JPH0461507B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0461507B2 JPH0461507B2 JP60213720A JP21372085A JPH0461507B2 JP H0461507 B2 JPH0461507 B2 JP H0461507B2 JP 60213720 A JP60213720 A JP 60213720A JP 21372085 A JP21372085 A JP 21372085A JP H0461507 B2 JPH0461507 B2 JP H0461507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external
- external lead
- welding
- contact
- external terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/481—Leadframes for devices being provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
従来、半導体整流装置等として使用される半導
体装置の外部リード１と外部端子２との接続は、
第６図Ａ，Ｂに示す如く、半導体素子（図示せ
ず）の電極に接続された外部リード１に、外部端
子２の突起状の接点部３を接触させることにより
行われている。而して、外部リード１と外部端子
２との接続は、第７図に示す如く、両者を溶接機
の電極４ａ，４ｂで加圧状態で挾持して溶接する
ことにより行われている。しかしながら溶接時に
外部リード１が変形して外部端子２と接点部３以
外の箇所５ａ，５ｂで接触する。このため、正常
な溶接がなされない。また、溶接機の電極４ａ，
４ｂが外部リード１や外部端子２と接続する事故
が発生し、正常な溶接がなされない。また、電極
のいたみも大きい問題があつた。また、溶接後の
外部リード１と外部端子２との接続は、接点部３
以外でも行われることになり、強度（引強、振
動、熱衝撃に対する）テストなどに対する機械的
強度が弱い問題があつた。
体装置の外部リード１と外部端子２との接続は、
第６図Ａ，Ｂに示す如く、半導体素子（図示せ
ず）の電極に接続された外部リード１に、外部端
子２の突起状の接点部３を接触させることにより
行われている。而して、外部リード１と外部端子
２との接続は、第７図に示す如く、両者を溶接機
の電極４ａ，４ｂで加圧状態で挾持して溶接する
ことにより行われている。しかしながら溶接時に
外部リード１が変形して外部端子２と接点部３以
外の箇所５ａ，５ｂで接触する。このため、正常
な溶接がなされない。また、溶接機の電極４ａ，
４ｂが外部リード１や外部端子２と接続する事故
が発生し、正常な溶接がなされない。また、電極
のいたみも大きい問題があつた。また、溶接後の
外部リード１と外部端子２との接続は、接点部３
以外でも行われることになり、強度（引強、振
動、熱衝撃に対する）テストなどに対する機械的
強度が弱い問題があつた。
本発明は、接点部の溶接強度の向上及び溶接機
の電極の長寿命化を達成した半導体装置を提供す
ることをその目的とするものである。
の電極の長寿命化を達成した半導体装置を提供す
ることをその目的とするものである。
本発明は、外部端子に外部リードとの接続部以
外で接触する面積を低減するための切欠部を設け
たことにより、接点部の溶接強度の向上及び溶接
機の電極の長寿命化を達成した半導体装置であ
る。
外で接触する面積を低減するための切欠部を設け
たことにより、接点部の溶接強度の向上及び溶接
機の電極の長寿命化を達成した半導体装置であ
る。
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。第１図は、本発明の一実施例の斜視
図、第２図は、同実施例の内部を示す断面図であ
る。図中１０は、アルミニウム基板である。アル
ミニウム基板１０には、所定の半導体素子１１
ａ，１１ｂを収容した外囲器１２が設けられてい
る。半導体素子１１ａ，１１ｂは、モールド樹脂
１３に封止された状態で外囲器１２内に収容され
ている。外囲器１２上には、ターミナルホルダー
１４が設けられている。ターミナルホルダー１４
の開口部にて露出したモールド樹脂１３上には、
外部端子１５である入力端子１５ａ，１５ｂが導
出している。これらの外部端子１５は、一端部が
半導体素子１１ａ，１１ｂの電極に接続した外部
リード１６に接続している。一方の半導体素子１
１ａは、第３図に示す如く、アルミニウム基板１
０上に導体パターン１７ａを介して装着されてい
る。他方の半導体素子１１ｂは、アルミニウム基
板１０上に溶射にて形成された絶縁層１８、この
絶縁層１８上に設けられた導体パターン１７ｂ上
に装着されている。なお、同図中１９は、アルミ
ニウム基板１０上に導体パターン１７ｃを介して
装着されたグランド端子、２０は、出力電極であ
る。
説明する。第１図は、本発明の一実施例の斜視
図、第２図は、同実施例の内部を示す断面図であ
る。図中１０は、アルミニウム基板である。アル
ミニウム基板１０には、所定の半導体素子１１
ａ，１１ｂを収容した外囲器１２が設けられてい
る。半導体素子１１ａ，１１ｂは、モールド樹脂
１３に封止された状態で外囲器１２内に収容され
ている。外囲器１２上には、ターミナルホルダー
１４が設けられている。ターミナルホルダー１４
の開口部にて露出したモールド樹脂１３上には、
外部端子１５である入力端子１５ａ，１５ｂが導
出している。これらの外部端子１５は、一端部が
半導体素子１１ａ，１１ｂの電極に接続した外部
リード１６に接続している。一方の半導体素子１
１ａは、第３図に示す如く、アルミニウム基板１
０上に導体パターン１７ａを介して装着されてい
る。他方の半導体素子１１ｂは、アルミニウム基
板１０上に溶射にて形成された絶縁層１８、この
絶縁層１８上に設けられた導体パターン１７ｂ上
に装着されている。なお、同図中１９は、アルミ
ニウム基板１０上に導体パターン１７ｃを介して
装着されたグランド端子、２０は、出力電極であ
る。
ここで、外部端子１５と外部リード１６との接
続は、第４図に示す如く、外部端子１５の突起状
の接点部２１が外部リード１６に接触するように
溶接にて行われている。而して、外部端子１５の
先端部には、外部リード１６が接点部２１以外の
外部端子１５の部分に接続しないように略円弧状
の切欠部２２が形成されている。切欠部２２の形
状は、外部リード１６が接点部２１以外の外部端
子１５の部分に接触しないようにするものであれ
ば略円弧状以外の如何なるなるものであつても良
い。
続は、第４図に示す如く、外部端子１５の突起状
の接点部２１が外部リード１６に接触するように
