JPH0463830A - 主鎖型高分子液晶化合物、及び該主鎖型高分子液晶化合物を含有する高分子液晶組成物、高分子液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は塩素基をフレキシブルスペーサ部に有し、メソ
ーゲンとして３環の構造を有する新規な主鎖型高分子液
晶化合物、それらの主鎖型高分子液晶化合物を含有する
高分子液晶組成物およびそれらの主鎖型高分子液晶化合
物または高分子液晶組成物を使用した高分子液晶素子に
関する。

本発明の主鎖型高分子液晶化合物および高分子液晶組成
物は、デイスプレィ、メモリーに代表されるオプトエレ
クトロニクス材料、光学機器材料等として使用すること
ができる。

［従来の技術］ 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ）とダブりニー・ヘルフリッヒ（Ｗ。

Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“アプライド・フィジックス・レ
ターズ（“Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発
行）第１２７頁〜１２８頁の“ボルテージ・デイペンダ
ント・オプティカル・アクティビイティー・オブ・ア・
ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（
”Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　０ｐｔｉｃａ
ｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅ
ｍａｔｉｃ　１ｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ”　）に示
されたツィステッド・ネマチック（ｔｗｉｓｔｅｄ　ｎ
ｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知られている。しか
しながら、この丁Ｎ液晶は、画素密度を高くしたマトリ
クス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを
発生する問題点があるため、画素数が制限されていた。

また、電界応答が遅く視野角特性が悪いためにデイスプ
レィとしての用途は限定されていた。また、各画素に薄
膜トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、大面
積の表示素子を作成することが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性からなる液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている。（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３６７９２４号明細書等）この双安定性
からなる液晶としては、一般にカイラルスメクティック
Ｃ相（Ｓｍ”Ｃ）又はＨ相（Ｓｍ’Ｈ）からなる強誘電
性液晶が用いられている。

この強誘電性液晶は、自発分極からなるために非常に速
い応答速度からなる上に、メモリー性のある双安定状態
を発現させることができる。さらに、視野角特性もすぐ
れていることから、大容量、大面積のデイスプレィ用材
料として適していると考えられる。しかし、実際に液晶
セルを形成する場合、広い面積にわたってモノドメイン
化することは困難であり、大画面の表示素子を作るには
技術上の問題があった。

また、高分子液晶をメモリー媒体として用いる例が知ら
れている。

例えば、ブイ・シバエフ（Ｖ、５ｈｉｂａｅｖ）　、ニ
ス・コストロミン（Ｓ、Ｋｏｓｔｒｏｍｉｎ）　　エヌ
・ブラーテ（Ｎ、Ｐｌａｔｅ）　、ニス・イワノフ（Ｓ
、Ｉｖａ　ｏｖ）、ブイヴエストロフ（Ｖ、Ｖｅｓｔｒ
ｏｖ）　、アイ・ヤコブレフ（１，Ｙａｋｏｖｌｅｖ）
著の“ポリマー・コミュニケーションズ″　（Ｐｏｌｙ
ｍｅｒ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ”　）第２４巻
、第３６４頁〜３６５頁の“サーモトロピック・リキッ
ドクリスタリン・ボリマーズ、　１４”　（“Ｔｈｅｒ
ｍｏ−ｔｒｏｐｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｌ
ｉｎｅ　Ｐｏｌｙｍｅｒ’ｓ、　１４″）に示される熱
書き込みメモリーを挙げることができる。

しかしながら、高分子液晶を用いたメモリー媒体として
ガラス転移点によって記録保存を行う場合、これまでの
高分子液晶化合物は充分に高いガラス転移点を有してい
なかった。また、高分子化にともなう応答速度の遅れと
いう問題もあって実用化には至っていない。

また、特開昭６３−７２７８４号公報、特開昭６３−９
９２０４号公報、特開昭６３−１６１００５号公報等に
は、側鎖型の強誘電性高分子液晶が開示されているが、
これらの側鎖型高分子液晶は、一般に配向処理として最
も容易な配向手段である延伸配向を行なうことによって
均一配向が達成されに（いという欠点があった。

