JPH0464201A - セラミツク抵抗体 - Google Patents
セラミツク抵抗体Info
- Publication number
- JPH0464201A JPH0464201A JP2175221A JP17522190A JPH0464201A JP H0464201 A JPH0464201 A JP H0464201A JP 2175221 A JP2175221 A JP 2175221A JP 17522190 A JP17522190 A JP 17522190A JP H0464201 A JPH0464201 A JP H0464201A
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- JP
- Japan
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- resistor
- resistance
- resistivity
- oxide
- zinc oxide
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は遮断器、変圧器等電力機器に好適なセラミック
抵抗体に関する６ 〔従来の技術〕 従来、電力用直線抵抗体には炭素系及び酸化亜鉛系セラ
ミック抵抗体が用いられてきた。
抵抗体に関する６ 〔従来の技術〕 従来、電力用直線抵抗体には炭素系及び酸化亜鉛系セラ
ミック抵抗体が用いられてきた。
炭素系抵抗体は酸化アルミニウム結晶中で炭素粉を分散
させたもので、数百Ω１の抵抗率を持ち。
させたもので、数百Ω１の抵抗率を持ち。
遮断器、変圧器等に適用されている。しかし、この抵抗
体は緻密性が劣り、放電サージ吸収時に炭素粉間で放電
を起こすために耐量が小さい欠点がある。
体は緻密性が劣り、放電サージ吸収時に炭素粉間で放電
を起こすために耐量が小さい欠点がある。
一方、酸化豆粉系抵抗体、特に、酸化アルミニウムと酸
化マグネシウムとを含む抵抗体は特願昭６２−６５６１
１号明細書に記載したように抵抗率１０−１０００Ωｌ
、放電サージ耐量１０００Ｊ／ａ＋ｆ以上で正の抵抗温
度係数をもち、特性は良好である。この抵抗体は通常の
セラミック焼成技術、即ち、酸化亜鈴その他の原料粉を
混合機造粒し、成形、焼成、電極相の各工程を経て作製
される。抵抗値のばらつきは±１０〜２０％で、変圧器
用抵抗体の場合±１５％以内が要求される。
化マグネシウムとを含む抵抗体は特願昭６２−６５６１
１号明細書に記載したように抵抗率１０−１０００Ωｌ
、放電サージ耐量１０００Ｊ／ａ＋ｆ以上で正の抵抗温
度係数をもち、特性は良好である。この抵抗体は通常の
セラミック焼成技術、即ち、酸化亜鈴その他の原料粉を
混合機造粒し、成形、焼成、電極相の各工程を経て作製
される。抵抗値のばらつきは±１０〜２０％で、変圧器
用抵抗体の場合±１５％以内が要求される。
上記酸化亜鉛系抵抗体に関する従来技術は焼成工程が難
かしく、抵抗値がばらつく問題があった。
かしく、抵抗値がばらつく問題があった。
本発明の目的は焼成工程を改善することにあり。
さらに、抵抗値のそろった酸化亜鉛−酸化アルミニウム
ー酸化マグネシウム系抵抗体を提供することにある。
ー酸化マグネシウム系抵抗体を提供することにある。
上記目的は酸化亜鉛−酸化アルミニウムー酸化マグネシ
ウム抵抗体にフリットガラスを添加することにより達成
される。
ウム抵抗体にフリットガラスを添加することにより達成
される。
また、目標抵抗率を得るために９００〜１３００℃間の
温度で焼成したものである。
温度で焼成したものである。
本発明者等は酸化亜鉛系抵抗体にほう珪酸系ガラスを少
量添加すると焼成温度が低下し、多数焼成した場合の抵
抗値のばらつきが低減することを見出した。
量添加すると焼成温度が低下し、多数焼成した場合の抵
抗値のばらつきが低減することを見出した。
酸化アルミニウムはＡＱｚＯａに換算して０．５〜４０
＋ｓｏＲ％が適量である。酸化マグネシウムはＭｇＯに
換算して０．５〜４０■ｏＱ％が適量である。酸化亜鉛
はＺｎＯに換算して２０〜９９１ＩＯＱ％が適量である
。
＋ｓｏＲ％が適量である。酸化マグネシウムはＭｇＯに
換算して０．５〜４０■ｏＱ％が適量である。酸化亜鉛
はＺｎＯに換算して２０〜９９１ＩＯＱ％が適量である
。
フリットガラスは０．０１〜２．Ｏｗ ｔ％が適量であ
る。これ以下では抵抗値のばらつきが低減せず、一方２
．Ｏｗ ｔ％以上では抵抗値が低下してしまう。因に、
ｗｔ％で表示したのは市販のフリットガラスの分子量が