溶接にて行われている。而して、外部端子１５の
先端部には、外部リード１６が接点部２１以外の
外部端子１５の部分に接続しないように略円弧状
の切欠部２２が形成されている。切欠部２２の形
状は、外部リード１６が接点部２１以外の外部端
子１５の部分に接触しないようにするものであれ
ば略円弧状以外の如何なるなるものであつても良
い。
このように構成された半導体装置３０によれ
ば、外部端子１５と外部リード１６とが接点部２
１だけで接触しているので、溶接動作時にこれら
の接続部に異常電流が流れるのを防止して接点部
２１における溶接強度を十分に高い状態に保持す
ることができる。その結果、半導体装置３０の信
頼性を高めることができる。また、外部端子１５
に切欠部２２が設けられているので、第５図に示
す如く、溶接機の電極２３ａ，２３ｂによつて外
部端子１５と外部リード１６とを両側から一体に
挾持して溶接を行つても、外部端子１５と外部リ
ード１６とは常に接点部２１だけで接触している
ので、溶接電流を安定した状態で供給することが
できる。その結果、溶接時に溶接機の電極２３
ａ，２３ｂが外部端子１５や外部リード１６に固
着する事故を防止して、溶接機の電極２３ａ，２
３ｂの寿命を長くすることができる。
ば、外部端子１５と外部リード１６とが接点部２
１だけで接触しているので、溶接動作時にこれら
の接続部に異常電流が流れるのを防止して接点部
２１における溶接強度を十分に高い状態に保持す
ることができる。その結果、半導体装置３０の信
頼性を高めることができる。また、外部端子１５
に切欠部２２が設けられているので、第５図に示
す如く、溶接機の電極２３ａ，２３ｂによつて外
部端子１５と外部リード１６とを両側から一体に
挾持して溶接を行つても、外部端子１５と外部リ
ード１６とは常に接点部２１だけで接触している
ので、溶接電流を安定した状態で供給することが
できる。その結果、溶接時に溶接機の電極２３
ａ，２３ｂが外部端子１５や外部リード１６に固
着する事故を防止して、溶接機の電極２３ａ，２
３ｂの寿命を長くすることができる。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置に
よれば、接点部の溶接強度の向上及び溶接機の電
極の長寿命化を達成することができるものであ
る。
よれば、接点部の溶接強度の向上及び溶接機の電
極の長寿命化を達成することができるものであ
る。
第１図は、本発明の一実施例の斜視図、第２図
は、同実施例の内部を示す断面図、第３図は、同
実施例の内部の構造を示す斜視図、第５図及び第
４図Ａ，Ｂは同実施例の接点部の接触状態を示す
説明図、第６図及び第７図は、従来の半導体装置
の接点部の接触状態を示す説明図である。 １０……アルミニウム基板、１１ａ，１１ｂ…
…半導体素子、１２……外囲器、１３……モール
ド樹脂、１４……ターミナルホルダー、１５……
外部端子、１６……外部リード、１７ａ，１７
ｂ，１７ｃ……導体パターン、１８……絶縁層、
１９……グランド端子、２０……出力電極、２１
……接点部、２２……切欠部、２３ａ，２３ｂ…
…溶接機の電極。
は、同実施例の内部を示す断面図、第３図は、同
実施例の内部の構造を示す斜視図、第５図及び第
４図Ａ，Ｂは同実施例の接点部の接触状態を示す
説明図、第６図及び第７図は、従来の半導体装置
の接点部の接触状態を示す説明図である。 １０……アルミニウム基板、１１ａ，１１ｂ…
…半導体素子、１２……外囲器、１３……モール
ド樹脂、１４……ターミナルホルダー、１５……
外部端子、１６……外部リード、１７ａ，１７
ｂ，１７ｃ……導体パターン、１８……絶縁層、
１９……グランド端子、２０……出力電極、２１
……接点部、２２……切欠部、２３ａ，２３ｂ…
…溶接機の電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極部を有する半導体素子と、該電極部に一
端部が接続された略棒状の外部リードと、該外部
リードの長手方向に沿つて略平行に配置され、か
つ、該外部リードの他端部と溶接により接続する
ための突起状の接続部が形成された主面を有し、
該接続部で前記他端部と溶接により接続された外
部端子とを具備する半導体装置において、 前記主面の前記外部リードと重なり合う重複領
域に、前記外部リードと前記外部端子とが溶接さ
れる際に前記外部リードが変形して前記接続部以
外の前記重複領域に接触する面積を低減するため
の切欠部が形成されていることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213720A JPS6273750A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213720A JPS6273750A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273750A JPS6273750A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0461507B2 true JPH0461507B2 (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=16643877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213720A Granted JPS6273750A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273750A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3112113B2 (ja) * | 1992-03-09 | 2000-11-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP5041798B2 (ja) | 2006-12-15 | 2012-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP5182355B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2013-04-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60213720A patent/JPS6273750A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273750A (ja) | 1987-04-04 |
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