JPH0464280A - 多層ポリイミドフイルムの製造方法 - Google Patents
多層ポリイミドフイルムの製造方法Info
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- JPH0464280A JPH0464280A JP17522890A JP17522890A JPH0464280A JP H0464280 A JPH0464280 A JP H0464280A JP 17522890 A JP17522890 A JP 17522890A JP 17522890 A JP17522890 A JP 17522890A JP H0464280 A JPH0464280 A JP H0464280A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低誘電率高耐熱性絶縁膜であるポリイミドと
、低抵抗の銅などの導体とを含む複合体例えば遅延時間
の非常に小ざい配線板の製造法に係り、特に、エレクト
ロニクス部品の小型化に不可欠なフレキシブルプリント
板などの金属／ポリイミド複合体あるいは導電回路の製
造方法に関する。
、低抵抗の銅などの導体とを含む複合体例えば遅延時間
の非常に小ざい配線板の製造法に係り、特に、エレクト
ロニクス部品の小型化に不可欠なフレキシブルプリント
板などの金属／ポリイミド複合体あるいは導電回路の製
造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、高密度配線板として、エポキシやガラスクロス入
りのマレイミド樹脂と銅箔との多層配線板や、アルミナ
／タングステン多層配線板が使用されてきた。
りのマレイミド樹脂と銅箔との多層配線板や、アルミナ
／タングステン多層配線板が使用されてきた。
しかし、前者の場合、製造方法、材質の制限があり、配
線幅が３０μｍ以下の微細化が出来ず、また後者の場合
は、セラミックスが高誘電率なことや、製造工程上非常
に高温の工程が必要になるため、タングステン等の抵抗
値が大きく、融点が高い材料を使わざるを得ない。
線幅が３０μｍ以下の微細化が出来ず、また後者の場合
は、セラミックスが高誘電率なことや、製造工程上非常
に高温の工程が必要になるため、タングステン等の抵抗
値が大きく、融点が高い材料を使わざるを得ない。
これらに代わる今後の高速高密度配線板として、高性能
な配線板が要求されている。その第一の候補が、銅／ポ
リイミド配線基板である。これは、シリコン基板やセラ
ミック基板の上に低誘電率のポリイミドと低抵抗の銅と
を、半導体の配線の製造プロセスと同様の微細加工によ
って、製造するもので極めて高性能の配線板が期待され
ている。
な配線板が要求されている。その第一の候補が、銅／ポ
リイミド配線基板である。これは、シリコン基板やセラ
ミック基板の上に低誘電率のポリイミドと低抵抗の銅と
を、半導体の配線の製造プロセスと同様の微細加工によ
って、製造するもので極めて高性能の配線板が期待され
ている。
この種の先行技術とし、特開昭５７−１８１８５７号公
報には銅ポリイミド多層配線板が記載されている。
報には銅ポリイミド多層配線板が記載されている。
このような銅ポリイミド多層配線板は、産業用の大型計
算機用実装基板や民生用電子機器の実装基板などに幅広
く用いられているが、いずれも最近のＬＳＩの高集積化
に伴い、これらの実装基板には高密度化が要求されてい
る。そこで、配線板の多層化技術、ＬＳＩの表面実装技
術の開発が急となっている。
算機用実装基板や民生用電子機器の実装基板などに幅広
く用いられているが、いずれも最近のＬＳＩの高集積化
に伴い、これらの実装基板には高密度化が要求されてい
る。そこで、配線板の多層化技術、ＬＳＩの表面実装技
術の開発が急となっている。
このような場合、信頼性を考える上で最も重要であるの
は、ＬＳＩ （Ｓｉ）の熱膨張率とＬＳＩを実装する
配線基板の熱膨張率を整合させることである。そこで、
前述の銅ポリイミド多層配線板に用いられているポリイ
ミド絶縁膜にも従来の熱膨張率の大きい材料に代わり、
Ｓｉと熱膨張率の近い低熱膨張の材料と採用することが
要求されている。しかし、この低熱膨張性のポリイミド
は、その特性上、化学構造が剛直な分子から成っており
