JPH0464201A - セラミツク抵抗体 - Google Patents
セラミツク抵抗体Info
- Publication number
- JPH0464201A JPH0464201A JP2175221A JP17522190A JPH0464201A JP H0464201 A JPH0464201 A JP H0464201A JP 2175221 A JP2175221 A JP 2175221A JP 17522190 A JP17522190 A JP 17522190A JP H0464201 A JPH0464201 A JP H0464201A
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- Japan
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- resistor
- resistance
- resistivity
- oxide
- zinc oxide
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は遮断器、変圧器等電力機器に好適なセラミック
抵抗体に関する６ 〔従来の技術〕 従来、電力用直線抵抗体には炭素系及び酸化亜鉛系セラ
ミック抵抗体が用いられてきた。
抵抗体に関する６ 〔従来の技術〕 従来、電力用直線抵抗体には炭素系及び酸化亜鉛系セラ
ミック抵抗体が用いられてきた。
炭素系抵抗体は酸化アルミニウム結晶中で炭素粉を分散
させたもので、数百Ω１の抵抗率を持ち。
させたもので、数百Ω１の抵抗率を持ち。
遮断器、変圧器等に適用されている。しかし、この抵抗
体は緻密性が劣り、放電サージ吸収時に炭素粉間で放電
を起こすために耐量が小さい欠点がある。
体は緻密性が劣り、放電サージ吸収時に炭素粉間で放電
を起こすために耐量が小さい欠点がある。
一方、酸化豆粉系抵抗体、特に、酸化アルミニウムと酸
化マグネシウムとを含む抵抗体は特願昭６２−６５６１
１号明細書に記載したように抵抗率１０−１０００Ωｌ
、放電サージ耐量１０００Ｊ／ａ＋ｆ以上で正の抵抗温
度係数をもち、特性は良好である。この抵抗体は通常の
セラミック焼成技術、即ち、酸化亜鈴その他の原料粉を
混合機造粒し、成形、焼成、電極相の各工程を経て作製
される。抵抗値のばらつきは±１０〜２０％で、変圧器
用抵抗体の場合±１５％以内が要求される。
化マグネシウムとを含む抵抗体は特願昭６２−６５６１
１号明細書に記載したように抵抗率１０−１０００Ωｌ
、放電サージ耐量１０００Ｊ／ａ＋ｆ以上で正の抵抗温
度係数をもち、特性は良好である。この抵抗体は通常の
セラミック焼成技術、即ち、酸化亜鈴その他の原料粉を
混合機造粒し、成形、焼成、電極相の各工程を経て作製
される。抵抗値のばらつきは±１０〜２０％で、変圧器
用抵抗体の場合±１５％以内が要求される。
上記酸化亜鉛系抵抗体に関する従来技術は焼成工程が難
かしく、抵抗値がばらつく問題があった。
かしく、抵抗値がばらつく問題があった。
本発明の目的は焼成工程を改善することにあり。
さらに、抵抗値のそろった酸化亜鉛−酸化アルミニウム
ー酸化マグネシウム系抵抗体を提供することにある。
ー酸化マグネシウム系抵抗体を提供することにある。
上記目的は酸化亜鉛−酸化アルミニウムー酸化マグネシ
ウム抵抗体にフリットガラスを添加することにより達成
される。
ウム抵抗体にフリットガラスを添加することにより達成
される。
また、目標抵抗率を得るために９００〜１３００℃間の
温度で焼成したものである。
温度で焼成したものである。
本発明者等は酸化亜鉛系抵抗体にほう珪酸系ガラスを少
量添加すると焼成温度が低下し、多数焼成した場合の抵
抗値のばらつきが低減することを見出した。
量添加すると焼成温度が低下し、多数焼成した場合の抵
抗値のばらつきが低減することを見出した。
酸化アルミニウムはＡＱｚＯａに換算して０．５〜４０
＋ｓｏＲ％が適量である。酸化マグネシウムはＭｇＯに
換算して０．５〜４０■ｏＱ％が適量である。酸化亜鉛
はＺｎＯに換算して２０〜９９１ＩＯＱ％が適量である
。
＋ｓｏＲ％が適量である。酸化マグネシウムはＭｇＯに
換算して０．５〜４０■ｏＱ％が適量である。酸化亜鉛
はＺｎＯに換算して２０〜９９１ＩＯＱ％が適量である
。
フリットガラスは０．０１〜２．Ｏｗ ｔ％が適量であ
る。これ以下では抵抗値のばらつきが低減せず、一方２
．Ｏｗ ｔ％以上では抵抗値が低下してしまう。因に、
ｗｔ％で表示したのは市販のフリットガラスの分子量が
