JPH0463880B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、抗腫瘍作用を有し、制癌剤として期
待されている後記一般式()で表わされるアミ
ノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製
造法に関する。 〔従来の技術〕 後記一般式〔〕で表わされるアミノプロピル
アミノブレオマイシン誘導体の一部は特開昭58−
116497号などにより公知であり、後記一般式
〔〕で表わされるブレオマイシン類と後記一般
式〔〕で示されるカルボニル化合物をシアン化
水素化ホウ素ナトリウムの存在下還元的に縮合を
行う方法により製造されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、上記方法によると、構造不明の副生物
が5〜7%程度生成し、一方この副生物の除去が
比較的困難なため、精製工程が煩雑になり又、反
応中にシアン下水素ガスが発生するため作業環境
を悪化させるという欠点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで本発明者らは副生物の生成が少なく、
又、作業環境を悪化させない下記一般式〔〕 〔BX〕−NH−(CH2)3−A−Y−B 〔〕 〔式中〔BX〕は次式 で表わされるブレオマイシン酸(含銅体の場合は
キレート銅を省略)のカルボキシル基から水酸基
を除いた残基を示し、Yは低級アルキレン基を示
し、Aは式
待されている後記一般式()で表わされるアミ
ノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製
造法に関する。 〔従来の技術〕 後記一般式〔〕で表わされるアミノプロピル
アミノブレオマイシン誘導体の一部は特開昭58−
116497号などにより公知であり、後記一般式
〔〕で表わされるブレオマイシン類と後記一般
式〔〕で示されるカルボニル化合物をシアン化
水素化ホウ素ナトリウムの存在下還元的に縮合を
行う方法により製造されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、上記方法によると、構造不明の副生物
が5〜7%程度生成し、一方この副生物の除去が
比較的困難なため、精製工程が煩雑になり又、反
応中にシアン下水素ガスが発生するため作業環境
を悪化させるという欠点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで本発明者らは副生物の生成が少なく、
又、作業環境を悪化させない下記一般式〔〕 〔BX〕−NH−(CH2)3−A−Y−B 〔〕 〔式中〔BX〕は次式 で表わされるブレオマイシン酸(含銅体の場合は
キレート銅を省略)のカルボキシル基から水酸基
を除いた残基を示し、Yは低級アルキレン基を示
し、Aは式
【式】または
【式】
で示される基(ここで、R1は水素原子、低級ア
ルキル基またはベンジル基、R2は低級アルキル
基またはベンジル基、Rは低級アルキル基であ
る。)を示し、Bは
ルキル基またはベンジル基、R2は低級アルキル
基またはベンジル基、Rは低級アルキル基であ
る。)を示し、Bは
【式】で示される基
(ここでR5、R6はそれぞれ、水素原子または
フエニル基、ナフチル基、フリル基、チオフエン
基、ノルボルネン基、シクロアルキル基で一つ以
上置換されていてもよい低級アルキル基(フエニ
ル基はさらにハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、シアノ基、ハロゲノメチル基、
シクロアルキル基、ベンジルオキシ基(ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、ベンジルオキシ基でベ
ンゼン環上の水素が置換されていてもよい)から
選ばれる一種または二種以上の置換基で置換され
ていてもよい。))を示す。ただしR5、R6のどち
らか少なくとも一方は水素原子以外の基である。〕
で表わされるアミノプロピルアミノブレオマイシ
ン誘導体の新規製法について種々検討した結果、
一般式〔〕 〔BX〕−NH−(CH2)3−A−Y−NH2 〔〕 〔式中〔BX〕、YおよびAは前記と同じ。〕で示
されるアミノプロピルブレオマイシン類と、一般
式〔〕 R3−CO−R4 〔〕 〔式中R3、R4はそれぞれ水素原子、シクロ
アルキル基、シクロアルキル基またはフエニル
基で一つ以上置換されていてもよい低級アルキル
基(フエニル基さらにハロゲン原子で置換されて
いてもよい。)、ハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、シクロアルキルオキシ
