JPH0463880B2 - - Google Patents

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JPH0463880B2
JPH0463880B2 JP22604084A JP22604084A JPH0463880B2 JP H0463880 B2 JPH0463880 B2 JP H0463880B2 JP 22604084 A JP22604084 A JP 22604084A JP 22604084 A JP22604084 A JP 22604084A JP H0463880 B2 JPH0463880 B2 JP H0463880B2
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hydrogen
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Kazuteru Hagita
Takeyo Fukuoka
Masaya Sato
Tetsuyuki Saino
Tokuji Nakatani
Akio Fujii
Hamao Umezawa
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Nippon Kayaku Co Ltd
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Nippon Kayaku Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は、抗腫瘍作用を有し、制癌剤として期
待されている後記一般式()で表わされるアミ
ノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製
造法に関する。 〔従来の技術〕 後記一般式〔〕で表わされるアミノプロピル
アミノブレオマイシン誘導体の一部は特開昭58−
116497号などにより公知であり、後記一般式
〔〕で表わされるブレオマイシン類と後記一般
式〔〕で示されるカルボニル化合物をシアン化
水素化ホウ素ナトリウムの存在下還元的に縮合を
行う方法により製造されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、上記方法によると、構造不明の副生物
が5〜7%程度生成し、一方この副生物の除去が
比較的困難なため、精製工程が煩雑になり又、反
応中にシアン下水素ガスが発生するため作業環境
を悪化させるという欠点がある。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで本発明者らは副生物の生成が少なく、
又、作業環境を悪化させない下記一般式〔〕 〔BX〕−NH−(CH23−A−Y−B 〔〕 〔式中〔BX〕は次式 で表わされるブレオマイシン酸(含銅体の場合は
キレート銅を省略)のカルボキシル基から水酸基
を除いた残基を示し、Yは低級アルキレン基を示
し、Aは式
【式】 【式】
【式】または
【式】 で示される基(ここで、R1は水素原子、低級ア
ルキル基またはベンジル基、R2は低級アルキル
基またはベンジル基、Rは低級アルキル基であ
る。)を示し、Bは
【式】で示される基 (ここでR5、R6はそれぞれ、水素原子または
フエニル基、ナフチル基、フリル基、チオフエン
基、ノルボルネン基、シクロアルキル基で一つ以
上置換されていてもよい低級アルキル基(フエニ
ル基はさらにハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、シアノ基、ハロゲノメチル基、
シクロアルキル基、ベンジルオキシ基(ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、ベンジルオキシ基でベ
ンゼン環上の水素が置換されていてもよい)から
選ばれる一種または二種以上の置換基で置換され
ていてもよい。))を示す。ただしR5、R6のどち
らか少なくとも一方は水素原子以外の基である。〕
で表わされるアミノプロピルアミノブレオマイシ
ン誘導体の新規製法について種々検討した結果、
一般式〔〕 〔BX〕−NH−(CH23−A−Y−NH2 〔〕 〔式中〔BX〕、YおよびAは前記と同じ。〕で示
されるアミノプロピルブレオマイシン類と、一般
式〔〕 R3−CO−R4 〔〕 〔式中R3、R4はそれぞれ水素原子、シクロ
アルキル基、シクロアルキル基またはフエニル
基で一つ以上置換されていてもよい低級アルキル
基(フエニル基さらにハロゲン原子で置換されて
いてもよい。)、ハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、シクロアルキルオキシ
基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環の水素
が置換されていてもよい。)、シアノ基、ハロゲノ
メチル基の一種または二種以上で置換されていて
もよいフエニル基、ナフチル基、チオフエン
基またはフリル基を示す。〕で表わされるカルボ
ニル化合物を溶媒中で、該溶媒中に不活性気体を
通気させながら、シアン化水素化ホウ素化合物に
より還元的に縮合させると構造不明の副生物の生
成が大巾に押さえられること及び発生するシアン