、配線金属との接着性及びポリイミド同士の接着性が低
く、多層配線板としての信頼性を保つことができないの
が現状である６ 〔発明が解決しようとする課題〕 前項で記載したように、低熱膨張性のポリイミドを用い
て、配線の多層化を図るには、ポリイミドの接着性を改
善しなければならない。これについては、従来よりポリ
イミド膜の表面にプラズマ処理を施し、化学修飾するこ
とにより、接着力の向上を図る技術があった。しかし、
この技術についても、種々の問題がある。
は、ＬＳＩ （Ｓｉ）の熱膨張率とＬＳＩを実装する
配線基板の熱膨張率を整合させることである。そこで、
前述の銅ポリイミド多層配線板に用いられているポリイ
ミド絶縁膜にも従来の熱膨張率の大きい材料に代わり、
Ｓｉと熱膨張率の近い低熱膨張の材料と採用することが
要求されている。しかし、この低熱膨張性のポリイミド
は、その特性上、化学構造が剛直な分子から成っており
、配線金属との接着性及びポリイミド同士の接着性が低
く、多層配線板としての信頼性を保つことができないの
が現状である６ 〔発明が解決しようとする課題〕 前項で記載したように、低熱膨張性のポリイミドを用い
て、配線の多層化を図るには、ポリイミドの接着性を改
善しなければならない。これについては、従来よりポリ
イミド膜の表面にプラズマ処理を施し、化学修飾するこ
とにより、接着力の向上を図る技術があった。しかし、
この技術についても、種々の問題がある。
従来技術の特開昭６１−２９５３６５号公報を一般のポ
リイミド（Ｐ Ｉ Ｑ）に適用すると、例えば０２プラ
ズマを用いた場合には、銅との接着性は、適用しない時
のビール強さ１００ｇ／ａｎに対して３００ｇ ／ ｃ
ｘｈ、又、低熱膨張性ポリイミドでは適用しない時１０
ｇ／ａｌｌに対して２５ｇ／ａｎと増加するが。
リイミド（Ｐ Ｉ Ｑ）に適用すると、例えば０２プラ
ズマを用いた場合には、銅との接着性は、適用しない時
のビール強さ１００ｇ／ａｎに対して３００ｇ ／ ｃ
ｘｈ、又、低熱膨張性ポリイミドでは適用しない時１０
ｇ／ａｌｌに対して２５ｇ／ａｎと増加するが。
この値では将来配線基板で必要とされる接着強さには到
らない。
らない。
その原因は、接着性向上に直接関与するのは表面近傍層
のみであるにもかかわらず、約５０〜２０００ｅＶのエ
ネルギを持つ粒子の照射ではそれより深い領域における
化学構造の変化も引き起こすため、ポリイミド自体の機
械的強度の劣化を招き、ひいてはその部分からの凝集破
壊を引き起こすこと、もう一つの原因はプラズマ中には
金属と強い相互作用を持つ官能基が化学的活性分子とし
て存在していないために、表面層に官能基を高密度に生
成できないことがあげられる。
のみであるにもかかわらず、約５０〜２０００ｅＶのエ
ネルギを持つ粒子の照射ではそれより深い領域における
化学構造の変化も引き起こすため、ポリイミド自体の機
械的強度の劣化を招き、ひいてはその部分からの凝集破
壊を引き起こすこと、もう一つの原因はプラズマ中には
金属と強い相互作用を持つ官能基が化学的活性分子とし
て存在していないために、表面層に官能基を高密度に生
成できないことがあげられる。
そこで、低熱膨張性のポリイミドフィルムを用いて多層
化を図るには、まず、ポリイミドの表面に凝集破壊を起
こさず、しかも接着性の向上に寄与する官能基を付与で
きるプラズマ処理を施し、ポリイミド表面を活性化する
工程が必要である。
化を図るには、まず、ポリイミドの表面に凝集破壊を起
こさず、しかも接着性の向上に寄与する官能基を付与で
きるプラズマ処理を施し、ポリイミド表面を活性化する
工程が必要である。
次にこの活性化されたポリイミドフィルム同士の間に接
着フィルムを介して、接着する工程が第二である。しか
もこの接着フィルムは、絶縁体と導電体の両者の性質を
もっことが必要である。このような第一と第二の工程を
満足する技術を提供することが本発明の目的である。
着フィルムを介して、接着する工程が第二である。しか
もこの接着フィルムは、絶縁体と導電体の両者の性質を
もっことが必要である。このような第一と第二の工程を
満足する技術を提供することが本発明の目的である。
低熱膨張性のポリイミドの接着性を向上させる手段を見
出すため、まず熱膨張率の異なるボイミドによる接着力
の違いを比較した。