基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環の水素
が置換されていてもよい。)、シアノ基、ハロゲノ
メチル基の一種または二種以上で置換されていて
もよいフエニル基、ナフチル基、チオフエン
基またはフリル基を示す。〕で表わされるカルボ
ニル化合物を溶媒中で、該溶媒中に不活性気体を
通気させながら、シアン化水素化ホウ素化合物に
より還元的に縮合させると構造不明の副生物の生
成が大巾に押さえられること及び発生するシアン
化水素ガスも除去できることを見い出した。 本発明は上記知見により完成されたものであ
る。 前記一般式〔〕、〔〕、〔〕における低級ア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロプル基、n−ブチル基、イ
ソブチル基等のC1〜C4のアルキル基が、ハロゲ
ンとしては、例えばフツ素、塩素、臭素等が、低
級アルキル基としては、例えばエチレン基、トリ
メチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン
基等のC2〜C6のアルキレン基が、シクロアルキ
ル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基、シクロデカニル基、シクロウンデカニル基等
のC5〜C12のシクロアルキル基が、低級アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基等のC1〜C4のアルコ
キシが、ハロゲノメチル基としては、例えばトリ
フルオロメチル基、トリクロロメチル基等が挙げ
られる。 上記Aにおける
フエニル基、ナフチル基、フリル基、チオフエン
基、ノルボルネン基、シクロアルキル基で一つ以
上置換されていてもよい低級アルキル基(フエニ
ル基はさらにハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、シアノ基、ハロゲノメチル基、
シクロアルキル基、ベンジルオキシ基(ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、ベンジルオキシ基でベ
ンゼン環上の水素が置換されていてもよい)から
選ばれる一種または二種以上の置換基で置換され
ていてもよい。))を示す。ただしR5、R6のどち
らか少なくとも一方は水素原子以外の基である。〕
で表わされるアミノプロピルアミノブレオマイシ
ン誘導体の新規製法について種々検討した結果、
一般式〔〕 〔BX〕−NH−(CH2)3−A−Y−NH2 〔〕 〔式中〔BX〕、YおよびAは前記と同じ。〕で示
されるアミノプロピルブレオマイシン類と、一般
式〔〕 R3−CO−R4 〔〕 〔式中R3、R4はそれぞれ水素原子、シクロ
アルキル基、シクロアルキル基またはフエニル
基で一つ以上置換されていてもよい低級アルキル
基(フエニル基さらにハロゲン原子で置換されて
いてもよい。)、ハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、シクロアルキルオキシ
基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環の水素
が置換されていてもよい。)、シアノ基、ハロゲノ
メチル基の一種または二種以上で置換されていて
もよいフエニル基、ナフチル基、チオフエン
基またはフリル基を示す。〕で表わされるカルボ
ニル化合物を溶媒中で、該溶媒中に不活性気体を
通気させながら、シアン化水素化ホウ素化合物に
より還元的に縮合させると構造不明の副生物の生
成が大巾に押さえられること及び発生するシアン
化水素ガスも除去できることを見い出した。 本発明は上記知見により完成されたものであ
る。 前記一般式〔〕、〔〕、〔〕における低級ア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロプル基、n−ブチル基、イ
ソブチル基等のC1〜C4のアルキル基が、ハロゲ
ンとしては、例えばフツ素、塩素、臭素等が、低
級アルキル基としては、例えばエチレン基、トリ
メチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン
基等のC2〜C6のアルキレン基が、シクロアルキ
ル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基、シクロデカニル基、シクロウンデカニル基等