化水素ガスも除去できることを見い出した。 本発明は上記知見により完成されたものであ
る。 前記一般式〔〕、〔〕、〔〕における低級ア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロプル基、n−ブチル基、イ
ソブチル基等のC1〜C4のアルキル基が、ハロゲ
ンとしては、例えばフツ素、塩素、臭素等が、低
級アルキル基としては、例えばエチレン基、トリ
メチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン
基等のC2〜C6のアルキレン基が、シクロアルキ
ル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基、シクロデカニル基、シクロウンデカニル基等
のC5〜C12のシクロアルキル基が、低級アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基等のC1〜C4のアルコ
キシが、ハロゲノメチル基としては、例えばトリ
フルオロメチル基、トリクロロメチル基等が挙げ
られる。 上記Aにおける
【式】としては例えば
【式】 【式】 【式】
【式】 等が、
【式】としては、例えば
〔式中R1″は低級アルキルを、Xはハロゲン原子を示す。〕
で表わされるハライドを反応せしめて、一般式
〔〕 〔式中〔BX〕、Y、R1″、Zは前記に同じ。D
は酸の残基〕で表わされる四級塩とし、次いで公
知の方法を用いて、例えばZがtert−ブトキシカ
ルボニル基である場合には氷冷下で6規定塩酸を
用いてtert−ブチルオキシカルボニル基を除去
し、一般式〔〕の化合物を得ることができる。
この方法により得られる化合物としては例えば
A5MMHHが挙げられる。 次にR1とR2が異なる場合は前記の式〔〕の
化合物に一般式〔〕の化合物を還元的に縮合し
て一般式〔〕 〔式中Yは前記と同じ〕 とし、この化合物に一般式〔〕の化合物を反応
させ一般式〔〕 〔式中Y、R1″、R2、Z、D は前記に同じ〕 で示される四級塩とする。次いで前記の方法で保
護基を除去し一般式〔〕の化合物を得ることが
できる。この方法により得られる化合物としては
例えばA5MMHHが挙げられる。 また一般式〔〕で示されるカルボニル化合物
のうち、3,4−ジ(p−クロロベンジルオキ
シ)ベンズアルデヒド、3,4−ジ(3′,4′−ジ
クロロベンジルオキシ)ベンズアルデヒド、3,
4−(p−メトキシベンジルオキシ)ベンズアル
デヒド、4−(4′−ベンジルオキシベンジルオキ
シ)ベンジルアルデヒド)、4−シクロオクチル
メチルオキシベンズアルデヒドは新規化合物であ
り、以下に述べる方法で製造される。 〔式中R7はp−メトキシベンジル、3,4−ジ
クロロベンジル、p−クロロベンジル、p−ベン
ジルオキシベンジル、シクロオクチルメチルであ
り、Xはハロゲン、nは0又は1である〕 即ち、式〔〕で表わされる化合物と式〔〕
で表わされる化合物をアセトンなどの溶媒中で、
常温ないし溶媒の沸点までの温度で反応させれば
よい。反応終了後、溶媒を留去し、残渣に水及び
クロロホルム、エーテルなどの有機溶媒を加える
とアルデビドは有機層に得られる。必要なら再結
晶又は粗生成物をシリカゲル又は吸着樹脂を用い
たカラムクロマトグラフイーで精製することによ
り純品が得られる。 又、シクロトリデカンカルボアルデヒドは、新
規化合物であり、以下に述べる方法で製造出来
る。即ち、亜鉛末、無水テトラヒドロフラン、ジ
ブロモメタンの混合物に四塩化チタンを加えこれ
にシクロトリデカノンを加え反応させるとメチレ
ンシクロトリデカンが得られる。ついでメタクロ
ロ過安息香酸でエポキシ化し、これを精製する。
これを無水ジクロロメタン中で三弗化硼素エーテ
ルコンプレツクスと反応させるとシクロトリデカ
ンカルボキサアルデヒドが得られる。 〔実施例〕 つぎに、実施例により本発明の製造法を説明す
る。 実施例 1 (A) 3−〔N−メキル−N−(3−アミノプロピ
ル)アミノ〕プロピルアミノブレオマイシン3
塩酸塩(以下BLM APMPと略記する。)の含
銅体0.500g(0.310mmol)を40mlのメタノー
ルに溶解し、3,4−ビス(ベンジルオキシ)
ベンズアルデヒド(以下BBBAと略記する。)
0.296g(0.93mmol)を加え、ついでシアン化
水素ホウ素ナトリウム39ml(0.62mmol)をメ
タノール5mlに溶解して添加する。40℃に昇温
後窒素ガスを20〜25ml/minで反応液中に通気
し、撹拌下48時間反応させる。反応後、室温ま
で冷却し、窒素ガスの通気を止める。 あらかじめメタノールを用いて充填したCM
−トヨパール 650M(東洋ソーダ社製)のカラ
ム(50ml容)に、反応液を注入して目的物を吸
着させる。吸着後150mlのメタノールを流し、
シアン化合物、ホウ素化合物およびBBBAを
除去する。ついで50%(v/v)メタノール水
に段階的に塩化ナトリウムを加えてナトリウム
濃度を0.30モルまで0.05モルづつ上昇させる遂
次的濃度勾配法により溶出を行う。(各濃度で
の溶出液を50mlづつ流す。)300mlの溶出液を流
し、ナトリウム濃度0.20モル前後で溶出する青
色の分画150mlを集める。高速液体クロマトグ
ラフイー定量法によるとこの分画の中には3−
