JPH0464173B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0464173B2 JPH0464173B2 JP58156654A JP15665483A JPH0464173B2 JP H0464173 B2 JPH0464173 B2 JP H0464173B2 JP 58156654 A JP58156654 A JP 58156654A JP 15665483 A JP15665483 A JP 15665483A JP H0464173 B2 JPH0464173 B2 JP H0464173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oil
- wafer
- reaction chamber
- entrance window
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光CVD（Chemical Vapour
Deposition）装置に関し、反応室内のウエハの下
方に光の入射窓を配置し、入射窓全面を覆うよう
にオイルの層を作ることにより、入射窓への反応
生成物の堆積を防ぐようにしたものに関するもの
である。
Deposition）装置に関し、反応室内のウエハの下
方に光の入射窓を配置し、入射窓全面を覆うよう
にオイルの層を作ることにより、入射窓への反応
生成物の堆積を防ぐようにしたものに関するもの
である。
〔従来技術〕
従来の光CVD装置として第１図に示すものが
あつた。図において、１は水銀ランプ等の光源、
２は光の入射窓、３は反応室、４は不活性ガスの
導入口、５は反応ガスの導入口、７はウエハ、８
はウエハ７を加熱するためのホツトプレートであ
る。
あつた。図において、１は水銀ランプ等の光源、
２は光の入射窓、３は反応室、４は不活性ガスの
導入口、５は反応ガスの導入口、７はウエハ、８
はウエハ７を加熱するためのホツトプレートであ
る。
次に動作について説明する。反応室３に反応ガ
ス導入口５より反応ガスを導入してウエハ７面上
に反応ガスを流し、排気口６から排気しながら、
反応室３内のガス圧力を所定の圧力に保つ。その
後、光源１より光をウエハ７面上に照射すると、
反応ガスの種類に応じた膜が堆積される。この
時、入射窓２表面にも膜が堆積し、ウエハ７表面
への照射量は減少してくる。これを防ぐため、入
射窓２表面に沿つて、アルゴンガス等の不活性ガ
スを不活性ガス導入口４から導入する。また不活
性ガスの代わりに、反応性が弱く蒸気圧の低いオ
イルを入射窓２に塗布することにより、入射窓２
のくもりを防止することも可能である。
ス導入口５より反応ガスを導入してウエハ７面上
に反応ガスを流し、排気口６から排気しながら、
反応室３内のガス圧力を所定の圧力に保つ。その
後、光源１より光をウエハ７面上に照射すると、
反応ガスの種類に応じた膜が堆積される。この
時、入射窓２表面にも膜が堆積し、ウエハ７表面
への照射量は減少してくる。これを防ぐため、入
射窓２表面に沿つて、アルゴンガス等の不活性ガ
スを不活性ガス導入口４から導入する。また不活
性ガスの代わりに、反応性が弱く蒸気圧の低いオ
イルを入射窓２に塗布することにより、入射窓２
のくもりを防止することも可能である。
従来の光CVD装置は以上のように構成されて
いるので、光の入射窓への膜の堆積を防ぐため
に、大量の不活性ガスを必要とし、製造コストの
面において問題があつた。また、反応性が弱く、
蒸気圧の低いオイルを入射窓に塗布する場合も、
反応生成物がオイル内に混入しオイルが劣化する
ため再塗布が必要であり、またオイルがウエハ面
上に付着する等の欠点があつた。
いるので、光の入射窓への膜の堆積を防ぐため
に、大量の不活性ガスを必要とし、製造コストの
面において問題があつた。また、反応性が弱く、
蒸気圧の低いオイルを入射窓に塗布する場合も、
反応生成物がオイル内に混入しオイルが劣化する
ため再塗布が必要であり、またオイルがウエハ面
上に付着する等の欠点があつた。
この発明は、上記従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、反応室のウエハの下方に
設けられた入射窓の全面をおおうようにオイルの
層を形成し、該オイルをフイルタを介して循環さ
せることにより、不活性ガスを用いる必要がな
く、オイルがウエハ上に落ちることもなく、オイ
ルの再塗布の必要なしに入射窓への反応生成物の
堆積を防ぎ、成膜速度が低下することのない光
CVD装置を提供することを目的としている。
ためになされたもので、反応室のウエハの下方に
設けられた入射窓の全面をおおうようにオイルの
層を形成し、該オイルをフイルタを介して循環さ
せることにより、不活性ガスを用いる必要がな
く、オイルがウエハ上に落ちることもなく、オイ
ルの再塗布の必要なしに入射窓への反応生成物の
堆積を防ぎ、成膜速度が低下することのない光
CVD装置を提供することを目的としている。
以下この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例による光CVD装置
の基本的構成を示すものである。同図において、
２１はウエハ２２の温度を調整するためのホツト
プレート、２３は反応ガスが導入される反応室、
２４は反応ガスの導入口、２５は排気口、２６は
反応性が低く蒸気圧の低いオイル、２７は光の入
射窓、２８は水銀ランプ等の光源、２９はオイル
２６を循環させるための配管、１０はオイル２６
を循環させるためのポンプ、１１はオイル２６の
フイルタであり、上記配管２９とポンプ１０とに
よりオイル２６をフイルタ１１を介して循環させ
るオイル循環手段を構成している。
の基本的構成を示すものである。同図において、
２１はウエハ２２の温度を調整するためのホツト
プレート、２３は反応ガスが導入される反応室、
２４は反応ガスの導入口、２５は排気口、２６は
反応性が低く蒸気圧の低いオイル、２７は光の入
射窓、２８は水銀ランプ等の光源、２９はオイル
２６を循環させるための配管、１０はオイル２６
を循環させるためのポンプ、１１はオイル２６の
フイルタであり、上記配管２９とポンプ１０とに
よりオイル２６をフイルタ１１を介して循環させ
るオイル循環手段を構成している。
次に動作について説明する。光源２８より放射
される光は入射窓２７を通して、ウエハ２２上に
照射される。反応室２３にガス導入口２４より反
応ガスを導入して、ウエハ２２面上に反応ガスを
満たし、排気口２５より排気しながら、反応室２
