JPH0462138B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0462138B2 JPH0462138B2 JP58225662A JP22566283A JPH0462138B2 JP H0462138 B2 JPH0462138 B2 JP H0462138B2 JP 58225662 A JP58225662 A JP 58225662A JP 22566283 A JP22566283 A JP 22566283A JP H0462138 B2 JPH0462138 B2 JP H0462138B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- conductive layer
- reading
- conductivity
- high conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子ビーム記録用デイスク、詳しくは
書込み読出しに用いるビームを電子ビームで行う
大容量記録デイスクに関する。
書込み読出しに用いるビームを電子ビームで行う
大容量記録デイスクに関する。
(2) 技術の背景
記録の書込みおよび読出しに光デイスクを用い
る技術が知られている。それを第１図の一部断面
を示す斜視図を参照して説明すると、光デイスク
１（それは１つの円板である）に溝２が同心状に
形成され、溝２の間のトラツク３に開口部４が形
成されている。トラツク３はどの位置にあるかは
前以つて定められており、特定のトラツクの上に
デイジタル方式で開口部４を設けるか否かを
“１”と“０”の信号に対応させるとすると、ト
ラツク４に開口部を形成しまたはしないことによ
つて記録の書込みがなされ、またそれを検知する
ことによつて記録の読出しがなされる。
る技術が知られている。それを第１図の一部断面
を示す斜視図を参照して説明すると、光デイスク
１（それは１つの円板である）に溝２が同心状に
形成され、溝２の間のトラツク３に開口部４が形
成されている。トラツク３はどの位置にあるかは
前以つて定められており、特定のトラツクの上に
デイジタル方式で開口部４を設けるか否かを
“１”と“０”の信号に対応させるとすると、ト
ラツク４に開口部を形成しまたはしないことによ
つて記録の書込みがなされ、またそれを検知する
ことによつて記録の読出しがなされる。
溝２の幅は0.7μm〜0.8μm程度に微小化されて
いるが、光ビーム（例えばレーザビーム）を用い
る記録の書込みと読出しでは光ビームの解析限界
に近づいていて光ビームを前記した長さの径より
も小に絞り込むことはできない。そこで光の代り
に電子ビーム（electron beam，EB）を用いる
技術が開発されつつあり、電子ビームは500Å径
にまで絞り込むことができるので、高密度の記録
の書込みと読出しが可能となる。このような電子
ビームを用して作成する記録媒体はEBデイスク
と呼称されるが、本発明はEBデイスクの改良に
係わるものである。
いるが、光ビーム（例えばレーザビーム）を用い
る記録の書込みと読出しでは光ビームの解析限界
に近づいていて光ビームを前記した長さの径より
も小に絞り込むことはできない。そこで光の代り
に電子ビーム（electron beam，EB）を用いる
技術が開発されつつあり、電子ビームは500Å径
にまで絞り込むことができるので、高密度の記録
の書込みと読出しが可能となる。このような電子
ビームを用して作成する記録媒体はEBデイスク
と呼称されるが、本発明はEBデイスクの改良に
係わるものである。
(3) 従来技術と問題点
従来の電子ビーム用デイスクは弱い電子ビーム
を照射してその時に反射される二次電子を検知器
によつて読み出していた。そのため読出し用の検
知器を真空系内に置かなければならず、真空系に
おいて余分な体積を必要としていた。そこで前記
二次電子の検知をかかる真空系内に配置される検
知器を用いることなくなしうる電子ビーム記録用
デイスクが要望されている。
を照射してその時に反射される二次電子を検知器
によつて読み出していた。そのため読出し用の検
知器を真空系内に置かなければならず、真空系に
おいて余分な体積を必要としていた。そこで前記
二次電子の検知をかかる真空系内に配置される検
知器を用いることなくなしうる電子ビーム記録用
デイスクが要望されている。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、電子ビーム用
デイスクにおいて真空系内に配置された電子ビー
ムの検知器なしで、読出しの行なえる電子ビーム
記録用デイスクを提供することを目的とするもの
である。
デイスクにおいて真空系内に配置された電子ビー
ムの検知器なしで、読出しの行なえる電子ビーム
記録用デイスクを提供することを目的とするもの
である。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、デイスク基
板上に導電性層と該導電性層の上に電子ビーム照
射により導電率が低導電率から高導電率に変化す
る材料層を形成してなり、記録は電子ビーム照射
により前記材料層に高導電率部を形成することに
よつてなし、読出しは該材料層に前記電子ビーム
より弱い第２の電子ビームを照射し該高導電率部
から前記導電性層を通して流れる電子により発生
する電流を検知してなす構成を特徴とする電子ビ
ーム記録用デイスクを提供することによつて達成
される。
板上に導電性層と該導電性層の上に電子ビーム照
射により導電率が低導電率から高導電率に変化す
る材料層を形成してなり、記録は電子ビーム照射