{N−メチル−N−〔3′−(ビス(3″,4″−ビス
(ベンジルオキシ)ベンジル)アミノ)プロピ
ル〕アミノ}プロピルアミノブレオマイシン3
塩酸塩(以下BB−BLMと略記する。)の含銅
体が0.499g(0.225mmol)含まれている。収
率72.6%(BLM APMP含銅体より)。 この分画を、50%(v/v)メタノール水を
用いて充填したダイアイオンHP 20SSZ(三菱
化成社製)カラム(40ml容)に注入し、目的物
を吸着させる。つぎに、0.1%(v/v)酢酸
を含むメタノール水をメタノール濃度を50%よ
り90%まで10%づつ上昇させる逐次的濃度勾配
法により溶出させ精製を行う。(各濃度での溶
出液を60mlづつ流す。)300mlの溶出液を流し、
メタノール濃度80%前後で溶出する高速液体ク
ロマトグラフイー純度99.5%の青色の分画80ml
を集める。この中にはBB−BLMの含銅体
0.449g(0.203mmol)を含んでいる。 精製収率90.2%。 (B) (A)で得られる分画をメタノール濃度が10%
(v/v)になるまで濃縮し、脱銅のため蒸留
水で充填したアンバーライト XAD−2(ロー
ム・アンド・ハース社製)のカラム(50ml容)
に注入し吸着する。樹脂を塩化ナトリウムと5
%のEDTA・2Naからなる水溶液300mlで洗い
2%塩化ナトリウム100ml、蒸留水150mlの順序
で洗浄した後、最後に1/50規定塩酸水溶液−
メタノール(1:4v/v)で溶出し波長290n
m付近に吸収極大に示す分画を集める。ダウエ
ツクス 44(OH型;ザ・ダウ・ケミカル社製)
でPH6.0に調節した後、減圧下で濃縮し、凍結
乾燥したBB−BLMの脱銅体0.415g(0.193m
mol)を無色無定型粉末として得る。通算収率
62.3%(BLM APMP含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペク
トル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保
持値および高速液体クロマトグラフイーの保持
値において標品と一致する。 実施例 2 BLM APMPの含銅体0.500g(0.310mmol)
を40mlのメタノールに溶解し、シクロウンデカン
カルボキサアルデヒド0.11g(0.60mmol)を添
加し、ついでシアン化水素化ホウ素ナトリウム13
mg(0.21mmol)をメタノール5mlに溶解して添
加する。窒素ガスを35〜40ml/minで反応液中に
通気し、室温で撹拌下30時間反応させる。反応
後、実施例1と同様な操作を行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−{N
−メチル−N−〔3′−(シクロウンデカニルメチル
アミノ)プロピル〕アミノ}プロピルアミノブレ
オマイシン3塩酸塩(以下MCU−BLMと略記す
る。)の含銅体0.469g(0.264mmol)を含む分画
を得る。収率85.2%(BLM APMP含銅体より)。
ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
MCU−BLMの含銅体0.449g(0.252mmol)を
含む分画を得る。精製収率95.7%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してMCU−BLMの脱銅体0.411g(0.240mmol)
を無色無定型粉末として得る。通算収率77.4%
(BLM APMP含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 実施例 3 3−{N,N−ジメチル−N−〔3′−(N,N−
ジメチル−N−(3″−アミノプロピルアミノ)プ
ロピル〕アミノ}プロピルアミノブレオマイシン
3塩酸塩2塩化物(以下BLM PP4Mと略記す
る。)の含銅体0.553g(0.310mmol)を40mlのメ
タノールに溶解し、ベンズアルデヒド0.099g
(0.93mmol)を加え、ついでシアン化水素化ホ
ウ素ナトリウム39mg(0.62mmol)をメタノール
5mlに溶解して添加し、実施例2と同様な操作を
行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−
{N,N−ジメチル−N−〔3′−N,N−ジメチル
−N−(3″−(ジベンジルアミノ)プロピル)アミ
ノ)プロピル〕アミノ}プロピルアミノブレオマ
イシン3塩酸塩2塩化物(以下PPDBZ−BLMと
略記する。)の含銅体0.493g(0.251mmol)を含
む分画を得る。収率81.0%(BLM PP4M含銅体
より)。 ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
PPDBZ−BLMの含銅体0.394g(0.201mmol)
を含む分画を得る。精製収率79.9%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してPPDBZ−BLMの脱銅体0.363g(0.191m
mol)を無色無定型粉末として得る。通算収率
61.6%(BLM PP4M含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 実施例 4 実施例3において、BLM PP4Mの代わりに3