出すため、まず熱膨張率の異なるボイミドによる接着力
の違いを比較した。
実験に使用した低熱膨張性ポリイミドは、Ｌ１００Ｃ熱
膨張係数ａ ： ３ Ｘ １０”−６Ｃ−”）及びＸ９
５−２（熱膨張係数α： １６ Ｘ １０−６Ｃ−”）
である。
膨張係数ａ ： ３ Ｘ １０”−６Ｃ−”）及びＸ９
５−２（熱膨張係数α： １６ Ｘ １０−６Ｃ−”）
である。
また、比較のために、ＰＩＯ（熱膨張係数α：４５ Ｘ
１０−８Ｃ−’）も使用した。第３図に各々のポリイ
ミドの分子構造を表１にその諸特性を示す。
１０−８Ｃ−’）も使用した。第３図に各々のポリイ
ミドの分子構造を表１にその諸特性を示す。
表 １ ポリイミドの諸特性
第４図に接着力を評価する試料の作製方法を示す。まず
、シリコン基板上にアルミキレート処理を行い、その上
にポリイミドワニスをスピンコーティングし、窒素中で
フルキュア（３５０℃の熱硬化）した。この時の膜厚は
約１０μｍになるようにした。次に、得られたポリイミ
ド表面上にプラズマ処理を施し、表面改質を行った。プ
ラズマ処理はバレル型の酸素プラズマアッシング装置を
使用した。プラズマガスには、０２．ＣＦ４．０２とＣ
Ｆ４の混合ガスを用いた。また、ポリイミドと金属の接
着に効果のみられたＥＣＲプラズマによるＮ２処理も試
みた。その際の処理条件は表２に示す。
、シリコン基板上にアルミキレート処理を行い、その上
にポリイミドワニスをスピンコーティングし、窒素中で
フルキュア（３５０℃の熱硬化）した。この時の膜厚は
約１０μｍになるようにした。次に、得られたポリイミ
ド表面上にプラズマ処理を施し、表面改質を行った。プ
ラズマ処理はバレル型の酸素プラズマアッシング装置を
使用した。プラズマガスには、０２．ＣＦ４．０２とＣ
Ｆ４の混合ガスを用いた。また、ポリイミドと金属の接
着に効果のみられたＥＣＲプラズマによるＮ２処理も試
みた。その際の処理条件は表２に示す。
表 ２ プラズマ処理の条件
表面改質後のポリイミド膜上に、さらに同種のポリイミ
ドワニスをスピンコーティングし、窒素中でフルキュア
（３５０℃の熱硬化）した。この時の膜厚は１０μｍに
なるようにした。このようにして作製した試料を５ＩＩ
ＩＩ１幅の短冊状に切断してビール試験片とし、ポリイ
ミド膜同士を剥離する時に必要な力をテンションゲージ
で測定することによって接着性の評価をした。
ドワニスをスピンコーティングし、窒素中でフルキュア
（３５０℃の熱硬化）した。この時の膜厚は１０μｍに
なるようにした。このようにして作製した試料を５ＩＩ
ＩＩ１幅の短冊状に切断してビール試験片とし、ポリイ
ミド膜同士を剥離する時に必要な力をテンションゲージ
で測定することによって接着性の評価をした。
第５図はポリイミド膜同士の接着性を示している。ＰＩ
Ｑがビール強さが７００ｇ／■以上と高い接着力を示し
ているのに対し、Ｌｌｏｏは２０ｇ／■とキュアした後
のポリイミド膜同士では、はとんど接着力がないことが
ねがった。また、ＰＩＱとＬｌｏｏの中間の熱膨張率を
もっＸ９５２では、ビール強さが約６００ｇ／■と高い
値を示した。これは、Ｘ９５２の分子構造中に２０％含
まれる０ＤＡ−ＢＰＤＡがフレキシブルな構造をもつた
めと考えられる。
Ｑがビール強さが７００ｇ／■以上と高い接着力を示し
ているのに対し、Ｌｌｏｏは２０ｇ／■とキュアした後
のポリイミド膜同士では、はとんど接着力がないことが
ねがった。また、ＰＩＱとＬｌｏｏの中間の熱膨張率を
もっＸ９５２では、ビール強さが約６００ｇ／■と高い
値を示した。これは、Ｘ９５２の分子構造中に２０％含
まれる０ＤＡ−ＢＰＤＡがフレキシブルな構造をもつた
めと考えられる。
また第６図は耐湿試験（ＰＣＴ）による三種のポリイミ
ド膜の接着力の変化を示している。
ド膜の接着力の変化を示している。
ＰＩＱではＰＣＴ５００時間後でも接着力の変化はみら
れないが、Ｘ９５２ではＰＣＴ５０ＣＴ５０時間始め、
ＬｌｏｏではＰＣＴＩＯ時間で低下する。
れないが、Ｘ９５２ではＰＣＴ５０ＣＴ５０時間始め、
ＬｌｏｏではＰＣＴＩＯ時間で低下する。
このように、低熱膨張性ポリイミドは膜同士の接着力が
低く、耐湿信頼性が不充分でウェットプロセスには耐え
ないことが予想されることから、ポリイミド膜を積層し
、配線の多層化を図ることが困難なことが明らかとなっ
