JPH0462452B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0462452B2 JPH0462452B2 JP61293158A JP29315886A JPH0462452B2 JP H0462452 B2 JPH0462452 B2 JP H0462452B2 JP 61293158 A JP61293158 A JP 61293158A JP 29315886 A JP29315886 A JP 29315886A JP H0462452 B2 JPH0462452 B2 JP H0462452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- alignment
- pattern
- data
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はステツプアンドリピートタイプの処理
装置のアライメント方法、特に集積回路素子の製
造工程で用いられるステツプアンドリピートタイ
プの投影露光装置（以下ステツパーという）のア
ライメント方法に関する。
装置のアライメント方法、特に集積回路素子の製
造工程で用いられるステツプアンドリピートタイ
プの投影露光装置（以下ステツパーという）のア
ライメント方法に関する。
例えば、ステツパーとは拡大された原板（以下
レチクルと略す）上の回路形成用のパターンを縮
小投影光学系（以下レンズと略す）を通して、半
導体基板（以下ウエハと略す）に繰り返し投影露
光し、焼付ける装置である。この装置では１回に
投影露光される面積は通常１集積回路素子部分
（以下チツプと略す）乃至数チツプに相当する小
さな面積である。このためレチクル上のパターン
をウエハ全面に焼付けるためには、ウエハをレン
ズの光軸に直交する面内でXY方向にステツプ状
にレチクルに対し相対移動させながら、露光を繰
り返すことになる。ここでその露光回数は数十乃
至数百に及ぶ。
レチクルと略す）上の回路形成用のパターンを縮
小投影光学系（以下レンズと略す）を通して、半
導体基板（以下ウエハと略す）に繰り返し投影露
光し、焼付ける装置である。この装置では１回に
投影露光される面積は通常１集積回路素子部分
（以下チツプと略す）乃至数チツプに相当する小
さな面積である。このためレチクル上のパターン
をウエハ全面に焼付けるためには、ウエハをレン
ズの光軸に直交する面内でXY方向にステツプ状
にレチクルに対し相対移動させながら、露光を繰
り返すことになる。ここでその露光回数は数十乃
至数百に及ぶ。
このフオト工程はチツプの完成までにウエハに
対して通常数回乃至十数回行われるため、２工目
以後についてはレチクルパターンとウエハ上の各
チツプパターンとの相対位置合せ（以下アライメ
ントと略す）が必要となる。ここでアライメント
方法は大別して次の２種類に分類できる。
対して通常数回乃至十数回行われるため、２工目
以後についてはレチクルパターンとウエハ上の各
チツプパターンとの相対位置合せ（以下アライメ
ントと略す）が必要となる。ここでアライメント
方法は大別して次の２種類に分類できる。
一つは、ウエハ内の２個以上のチツプを挟む所
定の２点間でレチクルとのアライメントを行い、
そのアライメントで得られた座標を原点としてレ
ーザ干渉計の様な測長スケールを頼りにウエハを
ステツプ送りしながら露光を繰り返す方法でグロ
ーバルアライメントといわれるものである。
定の２点間でレチクルとのアライメントを行い、
そのアライメントで得られた座標を原点としてレ
ーザ干渉計の様な測長スケールを頼りにウエハを
ステツプ送りしながら露光を繰り返す方法でグロ
ーバルアライメントといわれるものである。
もう一つは、各チツプの焼付位置において、投
影露光用のレンズを通して直接レチクルパターン
とウエハ上のチツプパターンをアライメントしな
がら露光する方法でダイバイダイアライメントと
いわれるものである。
影露光用のレンズを通して直接レチクルパターン
とウエハ上のチツプパターンをアライメントしな
がら露光する方法でダイバイダイアライメントと
いわれるものである。
ところでダイバイダイアライメントにおいて
は、各チツプにおいて直接ウエハチツプパターン
とレチクルパターンをアライメントするために、
露光に際しレチクルパターン像とウエハチツプパ
ターンとの間の位置ずれは無いがウエハの処理時
間が長くスループツトが低下するという欠点を有
する。一方、グローバルアライメントではスルー
プツトの点で良いが、レチクルパターン像とウエ
ハチツプパターンとの間の位置ずれが問題とな
る。
は、各チツプにおいて直接ウエハチツプパターン
とレチクルパターンをアライメントするために、
露光に際しレチクルパターン像とウエハチツプパ
