JPH046272A - イオンビームスパッタリング装置 - Google Patents
イオンビームスパッタリング装置Info
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- JPH046272A JPH046272A JP2109340A JP10934090A JPH046272A JP H046272 A JPH046272 A JP H046272A JP 2109340 A JP2109340 A JP 2109340A JP 10934090 A JP10934090 A JP 10934090A JP H046272 A JPH046272 A JP H046272A
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- ion
- sputtering apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、イオンビームスパッタリング装置に係り、特
に、帯状の被処理物に、均一で、かつ、高速に成膜処理
が可能なイオンビームスパッタリング装置に関する。
に、帯状の被処理物に、均一で、かつ、高速に成膜処理
が可能なイオンビームスパッタリング装置に関する。
［従来の技術］
イオンビームスパッタリング装置は、高真空状態で成膜
するので、不純物が付着することがないため、高純度成
膜が可能であり、また、プラズマフリーのため、ビーム
の制御性が良く、そのため、成膜の再現性が良いという
特徴が有り、実験用成膜装置として、他の成膜装置には
ない、優れた特性をもっている。
するので、不純物が付着することがないため、高純度成
膜が可能であり、また、プラズマフリーのため、ビーム
の制御性が良く、そのため、成膜の再現性が良いという
特徴が有り、実験用成膜装置として、他の成膜装置には
ない、優れた特性をもっている。
従来のイオンビームスパッタリング装置は、ニュークリ
ア インストルメンツアンド メソッドイン フィジッ
クス リサーチＢ３７／３８ （１９８９）の８３９頁
（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄｓ １ｎＰｈｙｓｉｃｓ Ｒｅ５ｅａｒ
ｃｈ Ｂ３７／３８ （１９８９） Ｐ８３９）のＦｉ
ｇ １記載のようなものがある。この従来のイオンビー
ムスパッタリング装置について、本明細書の第７図を参
照して説明する。
ア インストルメンツアンド メソッドイン フィジッ
クス リサーチＢ３７／３８ （１９８９）の８３９頁
（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ
Ｍｅｔｈｏｄｓ １ｎＰｈｙｓｉｃｓ Ｒｅ５ｅａｒ
ｃｈ Ｂ３７／３８ （１９８９） Ｐ８３９）のＦｉ
ｇ １記載のようなものがある。この従来のイオンビー
ムスパッタリング装置について、本明細書の第７図を参
照して説明する。
第７図に示すイオンビームスパッタリング装置は、スパ
ッタガスであるアルゴンガス１１０と。
ッタガスであるアルゴンガス１１０と。
アルゴンガス１１０を電離して、イオンを生成するイオ
ン源１０５と、該イオン源１０５で発生したイオンを加
速する円形の電極１０８と、発生したイオンビーム１０
６が入射する、円形のターゲット１０４と、スパッタさ
れた粒子が入射する被処理物１０２とより成る。
ン源１０５と、該イオン源１０５で発生したイオンを加
速する円形の電極１０８と、発生したイオンビーム１０
６が入射する、円形のターゲット１０４と、スパッタさ
れた粒子が入射する被処理物１０２とより成る。
上記の構成要素は、クライオポンプ１１５、回転ポンプ
１１４およびバルブ１２０，１２１を有する真空排気系
により、高真空に維持される。
１１４およびバルブ１２０，１２１を有する真空排気系
により、高真空に維持される。
なお、１１３は電子抑制用電圧を供給する電源であり、
１１２はイオン源およびターゲットを冷却するための冷
却水である。
１１２はイオン源およびターゲットを冷却するための冷
却水である。
次に、おおよその動作を説明する。
スパッタリング用のイオン源１０５からは、集束するイ
オンビーム１０６が引出され、ターゲット１０４をイオ
ンビーム１０６が照射する。
オンビーム１０６が引出され、ターゲット１０４をイオ
ンビーム１０６が照射する。
ターゲット１０４からスパッタリングされた粒子が、被
処理物１０２上に付着して薄膜が形成される。ターゲッ
ト１０４は、円形の平板である。
処理物１０２上に付着して薄膜が形成される。ターゲッ
ト１０４は、円形の平板である。
イオンビーム１０６は、高純度で高速な成膜のため、円