のC5〜C12のシクロアルキル基が、低級アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基等のC1〜C4のアルコ
キシが、ハロゲノメチル基としては、例えばトリ
フルオロメチル基、トリクロロメチル基等が挙げ
られる。 上記Aにおける
【式】としては例えば
【式】
等が、
【式】としては、例えば
で表わされるハライドを反応せしめて、一般式
〔〕 〔式中〔BX〕、Y、R1″、Zは前記に同じ。D
は酸の残基〕で表わされる四級塩とし、次いで公
知の方法を用いて、例えばZがtert−ブトキシカ
ルボニル基である場合には氷冷下で6規定塩酸を
用いてtert−ブチルオキシカルボニル基を除去
し、一般式〔〕の化合物を得ることができる。
この方法により得られる化合物としては例えば
A5MMHHが挙げられる。 次にR1とR2が異なる場合は前記の式〔〕の
化合物に一般式〔〕の化合物を還元的に縮合し
て一般式〔〕 〔式中Yは前記と同じ〕 とし、この化合物に一般式〔〕の化合物を反応
させ一般式〔〕 〔式中Y、R1″、R2、Z、D は前記に同じ〕 で示される四級塩とする。次いで前記の方法で保
護基を除去し一般式〔〕の化合物を得ることが
できる。この方法により得られる化合物としては
例えばA5MMHHが挙げられる。 また一般式〔〕で示されるカルボニル化合物
のうち、3,4−ジ(p−クロロベンジルオキ
シ)ベンズアルデヒド、3,4−ジ(3′,4′−ジ
クロロベンジルオキシ)ベンズアルデヒド、3,
4−(p−メトキシベンジルオキシ)ベンズアル
デヒド、4−(4′−ベンジルオキシベンジルオキ
シ)ベンジルアルデヒド)、4−シクロオクチル
メチルオキシベンズアルデヒドは新規化合物であ
り、以下に述べる方法で製造される。 〔式中R7はp−メトキシベンジル、3,4−ジ
クロロベンジル、p−クロロベンジル、p−ベン
ジルオキシベンジル、シクロオクチルメチルであ
り、Xはハロゲン、nは0又は1である〕 即ち、式〔〕で表わされる化合物と式〔〕
で表わされる化合物をアセトンなどの溶媒中で、
常温ないし溶媒の沸点までの温度で反応させれば
よい。反応終了後、溶媒を留去し、残渣に水及び
クロロホルム、エーテルなどの有機溶媒を加える
とアルデビドは有機層に得られる。必要なら再結
晶又は粗生成物をシリカゲル又は吸着樹脂を用い
たカラムクロマトグラフイーで精製することによ
り純品が得られる。 又、シクロトリデカンカルボアルデヒドは、新
規化合物であり、以下に述べる方法で製造出来
る。即ち、亜鉛末、無水テトラヒドロフラン、ジ
ブロモメタンの混合物に四塩化チタンを加えこれ
にシクロトリデカノンを加え反応させるとメチレ
ンシクロトリデカンが得られる。ついでメタクロ
ロ過安息香酸でエポキシ化し、これを精製する。
これを無水ジクロロメタン中で三弗化硼素エーテ
ルコンプレツクスと反応させるとシクロトリデカ
ンカルボキサアルデヒドが得られる。 〔実施例〕 つぎに、実施例により本発明の製造法を説明す
る。 実施例 1 (A) 3−〔N−メキル−N−(3−アミノプロピ
ル)アミノ〕プロピルアミノブレオマイシン3
塩酸塩(以下BLM APMPと略記する。)の含
銅体0.500g(0.310mmol)を40mlのメタノー
ルに溶解し、3,4−ビス(ベンジルオキシ)
ベンズアルデヒド(以下BBBAと略記する。)
0.296g(0.93mmol)を加え、ついでシアン化
水素ホウ素ナトリウム39ml(0.62mmol)をメ
タノール5mlに溶解して添加する。40℃に昇温
後窒素ガスを20〜25ml/minで反応液中に通気
し、撹拌下48時間反応させる。反応後、室温ま
で冷却し、窒素ガスの通気を止める。 あらかじめメタノールを用いて充填したCM
−トヨパール 650M(東洋ソーダ社製)のカラ
ム(50ml容)に、反応液を注入して目的物を吸
着させる。吸着後150mlのメタノールを流し、
シアン化合物、ホウ素化合物およびBBBAを
除去する。ついで50%(v/v)メタノール水
に段階的に塩化ナトリウムを加えてナトリウム
濃度を0.30モルまで0.05モルづつ上昇させる遂
次的濃度勾配法により溶出を行う。(各濃度で
の溶出液を50mlづつ流す。)300mlの溶出液を流
し、ナトリウム濃度0.20モル前後で溶出する青
色の分画150mlを集める。高速液体クロマトグ
ラフイー定量法によるとこの分画の中には3−
{N−メチル−N−〔3′−(ビス(3″,4″−ビス
(ベンジルオキシ)ベンジル)アミノ)プロピ
ル〕アミノ}プロピルアミノブレオマイシン3
塩酸塩(以下BB−BLMと略記する。)の含銅
体が0.499g(0.225mmol)含まれている。収
率72.6%(BLM APMP含銅体より)。 この分画を、50%(v/v)メタノール水を
