JPH01143302A - セラッミック抵抗体 - Google Patents
セラッミック抵抗体Info
- Publication number
- JPH01143302A JPH01143302A JP62300246A JP30024687A JPH01143302A JP H01143302 A JPH01143302 A JP H01143302A JP 62300246 A JP62300246 A JP 62300246A JP 30024687 A JP30024687 A JP 30024687A JP H01143302 A JPH01143302 A JP H01143302A
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- JP
- Japan
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- resistivity
- resistor
- sintered body
- mol
- ceramic resistor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は遮断器の開閉サージ吸収に好適なセラミック抵
抗体に係り、特に、遮断器、変圧器など電力機器の抵抗
体に好適なセラミック抵抗体に関する。
抗体に係り、特に、遮断器、変圧器など電力機器の抵抗
体に好適なセラミック抵抗体に関する。
従来、電力同直線抵抗体には炭素分散型セラミツク抵抗
体が用いられている。この抵抗体は酸化アルミニウム結
晶中に炭素粉を分散させたもので数百Ω■の抵抗率を持
ち、変圧器、遮断器等に適用されている（特開昭５６−
４２０６号公報）。
体が用いられている。この抵抗体は酸化アルミニウム結
晶中に炭素粉を分散させたもので数百Ω■の抵抗率を持
ち、変圧器、遮断器等に適用されている（特開昭５６−
４２０６号公報）。
この抵抗体は緻密性に劣り、放電サージ吸収時に炭素粉
間で放電を起こすため、放電耐量が小さい欠点がある。
間で放電を起こすため、放電耐量が小さい欠点がある。
更に、抵抗温度係数が負のため放電サージを吸収して温
度上昇すると抵抗率が低下し電流の急激な増加によって
発熱し、最終的には熱暴走する。
度上昇すると抵抗率が低下し電流の急激な増加によって
発熱し、最終的には熱暴走する。
一方、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系、酸化亜鉛−酸化
マグネシウム系抵抗体は抵抗率１０〜１０００Ω■、放
電サージ耐量４００Ｊ／ａｉ１以上で、正の抵抗温度係
数及至小さな負の抵抗温度係数をもち、電力用抵抗体と
して良好な特性をもつ。しかしあとで図示するが、この
系は焼成温度によって抵抗率がかわり温度制御が難かし
い。
マグネシウム系抵抗体は抵抗率１０〜１０００Ω■、放
電サージ耐量４００Ｊ／ａｉ１以上で、正の抵抗温度係
数及至小さな負の抵抗温度係数をもち、電力用抵抗体と
して良好な特性をもつ。しかしあとで図示するが、この
系は焼成温度によって抵抗率がかわり温度制御が難かし
い。
本発明の目的は焼成が容易な抵抗率１０〜１０００Ωα
のセラミック抵抗体を提供することにある。
のセラミック抵抗体を提供することにある。
上記目的は酸化錫と酸化アンチモンとよりなる焼結体に
電極を設けることにより達成される。
電極を設けることにより達成される。
酸化錫にアンチモンをドープするとｎ型半導体になるこ
とが知られている。本発明は酸化錫に酸化アンチモンを
０．３〜２モル％添加し、セラミック焼成技術によって
焼成したあと対向する二面に電極を設けたものである。
とが知られている。本発明は酸化錫に酸化アンチモンを
０．３〜２モル％添加し、セラミック焼成技術によって
焼成したあと対向する二面に電極を設けたものである。
酸化アンチモンが０．３ モル％以下では抵抗率が１
００００ ｃｍ以上となる。一方、２モル％以上では１
