光による絶
縁破壊によってスパークを発生させてプラズマ点火を行
うように構成してなる。
集光したレーザ光の絶縁破壊によってスパークを発生
させ、プラズマ点火を行なう。
させ、プラズマ点火を行なう。
第１図は本発明になる誘導放電形高周波プラズマのプ
ラズマ処理装置の一実施例の概略図を示し、同図中、第
２図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。同図中、５はチャンバで、例えば石英ガラス等
にて形成されており、その上部に石英ガラス又は一般の
ガラスで構成された窓６が設けられている。７はレーザ
光発生装置で、尖頭出力が少なくとも10MW程度の例えば
エキシマレーザ光９を発生し、このレーザ光９がレンズ
８で集束されて窓６を介してチャンバ５内に到達するよ
うに構成されている。
ラズマ処理装置の一実施例の概略図を示し、同図中、第
２図と同一構成部分には同一番号を付してその説明を省
略する。同図中、５はチャンバで、例えば石英ガラス等
にて形成されており、その上部に石英ガラス又は一般の
ガラスで構成された窓６が設けられている。７はレーザ
光発生装置で、尖頭出力が少なくとも10MW程度の例えば
エキシマレーザ光９を発生し、このレーザ光９がレンズ
８で集束されて窓６を介してチャンバ５内に到達するよ
うに構成されている。
レーザ光発生装置７から発生された10MW程度のレーザ
光９はレンズ８で集束され、窓６を介してチャンバ５内
に至る。チャンバ５内においてレーザ光９の焦点では絶
縁破壊が起り、スパーク（10）が発生する。このスパー
ク10によってチャンバ５内においてプラズマ点火が行な
われる。
光９はレンズ８で集束され、窓６を介してチャンバ５内
に至る。チャンバ５内においてレーザ光９の焦点では絶
縁破壊が起り、スパーク（10）が発生する。このスパー
ク10によってチャンバ５内においてプラズマ点火が行な
われる。
この場合、プラズマ点火はレーザ光９の焦点における
絶縁破壊によって生じるスパークによって行なわれるた
め、第２図に示す従来装置のスパークプラグ３のスパッ
タリングによって生じるスパークのようにプラズマが汚
染されることはない。又、チャンバ５のプラズマ発生個
所に第２図に示す従来装置のスパークプラグのような突
出するものがないので、広い範囲にわたって等電位面を
形成でき、プラズマの均一性を保持できる。
絶縁破壊によって生じるスパークによって行なわれるた
め、第２図に示す従来装置のスパークプラグ３のスパッ
タリングによって生じるスパークのようにプラズマが汚
染されることはない。又、チャンバ５のプラズマ発生個
所に第２図に示す従来装置のスパークプラグのような突
出するものがないので、広い範囲にわたって等電位面を
形成でき、プラズマの均一性を保持できる。
本発明によれば、レーザ光の絶縁破壊によってスパー
クを発生させているので、従来装置のようなスパークプ
ラグの金属粒子の飛散によるプラズマ汚染を生じること
なくプラズマ点火を行ない得、又、チャンバに窓を設け
るだけで済み、従来装置のようにチャンバ内にスパーク
プラグのようなものを設ける必要がないので、チャンバ
の構造を簡単にでき、チャンバを小型に構成し得、更
に、チャンバ内には従来装置のような突出部分がないの
で、広い範囲にわたって等電位面を形成でき、プラズマ
の均一性を保持できる等の特長を有する。
クを発生させているので、従来装置のようなスパークプ
ラグの金属粒子の飛散によるプラズマ汚染を生じること
なくプラズマ点火を行ない得、又、チャンバに窓を設け
るだけで済み、従来装置のようにチャンバ内にスパーク
プラグのようなものを設ける必要がないので、チャンバ
の構造を簡単にでき、チャンバを小型に構成し得、更
に、チャンバ内には従来装置のような突出部分がないの
で、広い範囲にわたって等電位面を形成でき、プラズマ
の均一性を保持できる等の特長を有する。
第１図は本発明装置の一実施例の概略図、 第２図は従来装置の一例の概略図である。 図において、 ２は高周波発生装置、４はウエハ、５はチャンバ、６は
窓、７はレーザ光発生装置、８はレンズ、９はレーザ
光、10はスパークである。
窓、７はレーザ光発生装置、８はレンズ、９はレーザ
光、10はスパークである。
Claims (1)
- 【請求項１】ガス導入口及びガス排出口を有するチャン
バと、該チャンバの外周に取付けた高周波発生装置を有
する誘電形高周波プラズマ処理装置において、 該チャンバ内にレーザ光を集光せしめるレーザ発生装置
を設け、レーザ光の集光部におけるレーザ光による絶縁
破壊によってスパークを発生させてプラズマ点火を行う
ように構成したことを特徴とする誘電形高周波プラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304587A JPH0810635B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304587A JPH0810635B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158798A JPS63158798A (ja) | 1988-07-01 |
| JPH0810635B2 true JPH0810635B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17934789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61304587A Expired - Lifetime JPH0810635B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810635B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020225920A1 (ja) | 2019-05-09 | 2020-11-12 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ着火方法及びプラズマ生成装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2847056B2 (ja) * | 1995-12-15 | 1999-01-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置用のプラズマイグナイタ |
| JP4799748B2 (ja) | 2001-03-28 | 2011-10-26 | 忠弘 大見 | マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2174678B1 (ja) * | 1972-03-06 | 1975-08-29 | Commissariat Energie Atomique | |
| DE3342531A1 (de) * | 1983-11-24 | 1985-06-05 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und einrichtung zum erzeugen von kurz dauernden, intensiven impulsen elektromagnetischer strahlung im wellenlaengenbereich unter etwa 100 nm |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61304587A patent/JPH0810635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020225920A1 (ja) | 2019-05-09 | 2020-11-12 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ着火方法及びプラズマ生成装置 |
| TWI868128B (zh) * | 2019-05-09 | 2025-01-01 | 日商Spp科技股份有限公司 | 電漿點火方法及電漿生成裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63158798A (ja) | 1988-07-01 |
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