JPH0725890B2 - 高分子液晶化合物、その組成物及びそれらを用いた高分子液晶素子 - Google Patents
高分子液晶化合物、その組成物及びそれらを用いた高分子液晶素子Info
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- JPH0725890B2 JPH0725890B2 JP2171356A JP17135690A JPH0725890B2 JP H0725890 B2 JPH0725890 B2 JP H0725890B2 JP 2171356 A JP2171356 A JP 2171356A JP 17135690 A JP17135690 A JP 17135690A JP H0725890 B2 JPH0725890 B2 JP H0725890B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、主鎖がシロキサンからなる新規な高分子液晶
化合物、該高分子液晶化合物を含有する高分子液晶組成
物およびそれらの高分子液晶化合物，高分子液晶組成物
を用いた高分子液晶素子に関する。
化合物、該高分子液晶化合物を含有する高分子液晶組成
物およびそれらの高分子液晶化合物，高分子液晶組成物
を用いた高分子液晶素子に関する。
本発明の高分子液晶化合物、該高分子液晶化合物を含有
する高分子液晶組成物は、ディスプレイ，メモリーに代
表されるオプトエレクトロニクス材料、光学機器材料等
として使用することができる。
する高分子液晶組成物は、ディスプレイ，メモリーに代
表されるオプトエレクトロニクス材料、光学機器材料等
として使用することができる。
［従来の技術］ 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（M.Sc
hadt）とダブリュー・ヘルフリッヒ（W.Helfrich）著
“アプライド・フィジックス・レターズ”（“Applied
Physics Letters"）第18巻、第４号（1971年２月15日発
行）第127頁〜128頁の“ボルテージ・ディペンダント・
オプティカル・アクティビィティー・オブ・ア・ツイス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（“Volt
age Dependent Optical Activity of a Twisted Nemati
c liquid Crystal"）に示されたツイステッド・ネマチ
ック（twisted nematic）液晶を用いたものが知られて
いる。しかしながら、このTN液晶は、画素密度を高くし
たマトリスク電極構造を用いた時分割駆動の時、クロス
トークを発生する問題点があるため、画素数が制限され
ていた。
hadt）とダブリュー・ヘルフリッヒ（W.Helfrich）著
“アプライド・フィジックス・レターズ”（“Applied
Physics Letters"）第18巻、第４号（1971年２月15日発
行）第127頁〜128頁の“ボルテージ・ディペンダント・
オプティカル・アクティビィティー・オブ・ア・ツイス
テッド・ネマチック・リキッド・クリスタル”（“Volt
age Dependent Optical Activity of a Twisted Nemati
c liquid Crystal"）に示されたツイステッド・ネマチ
ック（twisted nematic）液晶を用いたものが知られて
いる。しかしながら、このTN液晶は、画素密度を高くし
たマトリスク電極構造を用いた時分割駆動の時、クロス
トークを発生する問題点があるため、画素数が制限され
ていた。
また、電界応答が遅く視野角特性が悪いためにディスプ
レイとしての用途は限定されていた。また、各画素に薄
膜トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、大面
積の表示素子を作成することが難しい問題点がある。
レイとしての用途は限定されていた。また、各画素に薄
膜トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、大面
積の表示素子を作成することが難しい問題点がある。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性からなる液晶素子の使用が、クラーク（Cl
ark）およびラガウェル（Lagerwall）により提案されて
いる。（特開昭56−107216号公報、米国特許第4367924
号明細書等） この双安定性からなる液晶としては、一般にカイラルス
メクティックＣ相（Sm＊Ｃ）又はＨ相（Sm＊Ｈ）からな
る強誘電性液晶が用いられている。この強誘電性液晶
は、自発分極からなるために非常に速い応答速度からな
る上に、メモリー性のある双安定状態を発現させること
ができる。さらに、視野角特性もすぐれていることか
ら、大容量、大面積のディスプレイ用材料として適して
いると考えられる。しかし、実際に液晶セルを形成する
場合、広い面積にわたってモノドメイン化することは困
難であり、大画面の表示素子を作るには技術上の問題が
あった。
て、双安定性からなる液晶素子の使用が、クラーク（Cl
ark）およびラガウェル（Lagerwall）により提案されて
いる。（特開昭56−107216号公報、米国特許第4367924
号明細書等） この双安定性からなる液晶としては、一般にカイラルス
メクティックＣ相（Sm＊Ｃ）又はＨ相（Sm＊Ｈ）からな
る強誘電性液晶が用いられている。この強誘電性液晶
は、自発分極からなるために非常に速い応答速度からな
る上に、メモリー性のある双安定状態を発現させること
ができる。さらに、視野角特性もすぐれていることか
ら、大容量、大面積のディスプレイ用材料として適して
いると考えられる。しかし、実際に液晶セルを形成する
場合、広い面積にわたってモノドメイン化することは困
難であり、大画面の表示素子を作るには技術上の問題が
あった。
また、高分子液晶をメモリー媒体として用いる例が知ら
れている。
れている。
例えば、ブィ・シバエフ（V.Shibaev）、エス・コスト
ロミン（S.Kostromin）、エヌ・プラーテ（N.Plat
e）、エス・イワノフ（S.Iva ov）、ブィ・ヴェストロ
フ（V.Vestrov）、アイ・ヤコブレフ（I.Yakovlev）著
の“ポリマー・コミュニケーションズ”（“Polymer Co
mmunications"）第24巻、第364頁〜365頁の“サーモト
ロピック・リキッドクリスタリン・ポリマーズ.14"
（“Thermotropic Liquid Crystalline Polymers.14"）
に示される熱書き込みメモリーを挙げることができる。
ロミン（S.Kostromin）、エヌ・プラーテ（N.Plat
e）、エス・イワノフ（S.Iva ov）、ブィ・ヴェストロ
フ（V.Vestrov）、アイ・ヤコブレフ（I.Yakovlev）著
の“ポリマー・コミュニケーションズ”（“Polymer Co
mmunications"）第24巻、第364頁〜365頁の“サーモト