３内のガス圧力を所定の圧力に保つ。その後、光
源２８より入射窓２７を通してウエハ２２面上に
光を照射すると光化学反応によりウエハ２２面上
に反応ガスの種類に応じた膜が堆積される。光源
として水銀ランプ２８を用いた場合、反応ガスと
してSiH4を用いれば、アモルフアスシリコン膜
が、また、SiH4とO2を用いれば酸化膜が、さら
にSiH4とNH3を用いれば窒化膜がそれぞれ堆積
できる。この場合、、膜は光の入射窓２７にも堆
積するため、入射光は徐々に弱くなつてくる。こ
れを防ぐため、入射窓２７を反応室２３のウエハ
２２の下方、即ちこの場合その底面に設け、反応
性が弱く蒸気圧の低いオイル２６の層を入射窓２
７全面をおおうように作るようにする。また、オ
イル２６は反応生成物により劣化してくるためポ
ンプ１０によりフイルタ１１を通して循環させ
る。
される光は入射窓２７を通して、ウエハ２２上に
照射される。反応室２３にガス導入口２４より反
応ガスを導入して、ウエハ２２面上に反応ガスを
満たし、排気口２５より排気しながら、反応室２
３内のガス圧力を所定の圧力に保つ。その後、光
源２８より入射窓２７を通してウエハ２２面上に
光を照射すると光化学反応によりウエハ２２面上
に反応ガスの種類に応じた膜が堆積される。光源
として水銀ランプ２８を用いた場合、反応ガスと
してSiH4を用いれば、アモルフアスシリコン膜
が、また、SiH4とO2を用いれば酸化膜が、さら
にSiH4とNH3を用いれば窒化膜がそれぞれ堆積
できる。この場合、、膜は光の入射窓２７にも堆
積するため、入射光は徐々に弱くなつてくる。こ
れを防ぐため、入射窓２７を反応室２３のウエハ
２２の下方、即ちこの場合その底面に設け、反応
性が弱く蒸気圧の低いオイル２６の層を入射窓２
７全面をおおうように作るようにする。また、オ
イル２６は反応生成物により劣化してくるためポ
ンプ１０によりフイルタ１１を通して循環させ
る。
なお上記実施例では入射窓を反応室底面に設け
た場合については説明したが、入射窓はその全面
をおおうようにオイルの層が形成できるウエハの
下方であれば反応室の側面に設けてもよく、また
ウエハと入射窓とが反応室の対向する側面に配置
されるように装置を構成してもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
た場合については説明したが、入射窓はその全面
をおおうようにオイルの層が形成できるウエハの
下方であれば反応室の側面に設けてもよく、また
ウエハと入射窓とが反応室の対向する側面に配置
されるように装置を構成してもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、反応室のウ
エハの下方に設けられた入射窓全面をおおうよう
に、オイルの層を形成し、該オイルをフイルタを
介して循環させるようにしたので、不活性ガスを
用いる必要がなく、オイルがウエハ上に落ちるこ
ともなく、オイルの再塗布の必要なしに入射窓へ
の反応生成物の堆積を防ぎ、成膜速度が低下する
ことのない光CVD装置を提供できる効果がある。
エハの下方に設けられた入射窓全面をおおうよう
に、オイルの層を形成し、該オイルをフイルタを
介して循環させるようにしたので、不活性ガスを
用いる必要がなく、オイルがウエハ上に落ちるこ
ともなく、オイルの再塗布の必要なしに入射窓へ
の反応生成物の堆積を防ぎ、成膜速度が低下する
ことのない光CVD装置を提供できる効果がある。
第１図は従来の光CVD装置の基本構成図、第
２図はこの発明の一実施例による光CVD装置の
基本構成図である。 ２１……ホツトプレート、２２……ウエハ、２
３……反応室、２４……反応ガス導入口、２５…
…排気口、２６……オイル、２７……入射窓、２
８……光源、２９……オイル循環用配管、１０…
…ポンプ、１１……フイルタ。
２図はこの発明の一実施例による光CVD装置の
基本構成図である。 ２１……ホツトプレート、２２……ウエハ、２
３……反応室、２４……反応ガス導入口、２５…
…排気口、２６……オイル、２７……入射窓、２
８……光源、２９……オイル循環用配管、１０…
…ポンプ、１１……フイルタ。
Claims (1)
- １ 光を利用した化学気相反応によりウエハに成
膜を行なう光CVD装置であつて、内部に光化学
反応を生じるガスが充満されている反応室と、そ
の透過光が該反応室内のウエハに入射するよう該
反応室の一面に設けられた入射窓と、上記反応室
内に上記入射窓の全面をおおうように形成された
反応性が弱く蒸気圧の低いオイルからなるオイル
層と、該オイル層のオイルをフイルタを介して循
環させるオイル循環手段とを備えたことを特徴と
する光CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156654A JPS6047416A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156654A JPS6047416A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047416A JPS6047416A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0464173B2 true JPH0464173B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=15632374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156654A Granted JPS6047416A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047416A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495860U (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-19 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP58156654A patent/JPS6047416A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047416A (ja) | 1985-03-14 |
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