用いて充填したダイアイオンHP 20SSZ(三菱
化成社製)カラム(40ml容)に注入し、目的物
を吸着させる。つぎに、0.1%(v/v)酢酸
を含むメタノール水をメタノール濃度を50%よ
り90%まで10%づつ上昇させる逐次的濃度勾配
法により溶出させ精製を行う。(各濃度での溶
出液を60mlづつ流す。)300mlの溶出液を流し、
メタノール濃度80%前後で溶出する高速液体ク
ロマトグラフイー純度99.5%の青色の分画80ml
を集める。この中にはBB−BLMの含銅体
0.449g(0.203mmol)を含んでいる。 精製収率90.2%。 (B) (A)で得られる分画をメタノール濃度が10%
(v/v)になるまで濃縮し、脱銅のため蒸留
水で充填したアンバーライト XAD−2(ロー
ム・アンド・ハース社製)のカラム(50ml容)
に注入し吸着する。樹脂を塩化ナトリウムと5
%のEDTA・2Naからなる水溶液300mlで洗い
2%塩化ナトリウム100ml、蒸留水150mlの順序
で洗浄した後、最後に1/50規定塩酸水溶液−
メタノール(1:4v/v)で溶出し波長290n
m付近に吸収極大に示す分画を集める。ダウエ
ツクス 44(OH型;ザ・ダウ・ケミカル社製)
でPH6.0に調節した後、減圧下で濃縮し、凍結
乾燥したBB−BLMの脱銅体0.415g(0.193m
mol)を無色無定型粉末として得る。通算収率
62.3%(BLM APMP含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペク
トル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保
持値および高速液体クロマトグラフイーの保持
値において標品と一致する。 実施例 2 BLM APMPの含銅体0.500g(0.310mmol)
を40mlのメタノールに溶解し、シクロウンデカン
カルボキサアルデヒド0.11g(0.60mmol)を添
加し、ついでシアン化水素化ホウ素ナトリウム13
mg(0.21mmol)をメタノール5mlに溶解して添
加する。窒素ガスを35〜40ml/minで反応液中に
通気し、室温で撹拌下30時間反応させる。反応
後、実施例1と同様な操作を行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−{N
−メチル−N−〔3′−(シクロウンデカニルメチル
アミノ)プロピル〕アミノ}プロピルアミノブレ
オマイシン3塩酸塩(以下MCU−BLMと略記す
る。)の含銅体0.469g(0.264mmol)を含む分画
を得る。収率85.2%(BLM APMP含銅体より)。
ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
MCU−BLMの含銅体0.449g(0.252mmol)を
含む分画を得る。精製収率95.7%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してMCU−BLMの脱銅体0.411g(0.240mmol)
を無色無定型粉末として得る。通算収率77.4%
(BLM APMP含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 実施例 3 3−{N,N−ジメチル−N−〔3′−(N,N−
ジメチル−N−(3″−アミノプロピルアミノ)プ
ロピル〕アミノ}プロピルアミノブレオマイシン
3塩酸塩2塩化物(以下BLM PP4Mと略記す
る。)の含銅体0.553g(0.310mmol)を40mlのメ
タノールに溶解し、ベンズアルデヒド0.099g
(0.93mmol)を加え、ついでシアン化水素化ホ
ウ素ナトリウム39mg(0.62mmol)をメタノール
5mlに溶解して添加し、実施例2と同様な操作を
行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−
{N,N−ジメチル−N−〔3′−N,N−ジメチル
−N−(3″−(ジベンジルアミノ)プロピル)アミ
ノ)プロピル〕アミノ}プロピルアミノブレオマ
イシン3塩酸塩2塩化物(以下PPDBZ−BLMと
略記する。)の含銅体0.493g(0.251mmol)を含
む分画を得る。収率81.0%(BLM PP4M含銅体
より)。 ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
PPDBZ−BLMの含銅体0.394g(0.201mmol)
を含む分画を得る。精製収率79.9%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してPPDBZ−BLMの脱銅体0.363g(0.191m