形に収束するように、イオン源の電極が構成されている
。
形に収束するように、イオン源の電極が構成されている
。
すなわち、円形に収束するため、ターゲット以外にイオ
ンビームが当たらないので、ターゲット材料以外の物質
を、スパッタリングしない。このため、高純度な成膜が
できる。
ンビームが当たらないので、ターゲット材料以外の物質
を、スパッタリングしない。このため、高純度な成膜が
できる。
また、円形に収束しているため、ターゲット上の入射領
域でのイオンビームのエネルギ密度が大きくなり、この
結果、スパッタされる粒子の量が大きく、高速の成膜処
理ができる。
域でのイオンビームのエネルギ密度が大きくなり、この
結果、スパッタされる粒子の量が大きく、高速の成膜処
理ができる。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術は、イオンビームの入射領域およびターゲ
ットが円形であり、帯状の被処理物を、連続的に、処理
する点については配慮されておらず、巾広の面に対して
、均一、かつ、高速に成膜することが困難であるという
問題があった。
ットが円形であり、帯状の被処理物を、連続的に、処理
する点については配慮されておらず、巾広の面に対して
、均一、かつ、高速に成膜することが困難であるという
問題があった。
本発明は、帯状あるいはロール状の被処理物を広い巾に
わたって、均一、かつ、高速に、成膜処理が可能なイオ
ンビームスパッタリング装置を提供することにある。
わたって、均一、かつ、高速に、成膜処理が可能なイオ
ンビームスパッタリング装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を解決するために、イオンビームを射出するイ
オン源と、該イオンビームの照射により粒子をスパッタ
されるターゲットと、該ターゲットからスパッタされた
粒子を表面に付着させて、膜形成を行う被処理物とを備
えるイオンビームスパッタリング装置であって、 前記イオン源のプラズマ室からイオンを引出す電極は、
イオンを引出すための孔を複数個有する複数の板で形成
され、該電極を構成する複数の板は、ターゲットに対し
て凹面をなすように、わん曲した形状としたものである
。
オン源と、該イオンビームの照射により粒子をスパッタ
されるターゲットと、該ターゲットからスパッタされた
粒子を表面に付着させて、膜形成を行う被処理物とを備
えるイオンビームスパッタリング装置であって、 前記イオン源のプラズマ室からイオンを引出す電極は、
イオンを引出すための孔を複数個有する複数の板で形成
され、該電極を構成する複数の板は、ターゲットに対し
て凹面をなすように、わん曲した形状としたものである
。
［作 用］
イオン源の電極は、例えば、円筒の一部となるようなわ
ん曲した形状になっており、イオンビームは細い長方形
状に集束する。すなわち、長方形のターゲット上に均一
、かつ、高密度のイオンビ−ムが集中する。
ん曲した形状になっており、イオンビームは細い長方形
状に集束する。すなわち、長方形のターゲット上に均一
、かつ、高密度のイオンビ−ムが集中する。
このため、幅広に粒子がスパッタされ、被処理物上に、
均一な成膜が、連続して形成される。
均一な成膜が、連続して形成される。
［実施例コ
以下、第１図〜第６図に基づき本発明の詳細な説明する
。
。
第１の実施例について、第１図、第２図、第５図および
第６図に基づいて説明する・ 第１図に示すイオンビームスパッタリング装置は、被処
理物であるフィルム７を連続して巻出し７巻取りを行う
巻出しロール１、キャンロール２および巻取ロール３と
、イオン源５と、電極８と。
第６図に基づいて説明する・ 第１図に示すイオンビームスパッタリング装置は、被処
理物であるフィルム７を連続して巻出し７巻取りを行う
巻出しロール１、キャンロール２および巻取ロール３と
、イオン源５と、電極８と。
ターゲット４とを備えている。これらは、真空容器５０
内に収納されている。
内に収納されている。
また、２０はイオン源用の電源、２３はスパッタガス、
２２はジヨイント−２１はバルブである。
２２はジヨイント−２１はバルブである。
なお、第１図では、フィルム上の成膜の付着強度を増す
必要がある時に使う、イオン源５よりも電圧の低いアシ
スト用イオン源９およびこのアシスト用イオン源９で使
う電源３ｏ、スパッタガス３３、バルブ３１．ジョイン
ｌ−３２も合わせて示す。
必要がある時に使う、イオン源５よりも電圧の低いアシ
スト用イオン源９およびこのアシスト用イオン源９で使
う電源３ｏ、スパッタガス３３、バルブ３１．ジョイン
ｌ−３２も合わせて示す。
次に、動作を説明する。
被処理物であるフィルム７は、巻出しロール１からキャ
