JPH0463541B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0463541B2 JPH0463541B2 JP62069906A JP6990687A JPH0463541B2 JP H0463541 B2 JPH0463541 B2 JP H0463541B2 JP 62069906 A JP62069906 A JP 62069906A JP 6990687 A JP6990687 A JP 6990687A JP H0463541 B2 JPH0463541 B2 JP H0463541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- liquid
- synthetic resin
- burrs
- forced flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
- B29C2045/0077—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping removing burrs or flashes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のばり取り方法及びその
装置に関するものである。
装置に関するものである。
（従来の技術）
半導体装置の製造過程において、ペレツトをマ
ウンテイングし、ボンデイングした後にエポキシ
系の合成樹脂によつてトランスフアーモールドが
行われる。この状態における半導体装置を示した
のが、第２図である。この第２図において、１は
内部にペレツトを含むモールド体、２はリードフ
レーム２ａを備えるフレーム、３は合成樹脂のば
りであり、そのばり３は金型のクリアランスに起
因してフレーム２上に合成樹脂が流れ出たもので
ある。このばり３は、外装メツキを行う場合のメ
ツキ不良を避けるために、除去する必要がある。
除去方法には、従来以下のものがあつた。
ウンテイングし、ボンデイングした後にエポキシ
系の合成樹脂によつてトランスフアーモールドが
行われる。この状態における半導体装置を示した
のが、第２図である。この第２図において、１は
内部にペレツトを含むモールド体、２はリードフ
レーム２ａを備えるフレーム、３は合成樹脂のば
りであり、そのばり３は金型のクリアランスに起
因してフレーム２上に合成樹脂が流れ出たもので
ある。このばり３は、外装メツキを行う場合のメ
ツキ不良を避けるために、除去する必要がある。
除去方法には、従来以下のものがあつた。
(1) ドライホーニング
クルミ粉等の研掃剤を空気で噴射する。
(2) ウエツトホーニング
ガラスビーズ等の研掃剤を水と空気で噴射す
る。
る。
(3) 砥石方式
砥石で研磨する。
(4) アルカリ電解及び高圧水噴射併用方式
NaOH溶液中で電解によりばりを浮かせた後、
高圧水を噴射する。
NaOH溶液中で電解によりばりを浮かせた後、
高圧水を噴射する。
(5) バレルSnメツキ
プレス加工後、補助陰極（釘）でばりを削り
取る。また、メツキ中のH2発泡でばりを浮か
し取る。
取る。また、メツキ中のH2発泡でばりを浮か
し取る。
(6) 高圧水除去方式
約1000Kg／cm2の高水圧でばりを除去する。
しかしながら、以上に述べた従来方法には以下の
ような難点があつた。
ような難点があつた。
(1) ドライホーニング
クルミ粉による粉塵公害
低除去率（約60％）
(2) ウエツトホーニング
低除去率（約75％）
(3) 砥石方式
低除去率（約40％）
(4) アルカリ電解及び高圧水噴射併用方式
低除去率（約85％）
低信頼性（PCT）
(5) バレルSnメツキ
リード線の屈曲
(6) 高圧水除去方式
低作業効率
（発明の問題点）
このように、従来方法によつては、ばりの除去
を作業性良く且つ除去のし残しのない状態に行う
ことはできなかつた。
を作業性良く且つ除去のし残しのない状態に行う
ことはできなかつた。
本発明の目的は、作業性が良く、且つ残存する
ばりを可及的に少なくすることのできる半導体装
置のばり取り方法及びその装置を提供することに
ある。
ばりを可及的に少なくすることのできる半導体装
置のばり取り方法及びその装置を提供することに
ある。
（問題点を解決する手段）
本発明の半導体装置のばり取り方法は、モール
ドによる合成樹脂のばりをリードフレーム上に備
えた半導体装置を多数の小径硬質粒状体を含む液
体中に位置させ、前記液体外から前記液体中の前