判明せず、ｍＯＱ比で表示できないためである。フリッ
トガラスにはほう酸系（ＢｚＯｓ）、珪酸系（Ｓ ｉ
０２）、はう珪酸系（Ｓ ｉ ０２−ＢｚＯｓ）等が用
いられる。これらのガラスは、適宜に２０．ＺｎＯ，Ｃ
ａｂ、Ａ（ｌｚｏｓ、Ｐｂｏ等が添加されたものを用い
ても本発明の特性を損うものではない。また、二種以上
のガラスを添加可能である。
る。これ以下では抵抗値のばらつきが低減せず、一方２
．Ｏｗ ｔ％以上では抵抗値が低下してしまう。因に、
ｗｔ％で表示したのは市販のフリットガラスの分子量が
判明せず、ｍＯＱ比で表示できないためである。フリッ
トガラスにはほう酸系（ＢｚＯｓ）、珪酸系（Ｓ ｉ
０２）、はう珪酸系（Ｓ ｉ ０２−ＢｚＯｓ）等が用
いられる。これらのガラスは、適宜に２０．ＺｎＯ，Ｃ
ａｂ、Ａ（ｌｚｏｓ、Ｐｂｏ等が添加されたものを用い
ても本発明の特性を損うものではない。また、二種以上
のガラスを添加可能である。
焼成温度は９００〜１３００℃間が適当である。
これ以下では抵抗が高すぎ５一方、１３００℃以上では
収縮率が上らない。
収縮率が上らない。
抵抗率は１０〜１０００Ω■が適量である。このような
材料を加工し、おおよそ直径３ｏ〜１５０圓、厚さ１０
〜５０ｍ範囲の円筒形素子が作製される。
材料を加工し、おおよそ直径３ｏ〜１５０圓、厚さ１０
〜５０ｍ範囲の円筒形素子が作製される。
Ａ Ｄ ｘｏａはＺｎＯと反応してＺ ｎ Ａ Ｑ ｘ
ｏａからなる複酸化物結晶粒を形成し、電気抵抗を高め
る。
ｏａからなる複酸化物結晶粒を形成し、電気抵抗を高め
る。
ＭｇＯは電気抵抗を高め、かつ、抵抗の温度係数を低減
乃至正に転化させる。ＺｎＯは主成分であり、主として
導電部を形成する。
乃至正に転化させる。ＺｎＯは主成分であり、主として
導電部を形成する。
フリットガラスは焼成中に液相を形成し、焼結を促進す
る。このため、焼成温度が低減する。本発明抵抗体の微
構造をａｍした結果では、ＺｎＯ結晶粒の大きさがそろ
い、抵抗値のばらつき低減に寄与している。
る。このため、焼成温度が低減する。本発明抵抗体の微
構造をａｍした結果では、ＺｎＯ結晶粒の大きさがそろ
い、抵抗値のばらつき低減に寄与している。
以下、本発明の一実施例を説明する。
〈実施例１〉
ＺｎＯ： ３５０２ｇ（４３，０ｎｏｆｆ）、ＡＱｚＯ
ａ： ３５７ｇ（３，５ｍｏｌ）、ＭｇＯ： １４１ｇ
（３，５■ｏＱ）、及び、はう酸亜鉛フリットガラス：
２０ｇ（０，５ｗｔ％）をボールミルで混合した。
ａ： ３５７ｇ（３，５ｍｏｌ）、ＭｇＯ： １４１ｇ
（３，５■ｏＱ）、及び、はう酸亜鉛フリットガラス：
２０ｇ（０，５ｗｔ％）をボールミルで混合した。
これにバインダを加え、スプレードライヤで造粒した。
これを直径５ｏ閣、厚さ１５ｍに成形した。
この成形体は電気炉に入れ、温度をかえて各２ｈ焼成し
た。最後に、焼結体両面にアルミニウムを溶射し、電極
にした。特性比較のため、フリットガラスを添加しない
抵抗体も作製した。
た。最後に、焼結体両面にアルミニウムを溶射し、電極
にした。特性比較のため、フリットガラスを添加しない
抵抗体も作製した。
第１図は焼成温度による抵抗率ρの変化を示す。
曲線１は０．５ｗｔ％ フリットガラス添加した酸化亜
鉛系抵抗体、一方向縁２は従来のフリットガラスを添加
しない酸化亜鉛系抵抗体の場合である。
鉛系抵抗体、一方向縁２は従来のフリットガラスを添加
しない酸化亜鉛系抵抗体の場合である。
曲線１は曲＃！２よりも焼成温度が低く、かつ、１０３
Ω口以下で、焼成温度による抵抗の変化率が小さいこと
がわかる。
Ω口以下で、焼成温度による抵抗の変化率が小さいこと
がわかる。
〈実施例２〉
実施例１と同様な組成及び工程で、各二十個の抵抗体を
作製した。この場合、本発明品は１０９０’Ｃ２従来品
は１２８０℃の温度で焼成した。従来品は１７個４００
〜５００Ω■間の抵抗率を示し、二個６００Ωｌ、−個
３５００ａｍで、三個不合格品が出たのに対し、本発明
は二十個全て４００〜５００Ω１間の抵抗率を示した。
作製した。この場合、本発明品は１０９０’Ｃ２従来品
は１２８０℃の温度で焼成した。従来品は１７個４００
〜５００Ω■間の抵抗率を示し、二個６００Ωｌ、−個
３５００ａｍで、三個不合格品が出たのに対し、本発明
は二十個全て４００〜５００Ω１間の抵抗率を示した。
〈実施例３〉
組成及び焼成温度をかえ、実施例１と同様にして、各条
件二十個ずつの抵抗体を作製し、抵抗値のばらつきを求
めた。八２２０３及びＭｇＯ量は百分率で表わした。個
