JPH0464460B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、基板にリードフレーム及び半導体
チツプを接着した、ワイヤボンデイング工程前の
半製品状態のガラス封止形半導体装置の製造装置
に関する。

〔従来の技術〕

デユアルインライン（DIL）形半導体集積回路
など、ガラス封止形半導体装置の半導体チツプを
ボイデイングするまでの構成部材を、第５図に分
解図で示す。１はセラミツクなど絶縁材からなる
基板で、上面の中央にキヤビテイ１ａが設けら
れ、このキヤビテイ１ａの中央部と他の上面全体
とに接着用ガラス（封止ガラス）２が塗布されて
いる。３は基板１上に接着用ガラス２で接着され
るリードフレーム、４はキヤビテイ１ａに接着用
ガラス２で接着される金属板で、銀板などからな
る。５はこの金属板上の端部にはんだ接合される
接地端子用小片（以下「端子用小片」と称する）
で、第８図に示す素材から形成される。図におい
て、６は42アロイ材６ａを母材とし、表面にアル
ミ材６ｂを、裏面にはんだ材６ｃを結合してなる
三層金属合板材で、テープ状になつている。この
三層金属合板材６から鎖線で示す小円形に打抜
き、第９図に拡大図で示す端子用小片５が形成さ
れる。

第５図に戻り、７は金属板４上中央に付着され
る接合用のはんだ薄片、８はこのはんだ薄片を介
し金属板４にダイボンデイングされる半導体チツ
プである。

基板１に金属板４及びリードフレーム３を加熱
圧着すると、第６図に示す圧着工程が終つた前段
の半製品パツケージ９（一般にサーデイツクパツ
ケージと呼ばれている）となる。

さらに、この半製品パツケージ９にボンデイン
グ工程で、金属板４にはんだ薄片７を付着し、端
子用小片５と半導体チツプ８をそれぞれボンデイ
ングすると、第７図に示す後段の半製品パツケー
ジ１０となる。

従来の製造装置も、この発明による製造装置
も、半導体装置として、ワイヤボンデイング前の
半製品パツケージ１０を組立てるための装置であ
る。

第１０図に半製品パツケージ９，１０を整列収
納するパレツト１１を示す。

半製品パツケージ１０を組立てる、従来の半導
体装置の製造装置を、第１１図ないし第１４によ
り説明する。第１１図ａに示すように、治具１２
の１対宛の桟１２ｂ上に、上面とキヤビテイ１ａ
の中央とに接着用ガラス２が塗布されてある基板
１を載せ、キヤビテイ１ａに金属板４を置き、基
板１上にリードフレーム３を置く。この状態を第
１１図ｂに示す。

治具１２は第１２図のように、両側の枠部１２
ａ間に１対宛の桟１０ｂが固着されてあり、それ
ぞれ第１１図ｂの状態の基板１が載せられてい
る。これまでの工程は手作業で行つていた。

このような状態の複数の基板１を載せた治具１
２を、第１３図に示す赤外線加熱炉１３のコンベ
ヤ１４に載せ、ゆつくり走行させ加熱する。こう
して、接着用ガラス２を加熱溶融し、リードフレ
ーム３と金属板４とを自重により接着させてい
た。

このような接着工程を終り、第６図に示す前段
の半製品パツケージ９となる。

上記のように、赤外線加熱炉１３から搬出され
た半製品パツケージ９は治具１２から取出され、
所定の洗浄及び乾燥された後、次のボンデイング
工程の装置にかけるために、第１０図に示すパレ
ツト１１上に整列される。

第１４図は従来のボンデイング工程での製造装
置を示す。１５はローダ部で、半製品パツケージ
９が収納されたパレツト１１が載せられ、周知の
直交３軸形ロボツト１６により半製品パツケージ
９を１個宛ヒータレール１７上に載せ、リードフ
レーム３の折曲げられた両側のリード部を両側部
にまたがらす。

次に、１８は前進送り手段で複数の送り爪１８
ａが突出，所定ストロークの前進移動，引込み後
退移動復帰の動作を繰返すことにより、ヒータレ
ール１７上の半製品パツケージ９を１個宛間欠前
進させ、位置決め機構（図示は略す）によつて位
置決め固定し、加熱させる。

つづいて、第９図のように、あらかじめ打抜か
れてある端子用小片５が周知のボールフイーダ
（パーツフイーダとも言う）１９に供給され、こ
のボールフイーダからの端子用小片５が、１個宛
ピツクアンドプレース（市販機械）２０により、
ヒータレール１７上に停止されている半製品パツ
ケージ９の基板１の金属板４上の一端に載せら
れ、端子用小片５の自体のはんだの溶融で接合さ
せる。２１ははんだ片付着手段で、端子用小片５
が接合されヒータレール１７上を前進送りされ、
位置決めされた半製品パツケージ９の金属板４上
の中央にはんだ薄片７を載せ接合する。２２はダ
イボンド工程での半導体チツプ８を位置決めし供
給するチツプ供給手段で、次のように構成されて
いる。位置決め機構をもつXYテーブル２３上に
トレイ２４を固定し、このトレイ上には粘着シー
トを引き張り保持していて、この粘着シート上に
はウエーハから分割された多数の半導体チツプ８
が張付けられている。