一方、渡辺らは、ポリマー　ブレブリンツ、ジャパン（
Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｉｎｔｓ、　Ｊａｐａｎ　）
第３８巻、Ｎｏ、　８　２３７１〜２３７３頁（１９８
９年）等において、炭化水素系キラルジオールを用いた
主鎖型の強誘電性高分子液晶を報告している。しかしな
がら、炭化水素系キラルジオールをキラル基として用い
ているため自発分極が小さく、応答速度が充分に速いと
は言えなかった。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、その目的とするところは、オプトエ
レクトロニクス材料及び光学機器材料等として大面積化
が容易であり、かつ応答特性が良好である等の利点を有
する、塩素基をフレキシブルスペーサ部に有し、メソー
ゲンとして３環の構造を有する新規な主鎖型高分子液晶
化合物、それらの化合物を含有する高分子液晶組成物及
びそれらの化合物１組成物を使用した高分子液晶素子を
提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、上記の従来技術に鑑みて鋭意検討を重ね
た結果、塩素基をフレキシブルスペーサ部に有し、メソ
ーゲンとして３環の構造を有する新規な主鎖型高分子液
晶化合物及びそれを含有する高分子液晶組成物を見出し
、また該主鎖型高分子液晶化合物及び高分子液晶組成物
が良好な応答特性を有し、かつポリマーの特徴を生かし
、液晶素子の大面積化を容易に現実することができるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の第一の発明は、下記一般式［Ｉ］で
表される構造をフレキシブルスペーサとして有し、かつ
メソーゲンとして３環の構造を有する主鎖型高分子液晶
化合物である。

一般式［Ｉ］ Ｐ ■ −０−（ＣＨ２）、−ＣＨ−（ＣＨ２）ｂ−０−（式中
、ａ、ｂは同一もしくは異なる０〜２ｏの整数を表す。

） また、本発明の第二の発明は、前記一般式［工］で表さ
れる構造をフレキシブルスペーサとして有し、かつメソ
ーゲンとして３環の構造を有する主鎖型高分子液晶化合
物の少なくとも一種と高分子、高分子液晶、低分子及び
低分子液晶のうち少なくとも一種の化合物を含有するこ
とを特徴とする高分子液晶組成物である。

さらに本発明の第三の発明は、前記一般式［Ｉ］で表さ
れる構造をフレキシブルスペーサとして有し、かつメソ
ーゲンとして３環の構造を有する主鎖型高分子液晶化合
物の少なくとも一種、または該主鎖型高分子液晶化合物
の少なくとも一種と高分子、高分子液晶、低分子及び低
分子液晶のうち少なくとも一種の化合物を含有する高分
子液晶組成物を用いることを特徴とする高分子液晶素子
である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の第一の発明の主鎖型高分子液晶化合物は、下記
一般式［Ｉ］で表される構造をフレキシブルスペーサと
して有し、かつメソーゲンとして３環の構造を有する主
鎖型高分子液晶化合物である。

一般式［Ｉ］ −０−（ＣＨ２）　ｌｌ＋　ＣＨ−（ｃｌ−１ａ）ｂ−
ｏ−前記一般式［Ｉ］において、ａ、ｂは同一もしくは
異なるＯ〜２０の整数、好ましくは１〜１０の整数を表
す。

また、本発明の主鎖型高分子液晶化合物は、上記−１［
［Ｉ］のフレキシブルスペーサ部分に対してメソーゲン
部の構造として３環の構造を有する。３環の構造とは、
置換されていてもよいベンゼン環、ヘテロ芳香族環、脂
肪族環のうち３つの環が、単結合、　−０−、−Ｃｏｏ
−、−０ＣＯ−、−ＣＯＮＲ′−−ＮＲ’−（Ｒ’はア
ルキル基等を示す）　、　−Ｎ＝Ｎ、　−ＣＥＣ、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、ｉｃＨ，）ｎ−、−Ｃｏ−等で結合されて
いる構造を意味する。具体的には、例えば、べＪｃｏ□
は）ｃｏ、台。

（）ｃｏ　、（）ｏｃｏ（ト。

（）ｏ　ｃｏ（）ｃＯ２台。

（トＯＣ唾）（沢。

（トｃＯ、（ト◎− （■跨２号ｏｃｏ（Ｈト。

（計り沢Ｃｏｇ会。

（トＮ＝吋）（沢 （）（許ＣＨ＝Ｃベト。

（ＦｃＯべ）河Ｘ 一般式［ＩＩ］ （式中、ａ、ｂは同一もしくは異なるＯ〜２０の整数を
表す。Ｃ，ｄはそれぞれＯ又は１を表し、Ｘは−ＣＯＯ
−、−０ＣＯ−、単結合又は−〇−を表す。）本発明の
主鎖型高分子液晶化合物の具体例としては、以下の構造
のものが可能である。

