JPH0462402A - 側壁形状測定方法 - Google Patents
側壁形状測定方法Info
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- JPH0462402A JPH0462402A JP2172207A JP17220790A JPH0462402A JP H0462402 A JPH0462402 A JP H0462402A JP 2172207 A JP2172207 A JP 2172207A JP 17220790 A JP17220790 A JP 17220790A JP H0462402 A JPH0462402 A JP H0462402A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 abstract 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、微細な側壁形状測定方法に関するものである
。
。
（従来の技術）
従来、試料を割って側壁や断面形状を光学顕微鏡や電子
顕微鏡などにより側壁の形状を測苅している。
顕微鏡などにより側壁の形状を測苅している。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、この従来の方法では、側壁が観察できるように
試料を加工しなければ測定をすることができない。
試料を加工しなければ測定をすることができない。
本発明の目的は、試料を加工することなく側壁形状を測
定する方法を提供することにある。
定する方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、先が刷１くしかも曲がった導電性の釧を測定
したい側壁に数オングストロームまで近づけ、この状態
で針と基板の間に電圧を加えると流れる電流を測定する
ことを特徴とする側壁形状測定方法である。
したい側壁に数オングストロームまで近づけ、この状態
で針と基板の間に電圧を加えると流れる電流を測定する
ことを特徴とする側壁形状測定方法である。
本発明において導電性の針には通常の走査型トン ネ
ル 覆頁 微 鏡（ＳＴＭ： Ｓｃａｎｎｉｎｇ
ＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で用いる
ような、タングステン（Ｗ）や白金（ｐｔ）を機械研磨
あるいは電解研磨したものをもどに、先端をわずかに機
械的にまげたり、先端にカーボン等の物質を新しく堆積
させてもとの針かられずかに角度をつけた針を形成した
ものを用いる。試料には導電性の物質や金コーティング
したものを用いる。前述した針と試料の間に電圧（数Ｖ
）をかけた状態で針を試料表面に近づけて行き、針と試
料の間の間隔が数オングストロームになると数ナノアン
ペアのトンネル電流が流れる。この電流の測定は容易で
ある。
ル 覆頁 微 鏡（ＳＴＭ： Ｓｃａｎｎｉｎｇ
ＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で用いる
ような、タングステン（Ｗ）や白金（ｐｔ）を機械研磨
あるいは電解研磨したものをもどに、先端をわずかに機
械的にまげたり、先端にカーボン等の物質を新しく堆積
させてもとの針かられずかに角度をつけた針を形成した
ものを用いる。試料には導電性の物質や金コーティング
したものを用いる。前述した針と試料の間に電圧（数Ｖ
）をかけた状態で針を試料表面に近づけて行き、針と試
料の間の間隔が数オングストロームになると数ナノアン
ペアのトンネル電流が流れる。この電流の測定は容易で
ある。
針と試料の間隔の制御は通常のＳＴＭと同じく圧電素子
（１）ＺＴ）を用いることで容易に行うことができる。
（１）ＺＴ）を用いることで容易に行うことができる。
（実施例）
以下、この発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図（ａ）は本発明の一実施例で用いる装置の構成を
示す概略図である。本装置では針２０１の移動用圧電素
子２０２、試料台２０３、電気制御系２０９とから構成
されている。釧゛２０１は第１図（ｂ）のように白金Ｐ
ｔ２１０の先端に電子ビームを用いて形成した太さ５０
０ｎｍのカーボン２１１の針を使う。針２１１はその形
状により１ミクロン程度の穴２０５に入り込むことがで
きる。この針は次のように作製する。前述のＷやＰｔを
機械研磨あるいは電解研磨して先端をとがらせた導電性
の針を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）内に試料としてセッ
トする。そのとき針を傾けしかも先端を上にしてセット
する。ＳＥＭは試料室や電子ビームの通路などを真空排
気するため真空ポンプを備えているが、この真空ポンプ
で使う油によって試料表面がわずかに汚染（コンタミネ
ーション）される。つまり試料表面に油がわずかに付着
する。この状態で電子ビームを針の先に照射する。すな
わち針の先をＳＥＭ観察する。すると表面に付着してい
た油が照射部に集まってきて電子ビームにより分解され
カーボンが堆積し針のような形となる。実際は電子ビー
ムのドリフト等のため針はまっすぐにはならずおれまが
ったような形になる。簡単のため図では（ｂ）図のよう
にかぎ形に示しである。電子ビーム照射によりカーボン
が堆積する現象は［コンタミネーションレジスト］とい
った呼び名で既に知られている。
示す概略図である。本装置では針２０１の移動用圧電素
子２０２、試料台２０３、電気制御系２０９とから構成
されている。釧゛２０１は第１図（ｂ）のように白金Ｐ
ｔ２１０の先端に電子ビームを用いて形成した太さ５０
０ｎｍのカーボン２１１の針を使う。針２１１はその形
状により１ミクロン程度の穴２０５に入り込むことがで
きる。この針は次のように作製する。前述のＷやＰｔを
機械研磨あるいは電解研磨して先端をとがらせた導電性
の針を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）内に試料としてセッ
トする。そのとき針を傾けしかも先端を上にしてセット
する。ＳＥＭは試料室や電子ビームの通路などを真空排