２５は検出カメラで、吸着しようとする半導体
チツプ８の位置を検出し、この検出信号が処理回
路に入れられ、この指令信号により所定の吸着位
置になるようにXYテーブル２３により移動調整
される。

２６はダイボンド手段で、位置決めされたトレ
イ２４上の半導体チツプ８を吸着ヘツド２６ａに
より吸着して移動し、ヒータレール１７上を前進
送りされ、位置決めされてある半製品パツケージ
９の金属板４上にはんだ薄片７を介しダイボンデ
イングする。こうして、第７図に示す後段の半製
品パツケージ１０が形成される。

この半製品パツケージ１０は、収納部２７に前
進送りされ、周知の直交三軸形ロボツト２８によ
り、パレツト１１に収納される。

さらに、パレツト１１に収納された各半製品パ
ツケージ１０は、次の目視検査工程に送られ、良
否判定及び不良品除去が行われる。この後、次の
ワイヤボンデイング工程に送られ、ワイヤボンデ
イング後は、上部に絶縁ふたがガラス封止接合さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のような従来のガラス封止形半導体装置の
製造装置では、赤外線加熱炉１３を要し、この加
熱炉に通すために手作業で基板１上にリードフレ
ーム３及び金属板４を置き、この状態で基板１を
治具１２上に載せねばならなかつた。加熱炉１３
に通し接着工程の終つた各半製品パツケージ９を
治具１２から取出し、付着した異物除去のため、
手作業などにより洗浄，乾燥を行わねばならない
という問題点があつた。

また、上記半製品パツケージ９をボンデイング
工程の手段に供給するために、手作業でパレツト
１１に整列収納しなければならなく、作業性が非
常に低かつた。

さらに、ボールフイーダ１９による端子用小片
５の整列供給が、表裏が逆になつて出ることが生
じるという問題点があつた。

そのうえ、赤外線加熱炉１３を通り加熱されて
後、洗浄，乾燥により冷却された半製品パツケー
ジ９を、ダイボンド手段２６で半導体チツプ８の
熱圧着のために、ヒータレール１７で再度加熱し
ており、これらのヒートサイクルにより金属板４
の表面に酸化膜が生じ、ダイボンデイング時のは
んだ薄片７のはんだ材の広がりが阻害され、ダイ
ボンドの不良が生じるという大きな問題点があつ
た。

この発明は、このような問題点を解決するため
になされたもので、基板への金属板及びリードフ
レームの圧着工程と、はんだ薄片，端子用小片及
び半導体チツプの各ボンデイング工程が自動的に
一貫してなされ、生産性を大幅に向上し、異物の
付着をなくし、その洗浄，乾燥を要せず、従来の
ようなヒートサイクルをなくし、品質良好なダイ
ボンドができるガラス封止形半導体装置の製造装
置を得ることを目的としている。

さらには、各圧着工程と各ボンデイング工程ご
とに自動的に不良が検出され、不良品は次後のボ
ンデイング工程を施こすことなく通され、最後に
不良品として取除かれ、良品の半製品パツケージ
がパレツトに収納され、目視検査を不要とし省力
化した半導体装置の製造装置を得ることを目的と
している。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明にかかるガラス封止形半導体装置の製
造装置は、ヒータレールと搬送手段を平行に配設
し、基板供給手段により基板を１枚宛ヒータレー
ル上に供給し、搬送手段により各工程の所定位置
宛間欠前進送りし、金属板圧着手段，リードフレ
ーム圧着手段，はんだ片付着手段，端子用小片圧
着手段，ダイボンド手段及びダイボンド手段への
チツプ供給手段を順に配設し、結合形成された半
製品パツケージのうち不良品を除去する不良品除
去手段と良品をパレツトに収納する収納手段を設
け、各圧着工程及び各ボンデイング工程ごとに認
識手段の撮像カメラを配置し、圧着部材の相互位
置を検出記憶し、この情報により良否を判定し、
この情報指令を前記不良品除去手段に与えるよう
にしたものである。

〔作用〕

この発明においては、ヒータレール上を前進送
りされてきた基板に、金属板圧着手段で金属板を
加熱圧着し、リードフレーム圧着手段によりリー
ドフレームを加熱圧着し、つづいて、基板の金属
板上の中央に、はんだ片付着手段によりはんだ薄
片を付着し、次に、金属板上の一端に、端子用小
片圧着手段により端子用小片をボンデイングし、
さらに、金属板上の中央にはんだ薄片を介し、ダ
イボンド手段により半導体チツプをボンデイング
し、半製品パツケージが形成され、各工程に配置
の撮像カメラによる位置関係を各認識手段により
検出記憶し、コンピユータにより良否を判定し、
この指令で不良品は除去手段で除去し、良品を収
納手段により各パレツト上に順次整列収納し、次
のワイヤボンデイング工程へ送られるようにす
る。