い。

（塩素の置換したメチン炭素原子は光学活性であっても
なくてもよい。） 本発明の主鎖型高分子液晶化合物の数平均分子量は、好
ましくは２．０００〜１，０００，０００　、さらに好
ましくは　３．０００〜５００．０００の範囲が望まし
く、２．０００未満では高分子液晶化合物のフィルム性
が悪くなり、塗布膜としての成形性上に支障が生じる場
合があり、１．０００．０００を越えると粘度の上昇に
伴ない、外部環に対する応答性が悪（なる場合がある。

本発明の主鎖型高分子液晶化合物は、フレキシブルスペ
ーサ部に塩素基を有していることに特徴がある。したが
って、本発明の主鎖型高分子液晶化合物は、塩素基によ
り分子間力が強まり、そのために炭化水素フレキシブル
スペーサからなる主鎖型高分子液晶にくらべて格段に高
いガラス転移点を有している。これは、メモリー媒体と
して考える場合、非常に大きな優位点となる。すなわち
、高分子液晶化合物は、液晶状態または液晶の配向等を
ガラス転移点以下の温度で半永久的に保存することがで
きるために、ガラス転移点が高温であればあるほどメモ
リーの耐熱性は向上し、使用出来る範囲が大幅に広（な
るためである。

また、本発明の主鎖型高分子液晶化合物のうち、選択反
射波長を有する等の機能をもつコレステリック液晶相あ
るいは強誘電性を有するカイラルスメクチックＣ相を発
現し得るという点から、光学的に活性な主鎖型高分子液
晶化合物が好ましい。

高速の応答性を有する強誘電性液晶として、主鎖型高分
子液晶化合物を用いる場合、フィルム性、配向性での利
点がある。一方、従来用いられていた主鎖型高分子液晶
化合物の炭化水素系のキラル基では、自発分極が小さ（
、応答速度が充分とは言えなかった。しかし、本発明の
主鎖型高分子液晶化合物は、塩素基をキラル部に有して
いるため、大きな自発分極を有し、応答速度が非常に速
い利点を有する。

以上の様に、特に光学活性である必要がある場合以外に
関しては、光学的に不活性でよいが、この場合、原料に
おいて工業的に安価で入手しゃすいラセミ体を使用する
ことが出来、本発明の主鎖型高分子液晶化合物を工業的
に有利に製造できる点で好ましい。

また、本発明には特徴的に３環の構造のメソーゲンが用
いられる。２環系のメソーゲンからなる化合物より、高
温にＴｇを設定することができ、液晶温度範囲も広いの
でメモリー媒体等としてすぐれた面を有している。

また、２環系にくらべ、スメクチック液晶を発現しやす
いので、強誘電性高分子液晶化合物或いは組成物を得る
という面でより容易である。

次に、本発明の主鎖型高分子液晶化合物の製造方法であ
る。ポリエステル、ポリエーテル等の従来より用いられ
ている方法によって製造され得るが、ポリエステル化合
物の場合、溶融重合法で行う際高温条件のため、ハロゲ
ン部分で分解反応が生じて重合がすみやかに進行しない
場合がある。

このため、本発明のポリエステル化合物の製造法として
は以下の方法が好ましく用いられ得る。

すなわち、ジカルボン酸ジクロライドと塩素基を有する
ジオールを溶液中で脱塩化水素反応することにより、主
鎖型高分子液晶ポリエステル化合物を製造する方法であ
る。用いられるジカルボン酸ジクロライドとしては１例
えば下記の化合物があげられる。

ｃＩ！ｏｃ（トペ）（トｃｏｃｐ ｃｉｏｃ＋ｏｃぺ）（妊Ｃ０Ｃ１） ｃｐｏｃ（Ｈお酬ＣＯＣｌ２ ＣβＯＣは）（ト（妊ｃｏｃＩ！ ｃｐ　ｏｃ＋ｃ＝ｃ頑ヘトｃｏｃｐ 等が挙げられる。