判明せず、ｍＯＱ比で表示できないためである。フリッ
トガラスにはほう酸系（ＢｚＯｓ）、珪酸系（Ｓ ｉ
０２）、はう珪酸系（Ｓ ｉ ０２−ＢｚＯｓ）等が用
いられる。これらのガラスは、適宜に２０．ＺｎＯ，Ｃ
ａｂ、Ａ（ｌｚｏｓ、Ｐｂｏ等が添加されたものを用い
ても本発明の特性を損うものではない。また、二種以上
のガラスを添加可能である。
る。これ以下では抵抗値のばらつきが低減せず、一方２
．Ｏｗ ｔ％以上では抵抗値が低下してしまう。因に、
ｗｔ％で表示したのは市販のフリットガラスの分子量が
判明せず、ｍＯＱ比で表示できないためである。フリッ
トガラスにはほう酸系（ＢｚＯｓ）、珪酸系（Ｓ ｉ
０２）、はう珪酸系（Ｓ ｉ ０２−ＢｚＯｓ）等が用
いられる。これらのガラスは、適宜に２０．ＺｎＯ，Ｃ
ａｂ、Ａ（ｌｚｏｓ、Ｐｂｏ等が添加されたものを用い
ても本発明の特性を損うものではない。また、二種以上
のガラスを添加可能である。
焼成温度は９００〜１３００℃間が適当である。
これ以下では抵抗が高すぎ５一方、１３００℃以上では
収縮率が上らない。
収縮率が上らない。
抵抗率は１０〜１０００Ω■が適量である。このような
材料を加工し、おおよそ直径３ｏ〜１５０圓、厚さ１０
〜５０ｍ範囲の円筒形素子が作製される。
材料を加工し、おおよそ直径３ｏ〜１５０圓、厚さ１０
〜５０ｍ範囲の円筒形素子が作製される。
Ａ Ｄ ｘｏａはＺｎＯと反応してＺ ｎ Ａ Ｑ ｘ
ｏａからなる複酸化物結晶粒を形成し、電気抵抗を高め
る。
ｏａからなる複酸化物結晶粒を形成し、電気抵抗を高め
る。
ＭｇＯは電気抵抗を高め、かつ、抵抗の温度係数を低減
乃至正に転化させる。ＺｎＯは主成分であり、主として
導電部を形成する。
乃至正に転化させる。ＺｎＯは主成分であり、主として
導電部を形成する。
フリットガラスは焼成中に液相を形成し、焼結を促進す
る。このため、焼成温度が低減する。本発明抵抗体の微
構造をａｍした結果では、ＺｎＯ結晶粒の大きさがそろ
い、抵抗値のばらつき低減に寄与している。
る。このため、焼成温度が低減する。本発明抵抗体の微
構造をａｍした結果では、ＺｎＯ結晶粒の大きさがそろ
い、抵抗値のばらつき低減に寄与している。
以下、本発明の一実施例を説明する。
〈実施例１〉
ＺｎＯ： ３５０２ｇ（４３，０ｎｏｆｆ）、ＡＱｚＯ
ａ： ３５７ｇ（３，５ｍｏｌ）、ＭｇＯ： １４１ｇ
（３，５■ｏＱ）、及び、はう酸亜鉛フリットガラス：
２０ｇ（０，５ｗｔ％）をボールミルで混合した。
ａ： ３５７ｇ（３，５ｍｏｌ）、ＭｇＯ： １４１ｇ
（３，５■ｏＱ）、及び、はう酸亜鉛フリットガラス：
２０ｇ（０，５ｗｔ％）をボールミルで混合した。
これにバインダを加え、スプレードライヤで造粒した。
これを直径５ｏ閣、厚さ１５ｍに成形した。
この成形体は電気炉に入れ、温度をかえて各２ｈ焼成し
た。最後に、焼結体両面にアルミニウムを溶射し、電極
にした。特性比較のため、フリットガラスを添加しない
抵抗体も作製した。
た。最後に、焼結体両面にアルミニウムを溶射し、電極
にした。特性比較のため、フリットガラスを添加しない
抵抗体も作製した。
第１図は焼成温度による抵抗率ρの変化を示す。
曲線１は０．５ｗｔ％ フリットガラス添加した酸化亜
鉛系抵抗体、一方向縁２は従来のフリットガラスを添加
しない酸化亜鉛系抵抗体の場合である。
鉛系抵抗体、一方向縁２は従来のフリットガラスを添加
しない酸化亜鉛系抵抗体の場合である。
曲線１は曲＃！２よりも焼成温度が低く、かつ、１０３
Ω口以下で、焼成温度による抵抗の変化率が小さいこと
がわかる。
Ω口以下で、焼成温度による抵抗の変化率が小さいこと
がわかる。
〈実施例２〉
実施例１と同様な組成及び工程で、各二十個の抵抗体を
作製した。この場合、本発明品は１０９０’Ｃ２従来品
は１２８０℃の温度で焼成した。従来品は１７個４００
〜５００Ω■間の抵抗率を示し、二個６００Ωｌ、−個
３５００ａｍで、三個不合格品が出たのに対し、本発明
は二十個全て４００〜５００Ω１間の抵抗率を示した。
作製した。この場合、本発明品は１０９０’Ｃ２従来品
は１２８０℃の温度で焼成した。従来品は１７個４００
〜５００Ω■間の抵抗率を示し、二個６００Ωｌ、−個
３５００ａｍで、三個不合格品が出たのに対し、本発明
は二十個全て４００〜５００Ω１間の抵抗率を示した。
〈実施例３〉
組成及び焼成温度をかえ、実施例１と同様にして、各条
件二十個ずつの抵抗体を作製し、抵抗値のばらつきを求
めた。八２２０３及びＭｇＯ量は百分率で表わした。個