ターンとの間の位置ずれは無いがウエハの処理時
間が長くスループツトが低下するという欠点を有
する。一方、グローバルアライメントではスルー
プツトの点で良いが、レチクルパターン像とウエ
ハチツプパターンとの間の位置ずれが問題とな
る。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもの
で、その目的はステツプアンドリピートで基板上
の複数のパターン部分を処理する装置において、
各パターン部分を高精度に、且つ装置のスループ
ツトを低下させることなくアライメントすること
のできるアライメント方法を提供することにあ
る。
で、その目的はステツプアンドリピートで基板上
の複数のパターン部分を処理する装置において、
各パターン部分を高精度に、且つ装置のスループ
ツトを低下させることなくアライメントすること
のできるアライメント方法を提供することにあ
る。
この目的を達成するため、本発明は、レチクル
に対してウエハをステツプ移動させることにより
ウエハ上の各シヨツト領域にレチクル上のパター
ンを順に転写するステツプアンドリピートタイプ
の露光装置のアライメント方法において、露光装
置にウエハを送り込む前に、露光装置と異なるア
ライメントデータ読み取り装置でウエハ上の少な
くとも一つのシヨツト領域のアライメントデータ
を検出し、露光装置にウエハを送り込んだ後に、
アライメント読み取り装置で読み取られたアライ
メントデータの少なくとも一部をウエハのグロー
バルアライメントのために利用している。
に対してウエハをステツプ移動させることにより
ウエハ上の各シヨツト領域にレチクル上のパター
ンを順に転写するステツプアンドリピートタイプ
の露光装置のアライメント方法において、露光装
置にウエハを送り込む前に、露光装置と異なるア
ライメントデータ読み取り装置でウエハ上の少な
くとも一つのシヨツト領域のアライメントデータ
を検出し、露光装置にウエハを送り込んだ後に、
アライメント読み取り装置で読み取られたアライ
メントデータの少なくとも一部をウエハのグロー
バルアライメントのために利用している。
そして、これにより、本発明は、アライメント
データの読み取りとウエハ上の各シヨツト領域へ
のパターンの転写を平行動作的に行なうことを可
能にしている。本発明によれば、ウエハが露光装
置内に送り込まれた際に、高精度なグローバルア
ライメントのために必要なアライメントデータを
事前に得ておくことが可能となるので、高精度な
アライメントをスループツトを低下させることな
く行なうことが可能となる。
データの読み取りとウエハ上の各シヨツト領域へ
のパターンの転写を平行動作的に行なうことを可
能にしている。本発明によれば、ウエハが露光装
置内に送り込まれた際に、高精度なグローバルア
ライメントのために必要なアライメントデータを
事前に得ておくことが可能となるので、高精度な
アライメントをスループツトを低下させることな
く行なうことが可能となる。
以下、本発明のアライメント方法をステツパー
を例にとつて説明する。
を例にとつて説明する。
一般にウエハに配列されたチツプパターンは本
来XY軸に沿つて等間隔に配列されるべきもので
あるが、主として以下の２つの理由によりわずか
にその配列は乱れている。その理由の１つは１工
程目のパターン焼付時における露光装置（アライ
ナー）のくせ、あるいはウエハ、レチクル（マス
ク）の状況によるものであり、もう１つは拡散、
酸化等の加熱工程によるウエハ自身の歪に起因す
るものである。
来XY軸に沿つて等間隔に配列されるべきもので
あるが、主として以下の２つの理由によりわずか
にその配列は乱れている。その理由の１つは１工
程目のパターン焼付時における露光装置（アライ
ナー）のくせ、あるいはウエハ、レチクル（マス
ク）の状況によるものであり、もう１つは拡散、
酸化等の加熱工程によるウエハ自身の歪に起因す
るものである。
第１図に示すようなウエハ１の複数個のチツプ
２について、例えばＰ，Ｑ間でグローバルアライ
メントした時、ウエハ１が上述のパターンの配列
歪を持つている場合には、２つの測定点Ｐ，Ｑ間
の距離と本来あるべき距離（正確にチツプ配列が
なされた時の距離）との間に差δxが生じる。こ
の差が生じた場合、第２図に示すようにウエハ１
の中心から放射状に直線的なパターンの配列歪が
あると仮定して、次の様な補正値を加味してステ
ツプ露光を行うことが考えられる。
２について、例えばＰ，Ｑ間でグローバルアライ
メントした時、ウエハ１が上述のパターンの配列
歪を持つている場合には、２つの測定点Ｐ，Ｑ間
の距離と本来あるべき距離（正確にチツプ配列が
なされた時の距離）との間に差δxが生じる。こ
の差が生じた場合、第２図に示すようにウエハ１
の中心から放射状に直線的なパターンの配列歪が