また、ジオールとしては、例えば下記の化合物があげら
れる。

（Ｊ’ ＨＯ−＋ＣＨ２÷ｒ−ＣＨ−ＣＨ２０Ｈｐ ＨＯ−（−ＣＨ，←ＣＨ−ＣＨ２０Ｈ Ｃ！ ＨＯ−＋ＣＨ，÷「ＣＨ−＋ＣＨ２÷ｒ−ＯＨＩ ＨＯ＋ＣＨｚ＋ｙ−ＣＨ−ＣＨ２０Ｈ Ｉ２ ＨＯ−＋ＣＨ２÷ｎＣＨ−＋ＣＨ２＋「ｏＨ反応に用い
られる溶媒としては、アブロティクな溶媒であればよく
、例えばクロロホルム、ベンゼン、トルエン、　ＤＭＦ
　、　ＤＭＳＯ，ＨＭＰＡ、テトラクロロエタン、　Ｔ
Ｉ（Ｆ　、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジ
メチルエーテル等があげられる。また、溶媒中の水分に
よりジカルボン酸ジクロライドが加水分解しない様に、
好ましくは溶媒中の水分はできる限り除去した方がよい
。同じ理由で、反応は空気中よりも、Ｎ、、　Ａｒ、　
Ｈｅ等の雰囲気下で行うほうが好ましい。また、系にピ
リジン等のアミンを塩化水素を捕捉するために加えても
よい。

反応温度は、使用する溶媒の沸点以下の温度であり、ま
た塩素基を有するジオールの分解を制御するため、３０
０℃以下がよく、好ましくは２５０℃以下、さらに好ま
しくは２００℃以下がよい。

また、重合反応を速やかに進行させるために、５０℃以
上がよく、好ましくは１００℃以上がよい。

この製造方法は、反応の低温化、溶液反応を用いること
による反応基質の低密度化により塩素基を含むジオール
の分解を制御し、かつ重合反応をすみやかに進めること
ができ、容易にポリマーを生成することができる。

次に、本発明の第二の発明は、第一の発明の主鎖型高分
子液晶化合物の少なくとも一種と高分子、高分子液晶、
低分子および低分子液晶のうち少なくとも一種の化合物
を含有することを特徴とする高分子液晶組成物である。

第一の発明の主鎖型高分子液晶化合物とブレンドする化
合物としては、特に高分子液晶、低分子液晶が好ましい
。

ブレンドする高分子液晶の例としては以下のものがあげ
られる。

−←０ （ＣＨ２）、０−３− ＣＨ。

一←−０ＣＩ（２ＣＨ−ＣＨ２ＣＨ２０＋共重合体 共重合体 Ｈ３ メチルブチルシンナメート （ＤＯＢＡ）Ｉ！ＢＣ） Ｒ３は水素原子。

アルキル基またはハロゲン原子 を示す。

また、 これらの共重合体も例として挙げられる。

次に、 ブレンドする低分子液晶の例としては以Ｐ−へキシロキ
シベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロルブロビルシ
ンナメー）　　（ＨＯＢＡＣＰＣ）下に示すものが挙げ
られる。

Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ
）メチルブチルー〇 シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ：）メチルブ
チル−α−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢＣＣ） Ｐ−才クチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−メチルシンナメート４−ヘキシルオ
キシフェニル−４−（２″−メチルブチル）ビフェニル
−４′−カルボキシレート４−（２″−メチルブチル）
フェニル−４−（４″−メチルヘキシル）ビフェニル−
４′−カルボキシレート４−才クチルオキシフェニル−
４−（２″−メチルブチル）ビフェニル−４′−カルボ
キシレート４−　（２′−（プロピルオキシ）プロピル
）オキシフェニル−４−（デシロキシ）ビフェニル−４
′−カルボキシレート４−ヘキシルオキシフェニル−４
−（２″−メチルブチル）ビフェニル−４′−カルポキ
シレート（４’−（４−へキシルオキシ）フェニルオキ
シカルボニル）フェニル−ｐ−（４″−メチルへキシル
オキシ）ベンゾエート７２．４　”し ０Ｗ １１ｆｊｔ； 本発明の高分子液晶組成物中に含有されるの第一の発明
の主鎖型高分子液晶化合物の量は、通常５〜９５重量％
、より好ましくは１０〜９０重量％の範囲が望ましい。

５重量％未満では、良好な応答性を得るために与える影
響が小さがったり、成形性１強度、成膜性が悪い場合が
ある。また、９５重量％を越えると単独の化合物の性質
と大差がない場合がある。

尚、本発明に係わる主鎖型高分子液晶化合物および高分
子液晶組成物には、色素、光安定化剤、可塑剤、光吸収
剤等を添加することができる。

次に、本発明の第三の発明は、第一の発明の主鎖型高分
子液晶化合物、または該主鎖型高分子液晶化合物の少な
くとも一種をブレンド成分として含有する高分子液晶組
成物を有する高分子液晶素子である。