−〔4′−(3″−アミノプロピル)ピペラジリ−1−
イル〕プロピルアミノブレオマイシン4塩酸塩
(以下BLM PYと略記する。)の含銅体0.529g
(0.310mmol)、窒素ガスの代わりにヘリウムガ
スを使用し、同様な操作を行う。 CM−トヨパール 650M処理により、3−
{4′−〔3″−(ジベンジルアミノ)プロピル〕ピペ
リジル}プロピルアミノブレオマイシン4塩酸塩
(以下PYDBZ−BLMと略記する。)の含銅体
0.468g(0.248mmol)を含む分画を得る。収率
80.0%(BLM PY含銅体より)。 ついでダイアイオンHP 20SS精製により、
PYDBZ−BLMの含銅体0.422g(0.244mmol)
を含む分画を得る。精製収率90.2%。 この分画を脱銅し、減圧下で濃縮後、凍結乾燥
してPYDBZ−BLMの脱銅体0.386g(0.212m
mol)を無色無定型粉末として得る。 通算収率68.4%(BLM PY含銅体より)。 本品は紫外吸収スペクトル、赤外吸収スペクト
ル、含銅体での薄層クロマトグラフイーの保持値
および高速液体クロマトグラフイーの保持値にお
いて標品と一致する。 〔発明の効果〕 実施例1〜4の方法により生成する構造不明物
質及び前記一般式〔〕で表わされる化合物の生
成率及び反応液面上のシアン化水素濃度を表1に
示す。なお、不活性気体を通気しない方法による
それぞれの生成率及びシアン化水素濃度を対照例
として示した。
【表】 * 反応液の液体クロマトグラフイーによ
る測定値より算出した。
この表から明らかなように対照例では構造不明
物質が約4〜8%生成するのに対し、本発明方法
の実施例では約0.5〜1%程度とその生成が約1/5
〜1/8に大巾に減少し、それに応じ目的物である
一般式〔〕の化合物の収率が約4〜6%程度向
上している。 又、反応液面のシアン化水素濃度も300〜
360ppmから12〜15ppmへと大巾に低下してる。 以上から明らかなように本発明方法によると構
造不明の副反応生成物を従来法に比し約1/5〜1/8
と大巾に減少されることができ、目的物の収率も
向上する。又、シアン化水素濃度が大巾に低下す
るので、作業環境が大巾に改善される。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔BX〕−NH−(CH23−A−Y−NH2 〔式中〔BX〕はブレオマイシン酸のカルボキシ
    ル基から水酸基を除いた残基を示し、Aは式
    【式】【式】【式】または 【式】で示される基 (ここで、R1は水素原子、低級アルキル基また
    はベンジル基、R2は低級アルキル基またはベン
    ジル基、Y、Rは低級アルキレン基である。)を
    示す。〕で表わされるアミノプロピルアミノブレ
    オマイシンと、一般式 R3−CO−R4 〔式中R3、R4はそれぞれ、水素原子、シク
    ロアルキル基、シクロアルキル基またはフエニ
    ル基で一つ以上置換されていてもよい低級アルキ
    ル基(フエニル基はさらにハロゲン原子で置換さ
    れていてもよい。)、ハロゲン原子、低級アルキ
    ル基、低級アルコキシ基、シクロアルキルオキシ
    基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
    コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環の水素
    が置換されていてもよい。)、シアノ基、ハロゲノ
    メチル基の一種または二種以上で置換されていて
    もよいフエニル基、ナフチル基、チオフエン
    基またはフリル基を示す。〕で表わされるカルボ
    ニル化合物を溶媒中で、該溶媒中に不活性気体を
    通気させながら、シアン化水素化ホウ素化合物に
    より、還元的に縮合することを特徴とする一般式 〔BX〕−NH−(CH23−A−Y−B 〔式中〔BX〕、YおよびAは前記と同じ。Bは
    【式】で示される基(ここでR5、R6はそ れぞれ水素原子またはフエニル基、ナフチル
    基、フリル基、チオフエン基、ノルボルネン基、
    シクロアルキル基で一つ以上置換されていてもよ
    い低級アルキル基(フエニル基はさらにハロゲン
    原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シア
    ノ基、ハロゲノメチル基、シクロアルキルオキシ
    基、ベンジルオキシ基(ハロゲン原子、低級アル
    コキシ基、ベンジルオキシ基でベンゼン環上の水
    素が置換されていてもよい)、から選ばれる一種
    または二種以上の置換基で置換されていてもよ
    い。))を示す。ただし、R5、R6のどちらか少な
    くとも一方は水素原子以外の基である。〕で表わ
    される、アミノプロピルアミノブレオマイシン誘
    導体およびその塩の製造法。
JP22604084A 1984-10-27 1984-10-27 アミノプロピルアミノブレオマイシン誘導体の新規製造法 Granted JPS61103900A (ja)

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