JPS6377111A - 光照射気相成長装置 - Google Patents
光照射気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6377111A JPS6377111A JP61223047A JP22304786A JPS6377111A JP S6377111 A JPS6377111 A JP S6377111A JP 61223047 A JP61223047 A JP 61223047A JP 22304786 A JP22304786 A JP 22304786A JP S6377111 A JPS6377111 A JP S6377111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- gas
- growth apparatus
- reaction
- transmission window
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は有機金属化合物を原料材料の一つとする化合物
半導体の光照射気相成長装置に関する。
半導体の光照射気相成長装置に関する。
従来の技術
最近、半導体装置を製造する際にレーザ光や紫外線の光
エネルギーを用いる光照射気相成長法を利用して被膜形
成することが行われている。第３図は従来の化合物半導
体の光照射気相成長装置の構成図である。
エネルギーを用いる光照射気相成長法を利用して被膜形
成することが行われている。第３図は従来の化合物半導
体の光照射気相成長装置の構成図である。
図において、１は反応室、２は基板結晶、３は基板加熱
ヒータ、４はガス導入口、６はガス排気口、６は光透過
窓、７はレーザ光を示している。
ヒータ、４はガス導入口、６はガス排気口、６は光透過
窓、７はレーザ光を示している。
反応ガスはガス導入口４よシ反応室１内に入り、基板結
晶２゛近傍に到達する。ここで反応ガスはレーザ光を透
過する材料でつくられた光透過窓６を通して照射された
レーザ光７によって励起・分解され、被膜生成が行われ
る。レーザ光７は反応ガスの分解促進のみを行うことも
できるが、ここでは基板結晶２の選択的加熱あるいは反
応ガスの選択的分解を行う様な装置構成である。基板加
熱ヒータ３は補助的な加熱手段である。
晶２゛近傍に到達する。ここで反応ガスはレーザ光を透
過する材料でつくられた光透過窓６を通して照射された
レーザ光７によって励起・分解され、被膜生成が行われ
る。レーザ光７は反応ガスの分解促進のみを行うことも
できるが、ここでは基板結晶２の選択的加熱あるいは反
応ガスの選択的分解を行う様な装置構成である。基板加
熱ヒータ３は補助的な加熱手段である。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の装置においては、被膜生成時に反応に
よって生成した反応生成物が反応室１内壁のみならず、
光透過窓に付着し、レーザ光の透過率を低下させる。そ
のため、反応速度が遅くなって成長毎の被膜厚の再現性
が損われる問題がある。
よって生成した反応生成物が反応室１内壁のみならず、
光透過窓に付着し、レーザ光の透過率を低下させる。そ
のため、反応速度が遅くなって成長毎の被膜厚の再現性
が損われる問題がある。
本発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、成
長毎に光透過窓への反応生成物の付着を防止し、被膜厚
の再現性と装置の作業効率を向上させる光照射気相成長
装置を提供することを目的とする。
長毎に光透過窓への反応生成物の付着を防止し、被膜厚
の再現性と装置の作業効率を向上させる光照射気相成長
装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、光ビームに平行に
光透過窓内面よシ水素や窒素などの不活性ガスを導入す
る手段を備えたことを特徴とするものである。
光透過窓内面よシ水素や窒素などの不活性ガスを導入す
る手段を備えたことを特徴とするものである。
作 用
この技術的手段による作用は次の様になる。すなわち、
被膜生成時に光透過窓内面よシ光ビームに平行に不活性
ガスを導入することにより、基板結晶近傍で発生した反
応生成物が光透過窓に付着するのを防止でき、成長毎の
光透過率は一定にできる。さらに、反応室を成長毎に大
気にさらし、光透過窓を清浄化する等の作業がなくなる
。以上の結果、成長毎の被膜厚および結晶性の再現性と
装置の作業効率が飛躍的に向上する。
被膜生成時に光透過窓内面よシ光ビームに平行に不活性
ガスを導入することにより、基板結晶近傍で発生した反
応生成物が光透過窓に付着するのを防止でき、成長毎の
光透過率は一定にできる。さらに、反応室を成長毎に大
気にさらし、光透過窓を清浄化する等の作業がなくなる
。以上の結果、成長毎の被膜厚および結晶性の再現性と
装置の作業効率が飛躍的に向上する。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の一実施例の構成を示す化合物半導体の光照
射気相成長装置構成図であシ、第３図と同一部分には同
一番号を付す。
図は本発明の一実施例の構成を示す化合物半導体の光照
射気相成長装置構成図であシ、第３図と同一部分には同
一番号を付す。
ＧａＡｓの被膜生成を例にとると、ガス導入口４より■
族元素の輸送材料、トリエチルガリウム（Ｔ Ｅ Ｇ
） ： １００ Ｃ，Ｃ７ｍｍと■族元素の輸送材料、
７／ｌ／ シフ （ＡｓＨ３） ： ｅｓ ｏ ｃｃ／
Ｉｎ１ｙｔを反応室１内に導入する。反応管１内には基
板加熱ヒータ３により４００℃に補助加熱された基板結
晶２（ここではＧ ａ Ａ ｓ基板を使用する。）が設
置されている。基板結晶２上部には光透過窓θを通して
レーザ光７が照射されている。レーザ光の波長としては
輸送材料の吸収のピークに一致していることが望ましく
、ここではＫｒＦ エキシマレーザを用いている。基
板結晶２近傍に到達した輸送材料はレーザ光７によって
励起・分解され、基板結晶２上に被膜の生成が行われる
。この際、通常被膜生成に寄与しなかったＧ ａ Ａ
ｓの多結晶やヒ素（Ａｓ ）などの反応生成物は、ガス
排気口５より排気されるが一部反応室１内壁や光透過窓
に付着する。しかし、本発明の構成では、光透過窓６と