た。
低く、耐湿信頼性が不充分でウェットプロセスには耐え
ないことが予想されることから、ポリイミド膜を積層し
、配線の多層化を図ることが困難なことが明らかとなっ
た。
そこで、ポリイミド膜同士の接着性を向上させる手段と
して、プラズマ処理によりポリイミド表面を化学修飾し
、新たな活性な官能基を生成することを検討した。
して、プラズマ処理によりポリイミド表面を化学修飾し
、新たな活性な官能基を生成することを検討した。
プラズマガス種として、Ｏｚ、ＣＦａ、Ｎ２の他、半導
体プロセスでＳｉのエツチングで実績のある０２とＣＦ
４の混合ガスプラズマの計四種類を検討した。第７図に
ポリイミド同士の接着力の比較を示す。
体プロセスでＳｉのエツチングで実績のある０２とＣＦ
４の混合ガスプラズマの計四種類を検討した。第７図に
ポリイミド同士の接着力の比較を示す。
Ｎ２プラズマ処理したものは、５００ｇ／■以上と高い
接着力を有し、ＰＩ／ＰＩ間でも効果があることがわか
った。一方、０２とＣＦ４はいずれも１００ｇ／■以下
と低く、表面改質の効果はないことがわかった。しかし
、ｏ２とＣＦ４は混合することにより反応性が高まり、
Ｓｉのドライエツチングなどが可能になることが半導体
プロセスで知られている。そこで、０２とＣＦａの混合
ガスでプラズマ処理し、接着性改善に対する効果を調べ
た。第８図は、０２とＣＦ４のガス混合量の割合を変え
、プラズマ処理した場合の接着力の変化を示している。
接着力を有し、ＰＩ／ＰＩ間でも効果があることがわか
った。一方、０２とＣＦ４はいずれも１００ｇ／■以下
と低く、表面改質の効果はないことがわかった。しかし
、ｏ２とＣＦ４は混合することにより反応性が高まり、
Ｓｉのドライエツチングなどが可能になることが半導体
プロセスで知られている。そこで、０２とＣＦａの混合
ガスでプラズマ処理し、接着性改善に対する効果を調べ
た。第８図は、０２とＣＦ４のガス混合量の割合を変え
、プラズマ処理した場合の接着力の変化を示している。
０２とＣＦ４の各々単独のプラズマでは接着強さは小さ
いが、０２とＣＦ４ を混合することにより、接着強さ
は増大し、０２とＣＦ４とをほぼ等量混合した場合に最
も高くなることがわかった。
いが、０２とＣＦ４ を混合することにより、接着強さ
は増大し、０２とＣＦ４とをほぼ等量混合した場合に最
も高くなることがわかった。
一般的に高分子表面の改質により接着力が上がる要因に
は、 １）表面の粗化による物理的な効果 ２）表面に新たな官能基が生成されることによる化学的
な効果 の大きく分けて二種類に分類される。そこで、まず１）
の効果について調べるため、表面形状を観察した。
は、 １）表面の粗化による物理的な効果 ２）表面に新たな官能基が生成されることによる化学的
な効果 の大きく分けて二種類に分類される。そこで、まず１）
の効果について調べるため、表面形状を観察した。
いずれのプラズマ処理を施したポリイミド膜表面も、全
く処理しない最初の表面と同様に平滑であることが認め
られた。そこで次に、２）の効果について調べるため、
各ポリイミド表面の官能基について調べた。
く処理しない最初の表面と同様に平滑であることが認め
られた。そこで次に、２）の効果について調べるため、
各ポリイミド表面の官能基について調べた。
表３はＸＰＳによるポリイミド表面の元素分析の結果を
示しており、炭素原子を１とした時の割合を表している
。
示しており、炭素原子を１とした時の割合を表している
。
表３ 表面に存在する各元素の原子数比（炭素基準）こ
れらの種は、いずれもプラズマの元素に対応する値が無
処理のものと比べて増加していることがわかる。０２と
ＣＦａの混合ガスプラズマの結果は、０２とＣＦ４の中
間の値を示しており、接着強さが向上した原因はこの値
だけでは説明がつかない。そこで、詳細な検討を加える
ため、新たに生成された官能基を同定することにより、
プラズマにより改質されたポリイミド表面の化学状態の
変化を調へた。第９図は各プラズマ処理後のＯｔｓ狭域
スペクトルを示している６ （１）の無処理のスペクト
ルは分子構造から考えてイミド基（Ｃ＝０）のピークで
ある。（２）の０２プラズマのピークは二つのピークに
分割され、低エネルギ側（５３２ｅＶ付近）のピークは
イミド基のピークであり、高エネルギ側（５３３ｅＶ付