ロピック・リキッドクリスタリン・ポリマーズ.14"
（“Thermotropic Liquid Crystalline Polymers.14"）
に示される熱書き込みメモリーを挙げることができる。
しかしながら、この方法は読みとりとして光の散乱を利
用しているのでコントラストが悪く、かつ高分子化に伴
なう応答速度の遅れという問題もあって実用化には至っ
ていない。
用しているのでコントラストが悪く、かつ高分子化に伴
なう応答速度の遅れという問題もあって実用化には至っ
ていない。
また、特開昭63−72784号公報、特開昭63−99204号公
報、特開昭63−161005号公報等には、強誘電性を有する
高分子液晶が開示されている。
報、特開昭63−161005号公報等には、強誘電性を有する
高分子液晶が開示されている。
しかしながら、これらの高分子液晶は、自発分極等の応
答性に充分でないところがあったり、強誘電性を有する
カイラルスメクチック液晶の場合においても、低分子の
液晶に比べると年生が高いため大幅に応答性が劣ってい
た。そこで、前記高分子液晶に低分子化合物、低分子液
晶等を減粘剤としてブレンドして用いることが試みられ
ているが、このブレンドした高分子液晶組成物を用いて
も、ポリマーとしてのフィルム性が悪く大面積化が困難
になったり、相溶性がなく相分離が生じたりして、良好
な高分子液晶素子を作成することができなかった。
答性に充分でないところがあったり、強誘電性を有する
カイラルスメクチック液晶の場合においても、低分子の
液晶に比べると年生が高いため大幅に応答性が劣ってい
た。そこで、前記高分子液晶に低分子化合物、低分子液
晶等を減粘剤としてブレンドして用いることが試みられ
ているが、このブレンドした高分子液晶組成物を用いて
も、ポリマーとしてのフィルム性が悪く大面積化が困難
になったり、相溶性がなく相分離が生じたりして、良好
な高分子液晶素子を作成することができなかった。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、その目的は、オプトエレクトロニク
ス材料及び光学機器材料等として、大面積化が可能であ
り、かつ低粘性で、応答特性が良好な新規の高分子液晶
化合物、該高分子液晶化合物を含有する高分子液晶組成
物及びそれらを用いた高分子液晶素子を提供することで
ある。
されたものであり、その目的は、オプトエレクトロニク
ス材料及び光学機器材料等として、大面積化が可能であ
り、かつ低粘性で、応答特性が良好な新規の高分子液晶
化合物、該高分子液晶化合物を含有する高分子液晶組成
物及びそれらを用いた高分子液晶素子を提供することで
ある。
［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、上記の従来技術に鑑みて鋭意検討を重ね
た結果、側鎖にアリール基，短鎖のアルキル基又は水素
原子を有するシロキサンユニットを有し、かつ他の側鎖
成分として、乳酸から誘導されるキラル基又はフッ素原
子をもつキラル基を有する液晶成分を有するシロキサン
主鎖の高分子液晶化合物およびその化合物を含有する高
分子液晶組成物が、ポリマーの特徴を生かし、液晶素子
の大面積化を容易に実現でき、かつ低粘性のため非常に
応答特性のよい高分子液晶素子を実現できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
た結果、側鎖にアリール基，短鎖のアルキル基又は水素
原子を有するシロキサンユニットを有し、かつ他の側鎖
成分として、乳酸から誘導されるキラル基又はフッ素原
子をもつキラル基を有する液晶成分を有するシロキサン
主鎖の高分子液晶化合物およびその化合物を含有する高
分子液晶組成物が、ポリマーの特徴を生かし、液晶素子
の大面積化を容易に実現でき、かつ低粘性のため非常に
応答特性のよい高分子液晶素子を実現できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の第一の発明は、側鎖にアリール基，短鎖
のアルキル基又は水素原子を有するシロキサンユニット
を有し、かつ他の側鎖成分として、乳酸から誘導される
キラル基又はフッ素原子をもつキラル基を有する液晶成
分を有するシロキサン主鎖の高分子液晶化合物である。
すなわち、下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位
５〜95mol％ 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ′,R″はフェニル基、炭素原子数３未満のア
ルキル基又は水素原子を表わす。） と、下記一般式（II）で表わされる繰り返し単位95〜5m
ol％ 一般式（II） （式中、Ｒはアルキル基又はフェニル基、Ｖは−（C
H2）ｍ−，−（（CH2）２−Ｏ）ｍ−または−（CH2）ｍ
−あるいは−（（CH2）２−Ｏ）ｍ−のうち１つもしく
は２つ以上の水素原子がアルキル基，ハロゲン原子，シ
アノ基，アミノ基あるいはカルボニル基で置換されてい
てもよい構造を表わす。ｍは０〜30の整数を表わす。Ｗ
は単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−CONR1−，−C
O−または−NR1−を表わし、R1は水素原子又はアルキル
基である。Ｘはメソーゲンを表わし、置換されていても
よいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環のうち
２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−
（CH2）ｎ−，−Ｎ＝Ｎ−，−（OH＝CH）ｎ−，−CH＝
Ｎ−，−Ｎ＝CH−，−（Ｃ≡Ｃ）ｎ−，−CONR1−，−
（CO）ｎ−もしくは−NR1−により結合している構造を
表わす。ｎは１〜10の整数を表わす。Ｙは−COOCH2−，
−Ｏ−CH2−，−OCO−を表わす。＊は不斉炭素原子を表
わす。Ｚは−R2,−COR2を表わし、R2は水素原子又は置
換されていてもよいアルキル基である。） とを有し、数平均分子量が2,000〜1,000,000であること
を特徴とする高分子液晶化合物である。
のアルキル基又は水素原子を有するシロキサンユニット
を有し、かつ他の側鎖成分として、乳酸から誘導される
キラル基又はフッ素原子をもつキラル基を有する液晶成
分を有するシロキサン主鎖の高分子液晶化合物である。
すなわち、下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位
５〜95mol％ 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ′,R″はフェニル基、炭素原子数３未満のア
ルキル基又は水素原子を表わす。） と、下記一般式（II）で表わされる繰り返し単位95〜5m
ol％ 一般式（II） （式中、Ｒはアルキル基又はフェニル基、Ｖは−（C
H2）ｍ−，−（（CH2）２−Ｏ）ｍ−または−（CH2）ｍ
−あるいは−（（CH2）２−Ｏ）ｍ−のうち１つもしく
は２つ以上の水素原子がアルキル基，ハロゲン原子，シ
アノ基，アミノ基あるいはカルボニル基で置換されてい