気するため真空ポンプを備えているが、この真空ポンプ
で使う油によって試料表面がわずかに汚染（コンタミネ
ーション）される。つまり試料表面に油がわずかに付着
する。この状態で電子ビームを針の先に照射する。すな
わち針の先をＳＥＭ観察する。すると表面に付着してい
た油が照射部に集まってきて電子ビームにより分解され
カーボンが堆積し針のような形となる。実際は電子ビー
ムのドリフト等のため針はまっすぐにはならずおれまが
ったような形になる。簡単のため図では（ｂ）図のよう
にかぎ形に示しである。電子ビーム照射によりカーボン
が堆積する現象は［コンタミネーションレジスト］とい
った呼び名で既に知られている。
針の作製方法としてはこの方法以外に、例えば前述の導
電性の針をダミーの試料にわざとあてて先端を機械的に
わずかに曲げる等の方法もあるが、前記の方法より成功
率が低い。第１図（Ｃ）のように針２１１を穴２０５に
挿入し測定したい側壁２０６に近づけバイアス電圧２０
７をＩＶ程程度けて流れる電流２０８をモニターする。
電性の針をダミーの試料にわざとあてて先端を機械的に
わずかに曲げる等の方法もあるが、前記の方法より成功
率が低い。第１図（Ｃ）のように針２１１を穴２０５に
挿入し測定したい側壁２０６に近づけバイアス電圧２０
７をＩＶ程程度けて流れる電流２０８をモニターする。
針を上下させる方向をＸ方向、側壁を横にったう方向を
Ｘ方向、針が側壁から離れる方向を２方向とする。移動
用圧電素子２０２で針にＸ方向、２方向にそれぞれ周波
数の異なる振動を加えておき、ロックインアンプで検出
すると、底２１２との間のトンネル電流なのか側壁２０
６との間のトンネル電流なのかを区別できる。電気制御
系２０９により圧電素子２０２を駆動して針２１１をＸ
の正負方向に動かしながら同時にｙの一方向に走査し針
２１１が側壁２０６にぶつからないようにしかも通常の
ＳＴＭと同じく針と側壁の間に一定のトンネル電流が流
れるように針２１１の先端と側壁の距離を数オングスト
ロームに制御することにより、側壁２０６の形状を測定
することができる。
Ｘ方向、針が側壁から離れる方向を２方向とする。移動
用圧電素子２０２で針にＸ方向、２方向にそれぞれ周波
数の異なる振動を加えておき、ロックインアンプで検出
すると、底２１２との間のトンネル電流なのか側壁２０
６との間のトンネル電流なのかを区別できる。電気制御
系２０９により圧電素子２０２を駆動して針２１１をＸ
の正負方向に動かしながら同時にｙの一方向に走査し針
２１１が側壁２０６にぶつからないようにしかも通常の
ＳＴＭと同じく針と側壁の間に一定のトンネル電流が流
れるように針２１１の先端と側壁の距離を数オングスト
ロームに制御することにより、側壁２０６の形状を測定
することができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、従来のように試
料を加工すること無しに側壁形状を測定することができ
、また、トンネル電流の精度から従来に比べはるかに高
精度な測定をおこなうことができる。
料を加工すること無しに側壁形状を測定することができ
、また、トンネル電流の精度から従来に比べはるかに高
精度な測定をおこなうことができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の方法を実施するための
装置の一例を示す概略図である。
装置の一例を示す概略図である。
Claims (1)
- 先が細くしかも曲がった導電性の針を測定したい側壁に
数オングストロームまで近づけ、この状態で針と基板の
間に電圧を加えると流れる電流を測定することを特徴と
する側壁形状測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2172207A JP2956144B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 側壁形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2172207A JP2956144B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 側壁形状測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462402A true JPH0462402A (ja) | 1992-02-27 |
| JP2956144B2 JP2956144B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=15937578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2172207A Expired - Lifetime JP2956144B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 側壁形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956144B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112683330A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-20 | 姜杨 | 一种光电子射频墙壁强度检测装置 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2172207A patent/JP2956144B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112683330A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-20 | 姜杨 | 一种光电子射频墙壁强度检测装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2956144B2 (ja) | 1999-10-04 |
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