近）のピークはＣ−Ｏと同定されるため、新たな官能基
として、カルボキシル基が生成されている可能性が高い
。（３）の混合プラズマのピークは三つに分類され、イ
ミド基、カルボキシル基の他に、最も高エネルギ側にフ
ッ素を含む官能基を生成しているのが詔められた。この
官能基は生成エネルギから考えて、Ｆ−Ｃ＝Ｏと考えら
れる。（４）のＣＦ４のピークは四つに分類され、イミ
ド基、力ルボキシル基の他に、高エネルギ側にＦ−Ｃ＝
０を始めとするフッ素を含む官能基が二つ生成されてい
ることがわかった。このように混合プラズマとＣＦ４プ
ラズマでは生成されている官能基に大きな違いはみられ
ない。そこで、Ｃｚｓ狭域スペクトルを比較してみた。
れらの種は、いずれもプラズマの元素に対応する値が無
処理のものと比べて増加していることがわかる。０２と
ＣＦａの混合ガスプラズマの結果は、０２とＣＦ４の中
間の値を示しており、接着強さが向上した原因はこの値
だけでは説明がつかない。そこで、詳細な検討を加える
ため、新たに生成された官能基を同定することにより、
プラズマにより改質されたポリイミド表面の化学状態の
変化を調へた。第９図は各プラズマ処理後のＯｔｓ狭域
スペクトルを示している６ （１）の無処理のスペクト
ルは分子構造から考えてイミド基（Ｃ＝０）のピークで
ある。（２）の０２プラズマのピークは二つのピークに
分割され、低エネルギ側（５３２ｅＶ付近）のピークは
イミド基のピークであり、高エネルギ側（５３３ｅＶ付
近）のピークはＣ−Ｏと同定されるため、新たな官能基
として、カルボキシル基が生成されている可能性が高い
。（３）の混合プラズマのピークは三つに分類され、イ
ミド基、カルボキシル基の他に、最も高エネルギ側にフ
ッ素を含む官能基を生成しているのが詔められた。この
官能基は生成エネルギから考えて、Ｆ−Ｃ＝Ｏと考えら
れる。（４）のＣＦ４のピークは四つに分類され、イミ
ド基、力ルボキシル基の他に、高エネルギ側にＦ−Ｃ＝
０を始めとするフッ素を含む官能基が二つ生成されてい
ることがわかった。このように混合プラズマとＣＦ４プ
ラズマでは生成されている官能基に大きな違いはみられ
ない。そこで、Ｃｚｓ狭域スペクトルを比較してみた。
第１０図にその結果を示す。
低エネルギ側のベンゼン環、イミド基及びフェニル基の
ピーク強度を比較すると、混合プラズマに比べＣＦａプ
ラズマでは大きく減少している。これは、ポリイミドの
骨格が一部分解していることを示している。ＣＦ４プラ
ズマでは混合プラズマと生成されている官能基に違いは
みられないが接着強度の低下を招いたのはこのような表
面分子の分解が原因しているものと思われる。一方、混
合プラズマでは表面分子の分解は起こらず、０２の単独
のプラズマでは生成しないＦ−Ｃ＝Ｏなどのフッ素を含
む活性な官能基が形成され、これがポリイミドワニスと
強い相互作用を有し接着性を向上させているものと推定
される。第７図は０２とＣＦ４のガスの混合量の割合を
変えた場合のプラズマアッシングによるポリイミドのエ
ツチング速度の変化を示している。０２とＣＦａの各々
単独のプラズマではエツチング速度は小さいが、０２と
ＣＦ４を混合することにより、エツチング速度は飛躍的
に増大し、０２とＣＦ４ とをほぼ等量混合した場合に
最も高くなることがわかる。このように、０２とＣＦａ
を混合することによりポリイミドに対する反応性が高
まることから、０２とＣＦ４の各々単独のプラズマでは
みられない新たな反応活性種が生成していることが考え
られる。
ピーク強度を比較すると、混合プラズマに比べＣＦａプ
ラズマでは大きく減少している。これは、ポリイミドの
骨格が一部分解していることを示している。ＣＦ４プラ
ズマでは混合プラズマと生成されている官能基に違いは
みられないが接着強度の低下を招いたのはこのような表
面分子の分解が原因しているものと思われる。一方、混
合プラズマでは表面分子の分解は起こらず、０２の単独
のプラズマでは生成しないＦ−Ｃ＝Ｏなどのフッ素を含
む活性な官能基が形成され、これがポリイミドワニスと
強い相互作用を有し接着性を向上させているものと推定
される。第７図は０２とＣＦ４のガスの混合量の割合を
変えた場合のプラズマアッシングによるポリイミドのエ
ツチング速度の変化を示している。０２とＣＦａの各々