てもよい構造を表わす。ｍは０〜30の整数を表わす。Ｗ
は単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−CONR1−，−C
O−または−NR1−を表わし、R1は水素原子又はアルキル
基である。Ｘはメソーゲンを表わし、置換されていても
よいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環のうち
２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−
（CH2）ｎ−，−Ｎ＝Ｎ−，−（OH＝CH）ｎ−，−CH＝
Ｎ−，−Ｎ＝CH−，−（Ｃ≡Ｃ）ｎ−，−CONR1−，−
（CO）ｎ−もしくは−NR1−により結合している構造を
表わす。ｎは１〜10の整数を表わす。Ｙは−COOCH2−，
−Ｏ−CH2−，−OCO−を表わす。＊は不斉炭素原子を表
わす。Ｚは−R2,−COR2を表わし、R2は水素原子又は置
換されていてもよいアルキル基である。） とを有し、数平均分子量が2,000〜1,000,000であること
を特徴とする高分子液晶化合物である。
また、本発明は、前記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返
し単位５〜95mol％と、下記一般式（III）で表わされる
繰り返し単位95〜5mol％ 一般式（III） （式中、Ｒはアルキル基又はフェニル基、V1は−（C
H2）m1−，−（（CH2）２−Ｏ）m1−又は−（CH2）m1−
あるいは−（（CH2）２−Ｏ）m1−のうち１つもしくは
２つ以上の水素原子がアルキル基，ハロゲン原子，シア
ノ基，アミノ基あるいはカルボニル基で置換されていて
もよい構造を表わす。m1は０〜30の整数を表わす。W1は
単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−CONR′１−，−
CO−又は−NR′１−を表わし、Ｒ′１は水素原子又はア
ルキル基である。X1はメソーゲンを表わし、置換されて
いてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環
のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO
−，−（CH2）n1−，−Ｎ＝Ｎ−，−（CH＝CH）n1−，
−CH＝Ｎ−，−Ｎ＝CH−，−（Ｃ≡Ｃ）n1−，−CONR′
１−，−（CO）n1−もしくは−NR′１−により結合して
いる構造を表わす。n1は１〜10の整数を表わす。Y1は単
結合，−Ｏ−又は−COO−を表わす。Z1は置換されてい
てもよいアルキル基を表わす。＊は不斉炭素原子を表わ
す。） とを有し、数平均分子量が2,000〜1,000,000であること
を特徴とする高分子液晶化合物である。
し単位５〜95mol％と、下記一般式（III）で表わされる
繰り返し単位95〜5mol％ 一般式（III） （式中、Ｒはアルキル基又はフェニル基、V1は−（C
H2）m1−，−（（CH2）２−Ｏ）m1−又は−（CH2）m1−
あるいは−（（CH2）２−Ｏ）m1−のうち１つもしくは
２つ以上の水素原子がアルキル基，ハロゲン原子，シア
ノ基，アミノ基あるいはカルボニル基で置換されていて
もよい構造を表わす。m1は０〜30の整数を表わす。W1は
単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−CONR′１−，−
CO−又は−NR′１−を表わし、Ｒ′１は水素原子又はア
ルキル基である。X1はメソーゲンを表わし、置換されて
いてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環
のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO
−，−（CH2）n1−，−Ｎ＝Ｎ−，−（CH＝CH）n1−，
−CH＝Ｎ−，−Ｎ＝CH−，−（Ｃ≡Ｃ）n1−，−CONR′
１−，−（CO）n1−もしくは−NR′１−により結合して
いる構造を表わす。n1は１〜10の整数を表わす。Y1は単
結合，−Ｏ−又は−COO−を表わす。Z1は置換されてい
てもよいアルキル基を表わす。＊は不斉炭素原子を表わ
す。） とを有し、数平均分子量が2,000〜1,000,000であること
を特徴とする高分子液晶化合物である。
次に、本発明の第二の発明は、前記一般式（Ｉ）で表わ
される繰り返し単位と、前記一般式（II）で表わされる
繰り返し単位とを有する高分子液晶化合物の少なくとも
一種と、他の高分子化合物、高分子液晶、低分子化合物
および低分子液晶のうちの少なくとも一種の化合物を含
有することを特徴とする高分子液晶組成物である。
される繰り返し単位と、前記一般式（II）で表わされる
繰り返し単位とを有する高分子液晶化合物の少なくとも
一種と、他の高分子化合物、高分子液晶、低分子化合物
および低分子液晶のうちの少なくとも一種の化合物を含
有することを特徴とする高分子液晶組成物である。
また、本発明は、前記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返
し単位と、前記一般式（III）で表わされる繰り返し単
位とを有する高分子液晶化合物の少なくとも一種と、他
の高分子化合物、高分子液晶、低分子化合物および低分
子液晶のうちの少なくとも一種の化合物を含有すること
を特徴とする高分子液晶組成物である。
し単位と、前記一般式（III）で表わされる繰り返し単
位とを有する高分子液晶化合物の少なくとも一種と、他
の高分子化合物、高分子液晶、低分子化合物および低分
子液晶のうちの少なくとも一種の化合物を含有すること
を特徴とする高分子液晶組成物である。
また、本発明の第三の発明は、前記一般式（Ｉ）で表わ
される繰り返し単位と、前記一般式（II）で表わされる
繰り返し単位とを有する高分子液晶化合物、又は該高分
子液晶化合物の少なくとも一種と、他の高分子化合物、
高分子液晶、低分子化合物および低分子液晶のうちの少
なくとも一種の化合物を含有する高分子液晶組成物を有
することを特徴とする高分子液晶素子である。
される繰り返し単位と、前記一般式（II）で表わされる
繰り返し単位とを有する高分子液晶化合物、又は該高分
子液晶化合物の少なくとも一種と、他の高分子化合物、
高分子液晶、低分子化合物および低分子液晶のうちの少
なくとも一種の化合物を含有する高分子液晶組成物を有
することを特徴とする高分子液晶素子である。
また、本発明は、前記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返
し単位と、前記一般式（III）で表わされる繰り返し単
位とを有する高分子液晶化合物、又は該高分子液晶化合
物の少なくとも一種と、他の高分子化合物、高分子液
晶、低分子化合物および低分子液晶のうちの少なくとも
一種の化合物を含有する高分子液晶組成物を有すること
を特徴とする高分子液晶素子である。
し単位と、前記一般式（III）で表わされる繰り返し単
位とを有する高分子液晶化合物、又は該高分子液晶化合