あると仮定して、次の様な補正値を加味してステ
ツプ露光を行うことが考えられる。
即ち、Ｌを実測値、L0を本来あるべき寸法、
また、
Ｋ＝Ｌ−L0／L0＝δx／L0 ……(1)
として、
Ｘ＝（１＋Ｋ）X0 ……(2)
Ｙ＝（１＋Ｋ）Y0 ……(3)
となるようステツプ露光を行う。ここでX0，Y0
は本来のステツプ送り量である。しかし、ウエハ
１内のパターン配列の乱れは常に直線的なものと
は限らない。例えば、第２図に示すような非直線
的な配列特性カーブ（曲線４）を持つているとす
ると、各Ｘ点における直線３と曲線４の差分で示
されるアライメント誤差を持つてレチクルのパタ
ーンがウエハ１の各チツプパターンに重ねて焼付
けられる結果となる。また、ウエハ１のチツプパ
ターンの配列乱れが放射状でない場合にも同様に
アライメント誤差が生ずる。換言すれば、ウエハ
１のステツプ送りに際し、ステツプ送りの補正量
Ｋが常に一定では、アライメント精度は充分でな
いということである。
は本来のステツプ送り量である。しかし、ウエハ
１内のパターン配列の乱れは常に直線的なものと
は限らない。例えば、第２図に示すような非直線
的な配列特性カーブ（曲線４）を持つているとす
ると、各Ｘ点における直線３と曲線４の差分で示
されるアライメント誤差を持つてレチクルのパタ
ーンがウエハ１の各チツプパターンに重ねて焼付
けられる結果となる。また、ウエハ１のチツプパ
ターンの配列乱れが放射状でない場合にも同様に
アライメント誤差が生ずる。換言すれば、ウエハ
１のステツプ送りに際し、ステツプ送りの補正量
Ｋが常に一定では、アライメント精度は充分でな
いということである。
一方、ウエハのパターン配列に関する情報を求
めれば、グローバルアライメントに前記情報を用
いて正確な補正を与えることが可能となる。この
ための手段は、（Ａ）ウエハ１上のチツプパター
ンの配列を読み取る手段、（Ｂ）読み取つた情報
を演算および／もしくは記憶する手段、（Ｃ）情
報とウエハ１を対応づけてグローバルアライメン
トに情報を利用することを可能にする手段に大別
され、その組合せに於いていくつかの有効なプロ
セス（手順）が考えられる。
めれば、グローバルアライメントに前記情報を用
いて正確な補正を与えることが可能となる。この
ための手段は、（Ａ）ウエハ１上のチツプパター
ンの配列を読み取る手段、（Ｂ）読み取つた情報
を演算および／もしくは記憶する手段、（Ｃ）情
報とウエハ１を対応づけてグローバルアライメン
トに情報を利用することを可能にする手段に大別
され、その組合せに於いていくつかの有効なプロ
セス（手順）が考えられる。
まず個別の手段について述べる。
（Ａ）のウエハ１のチツプパターンの配列を読
み取る手段については、（１）ステツパーの測定
手段そのものを利用する方法がある。１回のダイ
バイダイアライメントによりその個々のチツプの
アライメント位置を内蔵するレーザ干渉計又はそ
の他の測長機能により読み取れば、そのデータは
そのウエハ１の以後のグローバルアライメントの
ための補正値として利用できる。あるいは、（２）
アライメント機能のみをもつた独立の装置であつ
てもよい。それはステツパーから投影露光機能を
取り去つた様な装置であり、現在する座標測定機
の改良型とも考えられる。
み取る手段については、（１）ステツパーの測定
手段そのものを利用する方法がある。１回のダイ
バイダイアライメントによりその個々のチツプの
アライメント位置を内蔵するレーザ干渉計又はそ
の他の測長機能により読み取れば、そのデータは
そのウエハ１の以後のグローバルアライメントの
ための補正値として利用できる。あるいは、（２）
アライメント機能のみをもつた独立の装置であつ
てもよい。それはステツパーから投影露光機能を
取り去つた様な装置であり、現在する座標測定機
の改良型とも考えられる。
つぎに（Ｂ）の情報を演算および／もしくは記
憶する手段については、まず（１）ウエハ１内の
特定チツプパターンを基準とした座標に対して、
すべての測定データを記憶装置に記憶する方法が
考えられる。しかし、これは工程の途中にあるす
べてのウエハ１に適用する場合には膨大な記憶容
量が必要となるという欠点がある。その場合には
（２）得られたデータを予め予想されるパターン
配列歪の数式の定数として記憶させる手段が有効
となる。ステツパー以外の現在するアライナーと
しては、コンタクト又はプロキシミテイータイプ
とミラープロジエクシヨンタイプのアライナーが
大半を占める。対象となるウエハ１が、どの種の
アライナーでフオトの１工程目を行つたかは既知
であり、これらのアライナーのパターンニング時
の特性は数式の形で表すことができる。例えばあ
る種のミラープロジエクシヨンタイプについて
は、 Ｘ＝ｘ＋Δx＝ｘ＋Ｇ（ｘ，ｙ）sθx＋Ｇ（ｘ，ｙ）sθ