本発明の高分子液晶素子においては、ガラス、プラスチ
ック又は金属等の任意の材料からなる基板の上に、本発
明の主鎖型高分子液晶化合物もしくは高分子液晶組成物
を塗布等の方法でフィルムを形成するが、基板上にＩＴ
Ｏ膜などの透明電極やパターン化された電極を形成する
こともできる。

また、配向処理をしてもよく、配向処理方法の例として
は以下の方法があげられる （１）水平配向（高分子液晶化合物又は高分子液晶組成
物の分子軸方向を基板面に対して水平に配向させる） ■ラビング法 基板上に溶液塗工法又は蒸着あるいはスパッタリング等
により、例えば、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機給縁物質の
被膜を形成し、その後、その表面をビロード、布や紙で
一方向に摺擦（ラビング）して配向制御膜を形成する。

■斜方蒸着法 ＳｉＯ等の酸化物あるいはフッ化物又はＡｕ、　Ａ４な
どの金属およびその酸化物を基板の斜めの角度から蒸着
して配向制御膜を形成する。

■斜方エツチング法 ■で示した有機あるいは無機絶縁膜を斜方からイオンビ
ームや酸素プラズマを照射することによりエツチングし
て配向制御膜を形成する。

■延伸高分子膜の使用 ポリエステルあるいはポリビニルアルコール等の高分子
膜を延伸する。

■グレーティング法 フォトリソグラフィーやスタンバ−やインジェクション
を使用して基板表面上に溝を形成する。この場合、高分
子液晶化合物又は高分子液晶組成物はその溝方向に配向
する。

■シェアリング 高分子液晶化合物又は高分子液晶組成物を液晶状態以上
の温度でずり応力を加えて配向する。

■延伸 一軸延伸または二軸延伸により配向する。ポリエステル
、ポリビニルアルコール等の基板とともに共延伸しても
よい。

（２）垂直配向（高分子液晶化合物又は高分子液晶組成
物の分子軸方向を基板面に対して垂直に配向させる） ■垂直配向膜を形成する。

基板表面上に有機シランやレシチンやポリテトラフルオ
ロエチレン等の垂直配向性の層を形成する。

■斜方蒸着 （１）−〇で述べた斜方蒸着法で基板を回転させながら
蒸着角度を適当に選択することにより垂直配向性を与え
ることができる。また、斜方蒸着後、■で示した垂直配
向剤を塗布してもよい。

このように配向処理したあと、たとえば電極を有する上
部基板をもうけてスイッチング素子を得ることができる
。

このようにして得た高分子液晶素子は、表示素子、記憶
素子等として用いられる。強誘電性からなるカイラルス
メクチック相をもつ高分子液晶化合物又は高分子液晶組
成物を使用した高分子液晶素子を用いると、高速のスイ
ッチングが可能で、また、双安定性からなることからメ
モリー性が良好な大面積の表示素子、記憶素子等として
使用することが可能である。また双安定性を実現するた
めに、らせんの解消を行うには膜厚を薄くする方法があ
り、具体的には１０μｍ以下がよい。

［作用］ 本発明の主鎖型高分子液晶化合物及び高分子液晶組成物
は、デイスプレィ、メモリーの大面積化が容易で、かつ
塩素基をフレキシブルスペーサ部に有し、メソーゲンと
して３環の構造を有するため、ガラス転移点が高（、液
晶温度範囲が広（メモリー媒体等として優れている。ま
た、キラルである場合、コレステリック相を発現すると
、選択反射波長を有する特異な光学薄膜を形成すること
ができ、またキラルスメクチック相を有し、かつ強誘電
性を有する場合、塩素基の大きなダイポールに寄因して
大きな自発分極を有し、従来の主鎖型高分子液晶化合物
７組成物に（らべて良好な応答特性を有するため、極め
て有用である。

［実施例］ 以下、実施例により、本発明を更に詳細に説明するが、
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

実施例１ ｃｐｏｃ−Ｃ）−（■−１ｃＯｃｆ　　０．７０ｇと光
学活性な２−クロル−１，４−ブタンジオール０．２５
ｇを、１，１゜２．２−テトラクロロエタン１５ｍＡ’
中にて、Ｎ２をフローしながら　１５０℃で２０時間攪
拌し反応を行なった。