０Ω１以下となる。
００００ ｃｍ以上となる。一方、２モル％以上では１
０Ω１以下となる。
アンチモンは酸化アンチモン５ｂ２０３の形で添加でき
る。
る。
焼結体は円筒形、又は、中空円筒形とし、この両面に電
極を設ける。電極材はアルミニウム、ニッケル、銅等が
望ましく、通常、プラズマ溶射法によって形成する。
極を設ける。電極材はアルミニウム、ニッケル、銅等が
望ましく、通常、プラズマ溶射法によって形成する。
本抵抗体の抵抗率を制御するため酸化マグネシウムをＭ
ｇＯ添加が有効である。
ｇＯ添加が有効である。
酸化マグネシウムは酸化錫の結晶中に高抵抗結晶粒を形
成し抵抗率を高める。目標抵抗率を得るためのＳｂｚ○
３は一定量にし、ＭｇＯを調整する。
成し抵抗率を高める。目標抵抗率を得るためのＳｂｚ○
３は一定量にし、ＭｇＯを調整する。
酸化マグネシウム１０モル％以下が望ましい。これ以上
では抵抗率が］、ＯＯＯΩ釧を越える。
では抵抗率が］、ＯＯＯΩ釧を越える。
焼成温度は８００〜１５００℃間が望ましい。これ以下
では抵抗体は焼結せず、一方、これ以」二では焼成が困
難である。
では抵抗体は焼結せず、一方、これ以」二では焼成が困
難である。
〈実施例１〉
Ｓ ｎ ０２ ： １．９８１． ｇ （９９，５ｍｏ
１％）、Ｓｂｚ○３：１９、Ｏｇ（０，５ｍｏ１％）を
ボールミルで十時間混合する。この混合粉にポリビニル
アルコールと、純水とを混合しスプレードライヤで造粒
、及び、乾燥する。この造粒粉を金型に入れ４０ｍｍφ
×２０ｍに成形する。この成形体を温度１２００℃で工
時間焼成する。この焼結体の両面にアルミナをプラズマ
溶射し電極を形成する。第１図は本発明の一実施例のセ
ラミック抵抗体の断面図である。５ｎＯｚ−８ｂ２０３
焼結体１の両面にＡＱ電極２が設けである。本抵抗体の
相対密度は４９％、抵抗率は２１０Ω印である。
１％）、Ｓｂｚ○３：１９、Ｏｇ（０，５ｍｏ１％）を
ボールミルで十時間混合する。この混合粉にポリビニル
アルコールと、純水とを混合しスプレードライヤで造粒
、及び、乾燥する。この造粒粉を金型に入れ４０ｍｍφ
×２０ｍに成形する。この成形体を温度１２００℃で工
時間焼成する。この焼結体の両面にアルミナをプラズマ
溶射し電極を形成する。第１図は本発明の一実施例のセ
ラミック抵抗体の断面図である。５ｎＯｚ−８ｂ２０３
焼結体１の両面にＡＱ電極２が設けである。本抵抗体の
相対密度は４９％、抵抗率は２１０Ω印である。
〈実施例２〉
実施例１と同様にして５ｂ２０ａ： ０．１〜５モル％
添加した５ｎＯｚ抵抗体を作製した。第２図は５ｂ２０
３量をパラメータとした同抵抗体の焼成温度と抵抗率と
の関係を示す。図において、３は０．１ モル％５ｂ
２０３−８ｎ○２抵抗体、４は０．５ モル％５ｂ２０
ｓ−８ｎ０２抵抗体、５は１モル％Ｓｂ＋ｚ○５−８ｎ
○２抵抗体、６は５モル％５ｂ２０ａ−８ｎＯ２抵抗体
、７はＺｎＯ系抵抗体である。ＺｎＯ系抵抗体７に比べ
てＳｎ○２系抵抗体３〜６は抵抗率の焼成温度依存性が
小さい。
添加した５ｎＯｚ抵抗体を作製した。第２図は５ｂ２０
３量をパラメータとした同抵抗体の焼成温度と抵抗率と
の関係を示す。図において、３は０．１ モル％５ｂ
２０３−８ｎ○２抵抗体、４は０．５ モル％５ｂ２０
ｓ−８ｎ０２抵抗体、５は１モル％Ｓｂ＋ｚ○５−８ｎ
○２抵抗体、６は５モル％５ｂ２０ａ−８ｎＯ２抵抗体
、７はＺｎＯ系抵抗体である。ＺｎＯ系抵抗体７に比べ
てＳｎ○２系抵抗体３〜６は抵抗率の焼成温度依存性が
小さい。
なお、０．１ モル％５ｂ２０ａ−８ｎｏ２抵抗体３は
抵抗率が１０００Ω印を越え、一方、５モル％５ｂ２０
３−８ｎ○２抵抗体は１０Ω■に達せず望ましくない。
抵抗率が１０００Ω印を越え、一方、５モル％５ｂ２０
３−８ｎ○２抵抗体は１０Ω■に達せず望ましくない。
〈実施例３〉
Ｓ ｂ ２０３ ： ］、 モ）Ｌ）％、ＭｇＯ：０−
２０モル％添加したＳｎ○２系抵抗体を実施例１と同様