数は４００〜５００Ω■間の抵抗率を示す抵抗体の数量
とした。０．０１〜２ 、Ｏｗ ｔ％のガラス量では１
８〜２０個の合格品が得られ、ガラス添加しない１６個
と比べて明らかに増大した。第１表には成分量をかえた
場合の目標抵抗率範囲に入った抵抗体の個数を示す。
件二十個ずつの抵抗体を作製し、抵抗値のばらつきを求
めた。八２２０３及びＭｇＯ量は百分率で表わした。個
数は４００〜５００Ω■間の抵抗率を示す抵抗体の数量
とした。０．０１〜２ 、Ｏｗ ｔ％のガラス量では１
８〜２０個の合格品が得られ、ガラス添加しない１６個
と比べて明らかに増大した。第１表には成分量をかえた
場合の目標抵抗率範囲に入った抵抗体の個数を示す。
第 １ 表
三個４ｏＯ〜５０ｏΩｌ、−個４００Ｑ（！ｍ、六個５
００Ｑａ１１以上であった。
００Ｑａ１１以上であった。
本発明によれば、焼成温度を下げ、かつ、焼成温度によ
る抵抗率変化を軽減できるので、抵抗値のばらつきを低
減することができる。
る抵抗率変化を軽減できるので、抵抗値のばらつきを低
減することができる。
第１図は本発明における焼成温度と抵抗率との関係の説
明図である。
明図である。
Claims (1)
- １．酸化亜鉛を主成分として、酸化アルミニウムがＡｌ
＿２Ｏ＿３に換算して０．５〜４０ｍｏｌ％，酸化マグ
ネシウムがＭｇＯに換算して０．５〜４０ｍｏｌ％から
なり、かつ一種以上のほう酸系、けい酸系及びほうけい
酸系フリツトガラスを０．０１〜２．０ｗｔ％を含むこ
とを特徴とするセラミツク抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175221A JPH0464201A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | セラミツク抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175221A JPH0464201A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | セラミツク抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0464201A true JPH0464201A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=15992409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175221A Pending JPH0464201A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | セラミツク抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0464201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764129A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Ceramic resistor, production method thereof, neutral grounding resistor and circuit breaker |
| CN114477994A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种大功率陶瓷芯片电阻及其材料和制备 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2175221A patent/JPH0464201A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764129A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Ceramic resistor, production method thereof, neutral grounding resistor and circuit breaker |
| CN114477994A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种大功率陶瓷芯片电阻及其材料和制备 |
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