物の少なくとも一種と、他の高分子化合物、高分子液
晶、低分子化合物および低分子液晶のうちの少なくとも
一種の化合物を含有する高分子液晶組成物を有すること
を特徴とする高分子液晶素子である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の第一の発明である高分子液晶化合物は、前記一
般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位と、前記一般式
（II）で表わされる繰り返し単位または前記一般式（II
I）で表わされる繰り返し単位とを有する高分子液晶化
合物である。
般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位と、前記一般式
（II）で表わされる繰り返し単位または前記一般式（II
I）で表わされる繰り返し単位とを有する高分子液晶化
合物である。
前記一般式（II）で表わされる繰り返し単位のさらに好
ましい構造は、V,W,X,Y,Zが下記の条件からなるもので
ある。
ましい構造は、V,W,X,Y,Zが下記の条件からなるもので
ある。
（一般式（II）中、Ｖは−（CH2）ｍ−を表わす。ｍは
２〜15の整数を表わす。Ｗは単結合，−Ｏ−，−OCO−
又は−COO−を表わす。Ｘはメソーゲンを表わし、置換
されていてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂
肪族環のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−
又は−COO−により結合している構造を表わす。Ｙは−C
OOCH2−，−OCH2−又は−OCO−を表わす。Ｚは置換され
ていてもよいアルキル基を表わす。＊は不斉炭素原子を
表わす。） また、前記一般式（III）で表わされる繰り返し単位の
さらに好ましい構造は、V1,W1,X1,Y1,Z1が下記の条件か
らなるものである。
２〜15の整数を表わす。Ｗは単結合，−Ｏ−，−OCO−
又は−COO−を表わす。Ｘはメソーゲンを表わし、置換
されていてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂
肪族環のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−
又は−COO−により結合している構造を表わす。Ｙは−C
OOCH2−，−OCH2−又は−OCO−を表わす。Ｚは置換され
ていてもよいアルキル基を表わす。＊は不斉炭素原子を
表わす。） また、前記一般式（III）で表わされる繰り返し単位の
さらに好ましい構造は、V1,W1,X1,Y1,Z1が下記の条件か
らなるものである。
（一般式（III）中、V1−（CH2）m1−を表わし、m1は２
〜15の整数を表わす。W1は単結合，−Ｏ−，−OCO−又
は−COO−を表わす。X1はメソーゲンを表わし、置換さ
れていてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪
族環のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−又
は−COO−により結合している構造を表わす。Y1は単結
合，−Ｏ−又は−COO−を表わす。Z1は置換されていて
もよいアルキル基を表わす。） 本発明において、一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位の具体的な構造としては、例えば以下のものが挙げら
れる。
〜15の整数を表わす。W1は単結合，−Ｏ−，−OCO−又
は−COO−を表わす。X1はメソーゲンを表わし、置換さ
れていてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪
族環のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−又
は−COO−により結合している構造を表わす。Y1は単結
合，−Ｏ−又は−COO−を表わす。Z1は置換されていて
もよいアルキル基を表わす。） 本発明において、一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位の具体的な構造としては、例えば以下のものが挙げら
れる。
次に、一般式（II）で表わされる繰り返し単位の具体的
な構造としては、例えば以下のものが挙げられる。
な構造としては、例えば以下のものが挙げられる。
次に、一般式（III）で表わされる繰り返し単位の具体
的な構造としては、例えば以下のものが挙げられる。
的な構造としては、例えば以下のものが挙げられる。
m1は０〜30の整数を表わす。
本発明の高分子液晶化合物の製造方法は、一般式（Ｉ）
で表わされる繰り返し単位に該当するモノマーあるいは
オリゴマー成分と、液晶形成能を有する一般式（II）又
は一般式（III）で表わされる繰り返し単位に該当する
モノマーあるいはオリゴマー成分との共重合で高分子化
することも可能であるが、より一般的には、 で表わされるポリシロキサンに当量程度のビニル末端側
鎖成分をグラフト反応的にハイドロシリレーション付加
することにより得ることができる。
で表わされる繰り返し単位に該当するモノマーあるいは
オリゴマー成分と、液晶形成能を有する一般式（II）又
は一般式（III）で表わされる繰り返し単位に該当する
モノマーあるいはオリゴマー成分との共重合で高分子化
することも可能であるが、より一般的には、 で表わされるポリシロキサンに当量程度のビニル末端側
鎖成分をグラフト反応的にハイドロシリレーション付加
することにより得ることができる。
この高分子液晶化合物の数平均分子量は、好ましくは、
2,000〜1,000,000、さらに好ましくは4,000〜500,000で
ある。2,000未満であると高分子液晶化合物のフィルム
性が悪くなり、塗布膜としての成形性上、支障が生じる
場合があり、1,000,000を越えると粘度の上昇に伴な
い、外部場に対する応答性が悪くなる場合がある。
2,000〜1,000,000、さらに好ましくは4,000〜500,000で
ある。2,000未満であると高分子液晶化合物のフィルム
性が悪くなり、塗布膜としての成形性上、支障が生じる
場合があり、1,000,000を越えると粘度の上昇に伴な
い、外部場に対する応答性が悪くなる場合がある。
なお、本発明の高分子液晶化合物の製造方法は、上記の
方法に限定されるものではない。
方法に限定されるものではない。
本発明の高分子液晶化合物は、柔軟なシロキサン主鎖を
有するため、粘性が低い。また、側鎖にアリール基、炭
素原子数３未満の短鎖のアルキル基又は水素原子を有す
るシロキサンユニットである下記一般式（Ｉ）で表わさ
れる繰り返し単位 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ′,R″はそれぞれフェニル基、炭素原子数３
未満のアルキル基又は水素原子を表わす。）を有するた
め、すべての側鎖にビフェニル,t−フェニル，フェニル