単独のプラズマではエツチング速度は小さいが、０２と
ＣＦ４を混合することにより、エツチング速度は飛躍的
に増大し、０２とＣＦ４ とをほぼ等量混合した場合に
最も高くなることがわかる。このように、０２とＣＦａ
を混合することによりポリイミドに対する反応性が高
まることから、０２とＣＦ４の各々単独のプラズマでは
みられない新たな反応活性種が生成していることが考え
られる。
そして、この活性種の効果により、０２．ＣＦ４単独の
プラズマ処理とは化学的に異なる表面状態を呈し、接着
性の違いを生むものと考えている。
プラズマ処理とは化学的に異なる表面状態を呈し、接着
性の違いを生むものと考えている。
第１図は本発明による多層ポリイミドフィルムの製造方
法を示す。
法を示す。
銅配線１，２をもつポリイミドフィルム３の表面に、０
２とＣＦ４の混合ガスを用いてプラズマ処理を施し、化
学修飾したポリイミド表面４を形成する。次に同様の処
理を施した他のポリイミドフィルム５と前述のポリイミ
ドフィルム４との間に、ポリイミドを主体とし、金、す
ず化合物がら成る導体６をもつ接着フィルム７を挿入す
る。次にこのポリイミドフィルムを加熱圧着する。この
過程で、接着フィルム中の導体６が溶融し、上部ポリイ
ミドフィルム中の銅配線８．下部フィルムの銅配線９と
の間に溶着し、上下の配線の電気的接続が形成される。
２とＣＦ４の混合ガスを用いてプラズマ処理を施し、化
学修飾したポリイミド表面４を形成する。次に同様の処
理を施した他のポリイミドフィルム５と前述のポリイミ
ドフィルム４との間に、ポリイミドを主体とし、金、す
ず化合物がら成る導体６をもつ接着フィルム７を挿入す
る。次にこのポリイミドフィルムを加熱圧着する。この
過程で、接着フィルム中の導体６が溶融し、上部ポリイ
ミドフィルム中の銅配線８．下部フィルムの銅配線９と
の間に溶着し、上下の配線の電気的接続が形成される。
また、接着フィルムを加熱により樹脂成分が流動し、上
、下のポリイミドフィルムの間隙を充てんし、冷却後、
固着され、ポリイミド絶縁膜１ｏとなる。
、下のポリイミドフィルムの間隙を充てんし、冷却後、
固着され、ポリイミド絶縁膜１ｏとなる。
第２図は本発明による多層ポリイミドフィルムを、多層
接着し、銅配線とポリイミド絶縁膜から成る多層配線板
１１をセラミック多層板１２に接続し、ＬＳ１１３を多
層搭載したマルチチップモジュール基板を示している。
接着し、銅配線とポリイミド絶縁膜から成る多層配線板
１１をセラミック多層板１２に接続し、ＬＳ１１３を多
層搭載したマルチチップモジュール基板を示している。
本発明によれば、超多層の銅−ポリイミド多層配線板を
提供することができ、ＬＳＩの超高密度な実装を行うこ
とができる。また、製造工程がきわめて容易で簡略であ
るため、スループット性が高く、製造コストの大幅な低
減が図れる。
提供することができ、ＬＳＩの超高密度な実装を行うこ
とができる。また、製造工程がきわめて容易で簡略であ
るため、スループット性が高く、製造コストの大幅な低
減が図れる。
第１図は、本発明の一実施例である一括積層型多層ポリ
イミドフィルムの製造方法の工程図。第２図は、本発明
による一括積層型多層ポリイミドフイルムをＬＳＩ実装
基板に用いた例を示す工程図、第３図は使用したポリイ
ミドの化学構造図、第４図は接着力の測定方法を示す説
明図、第５図はポリイミド膜同士の接着力を表す説明図
、第６図は耐湿試験後の接着力の変化を示す特性図、第
７図はプラズマ処理後のポリイミド膜同士の接着力を示
す説明図、第８図は０２・ＣＦａプラズマ処理後の接着
力を示す特性図、第９図、第１ｏ図はポリイミド表面の
ＸＰＳ分析結果の説明図である。 １・・・銅配線、２・・・銅配線、３・・・ポリイミド
フィルム、４・・・プラズマ処理されたポリイミドフィ
ルム、５・・・プラズマ処理されたポリイミドフィルム
、６・・・金、すず化合物から成る導体、７・・・接着
フィルム、８・・・９・・・銅配線、１０・・・ポリイ
ミドフィルム第 ｆ 図 第４図 ５：Ｏｌ ＼ 第 昭 第 口 ｏ ｚ（７４Ｊ ６０ ８０６″“Ｕ Ｃｒ
、４鋪１（’／−） １０σ 萎５飼 ＦＥα ×９５２ Ｉ００ 第り囚 ＰＣ丁ｇ＋固（ｋ） ≠９ 図 ｆｈｊ：ｒＬ６ Ｅｎｅｒｇｙ （ｅＶ）６ｉ＊ｊｉｘ
ｌ ｍｅｒＢ （ｃす