mol)を無色無定型粉末として得る。通算収率
61.6%(BLM PP4M含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 実施例 4 実施例3において、BLM PP4Mの代わりに3
−〔4′−(3″−アミノプロピル)ピペラジリ−1−
イル〕プロピルアミノブレオマイシン4塩酸塩
(以下BLM PYと略記する。)の含銅体0.529g
(0.310mmol)、窒素ガスの代わりにヘリウムガ
スを使用し、同様な操作を行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−
{4′−〔3″−(ジベンジルアミノ)プロピル〕ピペ
リジル}プロピルアミノブレオマイシン4塩酸塩
(以下PYDBZ−BLMと略記する。)の含銅体
0.468g(0.248mmol)を含む分画を得る。収率
80.0%(BLM PY含銅体より)。 ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
PYDBZ−BLMの含銅体0.422g(0.244mmol)
を含む分画を得る。精製収率90.2%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してPYDBZ−BLMの脱銅体0.386g(0.212m
mol)を無色無定型粉末として得る。 通算収率68.4%(BLM PY含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 〔発明の効果〕 実施例1〜4の方法により生成する構造不明物
質及び前記一般式〔〕で表わされる化合物の生
成率及び反応液面上のシアン化水素濃度を表1に
示す。なお、不活性気体を通気しない方法による
それぞれの生成率及びシアン化水素濃度を対照例
として示した。
〔〕 〔式中〔BX〕、Y、R1″、Zは前記に同じ。D
は酸の残基〕で表わされる四級塩とし、次いで公
知の方法を用いて、例えばZがtert−ブトキシカ
ルボニル基である場合には氷冷下で6規定塩酸を
用いてtert−ブチルオキシカルボニル基を除去
し、一般式〔〕の化合物を得ることができる。
この方法により得られる化合物としては例えば
A5MMHHが挙げられる。 次にR1とR2が異なる場合は前記の式〔〕の
化合物に一般式〔〕の化合物を還元的に縮合し
て一般式〔〕 〔式中Yは前記と同じ〕 とし、この化合物に一般式〔〕の化合物を反応
させ一般式〔〕 〔式中Y、R1″、R2、Z、D は前記に同じ〕 で示される四級塩とする。次いで前記の方法で保
護基を除去し一般式〔〕の化合物を得ることが
できる。この方法により得られる化合物としては
例えばA5MMHHが挙げられる。 また一般式〔〕で示されるカルボニル化合物
のうち、3,4−ジ(p−クロロベンジルオキ
シ)ベンズアルデヒド、3,4−ジ(3′,4′−ジ
クロロベンジルオキシ)ベンズアルデヒド、3,
4−(p−メトキシベンジルオキシ)ベンズアル
デヒド、4−(4′−ベンジルオキシベンジルオキ
シ)ベンジルアルデヒド)、4−シクロオクチル
メチルオキシベンズアルデヒドは新規化合物であ
り、以下に述べる方法で製造される。 〔式中R7はp−メトキシベンジル、3,4−ジ
クロロベンジル、p−クロロベンジル、p−ベン
ジルオキシベンジル、シクロオクチルメチルであ
り、Xはハロゲン、nは0又は1である〕 即ち、式〔〕で表わされる化合物と式〔〕
で表わされる化合物をアセトンなどの溶媒中で、
常温ないし溶媒の沸点までの温度で反応させれば
よい。反応終了後、溶媒を留去し、残渣に水及び
クロロホルム、エーテルなどの有機溶媒を加える
とアルデビドは有機層に得られる。必要なら再結
晶又は粗生成物をシリカゲル又は吸着樹脂を用い
たカラムクロマトグラフイーで精製することによ
り純品が得られる。 又、シクロトリデカンカルボアルデヒドは、新
規化合物であり、以下に述べる方法で製造出来
る。即ち、亜鉛末、無水テトラヒドロフラン、ジ
ブロモメタンの混合物に四塩化チタンを加えこれ
にシクロトリデカノンを加え反応させるとメチレ
ンシクロトリデカンが得られる。ついでメタクロ
ロ過安息香酸でエポキシ化し、これを精製する。
これを無水ジクロロメタン中で三弗化硼素エーテ
ルコンプレツクスと反応させるとシクロトリデカ
ンカルボキサアルデヒドが得られる。 〔実施例〕 つぎに、実施例により本発明の製造法を説明す
る。 実施例 1 (A) 3−〔N−メキル−N−(3−アミノプロピ
ル)アミノ〕プロピルアミノブレオマイシン3
塩酸塩(以下BLM APMPと略記する。)の含