y−√ ２｜ｙ｜α＋Ｇ（ｘ，ｙ）lφx＋kx……(4) Ｙ＝ｙ＋Δy＝ｙ−ｋ（ｙ）（θx＋θy）＋ｙ（θx＋θ
y）＋2G（ｘ，ｙ）sθx ＋（√ 2K（ｙ）±√ 2S）α＋2G（ｘ，ｙ）
lφy＋ky……(5) である。ここで、ｓ，ｌは機械固有の定数、Ｇ
（ｘ，ｙ），Ｋ（ｙ）はウエハ１の座標によつて決
まる値、θx，θy，φx，φy，αは光学系の角度誤
差、また、kx，kyはマスク、ウエハの温度によ
る放射方向のリニアな伸びを示している。得られ
たデータを式に代入することにより連立方程式が
立ち、未知数θz，θx，φx，φy，αを求めること
ができ、これらを記憶装置に記憶すればよい。こ
のデイストーシヨンの要因数に（１）のデータ数
よりはるかに少なく、より大量の一般データを記
憶することが可能になる。この方式の場合、（）
方程式を解くに必要最小限のデータ量までデータ
取り込みを制限できるし、あるいは（）すべて
の測定点のデータを用いれば、より変数の精度が
向上するし、（）あるいは予測できぬデイスト
ーシヨンにそなえて、あるいは個別のアライナー
のくせを変数項として追加することもできる。
憶する手段については、まず（１）ウエハ１内の
特定チツプパターンを基準とした座標に対して、
すべての測定データを記憶装置に記憶する方法が
考えられる。しかし、これは工程の途中にあるす
べてのウエハ１に適用する場合には膨大な記憶容
量が必要となるという欠点がある。その場合には
（２）得られたデータを予め予想されるパターン
配列歪の数式の定数として記憶させる手段が有効
となる。ステツパー以外の現在するアライナーと
しては、コンタクト又はプロキシミテイータイプ
とミラープロジエクシヨンタイプのアライナーが
大半を占める。対象となるウエハ１が、どの種の
アライナーでフオトの１工程目を行つたかは既知
であり、これらのアライナーのパターンニング時
の特性は数式の形で表すことができる。例えばあ
る種のミラープロジエクシヨンタイプについて
は、 Ｘ＝ｘ＋Δx＝ｘ＋Ｇ（ｘ，ｙ）sθx＋Ｇ（ｘ，ｙ）sθ
y−√ ２｜ｙ｜α＋Ｇ（ｘ，ｙ）lφx＋kx……(4) Ｙ＝ｙ＋Δy＝ｙ−ｋ（ｙ）（θx＋θy）＋ｙ（θx＋θ
y）＋2G（ｘ，ｙ）sθx ＋（√ 2K（ｙ）±√ 2S）α＋2G（ｘ，ｙ）
lφy＋ky……(5) である。ここで、ｓ，ｌは機械固有の定数、Ｇ
（ｘ，ｙ），Ｋ（ｙ）はウエハ１の座標によつて決
まる値、θx，θy，φx，φy，αは光学系の角度誤
差、また、kx，kyはマスク、ウエハの温度によ
る放射方向のリニアな伸びを示している。得られ
たデータを式に代入することにより連立方程式が
立ち、未知数θz，θx，φx，φy，αを求めること
ができ、これらを記憶装置に記憶すればよい。こ
のデイストーシヨンの要因数に（１）のデータ数
よりはるかに少なく、より大量の一般データを記
憶することが可能になる。この方式の場合、（）
方程式を解くに必要最小限のデータ量までデータ
取り込みを制限できるし、あるいは（）すべて
の測定点のデータを用いれば、より変数の精度が
向上するし、（）あるいは予測できぬデイスト
ーシヨンにそなえて、あるいは個別のアライナー
のくせを変数項として追加することもできる。
つぎに（Ｃ）の情報とウエハを対応づける手段
であるが、ウエハ１の管理は一般にロツト単位、
例えば１キヤリヤ25枚という単位で扱われてお
り、ロツト内のウエハはほゞ同じ条件で工程を過
しているため、その中の一枚のウエハを代表とみ
なして対応づける方法が考えられる。また、ウエ
ハの一部にコードマーク、数字、あるいは、記号
等を符して、ウエハ単位の管理をしても良い。
であるが、ウエハ１の管理は一般にロツト単位、
例えば１キヤリヤ25枚という単位で扱われてお
り、ロツト内のウエハはほゞ同じ条件で工程を過
しているため、その中の一枚のウエハを代表とみ
なして対応づける方法が考えられる。また、ウエ
ハの一部にコードマーク、数字、あるいは、記号
等を符して、ウエハ単位の管理をしても良い。
次に上記手段の組合せについて考える。
１ ウエハがロツト単位の工程管理がなされてい
る場合には、ロツトの一枚目のウエハについ
て、ステツパーでダイバイダイアライメントを
行い、同時にその情報を取りこんで２枚目以降
をグローバルアライメントする手段が有効にな
る。この場合は全データを記憶しても、ロツト
内のすべてのウエハが完了した時点で記憶した
データは不要になり、消してしまえば良い。
る場合には、ロツトの一枚目のウエハについ
て、ステツパーでダイバイダイアライメントを
行い、同時にその情報を取りこんで２枚目以降
をグローバルアライメントする手段が有効にな
る。この場合は全データを記憶しても、ロツト
内のすべてのウエハが完了した時点で記憶した
データは不要になり、消してしまえば良い。