安息香酸等の液晶成分が置換している高分子液晶化合物
にくらべ、さらに粘性は低下し、応答性が向上する。
有するため、粘性が低い。また、側鎖にアリール基、炭
素原子数３未満の短鎖のアルキル基又は水素原子を有す
るシロキサンユニットである下記一般式（Ｉ）で表わさ
れる繰り返し単位 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ′,R″はそれぞれフェニル基、炭素原子数３
未満のアルキル基又は水素原子を表わす。）を有するた
め、すべての側鎖にビフェニル,t−フェニル，フェニル
安息香酸等の液晶成分が置換している高分子液晶化合物
にくらべ、さらに粘性は低下し、応答性が向上する。
また、本発明の高分子液晶化合物は、一般式（II）で表
わされる繰り返し単位又は一般式（III）で表わされる
繰り返し単位を有する。一般式（II）で表わされる繰り
返し単位に特徴的な構造は、末端のカイラル部である。
これは光学活性な乳酸より合成される。また、不斉炭素
原子に直接に酸素がエーテル又はエステル等で結合して
いるため、自発分極が大きく、液晶性もよい。したがっ
て、一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有する高
分子液晶化合物は応答特性、温度特性が非常によい。
わされる繰り返し単位又は一般式（III）で表わされる
繰り返し単位を有する。一般式（II）で表わされる繰り
返し単位に特徴的な構造は、末端のカイラル部である。
これは光学活性な乳酸より合成される。また、不斉炭素
原子に直接に酸素がエーテル又はエステル等で結合して
いるため、自発分極が大きく、液晶性もよい。したがっ
て、一般式（II）で表わされる繰り返し単位を有する高
分子液晶化合物は応答特性、温度特性が非常によい。
また、一般式（III）で表わされる繰り返し単位に特徴
的な構造は、末端のカイラル部にあるフッ素原子であ
る。また、不斉炭素原子に直接にフッ素原子が結合して
いるため、自発分極が大きい。したがって、一般式（II
I）で表わされる繰り返し単位を有する高分子液晶化合
物は応答特性が非常によい。
的な構造は、末端のカイラル部にあるフッ素原子であ
る。また、不斉炭素原子に直接にフッ素原子が結合して
いるため、自発分極が大きい。したがって、一般式（II
I）で表わされる繰り返し単位を有する高分子液晶化合
物は応答特性が非常によい。
本発明の高分子液晶化合物の側鎖成分としては、少なく
とも一種の一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位と、
少なくとも一種の一般式（II）で表わされる繰り返し単
位又は少なくとも一種の一般式（III）で表わされる繰
り返し単位とを含有するが、他の側鎖成分を含んでいて
もよい。
とも一種の一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位と、
少なくとも一種の一般式（II）で表わされる繰り返し単
位又は少なくとも一種の一般式（III）で表わされる繰
り返し単位とを含有するが、他の側鎖成分を含んでいて
もよい。
本発明の高分子液晶化合物における少なくとも一種の一
般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位の比率は、全体の
5mol％〜95mol％が好ましく、さらに好ましくは10mol％
〜90mol％の範囲が望ましい。5mol％未満では減粘性に
与える影響が顕著でない場合があり、95mol％を越える
と液晶相を発現しない場合がある。
般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位の比率は、全体の
5mol％〜95mol％が好ましく、さらに好ましくは10mol％
〜90mol％の範囲が望ましい。5mol％未満では減粘性に
与える影響が顕著でない場合があり、95mol％を越える
と液晶相を発現しない場合がある。
また、本発明の高分子液晶化合物における少なくとも一
種の一般式（II）で表わされる繰り返し単位又は少なく
とも一種の一般式（III）で表わされる繰り返し単位の
比率は、全体の95〜5mol％が好ましく、さらに好ましく
は90〜10mol％が望ましい。5mol％未満の場合には、応
答性および液晶性に与える影響が顕著でない場合があ
る。
種の一般式（II）で表わされる繰り返し単位又は少なく
とも一種の一般式（III）で表わされる繰り返し単位の
比率は、全体の95〜5mol％が好ましく、さらに好ましく
は90〜10mol％が望ましい。5mol％未満の場合には、応
答性および液晶性に与える影響が顕著でない場合があ
る。
本発明の第二の発明は、本発明の高分子液晶化合物の少
なくとも一種をブレンド成分として含有する高分子液晶
組成物である。他のブレンド成分としては、高分子化合
物、高分子液晶、低分子化合物、低分子液晶等があげら
れ、特に高分子液晶または低分子液晶が好ましい。
なくとも一種をブレンド成分として含有する高分子液晶
組成物である。他のブレンド成分としては、高分子化合
物、高分子液晶、低分子化合物、低分子液晶等があげら
れ、特に高分子液晶または低分子液晶が好ましい。
次に、本発明の高分子液晶化合物とブレンドする高分子
液晶の具体例を下記に示す。
液晶の具体例を下記に示す。
R3は水素原子，アルキル基，ハロゲン原子を示す。
ｍは０〜30の整数を表わす。
また、低分子液晶の具体例としては、例えば下記の化合
物が挙げられる。
物が挙げられる。
また、一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する
高分子液晶共重合体化合物にブレンドされる高分子化合
物としては、特に制限することなく一般に高分子液晶に
ブレンドされているものを用いることができるが、例え
ばポリ塩化ビニル，ポリエステル，ポリウレタン等の化
合物が挙げられる。
高分子液晶共重合体化合物にブレンドされる高分子化合
物としては、特に制限することなく一般に高分子液晶に
ブレンドされているものを用いることができるが、例え
ばポリ塩化ビニル，ポリエステル，ポリウレタン等の化
合物が挙げられる。
さらに、ブレンドされる低分子化合物としては、特に制
限することなく一般に高分子液晶にブレンドされている
ものを用いることができるが、例えば長鎖，短鎖のアリ
ファティックな化合物，シロキサン化合物，ビフェニル
化合物等が挙げられる。
限することなく一般に高分子液晶にブレンドされている
ものを用いることができるが、例えば長鎖，短鎖のアリ
ファティックな化合物，シロキサン化合物，ビフェニル
化合物等が挙げられる。
本発明に係わる高分子液晶組成物中に含有される本発明
の高分子液晶化合物の量は、通常５重量％以上、好まし
くは10重量％以上、さらに好ましくは15〜90重量％が望
ましい。５重量％未満では成形性、強度、成膜性が不十
分の場合がある。
の高分子液晶化合物の量は、通常５重量％以上、好まし
くは10重量％以上、さらに好ましくは15〜90重量％が望
ましい。５重量％未満では成形性、強度、成膜性が不十
分の場合がある。
また、本発明に係わる高分子液晶組成物中における高分