ンロール２を経て、巻取ロール３に巻取られ、キャンロ
ール２の部分で連続的に表面に成膜される。
ンロール２を経て、巻取ロール３に巻取られ、キャンロ
ール２の部分で連続的に表面に成膜される。
ターゲット４は、キャンロール２に対向する位置に配置
され、イオン源５から射出されたイオンビーム６によっ
てスパッタリングされ、スパッタリングされた粒子は、
キャンロール２の部分でフィルム７上に薄膜を形成する
。
され、イオン源５から射出されたイオンビーム６によっ
てスパッタリングされ、スパッタリングされた粒子は、
キャンロール２の部分でフィルム７上に薄膜を形成する
。
第２図に、本実施例で使われるイオン源５の電極８の形
状と、この電極８およびターゲット４の位置関係を示す
。第５図に、このターゲット４と電極８を、第１図の矢
視Ｂから見た正面図を示す。
状と、この電極８およびターゲット４の位置関係を示す
。第５図に、このターゲット４と電極８を、第１図の矢
視Ｂから見た正面図を示す。
第２図に示すように、イオン源５の電極８は、円筒の一
部をなすようにわん曲した。イオンビームが貫通する穴
を有する電極板８ａ、８ｂで構成され、ターゲット４上
に、細長い長方形状にイオンビーム６を集束させる。イ
オンビームが細長い長方形状に、収束するため、ビーム
のエネルギー密度が大きくなる。
部をなすようにわん曲した。イオンビームが貫通する穴
を有する電極板８ａ、８ｂで構成され、ターゲット４上
に、細長い長方形状にイオンビーム６を集束させる。イ
オンビームが細長い長方形状に、収束するため、ビーム
のエネルギー密度が大きくなる。
イオンビーム６は、ターゲット４上に集束しているため
、ターゲット４以外を殆んど照射せず、従って、ターゲ
ット材料以外をスパッタリングして、不純物を発生させ
ることはない。
、ターゲット４以外を殆んど照射せず、従って、ターゲ
ット材料以外をスパッタリングして、不純物を発生させ
ることはない。
なお、電極８は、円筒の１部を成す形状に限られるもの
ではなく１例えば、細長い長方形を円筒の１部をなすよ
うに並べたものでも良く、こうすることによって、イオ
ンビームを、細長い長方形状に収束させることができる
。
ではなく１例えば、細長い長方形を円筒の１部をなすよ
うに並べたものでも良く、こうすることによって、イオ
ンビームを、細長い長方形状に収束させることができる
。
また、フィルム７の巾に応じて、ターゲット４の寸法を
決め、それに対応するイオン源５を製作すれば、巾広の
フィルム７を連続処理できる。
決め、それに対応するイオン源５を製作すれば、巾広の
フィルム７を連続処理できる。
第１図に示すフィルム７上の矢視Ａにおける、成膜の膜
厚分布を第６図に示す。本図に示す様に、広い巾にわた
って膜厚分布が均一になる。
厚分布を第６図に示す。本図に示す様に、広い巾にわた
って膜厚分布が均一になる。
この結果１本実施例によれば均一で、かつ、高速に、連
続した成膜処理が可能となり、イオンビームスパッタリ
ング装置を−、フィルムコーティングの量産装置へ応用
することが可能となる。
続した成膜処理が可能となり、イオンビームスパッタリ
ング装置を−、フィルムコーティングの量産装置へ応用
することが可能となる。
なお、スパッタリング用のイオン源５としては、−船釣
なパケット形イオン源が形状、寸法とも自由に製作可能
で、このような用途に適している。
なパケット形イオン源が形状、寸法とも自由に製作可能
で、このような用途に適している。
第２の実施例について第３図に基づき説明する。
本実施例は、板ガラスの表面処理を行う装置に本発明に
係るイオンビームスパッタリング装置を適用したもので
ある。
係るイオンビームスパッタリング装置を適用したもので
ある。
第３図に示すイオンビームスパッタリング装置は、図示
しない真空容器を有し、その容器内に、第３図に示すも
のを収納している。
しない真空容器を有し、その容器内に、第３図に示すも
のを収納している。
本装置は、スパッタ用のイオン源５と、ターゲット４と
、被処理物である板ガラス１ｏと、アシスト用イオン源
９とを有している。
、被処理物である板ガラス１ｏと、アシスト用イオン源
９とを有している。
板ガラス１０は、図示していない搬送機構により、矢印
１１の方向に移動し、移動中にスパッタリング用のイオ
ン源５によって、ターゲット４からスパッタされた粒子
により、表面に成膜され、同時に、アシスト用イオン源
９により、イオンビ−ム照射される構造になっている。
１１の方向に移動し、移動中にスパッタリング用のイオ
ン源５によって、ターゲット４からスパッタされた粒子
により、表面に成膜され、同時に、アシスト用イオン源
９により、イオンビ−ム照射される構造になっている。
本実施例によれば、板状のものを均一で、かつ、高速に