銅体0.500g(0.310mmol)を40mlのメタノー
ルに溶解し、3,4−ビス(ベンジルオキシ)
ベンズアルデヒド(以下BBBAと略記する。)
0.296g(0.93mmol)を加え、ついでシアン化
水素ホウ素ナトリウム39ml(0.62mmol)をメ
タノール5mlに溶解して添加する。40℃に昇温
後窒素ガスを20〜25ml/minで反応液中に通気
し、撹拌下48時間反応させる。反応後、室温ま
で冷却し、窒素ガスの通気を止める。 あらかじめメタノールを用いて充填したCM
−トヨパール 650M(東洋ソーダ社製)のカラ
ム(50ml容)に、反応液を注入して目的物を吸
着させる。吸着後150mlのメタノールを流し、
シアン化合物、ホウ素化合物およびBBBAを
除去する。ついで50%(v/v)メタノール水
に段階的に塩化ナトリウムを加えてナトリウム
濃度を0.30モルまで0.05モルづつ上昇させる遂
次的濃度勾配法により溶出を行う。(各濃度で
の溶出液を50mlづつ流す。)300mlの溶出液を流
し、ナトリウム濃度0.20モル前後で溶出する青
色の分画150mlを集める。高速液体クロマトグ
ラフイー定量法によるとこの分画の中には3−
{N−メチル−N−〔3′−(ビス(3″,4″−ビス
(ベンジルオキシ)ベンジル)アミノ)プロピ
ル〕アミノ}プロピルアミノブレオマイシン3
塩酸塩(以下BB−BLMと略記する。)の含銅
体が0.499g(0.225mmol)含まれている。収
率72.6%(BLM APMP含銅体より)。 この分画を、50%(v/v)メタノール水を
用いて充填したダイアイオンHP 20SSZ(三菱
化成社製)カラム(40ml容)に注入し、目的物
を吸着させる。つぎに、0.1%(v/v)酢酸
を含むメタノール水をメタノール濃度を50%よ
り90%まで10%づつ上昇させる逐次的濃度勾配
法により溶出させ精製を行う。(各濃度での溶
出液を60mlづつ流す。)300mlの溶出液を流し、
メタノール濃度80%前後で溶出する高速液体ク
ロマトグラフイー純度99.5%の青色の分画80ml
を集める。この中にはBB−BLMの含銅体
0.449g(0.203mmol)を含んでいる。 精製収率90.2%。 (B) (A)で得られる分画をメタノール濃度が10%
(v/v)になるまで濃縮し、脱銅のため蒸留
水で充填したアンバーライト XAD−2(ロー
ム・アンド・ハース社製)のカラム(50ml容)
に注入し吸着する。樹脂を塩化ナトリウムと5
%のEDTA・2Naからなる水溶液300mlで洗い
2%塩化ナトリウム100ml、蒸留水150mlの順序
で洗浄した後、最後に1/50規定塩酸水溶液−
メタノール(1:4v/v)で溶出し波長290n
m付近に吸収極大に示す分画を集める。ダウエ
ツクス 44(OH型;ザ・ダウ・ケミカル社製)
でPH6.0に調節した後、減圧下で濃縮し、凍結
乾燥したBB−BLMの脱銅体0.415g(0.193m
mol)を無色無定型粉末として得る。通算収率
62.3%(BLM APMP含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペク
トル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保
持値および高速液体クロマトグラフイーの保持
値において標品と一致する。 実施例 2 BLM APMPの含銅体0.500g(0.310mmol)
を40mlのメタノールに溶解し、シクロウンデカン
カルボキサアルデヒド0.11g(0.60mmol)を添
加し、ついでシアン化水素化ホウ素ナトリウム13
mg(0.21mmol)をメタノール5mlに溶解して添
加する。窒素ガスを35〜40ml/minで反応液中に
通気し、室温で撹拌下30時間反応させる。反応
後、実施例1と同様な操作を行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−{N
−メチル−N−〔3′−(シクロウンデカニルメチル
アミノ)プロピル〕アミノ}プロピルアミノブレ
オマイシン3塩酸塩(以下MCU−BLMと略記す
る。)の含銅体0.469g(0.264mmol)を含む分画
を得る。収率85.2%(BLM APMP含銅体より)。
ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
MCU−BLMの含銅体0.449g(0.252mmol)を
含む分画を得る。精製収率95.7%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してMCU−BLMの脱銅体0.411g(0.240mmol)