子化合物，高分子液晶，低分子化合物または低分子液晶
の含有量は、通常10〜95重量％、好ましくは15〜90重量
％が望ましい。
子化合物，高分子液晶，低分子化合物または低分子液晶
の含有量は、通常10〜95重量％、好ましくは15〜90重量
％が望ましい。
なお、本発明に係わる高分子液晶化合物およびその高分
子液晶組成物には、色素、光安定化剤、可塑剤、光吸収
剤等を添加することができる。
子液晶組成物には、色素、光安定化剤、可塑剤、光吸収
剤等を添加することができる。
次に、本発明の第三の発明は、本発明の高分子液晶化合
物、または該高分子液晶化合物の少なくとも一種をブレ
ンド成分として含有する高分子液晶組成物を有する高分
子液晶素子である。
物、または該高分子液晶化合物の少なくとも一種をブレ
ンド成分として含有する高分子液晶組成物を有する高分
子液晶素子である。
ガラス、プラスチック又は金属等の任意の材料からなる
基板の上に、本発明の高分子液晶化合物もしくは高分子
液晶組成物を塗布等の方法でフィルムを形成するが、基
板上にITO膜などの透明電極やパターン化された電極を
形成することもできる。
基板の上に、本発明の高分子液晶化合物もしくは高分子
液晶組成物を塗布等の方法でフィルムを形成するが、基
板上にITO膜などの透明電極やパターン化された電極を
形成することもできる。
また、配向処理は以下の例があげられる （１）水平配向（高分子液晶化合物又は高分子液晶組成
物の分子軸方向を基板面に対して水平に配向させる） ラビング法 基板上に溶液塗工法又は蒸着あるいはスパッタリング等
により、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質の
被膜を形成し、その後、その表面をビロード、布や紙で
一芳香に摺擦（ラビング）して配向制御膜を形成する。
物の分子軸方向を基板面に対して水平に配向させる） ラビング法 基板上に溶液塗工法又は蒸着あるいはスパッタリング等
により、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質の
被膜を形成し、その後、その表面をビロード、布や紙で
一芳香に摺擦（ラビング）して配向制御膜を形成する。
斜方蒸着法 SiO等の酸化物あるいはフッ化物又はAu,Alなどの金属お
よびその酸化物を基板の斜めの角度から蒸着して配向制
御膜を形成する。
よびその酸化物を基板の斜めの角度から蒸着して配向制
御膜を形成する。
斜方エッチング法 で示した有機あるいは無機絶縁膜を斜方からイオンビ
ームや酸素プラズマを照射することによりエッチングし
て配向制御膜を形成する。
ームや酸素プラズマを照射することによりエッチングし
て配向制御膜を形成する。
延伸高分子膜の使用 ポリエステルあるいはポリビニルアルコール等の高分子
膜を延伸する。
膜を延伸する。
グレーティング法 フォトリソグラフィーやスタンパーやインジェクション
を使用して基板表面上に溝を形成する。この場合、高分
子液晶化合物又は高分子液晶組成物はその溝方向に配向
する。
を使用して基板表面上に溝を形成する。この場合、高分
子液晶化合物又は高分子液晶組成物はその溝方向に配向
する。
シェアリング 高分子液晶化合物又は高分子液晶組成物を液晶状態以上
の温度でずり応力を加えて配向する。
の温度でずり応力を加えて配向する。
延伸 一軸延伸または二軸延伸により配向する。ポリエステ
ル、ポリビニルアルコール等の基板とともに共延伸して
もよい。
ル、ポリビニルアルコール等の基板とともに共延伸して
もよい。
（２）垂直配向（高分子液晶化合物又は高分子液晶組成
物の分子軸方向を基板面に対して垂直に配向させる） 垂直配向膜を形成する。
物の分子軸方向を基板面に対して垂直に配向させる） 垂直配向膜を形成する。
基板表面上に有機シランやレシチンやポリテトラフルオ
ロエチレン等の垂直配向性の層を形成する。
ロエチレン等の垂直配向性の層を形成する。
斜方蒸着 （１）−で述べた斜方蒸着法で基板を回転させながら
蒸着角度を適当に選択することにより垂直配向性を与え
ることができる。また、斜方蒸着後、で示した垂直配
向剤を塗布してもよい。
蒸着角度を適当に選択することにより垂直配向性を与え
ることができる。また、斜方蒸着後、で示した垂直配
向剤を塗布してもよい。
このように配向処理したあと、たとえば電極を有する上
部基板をもうけてスイッチング素子を得ることができ
る。
部基板をもうけてスイッチング素子を得ることができ
る。
このようにして得た高分子液晶素子は、表示素子、記憶
素子等として用いられる。強誘電性からなるカイラルス
メクチック相をもつ高分子液晶化合物又は高分子液晶組
成物を使用した高分子液晶素子を用いると、高速のスイ
ッチングが可能で、また、双安定性からなることからメ
モリー性が良好な大面積の表示素子、記憶素子等として
使用することが可能である。また双安定性を実現するた
めに、らせんの解消を行うには膜厚を薄くする方法があ
り、具体的には10μｍ以下がよい。
素子等として用いられる。強誘電性からなるカイラルス
メクチック相をもつ高分子液晶化合物又は高分子液晶組
成物を使用した高分子液晶素子を用いると、高速のスイ
ッチングが可能で、また、双安定性からなることからメ
モリー性が良好な大面積の表示素子、記憶素子等として
使用することが可能である。また双安定性を実現するた
めに、らせんの解消を行うには膜厚を薄くする方法があ
り、具体的には10μｍ以下がよい。
［作用］ 本発明の高分子液晶化合物は、シロキサン主鎖からな
り、アリール基，短鎖のアルキル基又は水素原子を側鎖
ユニットとして有し、かつ、別の側鎖として乳酸から誘
導されるカイラル部分を有する液晶成分又はフッ素をも
つカイラル部分を有する液晶成分を有するため、従来の
高分子液晶化合物にくらべ、著しく低粘性であり、外部
場に対する応答性が非常に良好である。したがって、本
発明の高分子液晶化合物を液晶素子に用いることによ
り、高速スイッチング能を有する大面積の高分子液晶素
子の実現を可能にすることができる。
り、アリール基，短鎖のアルキル基又は水素原子を側鎖
ユニットとして有し、かつ、別の側鎖として乳酸から誘
導されるカイラル部分を有する液晶成分又はフッ素をも
つカイラル部分を有する液晶成分を有するため、従来の
高分子液晶化合物にくらべ、著しく低粘性であり、外部
場に対する応答性が非常に良好である。したがって、本
発明の高分子液晶化合物を液晶素子に用いることによ
り、高速スイッチング能を有する大面積の高分子液晶素
子の実現を可能にすることができる。
また、本発明の高分子液晶組成物は、上記高分子液晶化
合物の低粘性の良好な特性を有し、かつ他の高分子化合
物、，高分子液晶，低分子化合物または低分子液晶との
ブレンドによって、液晶温度範囲、自発分極、らせんの
センス等の物性を制御することができる。また、高分子
液晶組成物は、高速スイッチング能を有する大面積の高
分子液晶素子を作製する上で非常に有用である。
合物の低粘性の良好な特性を有し、かつ他の高分子化合
物、，高分子液晶，低分子化合物または低分子液晶との
ブレンドによって、液晶温度範囲、自発分極、らせんの