反応管１の間にガス流のガイド管９を設け、不活性ガス
導入口８より水素ガスを導入することにより光透過窓６
内面よりレーザ光７に平行に水素ガスが流れるようにな
っているため、光透過窓６への反応生成物の付着は大幅
に減少できる。この水素ガスの流量は反応ガスの流れを
みださない程度とするのが望ましい。
族元素の輸送材料、トリエチルガリウム（Ｔ Ｅ Ｇ
） ： １００ Ｃ，Ｃ７ｍｍと■族元素の輸送材料、
７／ｌ／ シフ （ＡｓＨ３） ： ｅｓ ｏ ｃｃ／
Ｉｎ１ｙｔを反応室１内に導入する。反応管１内には基
板加熱ヒータ３により４００℃に補助加熱された基板結
晶２（ここではＧ ａ Ａ ｓ基板を使用する。）が設
置されている。基板結晶２上部には光透過窓θを通して
レーザ光７が照射されている。レーザ光の波長としては
輸送材料の吸収のピークに一致していることが望ましく
、ここではＫｒＦ エキシマレーザを用いている。基
板結晶２近傍に到達した輸送材料はレーザ光７によって
励起・分解され、基板結晶２上に被膜の生成が行われる
。この際、通常被膜生成に寄与しなかったＧ ａ Ａ
ｓの多結晶やヒ素（Ａｓ ）などの反応生成物は、ガス
排気口５より排気されるが一部反応室１内壁や光透過窓
に付着する。しかし、本発明の構成では、光透過窓６と
反応管１の間にガス流のガイド管９を設け、不活性ガス
導入口８より水素ガスを導入することにより光透過窓６
内面よりレーザ光７に平行に水素ガスが流れるようにな
っているため、光透過窓６への反応生成物の付着は大幅
に減少できる。この水素ガスの流量は反応ガスの流れを
みださない程度とするのが望ましい。
ここでは、不活性ガスとして水素ガスを用いたが、窒素
ガスやアルゴンガスでもよい。また第２図に示すように
、レーザ光の入射方向を反応ガスの導入方向と同じとし
、反応ガスが基板結晶に到達する前に励起・分解される
様にしてもよく、この場合には反応ガスの流れをみだす
ことはない。
ガスやアルゴンガスでもよい。また第２図に示すように
、レーザ光の入射方向を反応ガスの導入方向と同じとし
、反応ガスが基板結晶に到達する前に励起・分解される
様にしてもよく、この場合には反応ガスの流れをみだす
ことはない。
発明の効果
以上の説明より明らかな様に本発明の化合物半導体の光
照射気相成長装置によれば、光透過窓内面よシ光ビーム
に平行に不活性ガスを導入する手段を設けることにより
、被膜生成中に光透過窓に光の透過を妨げる反応生成物
の付着を防止できるため、被膜厚の再現性と装置の作業
効率が飛躍的に向上し、実用上極めて有用である。
照射気相成長装置によれば、光透過窓内面よシ光ビーム
に平行に不活性ガスを導入する手段を設けることにより
、被膜生成中に光透過窓に光の透過を妨げる反応生成物
の付着を防止できるため、被膜厚の再現性と装置の作業
効率が飛躍的に向上し、実用上極めて有用である。
第１図および第２図は本発明の光応用気相成長装置の一
実施例を示す概略構成図、第３図は従来の光応用気相成
長装置を示す概略構成図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・基板結晶、３・
・・・・・基板加熱ヒータ、４・・・・・・ガス導入口
、６・・・・・・ガス排気口、６・・・・・・光透過窓
、了・・・・・・レーザ光、８・・・・・・不活性ガス
導入口、９・・・・・・ガイド管。
実施例を示す概略構成図、第３図は従来の光応用気相成
長装置を示す概略構成図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・基板結晶、３・
・・・・・基板加熱ヒータ、４・・・・・・ガス導入口
、６・・・・・・ガス排気口、６・・・・・・光透過窓
、了・・・・・・レーザ光、８・・・・・・不活性ガス
導入口、９・・・・・・ガイド管。
Claims (1)
- 基板を収納し、かつこの基板上に気相成長膜を形成せし
めるための原料ガスの導入部と反応ガスを排気するため
のガス排気部と化学反応を誘起する光ビームの透過窓と
を有し、上記光ビームに平行に上記透過窓内面より不活
性ガスを導入する手段を有してなる光照射気相成長装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223047A JPS6377111A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光照射気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223047A JPS6377111A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光照射気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377111A true JPS6377111A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16792005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223047A Pending JPS6377111A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光照射気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6377111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107393816A (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 低温外延方法及设备 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61223047A patent/JPS6377111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107393816A (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 低温外延方法及设备 |
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