記半導体装置に向けて前記液体を高圧で噴射する
ことにより、前記液体中に前記液体、前記硬質粒
状体及び気泡による強制流を生じさせ、その強制
流により前記半導体装置の前記ばりを除去するも
のとして構成される。
ドによる合成樹脂のばりをリードフレーム上に備
えた半導体装置を多数の小径硬質粒状体を含む液
体中に位置させ、前記液体外から前記液体中の前
記半導体装置に向けて前記液体を高圧で噴射する
ことにより、前記液体中に前記液体、前記硬質粒
状体及び気泡による強制流を生じさせ、その強制
流により前記半導体装置の前記ばりを除去するも
のとして構成される。
本発明の半導体装置のばり取り装置は、硬質粒
状体を含む液体を収納する槽体と；その槽体の前
記液体中に、モールドによる合成樹脂のばりをリ
ードフレーム上に備えた半導体装置を搬入する搬
入手段と；前記液体中の前記半導体装置に向けて
前記液体を高圧で噴射して、前記液体中に前記液
体、前記硬質粒状体及び気泡による強制流を生じ
させる液体噴射手段と；前記強制流でばり取りさ
れた前記半導体装置を前記槽体外に搬出する搬出
手段と；を備えたものとして構成される。
状体を含む液体を収納する槽体と；その槽体の前
記液体中に、モールドによる合成樹脂のばりをリ
ードフレーム上に備えた半導体装置を搬入する搬
入手段と；前記液体中の前記半導体装置に向けて
前記液体を高圧で噴射して、前記液体中に前記液
体、前記硬質粒状体及び気泡による強制流を生じ
させる液体噴射手段と；前記強制流でばり取りさ
れた前記半導体装置を前記槽体外に搬出する搬出
手段と；を備えたものとして構成される。
（作用）
本発明の半導体装置のばり取り方法において
は、液体が高圧でその液体中の半導体装置に向け
て噴射される。これにより、液体中に、液体、硬
質粒状体及び気泡による強制流が生じる。その強
制流により、合成樹脂のばりが除去される。
は、液体が高圧でその液体中の半導体装置に向け
て噴射される。これにより、液体中に、液体、硬
質粒状体及び気泡による強制流が生じる。その強
制流により、合成樹脂のばりが除去される。
本発明の半導体装置のばり取り装置において
は、除去すべきばりを備えた半導体装置が槽体の
液体中に搬入される。その半導体装置に向けて液
体噴射手段から液体が噴射される。これにより液
体中に生じる液体、硬質粒状体及び気泡の強制流
が、前記ばりを除去する。ばりを除去された半導
体装置は槽体外に搬出される。
は、除去すべきばりを備えた半導体装置が槽体の
液体中に搬入される。その半導体装置に向けて液
体噴射手段から液体が噴射される。これにより液
体中に生じる液体、硬質粒状体及び気泡の強制流
が、前記ばりを除去する。ばりを除去された半導
体装置は槽体外に搬出される。
（実施例）
第１図は、本発明の半導体装置のばり取り方法
の実施に使用する装置の一例における全体概略図
を示すものである。同図において、１１はインロ
ーダー側のフレームマガジンであり、このマガジ
ン１１内にはモールド済の半導体装置（フレーム
体）１２が収納されている。この半導体装置１２
は、第２図に示す半導体装置と同一のものであ
る。
の実施に使用する装置の一例における全体概略図
を示すものである。同図において、１１はインロ
ーダー側のフレームマガジンであり、このマガジ
ン１１内にはモールド済の半導体装置（フレーム
体）１２が収納されている。この半導体装置１２
は、第２図に示す半導体装置と同一のものであ
る。
上記フレームマガジン１１内の半導体装置１２
は、ベルトコンベア１３により順次前方に搬送さ
れる。その搬送により、半導体装置１２は、水槽
１４内を通過した後、さらに前方のアウトローダ
側のフレームマガジン１５に至り、そこに収納さ
れる。上記水槽１４内には、水とガラスビーズの
混合体１６が収納されている。両者の混合比は、
例えば１：１とすることができる。ガラスビーズ
の粒径としては、種々のものを用いることができ
るが、例えば100〜500μｍとすることができる。
ガラスビーズに代えて、Al2O3（アルミナ）ある
いは樹脂粉末（エポキシ、ポリエステル、尿素樹
脂メラニン等）等を用いることができる。この水
槽１４はオーバーフロー開口１４ａを備え、水面
高さを維持可能としている。さらに、水槽１４の
上方には、高圧水噴射ノズル１７が設けられてい
る。この噴射ノズル１７は、半導体装置１２から
合成樹脂のばりを取る水流を発生させるためのも
ので、噴射方向に沿つた軸線のまわりに自動可能
であると共に、水槽１４に沿つて、即ち水平面に
沿つて前後左右に移動可能に設けられている。