を無色無定型粉末として得る。通算収率77.4%
(BLM APMP含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 実施例 3 3−{N,N−ジメチル−N−〔3′−(N,N−
ジメチル−N−(3″−アミノプロピルアミノ)プ
ロピル〕アミノ}プロピルアミノブレオマイシン
3塩酸塩2塩化物(以下BLM PP4Mと略記す
る。)の含銅体0.553g(0.310mmol)を40mlのメ
タノールに溶解し、ベンズアルデヒド0.099g
(0.93mmol)を加え、ついでシアン化水素化ホ
ウ素ナトリウム39mg(0.62mmol)をメタノール
5mlに溶解して添加し、実施例2と同様な操作を
行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−
{N,N−ジメチル−N−〔3′−N,N−ジメチル
−N−(3″−(ジベンジルアミノ)プロピル)アミ
ノ)プロピル〕アミノ}プロピルアミノブレオマ
イシン3塩酸塩2塩化物(以下PPDBZ−BLMと
略記する。)の含銅体0.493g(0.251mmol)を含
む分画を得る。収率81.0%(BLM PP4M含銅体
より)。 ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
PPDBZ−BLMの含銅体0.394g(0.201mmol)
を含む分画を得る。精製収率79.9%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してPPDBZ−BLMの脱銅体0.363g(0.191m
mol)を無色無定型粉末として得る。通算収率
61.6%(BLM PP4M含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 実施例 4 実施例3において、BLM PP4Mの代わりに3
−〔4′−(3″−アミノプロピル)ピペラジリ−1−
イル〕プロピルアミノブレオマイシン4塩酸塩
(以下BLM PYと略記する。)の含銅体0.529g
(0.310mmol)、窒素ガスの代わりにヘリウムガ
スを使用し、同様な操作を行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−
{4′−〔3″−(ジベンジルアミノ)プロピル〕ピペ
リジル}プロピルアミノブレオマイシン4塩酸塩
(以下PYDBZ−BLMと略記する。)の含銅体
0.468g(0.248mmol)を含む分画を得る。収率
80.0%(BLM PY含銅体より)。 ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
PYDBZ−BLMの含銅体0.422g(0.244mmol)
を含む分画を得る。精製収率90.2%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してPYDBZ−BLMの脱銅体0.386g(0.212m
mol)を無色無定型粉末として得る。 通算収率68.4%(BLM PY含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 〔発明の効果〕 実施例1〜4の方法により生成する構造不明物
質及び前記一般式〔〕で表わされる化合物の生
成率及び反応液面上のシアン化水素濃度を表1に
示す。なお、不活性気体を通気しない方法による
それぞれの生成率及びシアン化水素濃度を対照例
として示した。
【表】
* 反応液の液体クロマトグラフイーによ
る測定値より算出した。
この表から明らかなように対照例では構造不明
物質が約4〜8%生成するのに対し、本発明方法
の実施例では約0.5〜1%程度とその生成が約1/5
〜1/8に大巾に減少し、それに応じ目的物である
一般式〔〕の化合物の収率が約4〜6%程度向
上している。 又、反応液面のシアン化水素濃度も300〜
360ppmから12〜15ppmへと大巾に低下してる。 以上から明らかなように本発明方法によると構
造不明の副反応生成物を従来法に比し約1/5〜1/8
と大巾に減少されることができ、目的物の収率も
向上する。又、シアン化水素濃度が大巾に低下す
るので、作業環境が大巾に改善される。
る測定値より算出した。
この表から明らかなように対照例では構造不明
物質が約4〜8%生成するのに対し、本発明方法
の実施例では約0.5〜1%程度とその生成が約1/5
〜1/8に大巾に減少し、それに応じ目的物である
一般式〔〕の化合物の収率が約4〜6%程度向
上している。 又、反応液面のシアン化水素濃度も300〜
360ppmから12〜15ppmへと大巾に低下してる。 以上から明らかなように本発明方法によると構