センス等の物性を制御することができる。また、高分子
液晶組成物は、高速スイッチング能を有する大面積の高
分子液晶素子を作製する上で非常に有用である。
［実施例］ 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ 下記の構造式で表わされるポリシロキサン（東芝シリコ
ーン（株）製、TSF483）（１）0.187gと、下記の構造式
で表わされる化合物（２）0.900gを、窒素雰囲気下で、
トルエン中、60℃で触媒量のH2PtCl6・6H2Oとともに24
時間攪拌した。その後、エーテル中で再沈殿をくり返し
てポリマー（1a）を0.588g得た。第１図にポリマー（1
a）の13C−NMR（ノイズデカップリング,CDCl3中）を示
す。
ーン（株）製、TSF483）（１）0.187gと、下記の構造式
で表わされる化合物（２）0.900gを、窒素雰囲気下で、
トルエン中、60℃で触媒量のH2PtCl6・6H2Oとともに24
時間攪拌した。その後、エーテル中で再沈殿をくり返し
てポリマー（1a）を0.588g得た。第１図にポリマー（1
a）の13C−NMR（ノイズデカップリング,CDCl3中）を示
す。
G.P.C.（ゲルパーミエイションクロマトグラフィー）に
よるポリスチレン換算数平均分子量Mn（以下、数平均分
子量はこの意味を表わす。） Mn＝22,100 実施例２ 実施例１のポリシロキサン（東芝シリコーン（株）製、
TSF483）（１）0.187gと，下記の構造式で表わされる化
合物（２）0.777gを用いて、実施例１と同様に反応を行
ない、ポリマー（2a）を0.423g得た。
よるポリスチレン換算数平均分子量Mn（以下、数平均分
子量はこの意味を表わす。） Mn＝22,100 実施例２ 実施例１のポリシロキサン（東芝シリコーン（株）製、
TSF483）（１）0.187gと，下記の構造式で表わされる化
合物（２）0.777gを用いて、実施例１と同様に反応を行
ない、ポリマー（2a）を0.423g得た。
実施例３ 以上の実施例で得られた高分子液晶化合物又は、これら
の化合物と低分子液晶α又は高分子液晶βとの組成物
を、ラビング処理したポリイミド配向膜を形成してある
ITO透明電極を設けたガラス基板にプレス法、スピンコ
ート法又はキャスト法により、膜厚約10μｍのフィルム
を形成した後、アニーリングを行ない、さらに上部電極
をとり付けた液晶セルに、Sc＊相で10V/μｍの電界をか
けた。このとき電界に応答した分子の反転が観測され
た。応答速度を表１に示した。なお、応答速度は分極反
転電流を観測することにより求めた。
の化合物と低分子液晶α又は高分子液晶βとの組成物
を、ラビング処理したポリイミド配向膜を形成してある
ITO透明電極を設けたガラス基板にプレス法、スピンコ
ート法又はキャスト法により、膜厚約10μｍのフィルム
を形成した後、アニーリングを行ない、さらに上部電極
をとり付けた液晶セルに、Sc＊相で10V/μｍの電界をか
けた。このとき電界に応答した分子の反転が観測され
た。応答速度を表１に示した。なお、応答速度は分極反
転電流を観測することにより求めた。
低分子液晶α 高分子液晶β 比較例１ 実施例３と同様に、前記高分子液晶βと下記の高分子液
晶γとの組成物（1:1）の応答速度を測定したところ、
応答速度は2.8msであった。
晶γとの組成物（1:1）の応答速度を測定したところ、
応答速度は2.8msであった。
高分子液晶γ ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、均質かつ低粘性
で応答特性のよい大面積化の可能な高分子液晶化合物お
よび高分子液晶組成物を得ることができる。
で応答特性のよい大面積化の可能な高分子液晶化合物お
よび高分子液晶組成物を得ることができる。
また、これらの高分子液晶化合物および高分子液晶組成
物を用いれば、応答特性がよく、容易に大面積化の可能
な高分子液晶素子を得ることができる。
物を用いれば、応答特性がよく、容易に大面積化の可能
な高分子液晶素子を得ることができる。
第１図はポリマー（1a）の13C−NMR（ノイズデカップリ
ング,CDCl3中）中である。
ング,CDCl3中）中である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江口 岳夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−31405（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位５〜95mol％ 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ′,R″はフェニル基、炭素原子数３未満のア
ルキル基又は水素原子を表わす。） と、下記一般式（II）で表わされる繰り返し単位95〜5m
ol％ 一般式（II） （式中、Ｒはアルキル基又はフェニル基、Ｖは−（C
H2）ｍ−，−（（CH2）２−Ｏ）ｍ−または−（CH2）ｍ
−あるいは−（（CH2）２−Ｏ）ｍ−のうち１つもしく
は２つ以上の水素原子がアルキル基，ハロゲン原子，シ
アノ基，アミノ基あるいはカルボニル基で置換されてい
てもよい構造を表わす。ｍは０〜30の整数を表わす。Ｗ
は単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−CONR1−，−C
O−または−NR1−を表わし、R1は水素原子又はアルキル
基である。Ｘはメソーゲンを表わし、置換されていても
よいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環のうち
２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−
（CH2）ｎ−，−Ｎ＝Ｎ−，−（OH＝CH）ｎ−，−CH＝
Ｎ−，−Ｎ＝CH−，−（Ｃ≡Ｃ）ｎ−，−CONR1−，−
（CO）ｎ−もしくは−NR1−により結合している構造を
表わす。ｎは１〜10の整数を表わす。Ｙは−COOCH2−，
−Ｏ−CH2−，−OCO−を表わす。＊は不斉炭素原子を表
わす。Ｚは−R2,−COR2を表わし、R2は水素原子又は置
換されていてもよいアルキル基である。） とを有し、数平均分子量が2,000〜1,000,000であること
を特徴とする高分子液晶化合物。 - 【請求項２】前記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位10〜90mol％と、一般式（II）で表わされる繰り返し
単位90〜10mol％とを有することを特徴とする請求項１
記載の高分子液晶化合物。 - 【請求項３】前記高分子液晶化合物の数平均分子量が4,
000〜500,000であることを特徴とする請求項１記載の高
分子液晶化合物。 - 【請求項４】前記請求項１記載の高分子液晶化合物のう
ち、前記一般式（II）のV,W,X,Y,Zが下記の条件からな
る高分子液晶化合物。 （式中、Ｖは−（CH2）ｍ−を表わす。ｍは２〜15の整
数を表わす。Ｗは単結合，−Ｏ−，−OCO−又は−COO−
を表わす。Ｘはメソーゲンを表わし、置換されていても
よいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環のうち
２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−又は−COO−に
より結合している構造を表わす。Ｙは−COOCH2−，−OC
H2−又は−OCO−を表わす。Ｚは置換されていてもよい
アルキル基を表わす。＊は不斉炭素原子を表わす。） - 【請求項５】下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位５〜95mol％ 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ′,R″はフェニル基、炭素原子数３未満のア
ルキル基又は水素原子を表わす。） と、下記一般式（III）で表わされる繰り返し単位95〜5
mol％ 一般式（III） （式中、Ｒはアルキル基又はフェニル基、V1は−（C
H2）m1−，−（（CH2）２−Ｏ）m1−又は−（CH2）m1−
あるいは−（（CH2）２−Ｏ）m1−のうち１つもしくは
２つ以上の水素原子がアルキル基，ハロゲン原子，シア
ノ基，アミノ基あるいはカルボニル基で置換されていて
もよい構造を表わす。m1は０〜30の整数を表わす。W1は
単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO−，−CONR′１−，−
CO−又は−NR′１−を表わし、Ｒ′１は水素原子又はア
ルキル基である。X1はメソーゲンを表わし、置換されて
いてもよいホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環
のうち２つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−，−COO
−，−（CH2）n1−，−Ｎ＝Ｎ−，−（CH＝CH）n1−，
−CH＝Ｎ−，−Ｎ＝CH−，−（Ｃ≡Ｃ）n1−，−CONR′
１−，−（CO）n1−もしくは−NR′１−により結合して
いる構造を表わす。n1は１〜10の整数を表わす。Y1は単
結合，−Ｏ−又は−COO−を表わす。Z1は置換されてい
てもよいアルキル基を表わす。＊は不斉炭素原子を表わ
す。） とを有し、数平均分子量が2,000〜1,000,000であること
を特徴とする高分子液晶化合物。 - 【請求項６】前記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単
位10〜90mol％と、一般式（III）で表わされる繰り返し
単位90〜10mol％とを有することを特徴とする請求項５
記載の高分子液晶化合物。 - 【請求項７】前記高分子液晶化合物の数平均分子量が4,
000〜500,000であることを特徴とする請求項５記載の高
分子液晶化合物。 - 【請求項８】前記請求項５記載の高分子液晶化合物のう
ち、前記一般式（III）のV1,W1,X1,Y1,Z1が下記の条件
からなる高分子液晶化合物。 （式中、V1−（CH2）m1−を表わし、m1は２〜15の整数
を表わす。W1は単結合，−Ｏ−，−OCO−又は−COO−を
表わす。X1はメソーゲンを表わし、置換されていてもよ
いホモ芳香族環，ヘテロ芳香族環又は脂肪族環のうち２
つ以上の環が単結合，−Ｏ−，−OCO−又は−COO−によ
り結合している構造を表わす。Y1は単結合，−Ｏ−又は
−COO−を表わす。Z1は置換されていてもよいアルキル
基を表わす。） - 【請求項９】前記請求項１乃至４のいずれかの項に記載
の高分子液晶化合物と、他の高分子化合物、高分子液
晶、低分子化合物および低分子液晶のうちの少なくとも
一種の化合物を含有することを特徴とする高分子液晶組
成物。 - 【請求項１０】前記請求項５乃至８のいずれかの項に記
載の高分子液晶化合物と、他の高分子化合物、高分子液
晶、低分子化合物および低分子液晶のうちの少なくとも
一種の化合物を含有することを特徴とする高分子液晶組
成物。 - 【請求項１１】前記請求項１乃至４のいずれかの項に記
載の高分子液晶化合物を用いることを特徴とする高分子
液晶素子。 - 【請求項１２】前記請求項５乃至８のいずれかの項に記
載の高分子液晶化合物を用いることを特徴とする高分子
液晶素子。 - 【請求項１３】前記請求項９記載の高分子液晶組成物を
用いることを特徴とする高分子液晶素子。 - 【請求項１４】前記請求項10記載の高分子液晶組成物を
用いることを特徴とする高分子液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171356A JPH0725890B2 (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 高分子液晶化合物、その組成物及びそれらを用いた高分子液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171356A JPH0725890B2 (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 高分子液晶化合物、その組成物及びそれらを用いた高分子液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463832A JPH0463832A (ja) | 1992-02-28 |
| JPH0725890B2 true JPH0725890B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=15921670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2171356A Expired - Fee Related JPH0725890B2 (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 高分子液晶化合物、その組成物及びそれらを用いた高分子液晶素子 |
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|---|---|
| JP (1) | JPH0725890B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4438418A1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-05-02 | Consortium Elektrochem Ind | Vernetzbare nematische Polyorganosiloxane |
-
1990
- 1990-06-30 JP JP2171356A patent/JPH0725890B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463832A (ja) | 1992-02-28 |
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