、処理することができる。
、処理することができる。
第３の実施例について、第４図に基づき説明する。
本実施例は、鉄鋼などのロールの表面処理に、本発明に
係るイオンビームスパッタリング装置を適用したもので
ある。
係るイオンビームスパッタリング装置を適用したもので
ある。
第４図に示すイオンビームスパッタリング装置は、図示
しない真空容器を有し、その容器内に。
しない真空容器を有し、その容器内に。
第４図に示すものを収納している。
本装置は、スパッタ用のイオン源５と、ターゲット４と
、被処理物であるロール１２とを有している。
、被処理物であるロール１２とを有している。
ロール１２は、回転運動を行い、表面全体に均一に成膜
処理される。
処理される。
ここでは、ターゲット４をロール１２の回転軸と直角方
向に大きく作り、矢印１３の方向に移動する構造として
いる。
向に大きく作り、矢印１３の方向に移動する構造として
いる。
これにより、ターゲット４の利用効率を向上させること
かでき、コストダウンが可能となる。
かでき、コストダウンが可能となる。
［発明の効果］
本発明は、上記のように構成されているので、以下のよ
うな効果を奏する。
うな効果を奏する。
長方形のターゲットを、細い長方形状に収束したイオン
ビームでスパッタリングできるので、帯状あるいはロー
ル状で、巾が広い被処理物を、均一で、かつ、高速に、
成膜処理することができる。
ビームでスパッタリングできるので、帯状あるいはロー
ル状で、巾が広い被処理物を、均一で、かつ、高速に、
成膜処理することができる。
第１図は本発明の第１実施例に係るイオンビームスパッ
タリング装置をフィルム処理用に適用した場合の構成を
示す縦断面図、第２図は電極の形状と、イオン源および
ターゲットの関係とを模式的に示す斜視図、第３図は本
発明の第２実施例に係るイオンビームスパッタリング装
置を板ガラス処理に適用した場合の構成を示す縦断面図
、第４図は本発明の第３実施例に係るイオンビームスパ
ッタリング装置を鉄鋼などのロール処理に適用した場合
の構成を示す縦断面図、第５図は第１の実施例における
電極とターゲットを第１図の矢視Ｂから見た正面図、第
６図は第１図の矢視Ａでのフィルム上の成膜の膜厚分布
を示すグラフ、第７図は従来技術に係るイオンビームス
パッタリング装置の構成を示す縦断面図である。 １・・・巻出しロール、２・・・キャンロール、３・・
・巻取ロール、４・・・ターゲット、５・・・イオン源
、６・・イオンビーム、７・・・フィルム、８ａ、 ８
ｂ・・・電極。 ９・・・アシスト用イオン源、１０・・・板ガラス、１
１・・・板ガラスの移動方向、１２・・・ロール、１３
・・・ターゲットの移動方向。
タリング装置をフィルム処理用に適用した場合の構成を
示す縦断面図、第２図は電極の形状と、イオン源および
ターゲットの関係とを模式的に示す斜視図、第３図は本
発明の第２実施例に係るイオンビームスパッタリング装
置を板ガラス処理に適用した場合の構成を示す縦断面図
、第４図は本発明の第３実施例に係るイオンビームスパ
ッタリング装置を鉄鋼などのロール処理に適用した場合
の構成を示す縦断面図、第５図は第１の実施例における
電極とターゲットを第１図の矢視Ｂから見た正面図、第
６図は第１図の矢視Ａでのフィルム上の成膜の膜厚分布
を示すグラフ、第７図は従来技術に係るイオンビームス
パッタリング装置の構成を示す縦断面図である。 １・・・巻出しロール、２・・・キャンロール、３・・
・巻取ロール、４・・・ターゲット、５・・・イオン源
、６・・イオンビーム、７・・・フィルム、８ａ、 ８
ｂ・・・電極。 ９・・・アシスト用イオン源、１０・・・板ガラス、１
１・・・板ガラスの移動方向、１２・・・ロール、１３
・・・ターゲットの移動方向。
Claims (5)
- １．イオンビームスパッタリング装置であって、イオン
ビームを射出するイオン源と、該イオンビームの照射に
より、スパッタされるターゲットと、該ターゲットから
スパッタされた粒子を表面に付着させて、膜形成を行う
被処理物とを備え、 前記イオン源のプラズマ室からイオンを引出す電極は、
イオンを引出すための孔を複数個有する複数の板で形成
され、該電極を構成する複数の板は、ターゲットに対し
て凹面をなすように、わん曲した形状であることを特徴
とするイオンビームスパッタリング装置。 - ２．イオンビームスパッタリング装置であって、イオン
ビームを射出するイオン源と、該イオンビームの照射に
より、スパッタされるターゲットと、該ターゲットから
スパッタされた粒子を表面に付着させて、膜形成を行う
被処理物とを備え、 前記イオン源のプラズマ室からイオンを引出す電極は、
イオンを引出すための孔を複数個有する複数の板で形成