イミドフィルムの製造方法の工程図。第２図は、本発明
による一括積層型多層ポリイミドフイルムをＬＳＩ実装
基板に用いた例を示す工程図、第３図は使用したポリイ
ミドの化学構造図、第４図は接着力の測定方法を示す説
明図、第５図はポリイミド膜同士の接着力を表す説明図
、第６図は耐湿試験後の接着力の変化を示す特性図、第
７図はプラズマ処理後のポリイミド膜同士の接着力を示
す説明図、第８図は０２・ＣＦａプラズマ処理後の接着
力を示す特性図、第９図、第１ｏ図はポリイミド表面の
ＸＰＳ分析結果の説明図である。 １・・・銅配線、２・・・銅配線、３・・・ポリイミド
フィルム、４・・・プラズマ処理されたポリイミドフィ
ルム、５・・・プラズマ処理されたポリイミドフィルム
、６・・・金、すず化合物から成る導体、７・・・接着
フィルム、８・・・９・・・銅配線、１０・・・ポリイ
ミドフィルム第 ｆ 図 第４図 ５：Ｏｌ ＼ 第 昭 第 口 ｏ ｚ（７４Ｊ ６０ ８０６″“Ｕ Ｃｒ
、４鋪１（’／−） １０σ 萎５飼 ＦＥα ×９５２ Ｉ００ 第り囚 ＰＣ丁ｇ＋固（ｋ） ≠９ 図 ｆｈｊ：ｒＬ６ Ｅｎｅｒｇｙ （ｅＶ）６ｉ＊ｊｉｘ
ｌ ｍｅｒＢ （ｃす
Claims (6)
- １．導体金属とポリイミド絶縁膜からなり、前記導体金
属と前記ポリイミド絶縁膜との線熱膨張係数の差が１．
５×１０＾−＾５以下であるフレキシブル配線フイルム
を多層化する方法において、前記フレキシブル配線フイ
ルムの表面をプラズマにより化学修飾する工程と、前記
工程により化学修飾された二枚以上の前記フレキシブル
配線フイルム同士を金属粒子を含有するプリプレグフイ
ルムを介して、加熱する工程により、前記プリプレグフ
イルム中の金属粒子を溶融し、配線間の電気的接続がな
され、かつ、前記プリプレグフイルム中の樹脂の流動に
より絶縁膜を接着することを特徴とする多層ポリイミド
配線フイルムの製造方法。 - ２．請求項１において、前記ポリイミド絶縁膜は、次式
の単位構造 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１は ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ、ｍは１〜４の整数であり、Ｒ＿２は▲数式
、化学式、表等があります▼ から選ばれる） を有するイミド化合物である多層ポリイミド配線フイル
ムの製造方法。 - ３．請求項１または２において、前記ポリイミド膜は、
次式の単位構造 ▲数式、化学式、表等があります▼ を有するイミド化合物である多層ポリイミド配線フイル
ムの製造方法。 - ４．請求項１において、前記プリプレグフイルムは、次
式の単位構造 ▲数式、化学式、表等があります▼ から成るポリイミド化合物を含む多層ポリイミド配線フ
イルムの製造方法。 - ５．請求項１において、前記プリプレグフイルム中の金
属粒子は金，すず，シリコン，ゲルマニウムのいずれか
一つの元素を１重量パーセント以上含む多層ポリイミド
配線フイルムの製造方法。 - ６．請求項１において、プラズマにより化学修飾する工
程において、プラズマガスの成分中に酸素とＣＦ＿４を
混合したガス成分を５０％以上含有する多層ポリイミド
配線フイルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17522890A JPH0464280A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 多層ポリイミドフイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17522890A JPH0464280A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 多層ポリイミドフイルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0464280A true JPH0464280A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=15992519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17522890A