造不明の副反応生成物を従来法に比し約1/5〜1/8
と大巾に減少されることができ、目的物の収率も
向上する。又、シアン化水素濃度が大巾に低下す
るので、作業環境が大巾に改善される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔BX〕−NH−(CH2)3−A−Y−NH2 〔式中〔BX〕はブレオマイシン酸のカルボキシ
ル基から水酸基を除いた残基を示し、Aは式
【式】【式】【式】または 【式】で示される基 (ここで、R1は水素原子、低級アルキル基また
はベンジル基、R2は低級アルキル基またはベン
ジル基、Y、Rは低級アルキレン基である。)を
示す。〕で表わされるアミノプロピルアミノブレ
オマイシンと、一般式 R3−CO−R4 〔式中R3、R4はそれぞれ、水素原子、シク
ロアルキル基、シクロアルキル基またはフエニ
ル基で一つ以上置換されていてもよい低級アルキ
ル基(フエニル基はさらにハロゲン原子で置換さ
れていてもよい。)、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、シクロアルキルオキシ
基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環の水素
が置換されていてもよい。)、シアノ基、ハロゲノ
メチル基の一種または二種以上で置換されていて
もよいフエニル基、ナフチル基、チオフエン
基またはフリル基を示す。〕で表わされるカルボ
ニル化合物を溶媒中で、該溶媒中に不活性気体を
通気させながら、シアン化水素化ホウ素化合物に
より、還元的に縮合することを特徴とする一般式 〔BX〕−NH−(CH2)3−A−Y−B 〔式中〔BX〕、YおよびAは前記と同じ。Bは
【式】で示される基(ここでR5、R6はそ れぞれ水素原子またはフエニル基、ナフチル
基、フリル基、チオフエン基、ノルボルネン基、
シクロアルキル基で一つ以上置換されていてもよ
い低級アルキル基(フエニル基はさらにハロゲン
原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シア
ノ基、ハロゲノメチル基、シクロアルキルオキシ
基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環上の水
素が置換されていてもよい)、から選ばれる一種
または二種以上の置換基で置換されていてもよ
い。))を示す。ただし、R5、R6のどちらか少な
くとも一方は水素原子以外の基である。〕で表わ
される、アミノプロピルアミノブレオマイシン誘
導体およびその塩の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22604084A JPS61103900A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | アミノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22604084A JPS61103900A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | アミノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103900A JPS61103900A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0463880B2 true JPH0463880B2 (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=16838832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22604084A Granted JPS61103900A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | アミノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61103900A (ja) |
-
1984
- 1984-10-27 JP JP22604084A patent/JPS61103900A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61103900A (ja) | 1986-05-22 |
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