され、該電極を構成する複数の板は、該ターゲット上に
、長方形状にイオンビームが収束するように、イオンビ
ームを放射することを特徴とするイオンビームスパッタ
リング装置。 - ３．前記ターゲットは、長方形状であることを特徴とす
る請求項１記載のイオンビームスパッタリング装置。 - ４．前記被処理物は、ロール状、あるいは帯状、あるい
は板状のうちの１つであることを特徴とする請求項１記
載のイオンビームスパッタリング装置。 - ５．前記ターゲットは、該ターゲットの面内方向に移動
可能としたことを特徴とする請求項１記載のイオンビー
ムスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109340A JPH0776424B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | イオンビームスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109340A JPH0776424B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | イオンビームスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046272A true JPH046272A (ja) | 1992-01-10 |
| JPH0776424B2 JPH0776424B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=14507748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2109340A Expired - Lifetime JPH0776424B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | イオンビームスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776424B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009544839A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-17 | アビザ テクノロジー リミティド | イオンデポジション装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330350U (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-27 | ||
| JPS63106763U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2109340A patent/JPH0776424B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6330350U (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-27 | ||
| JPS63106763U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009544839A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-17 | アビザ テクノロジー リミティド | イオンデポジション装置 |
| US20100084569A1 (en) * | 2006-07-20 | 2010-04-08 | Gary Proudfoot | Ion deposition apparatus |
| US8425741B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-04-23 | Aviza Technology Limited | Ion deposition apparatus having rotatable carousel for supporting a plurality of targets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0776424B2 (ja) | 1995-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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