２ また、同じくロツト単位の管理の場合に、ア
ライメント専用装置をステツパーの前段に置い
て、すべてのチツプの位置をメモリーした上で
ステツパーに送り込むこともできる。この手順
はステツパーでダイバイダイアライメントのア
ライメントと露光の直列動作によるロス時間を
アライメント動作だけ外に出して平行動作にし
て時間をかせぐことに他ならない。この場合に
も全データをそのまま利用するのが有利であ
る。この方法によれば、露光の直前に測定する
ためすべての誤差成分を読み取ることができ
る。
ライメント専用装置をステツパーの前段に置い
て、すべてのチツプの位置をメモリーした上で
ステツパーに送り込むこともできる。この手順
はステツパーでダイバイダイアライメントのア
ライメントと露光の直列動作によるロス時間を
アライメント動作だけ外に出して平行動作にし
て時間をかせぐことに他ならない。この場合に
も全データをそのまま利用するのが有利であ
る。この方法によれば、露光の直前に測定する
ためすべての誤差成分を読み取ることができ
る。
３ ウエハ単位の管理がされている場合には前述
の数式の変数の形で記憶しておく手段が有効と
なる。この場合には繰り返されるフオト工程の
内の最初のステツパーによるダイバイダイアラ
イメントによつて情報を取り込むか、あるいは
最初のステツパーの前にアライメント専用機を
置いてデータを取り込み、その後のグローバル
アライメントに於いてこれらのデータが使用さ
れることになる。前記３つの組合せを基本とし
て他のいろいろな組合せが考えられるが、それ
らは最終的には実際のプロセスに於いて必要な
アライメント精度とスループツトとのかね合い
で行程管理者が考えることになる。
の数式の変数の形で記憶しておく手段が有効と
なる。この場合には繰り返されるフオト工程の
内の最初のステツパーによるダイバイダイアラ
イメントによつて情報を取り込むか、あるいは
最初のステツパーの前にアライメント専用機を
置いてデータを取り込み、その後のグローバル
アライメントに於いてこれらのデータが使用さ
れることになる。前記３つの組合せを基本とし
て他のいろいろな組合せが考えられるが、それ
らは最終的には実際のプロセスに於いて必要な
アライメント精度とスループツトとのかね合い
で行程管理者が考えることになる。
以上、本発明によれば、グローバルアライメン
トを用いた高精度なアライメント方法を提供でき
る。
トを用いた高精度なアライメント方法を提供でき
る。
第１図は複数のチツプパターンを有するウエハ
を示す図、第２図は第１図に示したウエハのチツ
プパターンの配列誤差曲線を示す図である。 １……ウエハ、２……チツプ。
を示す図、第２図は第１図に示したウエハのチツ
プパターンの配列誤差曲線を示す図である。 １……ウエハ、２……チツプ。
Claims (1)
- １ レチクルに対してウエハをステツプ移動させ
ることにより前記ウエハ上の各シヨツト領域に前
記レチクル上のパターンを順に転写するステツプ
アンドリピートタイプの露光装置のアライメント
方法において、前記露光装置に前記ウエハを送り
込む前に、前記露光装置と異なるアライメントデ
ータ読み取り装置で前記ウエハ上の少なくとも一
つのシヨツト領域のアライメントデータを検出
し、前記露光装置に前記ウエハを送り込んだ後
に、前記アライメント読み取り装置で読み取られ
た前記アライメントデータの少なくとも一部を前
記ウエハのグローバルアライメントのために利用
することを特徴とするアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293158A JPS62169329A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293158A JPS62169329A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | アライメント方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135498A Division JPS5927525A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169329A JPS62169329A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0462452B2 true JPH0462452B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=17791169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293158A Granted JPS62169329A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62169329A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111076A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Exposure device |