数は４００〜５００Ω■間の抵抗率を示す抵抗体の数量
とした。０．０１〜２ 、Ｏｗ ｔ％のガラス量では１
８〜２０個の合格品が得られ、ガラス添加しない１６個
と比べて明らかに増大した。第１表には成分量をかえた
場合の目標抵抗率範囲に入った抵抗体の個数を示す。
件二十個ずつの抵抗体を作製し、抵抗値のばらつきを求
めた。八２２０３及びＭｇＯ量は百分率で表わした。個
数は４００〜５００Ω■間の抵抗率を示す抵抗体の数量
とした。０．０１〜２ 、Ｏｗ ｔ％のガラス量では１
８〜２０個の合格品が得られ、ガラス添加しない１６個
と比べて明らかに増大した。第１表には成分量をかえた
場合の目標抵抗率範囲に入った抵抗体の個数を示す。
第 １ 表
三個４ｏＯ〜５０ｏΩｌ、−個４００Ｑ（！ｍ、六個５
００Ｑａ１１以上であった。
００Ｑａ１１以上であった。
本発明によれば、焼成温度を下げ、かつ、焼成温度によ
る抵抗率変化を軽減できるので、抵抗値のばらつきを低
減することができる。
る抵抗率変化を軽減できるので、抵抗値のばらつきを低
減することができる。
第１図は本発明における焼成温度と抵抗率との関係の説
明図である。
明図である。
Claims (1)
- １．酸化亜鉛を主成分として、酸化アルミニウムがＡｌ
＿２Ｏ＿３に換算して０．５〜４０ｍｏｌ％，酸化マグ
ネシウムがＭｇＯに換算して０．５〜４０ｍｏｌ％から
なり、かつ一種以上のほう酸系、けい酸系及びほうけい
酸系フリツトガラスを０．０１〜２．０ｗｔ％を含むこ
とを特徴とするセラミツク抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175221A JPH0464201A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | セラミツク抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175221A JPH0464201A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | セラミツク抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0464201A true JPH0464201A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=15992409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175221A Pending JPH0464201A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | セラミツク抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0464201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764129A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Ceramic resistor, production method thereof, neutral grounding resistor and circuit breaker |
| CN114477994A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种大功率陶瓷芯片电阻及其材料和制备 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2175221A patent/JPH0464201A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764129A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Ceramic resistor, production method thereof, neutral grounding resistor and circuit breaker |
| CN114477994A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种大功率陶瓷芯片电阻及其材料和制备 |
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