は、ベルトコンベア１３により順次前方に搬送さ
れる。その搬送により、半導体装置１２は、水槽
１４内を通過した後、さらに前方のアウトローダ
側のフレームマガジン１５に至り、そこに収納さ
れる。上記水槽１４内には、水とガラスビーズの
混合体１６が収納されている。両者の混合比は、
例えば１：１とすることができる。ガラスビーズ
の粒径としては、種々のものを用いることができ
るが、例えば100〜500μｍとすることができる。
ガラスビーズに代えて、Al2O3（アルミナ）ある
いは樹脂粉末（エポキシ、ポリエステル、尿素樹
脂メラニン等）等を用いることができる。この水
槽１４はオーバーフロー開口１４ａを備え、水面
高さを維持可能としている。さらに、水槽１４の
上方には、高圧水噴射ノズル１７が設けられてい
る。この噴射ノズル１７は、半導体装置１２から
合成樹脂のばりを取る水流を発生させるためのも
ので、噴射方向に沿つた軸線のまわりに自動可能
であると共に、水槽１４に沿つて、即ち水平面に
沿つて前後左右に移動可能に設けられている。
上記構成の装置による半導体装置１２からの合
成樹脂のばり取りは以下のようにして行われる。
成樹脂のばり取りは以下のようにして行われる。
即ち、フレームマガジン１１内の半導体装置１
２は順次ベルトコンベア１３により水槽１４内に
送られる。水槽１４に対しては噴射ノズル１７か
ら高圧水が噴射されている。これにより、第１図
に示すように、水槽１４内には、水、ガラスビー
ズ及び気泡１８による強制流１９が生じている。
この強制流が半導体装置１２に当り、合成樹脂の
ばりをリードフレームから剥がす。このようにし
て、合成樹脂のばりを剥がされた半導体装置１２
は、ベルトコンベア１３によりさらに前方に送ら
れ、アウトローダー側のフレームマガジン１５に
至り、そこに順次収納される。
２は順次ベルトコンベア１３により水槽１４内に
送られる。水槽１４に対しては噴射ノズル１７か
ら高圧水が噴射されている。これにより、第１図
に示すように、水槽１４内には、水、ガラスビー
ズ及び気泡１８による強制流１９が生じている。
この強制流が半導体装置１２に当り、合成樹脂の
ばりをリードフレームから剥がす。このようにし
て、合成樹脂のばりを剥がされた半導体装置１２
は、ベルトコンベア１３によりさらに前方に送ら
れ、アウトローダー側のフレームマガジン１５に
至り、そこに順次収納される。
従来の高圧水による方法において、その高圧水
を直接リードフレームに当てた場合には、合成樹
脂のばりを除去可能であるが、高圧水とリードフ
レームとの接触は点接触に近く、高圧水の噴射方
向の制御が困難であるだけでなく、除去効率が低
い。これに対し、上記実施例においては、半導体
装置を水中に置き、その半導体装置に対し上方空
中から高圧水を吹き付けるようにしたので、強制
流が生じ、その強制流がリードフレームの合成樹
脂のばりに面接触的に作用する。これと共に、水
中内にガラスビーズを収納しておくようにしたの
で、そのビーズの研削効果が得られる。よつて、
ばりは完全に近い程十分に除去される。
を直接リードフレームに当てた場合には、合成樹
脂のばりを除去可能であるが、高圧水とリードフ
レームとの接触は点接触に近く、高圧水の噴射方
向の制御が困難であるだけでなく、除去効率が低
い。これに対し、上記実施例においては、半導体
装置を水中に置き、その半導体装置に対し上方空
中から高圧水を吹き付けるようにしたので、強制
流が生じ、その強制流がリードフレームの合成樹
脂のばりに面接触的に作用する。これと共に、水
中内にガラスビーズを収納しておくようにしたの
で、そのビーズの研削効果が得られる。よつて、
ばりは完全に近い程十分に除去される。
また、従来はマークを付す前に、モールド体か
ら、合成樹脂中の離型剤を、トリクレン液中での
煮沸により除去していた。しかしながら、上記ガ
ラスビーズの研削効果ゆえに、煮沸工程は不要と
なる。即ち、マークを付す前の１処理工程が不要
となる。
ら、合成樹脂中の離型剤を、トリクレン液中での
煮沸により除去していた。しかしながら、上記ガ
ラスビーズの研削効果ゆえに、煮沸工程は不要と
なる。即ち、マークを付す前の１処理工程が不要
となる。
さらに、上記実施例によれば、効果的なばり取
りが可能であるため、噴射ノズル数を例えば従来
のものに比べて半分程度とすることもできるだけ
でなく、使用圧力を従来の約1000Kg／cm2から半分
の約500Kg／cm2に低下させることもできる。
りが可能であるため、噴射ノズル数を例えば従来