| JPS5541739A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Micro-projection type mask alignment device |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61293158A patent/JPS62169329A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62169329A (ja) | 1987-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3402750B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| US6239858B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus | |
| US5792580A (en) | Method of aligning reticle pattern | |
| JP3372633B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置 | |
| JPS6266631A (ja) | ステツプ・アンド・リピ−ト露光装置 | |
| US7224459B2 (en) | Exposure apparatus, method of controlling same, method of manufacturing devices, computer-readable memory and program | |
| JP7369529B2 (ja) | 露光装置およびアライメント方法 | |
| JPS5927525A (ja) | アライメント方法 | |
| US6661517B2 (en) | Shot averaging for fine pattern alignment with minimal throughput loss | |
| JPH0463534B2 (ja) | ||
| JP2936885B2 (ja) | アライメント方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| KR102755839B1 (ko) | 개선된 오버레이 오차 계측을 위한 유도 변위 | |
| JPH0462452B2 (ja) | ||
| JP3245859B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP3569962B2 (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法、それを用いた露光装置及び露光方法 | |
| US4530604A (en) | Method of aligning a mask and a wafer for manufacturing semiconductor circuit elements | |
| JP3168590B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPS61263123A (ja) | ステップアンドリピート露光方法 | |
| JP2964978B2 (ja) | 半導体製造方法と半導体製造システムおよびそれらにより製造された半導体デバイス | |
| JP3276608B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10308434A (ja) | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 | |
| JPH0282510A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3484860B2 (ja) | パターン露光方法および露光装置 | |
| JP2000195770A (ja) | 傾き補正方法およびデバイス製造方法 | |
| JP3013421B2 (ja) | 縮小投影露光装置 |