にして作製した。第３図はＭｇＯ量と抵抗率との関係を
示す。この場合の焼成温度は１４００°Ｃである。抵抗
率はＭｇＯ量と共に増大する。ＭｇＯ：１０モル％で抵
抗率は４４０Ω１で目標抵抗率の範囲内にある。
２０モル％添加したＳｎ○２系抵抗体を実施例１と同様
にして作製した。第３図はＭｇＯ量と抵抗率との関係を
示す。この場合の焼成温度は１４００°Ｃである。抵抗
率はＭｇＯ量と共に増大する。ＭｇＯ：１０モル％で抵
抗率は４４０Ω１で目標抵抗率の範囲内にある。
本発明によれば、従来のセラミック抵抗体に比べ焼成が
容易なので、歩留りが高く量産することができる。
容易なので、歩留りが高く量産することができる。
第１図は本発明の一実施例のセラミック抵抗体の正面図
、第２図は５ｂ２０ａ量をパラメータとした酸化すず系
抵抗体の焼成温度と抵抗率との関係ヲ示す図、第３図は
５ｎＯｚ −８ｂ２０３−ＭｇＯ抵抗体のＭｇＯ量と抵
抗率との関係を示す図である。 １−８ｎｏ２．−８ｂｘｂ ３− Ｓ ｎ○２ （０、１ｍｏ１％Ｓｂ２０ｇ）、
４−３ｎ○２（０、５ｍｏ１％Ｓ ｂ２０３） 、５−
Ｓ ｎ○２（１ｍｏ１％ Ｓ ｂ２０ｇ）、６−８ｎ
○２ （５ｍｏ１％５ｂ２０ａ）、７−ＺｎＯ系抵抗
体。 第１図１ 第２図 第３５Ａ ／’／ｇθ（ｔルγ、）
、第２図は５ｂ２０ａ量をパラメータとした酸化すず系
抵抗体の焼成温度と抵抗率との関係ヲ示す図、第３図は
５ｎＯｚ −８ｂ２０３−ＭｇＯ抵抗体のＭｇＯ量と抵
抗率との関係を示す図である。 １−８ｎｏ２．−８ｂｘｂ ３− Ｓ ｎ○２ （０、１ｍｏ１％Ｓｂ２０ｇ）、
４−３ｎ○２（０、５ｍｏ１％Ｓ ｂ２０３） 、５−
Ｓ ｎ○２（１ｍｏ１％ Ｓ ｂ２０ｇ）、６−８ｎ
○２ （５ｍｏ１％５ｂ２０ａ）、７−ＺｎＯ系抵抗
体。 第１図１ 第２図 第３５Ａ ／’／ｇθ（ｔルγ、）
Claims (2)
- １．Ｓｂ＿２Ｏ＿３が０．３〜２モル％、残量ＳｎＯ＿
２よりなる焼結体と、前記焼結体の対向する二面に設け
られた電極とよりなることを特徴とするセラミック抵抗
体。 - ２．特許請求の範囲第１項において、 前記焼結体はＳｂ＿２Ｏ＿３が０．３〜２モル％、Ｍｇ
Ｏが１０モル％以下、残量ＳｎＯ＿２よりなることを特
徴とするセラミック抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300246A JPH01143302A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | セラッミック抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300246A JPH01143302A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | セラッミック抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143302A true JPH01143302A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17882468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300246A Pending JPH01143302A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | セラッミック抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143302A (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62300246A patent/JPH01143302A/ja active Pending
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