反応終了後、生成物をメタノールで再沈澱をくり返しポ
リマー■を０．４１　ｇ得た。

ポリマー■の相転移温度 数平均分子量　　４，７００ 重量平均分子量　７．８００ 実施例２ ｃｐｏｃ−Ｃ■−（■−ｅ■−ｃｏｃＩ２ｏ、　７０　
ｇ　トラセミ体（７）２−クロル−１，４−ブタンジオ
ール０．２５ｇを１．１．２．２−テトラクロロエタン
ｌ　Ｓｍｆ中、Ｎ２をフローしながら１５０℃で２０時
間撹拌し反応を行った。反応終了後、生成物をメタノー
ルで再沈澱をくり返しポリマー■０．４８ｇを得た。

ポリマー■の相転移温度 数平均分子量　　２，９００ 重量平均分子量　６，９００ 実施例３ ポリマー■をクロロホルムに溶解し、ポリイミドラビン
グ膜を形成しであるガラス基板上へ塗布し、　２００℃
で３０時間真空乾燥し薄膜（膜厚的１０ｐｍ）を形成し
たところ、選択波長反射が観測された。

実施例４ 以下に示す高分子液晶組成物の電界に対する応答速度を
調べた。その結果を第１表に示す。

第１表に示す高分子液晶組成物をポリイミド配向膜を形
成しであるＩＴＯ透明電極を設けたガラス基板に、プレ
ス法、スピンコードまたはキャスト法により膜厚的１０
ｐｍのフィルムを形成した後、アニーリングを行ない、
さらに上部電極をとり付けた液晶セルにＳｃ”相でＩＯ
Ｖ／ｐｍの電界をかけた。

このとき電界に応答した分子の反転が観測された。

なお、応答速度は電界の応答を観測することにより測定
した。

第１表 Ａは下記の低分子液晶であり、Ｂは下記の高分子液晶を
示す。

低分子液晶Ａ： 高分子液晶Ｂ： ＊は不斉炭素原子を示す。

数平均分子量　　７．８００ 重量平均分子量　１１．１００ ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、大面積の可能な
新規な主鎖型高分子液晶化合物、該主鎖型高分子液晶化
合物を含有する高分子液晶組成物を得ることができる。

また、本発明の主鎖型高分子液晶化合物を高分子液晶素
子に用いるとメモリー特性が良（、また主鎖型高分子液
晶化合物および高分子液晶組成物を用いた高分子液晶素
子はカイラルスメクチック相において、応答特性が良好
である。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式［ I ］で表される構造をフレキシブ
   ルスペーサとして有し、かつメソーゲンとして３環の構
   造を有する主鎖型高分子液晶化合物。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ａ、ｂは同一もしくは異なる０〜２０の整数を
   表す。）
2. （２）下記一般式［ I ］で表される構造をフレキシブ
   ルスペーサとして有し、かつメソーゲンとして３環の構
   造を有する主鎖型高分子液晶ポリエステル化合物。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ａ、ｂは同一もしくは異なる０〜２０の整数を
   表す。）
3. （３）下記一般式［II］で表される繰り返し単位を有す
   る主鎖型高分子液晶化合物。 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ａ、ｂは同一もしくは異なる０〜２０の整数を
   表す。ｃ、ｄはそれぞれ０または１を表し、Ｘは−ＣＯ
   Ｏ−、−ＯＣＯ−、単結合または−Ｏ−を表す。）
4. （４）光学的に活性である請求項３記載の主鎖型高分子
   液晶化合物。
5. （５）光学的に不活性である請求項３記載の主鎖型高分
   子液晶化合物。
6. （６）請求項１乃至５のいずれかの項記載の主鎖型高分
   子液晶化合物の少なくとも一種と高分子、高分子液晶、
   低分子及び低分子液晶のうち少なくとも一種の化合物を
   含有することを特徴とする高分子液晶組成物。
7. （７）複数種の高分子液晶を含有することを特徴とする
   請求項６記載の高分子液晶組成物。
8. （８）低分子液晶を含有することを特徴とする請求項６
   記載の高分子液晶組成物。
9. （９）請求項１乃至５のいずれかの項記載の主鎖型高分
   子液晶化合物の少なくとも一種を用いることを特徴とす
   る高分子液晶素子。
10. （１０）請求項６、７又は８記載の高分子液晶組成物の
    少なくとも一種を用いることを特徴とする高分子液晶素
    子。