により前記材料層に高導電率部を形成することに
よつてなし、読出しは該材料層に前記電子ビーム
より弱い第２の電子ビームを照射し該高導電率部
から前記導電性層を通して流れる電子により発生
する電流を検知してなす構成を特徴とする電子ビ
ーム記録用デイスクを提供することによつて達成
される。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳説する。
本発明者は、電子ビーム記録用デイスクとして
デイスク上の導電性層上に非晶質と結晶質の相転
移により導電率が低電導率から高導電率に変化す
る層を設け、電子ビームによりこの相転移を行つ
て書込みを行い、弱い電子ビームを照射して電子
の流れやすさの差によつて読出しをなすことを考
えた。そして導電率が変化する層としては、
TeGe，TeGeSn，TeGeSSe，AsS，SeGeなどの
元素の組合せによるカルコゲナイド化合物が適し
ていることを確認した。
デイスク上の導電性層上に非晶質と結晶質の相転
移により導電率が低電導率から高導電率に変化す
る層を設け、電子ビームによりこの相転移を行つ
て書込みを行い、弱い電子ビームを照射して電子
の流れやすさの差によつて読出しをなすことを考
えた。そして導電率が変化する層としては、
TeGe，TeGeSn，TeGeSSe，AsS，SeGeなどの
元素の組合せによるカルコゲナイド化合物が適し
ていることを確認した。
本発明の実施例を断面で示す第２図を参照する
と、厚さ２mmのデイスク基板（ガラス基板）２１
上に100μmの厚さの導電性層２２をアルミニウム
（Al）を真空蒸着法で蒸着することによつて形成
する。しかる後に非晶質層２３（例えばTe85
Ge15層）を1000Åの厚さに真空蒸着法で形成す
る。
と、厚さ２mmのデイスク基板（ガラス基板）２１
上に100μmの厚さの導電性層２２をアルミニウム
（Al）を真空蒸着法で蒸着することによつて形成
する。しかる後に非晶質層２３（例えばTe85
Ge15層）を1000Åの厚さに真空蒸着法で形成す
る。
次に第３図を参照すると、Te85Ge15の非晶質
層は蒸着したままの状態では非晶質であり導電率
は10-3〜10-5〔１／Ω〕であるが、この層の一部
分に50KeVに加速した電子ビーム２４（スポツ
ト径500Å）を照射すると被照射部分を結晶化す
ることができ、導電率が10°〜10-1〔１／Ω〕の結
晶化した高導電率部２３ａ（図に斜線を付して示
す）が作られる。これは、非晶質材料は高抵抗の
ものであるが、それにパワーが低くパルス幅の長
い電子ビームを照射すると徐冷却したことになり
非晶質材料が結晶質材料に変ることを利用したも
のである。
層は蒸着したままの状態では非晶質であり導電率
は10-3〜10-5〔１／Ω〕であるが、この層の一部
分に50KeVに加速した電子ビーム２４（スポツ
ト径500Å）を照射すると被照射部分を結晶化す
ることができ、導電率が10°〜10-1〔１／Ω〕の結
晶化した高導電率部２３ａ（図に斜線を付して示
す）が作られる。これは、非晶質材料は高抵抗の
ものであるが、それにパワーが低くパルス幅の長
い電子ビームを照射すると徐冷却したことになり
非晶質材料が結晶質材料に変ることを利用したも
のである。
次に比較的弱い第２の電子ビーム３０（第４図
参照、電子ビーム２４の強さの1/10）を照射する
と、高導電率部２３ａでは導電性層２２を通して
電子が流れるため電流検出器３３（第４図参照）
に電流が流れる。非晶質のままである低導電率部
２３ｂには電流はあまり流れないので、これによ
り読出しが行なえる。なおこのように形成した本
発明実施例の構造は第１図に示した光デイスクの
構造と同じであるが、しかし高密度化されている
点が異なる。
参照、電子ビーム２４の強さの1/10）を照射する
と、高導電率部２３ａでは導電性層２２を通して
電子が流れるため電流検出器３３（第４図参照）
に電流が流れる。非晶質のままである低導電率部
２３ｂには電流はあまり流れないので、これによ
り読出しが行なえる。なおこのように形成した本
発明実施例の構造は第１図に示した光デイスクの
構造と同じであるが、しかし高密度化されている
点が異なる。
操作においては第４図に示される如く、EBデ
イスク２１は電子ビーム装置３１内に取り付けら
れ、電流はモータ３２の軸を通り電流検知器３３
まで流れて信号読出しが行なえる。なお第４図に
おいて、３４は電子銃、３５はコントローラ、３
６は電子レンズ、３７は偏向器、３８は排気ポン
プを示す。従来技術において二次電子検知器は符
号３９を付して点線で示す如くに配置されていた
ものである。図示の装置は公知のものであるので
それの詳細な説明は省略する。
イスク２１は電子ビーム装置３１内に取り付けら
れ、電流はモータ３２の軸を通り電流検知器３３
まで流れて信号読出しが行なえる。なお第４図に
おいて、３４は電子銃、３５はコントローラ、３
６は電子レンズ、３７は偏向器、３８は排気ポン
プを示す。従来技術において二次電子検知器は符
号３９を付して点線で示す如くに配置されていた
ものである。図示の装置は公知のものであるので
それの詳細な説明は省略する。
本実施例においては記録の書き換えが可能であ
る。すなわち、高導電率部２３ａにパワーは高く
パルス幅が短い電子ビームを照射すると高導電率
部２３ａは急速に溶融され、その溶融部分は液相
のままで室温にまで急冷されるので非晶質にな
り、最初の第２図に示した状態に戻り、再度情報
を記録することが可能になる。
る。すなわち、高導電率部２３ａにパワーは高く
パルス幅が短い電子ビームを照射すると高導電率
部２３ａは急速に溶融され、その溶融部分は液相