のものに比べて半分程度とすることもできるだけ
でなく、使用圧力を従来の約1000Kg／cm2から半分
の約500Kg／cm2に低下させることもできる。
このように、本発明の半導体装置のばり取り方
法によれば、ペレツトのモールド時に生じた合成
樹脂のばりを効率良く且つ確実に除去することが
できる。
法によれば、ペレツトのモールド時に生じた合成
樹脂のばりを効率良く且つ確実に除去することが
できる。
また、本発明の半導体装置のばり取り装置によ
れば、ペレツトのモールド時に生じた合成樹脂の
ばりを効率良く且つ確実に除去することのできる
装置を簡単な構成のものとして提供することがで
きる。
れば、ペレツトのモールド時に生じた合成樹脂の
ばりを効率良く且つ確実に除去することのできる
装置を簡単な構成のものとして提供することがで
きる。
第１図は本発明の半導体装置のばり取り方法の
実施に使用する装置の一例を示す概略全体構成
図、第２図は合成樹脂のばりを備えた半導体装置
の部分斜視図である。 ２ａ……リードフレーム、３……合成樹脂のば
り、１２……半導体装置、１３……ベルトコンベ
ア、１４……水槽、１６……水とガラスビーズの
混合体。
実施に使用する装置の一例を示す概略全体構成
図、第２図は合成樹脂のばりを備えた半導体装置
の部分斜視図である。 ２ａ……リードフレーム、３……合成樹脂のば
り、１２……半導体装置、１３……ベルトコンベ
ア、１４……水槽、１６……水とガラスビーズの
混合体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モールドによる合成樹脂のばりをリードフレ
ーム上に備えた半導体装置を多数の小径硬質粒状
体を含む液体中に位置させ、前記液体外から前記
液体中の前記半導体装置に向けて前記液体を高圧
で噴射することにより、前記液体中に前記液体、
前記硬質粒状体及び気泡による強制流を生じさ
せ、その強制流により前記半導体装置の前記ばり
を除去することを特徴とする半導体装置のばり取
り方法。 ２ 硬質粒状体を含む液体を収納する槽体と；そ
の槽体の前記液体中に、モールドによる合成樹脂
のばりをリードフレーム上に備えた半導体装置を
搬入する搬入手段と；前記液体中の前記半導体装
置に向けて前記液体を高圧で噴射して、前記液体
中の前記液体、前記硬質粒状体及び気泡による強
制流を生じさせる液体噴射手段と；前記強制流で
ばり取りされた前記半導体装置を前記槽体外に搬
出する搬出手段と；を備えたことを特徴とする半
導体装置のばり取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62069906A JPS63234537A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 半導体装置のばり取り方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62069906A JPS63234537A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 半導体装置のばり取り方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234537A JPS63234537A (ja) | 1988-09-29 |
| JPH0463541B2 true JPH0463541B2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=13416209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62069906A Granted JPS63234537A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 半導体装置のばり取り方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63234537A (ja) |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62069906A patent/JPS63234537A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63234537A (ja) | 1988-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |