JPH06140448A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH06140448A JPH06140448A JP4288046A JP28804692A JPH06140448A JP H06140448 A JPH06140448 A JP H06140448A JP 4288046 A JP4288046 A JP 4288046A JP 28804692 A JP28804692 A JP 28804692A JP H06140448 A JPH06140448 A JP H06140448A
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- Japan
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- semiconductor device
- resin
- stage
- pressure water
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】製品の精度が要求される樹脂封止型半導体装置
の製造工程で発生する樹脂ばり及びダム樹脂の除去を効
率よく実施し除去工数の削減を図る。 【構成】ばり取り装置内に高圧水の噴射方式が異なる扇
状噴射ノズル５を有するステージと直噴射ノズル６を有
するステージとを設け、ステージ内に搬送されたリード
フレーム２に対し扇状噴射ノズル５からは高圧水を半導
体装置１のリード全面に噴射させ、次いで直噴射ノズル
６からは高圧水を半導体装置１のリードの一部に限定し
て噴射させる構造を有する。
の製造工程で発生する樹脂ばり及びダム樹脂の除去を効
率よく実施し除去工数の削減を図る。 【構成】ばり取り装置内に高圧水の噴射方式が異なる扇
状噴射ノズル５を有するステージと直噴射ノズル６を有
するステージとを設け、ステージ内に搬送されたリード
フレーム２に対し扇状噴射ノズル５からは高圧水を半導
体装置１のリード全面に噴射させ、次いで直噴射ノズル
６からは高圧水を半導体装置１のリードの一部に限定し
て噴射させる構造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に樹脂封止型半導体装置の樹脂ばりを除去する
ばり取り装置に関する。
関し、特に樹脂封止型半導体装置の樹脂ばりを除去する
ばり取り装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は、樹脂封
止の際に発生する樹脂ばりを除去する製造工程を有して
おり、その際、高圧水を用いたばり取り装置を使用して
いる。
止の際に発生する樹脂ばりを除去する製造工程を有して
おり、その際、高圧水を用いたばり取り装置を使用して
いる。
【０００３】この従来のばり取り装置は、図２の斜視図
に示すように扇形あるいは円錐形の水流をリードフレー
ム２に向けて噴出する扇状噴射ノズル５を有し、そのノ
ズルが図の矢印Ｘ−Ｙ方向に移動する構造となってい
る。この時の水圧は４０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 程度であ
り、流量はノズル１個当り５〜１５ｌ／ｍｉｎ程度であ
る。リードフレーム２のアウターリード根元に発生して
いる樹脂ばり９は、事前に化学的な処理を施してリード
との密着を弱めておき、その後、ノズルからの水圧によ
り除去される。この装置は、リードフレームの広い範囲
に水を噴射させて樹脂ばりを除去するので、時間当りの
生産量が多く高い生産性を有していた。
に示すように扇形あるいは円錐形の水流をリードフレー
ム２に向けて噴出する扇状噴射ノズル５を有し、そのノ
ズルが図の矢印Ｘ−Ｙ方向に移動する構造となってい
る。この時の水圧は４０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 程度であ
り、流量はノズル１個当り５〜１５ｌ／ｍｉｎ程度であ
る。リードフレーム２のアウターリード根元に発生して
いる樹脂ばり９は、事前に化学的な処理を施してリード
との密着を弱めておき、その後、ノズルからの水圧によ
り除去される。この装置は、リードフレームの広い範囲
に水を噴射させて樹脂ばりを除去するので、時間当りの
生産量が多く高い生産性を有していた。
【０００４】また、従来の他のばり取り装置として、図
３の斜視図に示すように、半導体装置を樹脂封止する際
の樹脂流れをせき止めるタイバー８の内側に発生するダ
ム樹脂１０を除去する装置も用いられている。このダム
樹脂１０は、後工程でタイバー８を機械的に切断する工
程で同時に叩き落とす方法も用いられているが、完全に
は落とすことができず、そのダム残り屑がリードに付着
して接触不良を起こしたり、リード曲り不良を発生させ
る要因となっている。この図３に示すばり取り装置は直
噴射ノズル６を有し、ダム樹脂１０を水流で除去するこ
とを目的に水圧４００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 、ノズル
１個当りの流量０．５〜１．５ｌ／ｍｉｎ程度の水を非
常に狭い範囲で目的とする部位に噴射させる構造を有し
ており、また、直噴射ノズル６は図の矢印方向にＮＣ制
御され、ダム樹脂１０に水を噴射させることによってダ
ム残りの除去が可能となっている。
３の斜視図に示すように、半導体装置を樹脂封止する際
の樹脂流れをせき止めるタイバー８の内側に発生するダ
ム樹脂１０を除去する装置も用いられている。このダム
樹脂１０は、後工程でタイバー８を機械的に切断する工
程で同時に叩き落とす方法も用いられているが、完全に
は落とすことができず、そのダム残り屑がリードに付着
して接触不良を起こしたり、リード曲り不良を発生させ
る要因となっている。この図３に示すばり取り装置は直
噴射ノズル６を有し、ダム樹脂１０を水流で除去するこ
とを目的に水圧４００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 、ノズル
１個当りの流量０．５〜１．５ｌ／ｍｉｎ程度の水を非
常に狭い範囲で目的とする部位に噴射させる構造を有し
ており、また、直噴射ノズル６は図の矢印方向にＮＣ制
御され、ダム樹脂１０に水を噴射させることによってダ
ム残りの除去が可能となっている。
【０００５】さらに、製品の精度が要求される樹脂封止
型半導体装置では、上述した２種類のばり取り装置を使
用することによりリードフレーム上に残っている樹脂を
完全に除去していた。
型半導体装置では、上述した２種類のばり取り装置を使
用することによりリードフレーム上に残っている樹脂を
完全に除去していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
装置は、上述したようにそれぞれ個別の２種類のばり取
り装置であり、製品の精度が要求される樹脂封止型半導
体装置に対してはこの２種類のばり取り装置を使用しな
ければならないため、リードフレーム上に残っている樹
脂を完全に除去しようとすると、生産性が悪い、工数が
かかる等の問題点があった。
装置は、上述したようにそれぞれ個別の２種類のばり取
り装置であり、製品の精度が要求される樹脂封止型半導
体装置に対してはこの２種類のばり取り装置を使用しな
ければならないため、リードフレーム上に残っている樹
脂を完全に除去しようとすると、生産性が悪い、工数が
かかる等の問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、樹脂封止型半導体装置の製造工程の一つで発
生する樹脂ばり及びダム樹脂を除去する手段として、複
数のステージを有し、各ステージ毎に噴射方式の異なる
高圧水の噴射ノズルを設け、あるステージでは高圧水を
半導体装置のリード全面に噴射させ、また、他のステー
ジでは高圧水を半導体装置のリードの一部に限定して噴
射させる構造を有している。
造装置は、樹脂封止型半導体装置の製造工程の一つで発
生する樹脂ばり及びダム樹脂を除去する手段として、複
数のステージを有し、各ステージ毎に噴射方式の異なる
高圧水の噴射ノズルを設け、あるステージでは高圧水を
半導体装置のリード全面に噴射させ、また、他のステー
ジでは高圧水を半導体装置のリードの一部に限定して噴
射させる構造を有している。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の構成図である。樹脂封止
された複数個の半導体装置１を有するリードフレーム２
は、電解脱脂、化学研磨等の化学的な処理が施され、リ
ードフレームのアウターリード根元の樹脂ばり９及びダ
ム樹脂１０とリードとの密着が弱められる。その後、リ
ードフレーム２はロード部３よりばり取り装置内に投入
される。
る。図１は本発明の一実施例の構成図である。樹脂封止
された複数個の半導体装置１を有するリードフレーム２
は、電解脱脂、化学研磨等の化学的な処理が施され、リ
ードフレームのアウターリード根元の樹脂ばり９及びダ
ム樹脂１０とリードとの密着が弱められる。その後、リ
ードフレーム２はロード部３よりばり取り装置内に投入
される。
【０００９】装置内は２つのステージに分けられ、それ
ぞれが２つのステップを有する。投入されたリードフレ
ーム２は、ロード部３からアンロード部４へ向けて各ス
テップを経て間欠的に移送される。まず、第１のステー
ジにおいて、図２に示したような扇状噴射ノズル５から
円錐状、あるいは扇形の水流を噴射する機構によりポン
プ７を用いてリードフレーム２の広範囲に水を噴射さ
せ、樹脂ばりを除去する。この際、第１ステップではリ
ードフレームの上面側から噴射し、第２ステップでは下
面側から噴射する。この時の水圧は従来と同様４０〜１
００ｋｇ／ｃｍ2程度、ノズル１個当り流量は５〜１５
ｌ／ｍｉｎ程度となっている。
ぞれが２つのステップを有する。投入されたリードフレ
ーム２は、ロード部３からアンロード部４へ向けて各ス
テップを経て間欠的に移送される。まず、第１のステー
ジにおいて、図２に示したような扇状噴射ノズル５から
円錐状、あるいは扇形の水流を噴射する機構によりポン
プ７を用いてリードフレーム２の広範囲に水を噴射さ
せ、樹脂ばりを除去する。この際、第１ステップではリ
ードフレームの上面側から噴射し、第２ステップでは下
面側から噴射する。この時の水圧は従来と同様４０〜１
００ｋｇ／ｃｍ2程度、ノズル１個当り流量は５〜１５
ｌ／ｍｉｎ程度となっている。
【００１０】次に、リードフレーム２は第２のステージ
へと進み、図３に示したようなＮＣ制御された直噴射ノ
ズル６により非常に狭い範囲であるダム樹脂部のみに水
が噴射され、ダム樹脂を除去する。この際、第１ステッ
プではリードフレーム２の上面側から一方の側のダム樹
脂を除去し、第２ステップでは下面側から他方の側のダ
ム樹脂を除去する。この時、従来と同様水圧は４００〜
１０００ｋｇ／ｃｍ2程度、ノズル１個当りの流量は
０．５〜１．５ｌ／ｍｉｎ程度となっている。その後、
リードフレーム２はアンロード部４へと収納され、次工
程のめっき装置へと投入される。
へと進み、図３に示したようなＮＣ制御された直噴射ノ
ズル６により非常に狭い範囲であるダム樹脂部のみに水
が噴射され、ダム樹脂を除去する。この際、第１ステッ
プではリードフレーム２の上面側から一方の側のダム樹
脂を除去し、第２ステップでは下面側から他方の側のダ
ム樹脂を除去する。この時、従来と同様水圧は４００〜
１０００ｋｇ／ｃｍ2程度、ノズル１個当りの流量は
０．５〜１．５ｌ／ｍｉｎ程度となっている。その後、
リードフレーム２はアンロード部４へと収納され、次工
程のめっき装置へと投入される。
【００１１】なお、搬送されるリードフレームに対し直
噴射ノズル６による噴射を先に行い、後から扇状噴射ノ
ズル５による噴射を行ってもよい。また、本実施例では
ポンプ７をそれぞれのステージに設けているが、１個の
ポンプを両ステージで共用してもよい。このように、本
実施例によれば、水の噴射とリードフレームの搬送とを
シーケンス動作させることにより、異なる種類のばり取
りを同一装置で実施できる。
噴射ノズル６による噴射を先に行い、後から扇状噴射ノ
ズル５による噴射を行ってもよい。また、本実施例では
ポンプ７をそれぞれのステージに設けているが、１個の
ポンプを両ステージで共用してもよい。このように、本
実施例によれば、水の噴射とリードフレームの搬送とを
シーケンス動作させることにより、異なる種類のばり取
りを同一装置で実施できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
型半導体装置を製造する工程の一つで発生する樹脂ばり
及びダム樹脂に、高圧水を複数個所より半導体装置に対
し異なる噴射方式で噴射し、ある個所では水を半導体装
置のリード全面に噴射し、また、他の個所では水を半導