のままで室温にまで急冷されるので非晶質にな
り、最初の第２図に示した状態に戻り、再度情報
を記録することが可能になる。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、真空
装置内に電子ビーム検出器を設けない装置に使用
可能な電子ビーム記録用デイスクを提供され、ま
たこのデイスクは記録の書き換えが可能である。
なお以上の説明においては、Al導電層とTe85
Ge15の非晶質層を例にとつたが、本発明の適用
範囲はその場合に限定されるものでなく、その他
の材料を用いる場合にも及ぶものである。
装置内に電子ビーム検出器を設けない装置に使用
可能な電子ビーム記録用デイスクを提供され、ま
たこのデイスクは記録の書き換えが可能である。
なお以上の説明においては、Al導電層とTe85
Ge15の非晶質層を例にとつたが、本発明の適用
範囲はその場合に限定されるものでなく、その他
の材料を用いる場合にも及ぶものである。
第１図は従来の光デイスクの一部断面を示す斜
視図、第２図と第３図は本実施例の一部の断面
図、第４図は第３図に示すデイスクを読み出す装
置の断面図である。 ２１……ガラス基板、２２……導電性層、２３
……非晶質層、２３ａ……高導電率部、２３ｂ…
…低導電率部、２４……電子ビーム、３０……電
子ビーム、３３……電流検出器。
視図、第２図と第３図は本実施例の一部の断面
図、第４図は第３図に示すデイスクを読み出す装
置の断面図である。 ２１……ガラス基板、２２……導電性層、２３
……非晶質層、２３ａ……高導電率部、２３ｂ…
…低導電率部、２４……電子ビーム、３０……電
子ビーム、３３……電流検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ デイスク基板上に導電性層と該導電性層の上
に電子ビーム照射により導電率が低導電率から高
導電率に変化する材料層を形成してなり、 記録は電子ビーム照射により前記材料層に高導
電率部を形成することによつてなし、 読出しは該材料層に前記電子ビームより弱い第
２の電子ビームを照射し該高導電率部から前記導
電性層を通して流れる電子により発生する電流を
検知してなす構成を特徴とする電子ビーム記録用
デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566283A JPS60117433A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 電子ビ−ム記録用デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566283A JPS60117433A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 電子ビ−ム記録用デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117433A JPS60117433A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0462138B2 true JPH0462138B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=16832806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22566283A Granted JPS60117433A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 電子ビ−ム記録用デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117433A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62298942A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Canon Inc | 記録媒体への記録再生方法および記録再生装置 |
| US5270990A (en) * | 1986-08-15 | 1993-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Tracking error signal detecting apparatus using an electron beam and apparatus for effecting recording/reproduction of information by the utilization of a plurality of electron beams |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775896A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Data recording member |
| JPS58158056A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22566283A patent/JPS60117433A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117433A (ja) | 1985-06-24 |
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