Pending JPH0464280A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 多層ポリイミドフイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0464280A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283866A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Nitto Denko Corp | 多層回路基板およびその製造方法 |
| US5628852A (en) * | 1991-07-26 | 1997-05-13 | Nec Corporation | Method for manufacturing a polyimide multilayer wiring substrate |
| JPH11151791A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Toray Ind Inc | 金属板貼り合わせ成形加工用ポリエステルフィルム |
| US6537411B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-25 | The National University Of Singapore | Method for low temperature lamination of metals to polyimides |
| CN115991955A (zh) * | 2023-01-19 | 2023-04-21 | 上海兰钧新能源科技有限公司 | 一种绝缘膜用组合物及其制备方法和应用 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17522890A patent/JPH0464280A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5628852A (en) * | 1991-07-26 | 1997-05-13 | Nec Corporation | Method for manufacturing a polyimide multilayer wiring substrate |
| US5686702A (en) * | 1991-07-26 | 1997-11-11 | Nippon Electric Co | Polyimide multilayer wiring substrate |
| JPH06283866A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Nitto Denko Corp | 多層回路基板およびその製造方法 |
| JPH11151791A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Toray Ind Inc | 金属板貼り合わせ成形加工用ポリエステルフィルム |
| US6537411B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-25 | The National University Of Singapore | Method for low temperature lamination of metals to polyimides |
| CN115991955A (zh) * | 2023-01-19 | 2023-04-21 | 上海兰钧新能源科技有限公司 | 一种绝缘膜用组合物及其制备方法和应用 |
| CN115991955B (zh) * | 2023-01-19 | 2024-04-26 | 上海兰钧新能源科技有限公司 | 一种绝缘膜用组合物及其制备方法和应用 |
| CN118440567A (zh) * | 2023-01-19 | 2024-08-06 | 上海兰钧新能源科技有限公司 | 一种绝缘膜用组合物及其制备方法和应用 |
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