体装置のリードの一部に場所を限定して噴射する構造を
有しているので、製品の精度が要求される樹脂封止型半
導体装置においては、従来の方式と比較して生産性が良
くなり、工数を短くすることができる。
型半導体装置を製造する工程の一つで発生する樹脂ばり
及びダム樹脂に、高圧水を複数個所より半導体装置に対
し異なる噴射方式で噴射し、ある個所では水を半導体装
置のリード全面に噴射し、また、他の個所では水を半導
体装置のリードの一部に場所を限定して噴射する構造を
有しているので、製品の精度が要求される樹脂封止型半
導体装置においては、従来の方式と比較して生産性が良
くなり、工数を短くすることができる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】従来の扇状噴射ノズルを説明する斜視図であ
る。
る。
【図３】従来の直噴射ノズルを説明する斜視図である。
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ３ ロード部 ４ アンロード部 ５ 扇状噴射ノズル ６ 直噴射ノズル ７ ポンプ ８ タイバー ９ 樹脂ばり １０ ダム樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置の製造工程の一つ
で発生する樹脂ばりを高圧水を噴射して除去する半導体
装置の製造装置において、複数のステージを備え、各ス
テージ毎に噴射方式の異なる高圧水噴射ノズルを有し、
ステージ内に搬送されるリードフレームに対し、あるス
テージでは高圧水を半導体装置のリード全面に噴射さ
せ、他のステージでは高圧水を半導体装置のリードの一
部に限定して噴射させることを特徴とする半導体装置の
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4288046A JP2806712B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4288046A JP2806712B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140448A true JPH06140448A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2806712B2 JP2806712B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17725138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4288046A Expired - Fee Related JP2806712B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806712B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490680B1 (ko) * | 2003-05-12 | 2005-05-19 | 주식회사 젯텍 | 사이드플래시에 절취홈을 갖는 반도체 패키지 및 그형성방법, 그리고 이를 이용한 디플래시 방법 |
| EP1465241A3 (en) * | 2003-04-04 | 2006-11-15 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| JP2017168508A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 除去方法および製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160944A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61268030A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-11-27 | Ishijima Kogyo Kk | 半導体リ−ドフレ−ムの洗浄方法及びその装置 |
| JPS6255343U (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-06 |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP4288046A patent/JP2806712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61268030A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-11-27 | Ishijima Kogyo Kk | 半導体リ−ドフレ−ムの洗浄方法及びその装置 |
| JPS61160944A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6255343U (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-06 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1465241A3 (en) * | 2003-04-04 | 2006-11-15 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| KR100490680B1 (ko) * | 2003-05-12 | 2005-05-19 | 주식회사 젯텍 | 사이드플래시에 절취홈을 갖는 반도체 패키지 및 그형성방법, 그리고 이를 이용한 디플래시 방법 |
| JP2017168508A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 除去方法および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2806712B2 (ja) | 1998-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980630 |
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