〔実施例〕

第１図はこの発明によるガラス封止形半導体装
置の製造装置の一実施例を示す斜視図である。３
１は長手方向に配設され、上部に載せられ送られ
る基板１を適温に加熱するヒータレール、３２は
このヒータレール３１に平行に配設された搬送手
段で、ヒータレール３１上の基板１を前後１対の
挟み爪３２ａ，３２ｂで挟付け、所定の各工程の
位置に間欠前進送りする。

ヒータレール３１に沿い前半部には順に、基板
供給手段３３，金属板仮付手段４０，第１の加圧
手段４４，リードフレーム仮付手段４５，第２の
加圧手段５３が配設されている。

さらに、後半部には順に、はんだ片仮付手段５
４，端子用小片圧着手段５８，ダイボンド手段６
２，不良品除去手段６８及び良品の収納手段６９
が配設されている。６５はダイボンド手段６２に
半導体チツプ８を供給するチツプ供給手段、７４
は各工程の手段をコンピユータにより自動制御す
る制御盤である。

各圧着工程及びボンデイング工程の箇所にはそ
れぞれ、第１の認識手段の撮像カメラ８１，第２
の認識手段の撮像カメラ８２，第３の認識手段の
撮像カメラ８３及び第４の認識手段の撮像カメラ
８４が配置されており、各圧着部材の相互関係位
置を撮像し、各認識手段（いずれも図示は略す）
のビデオ信号回路により検出記憶され、前記制御
盤７４のコンピユータにより良否が判定されその
情報指令が出される。

８５は第５の認識手段の撮像カメラで、チツプ
供給手段６５の多数の各半導体チツプ８を撮像
し、認識手段（図示は略す）で、ビデオ信号回路
により位置検出記憶と、画像記憶がされ、制御盤
７４のコンピユータにより良否が判定され、この
良否とその位置との情報指令が出される。

前記各認識手段はそれぞれ撮像カメラ及びビデ
オ信号処理回路を有しており、撮像カメラは例え
ば、イメージセンサカメラ（CCDカメラ）から
なる。

前記第１図の装置の前半部の圧着工程の各手段
部の構成と動作を、第２図の拡大図により説明す
る。

基板供給手段３３は、次のように構成されてい
る。３４は左右にしゆう動可能なステージで、前
記第５図のように、上面及びキヤビテイ１ａに接
着用ガラス２が付着された基板１を、多数枚重ね
収納したチユーブ３５を複数列平行に取付けてい
る。チユーブ３５内の基板１は下部から押上げ機
構３６で押上げられ、最上部に至つた基板１が１
枚宛周知のピツクアンドプレース３７により予熱
ヒータレール３８上に移される。この予熱ヒータ
レール上の基板１を送込み機構３９により、ヒー
タレール３１上に送り込む。

このように、あるチユーブ３５内の基板１が全
部取出され空になると、ステージ３４が移動し次
のチユーブ３５が取出し位置にされ、基板１が１
枚宛取出される。この動作が順次繰返され各チユ
ーブ３５内の基板１が取出され供給される。

周知の搬送手段３２は、第３図に動作説明図で
示すように、前後１対宛の挟み爪３２ａ，３２ｂ
の組が多数組配設されてあり、復帰位置ＢからＣ
位置に突出され、ヒータレール３１上に送り込ま
れた基板１を両端から挟付ける。つづいて、所定
のストロークでＤ位置に前進送りし、挟み爪３２
ａ，３２ｂは挟付けを開放し、Ｅ位置に引込まれ
てから復帰位置Ｂに戻る。この動作を繰返し、基
板１を１枚宛間欠前進送りする。

こうして、ヒータレール３１上をＡ方向に前進
送りされ所定の温度に加熱された基板１は、金属
板仮付手段４０の位置に至り両挟み爪３２ａ，３
２ｂに挟付けられたまま停止される。

金属板仮付手段４０は、次のように構成されて
いる。リール機構４１にリボン状金属材を巻付け
ており、打抜き機構４２により金属板４（第５図
参照）に打抜き、周知のピツクアンドプレース４
３により吸着し前記所定位置で停止している基板
１のキヤビテイ１ａに仮付けする。

金属板４が仮付けされた基板１は、ヒータレー
ル３１上を第１の認識手段の撮像カメラ８１下に
送られ、金属板４，基板１が撮像され、認識手段
により位置関係が検出記憶される。

つづいて、基板１はヒータレール３１上を第１
の加圧手段４４の位置に送られ、金属板４が加熱
圧着される。

金属板４が圧着された基板１は、ヒータレール
３１上を前進送りされリードフレーム仮付手段４
５の位置に停止される。

リードフレーム仮付手段４５は、次のように構
成されている。４６は左右にしゆう動可能なステ
ージで、リードフレーム３を多数個整列収納した
チユーブ４７を複数列平行に取付けている。チユ
ーブ４７内のリードフレーム３は下部から押上げ
機構４８で押上げられ、周知のピツクアンドプレ
ース４９により、最上部に至つたリードフレーム
３を１個宛予熱ヒータレール５０上に移す。この
予熱ヒータレール上のリードフレーム３を送り機
構５１で移動し、周知のピツクアンドプレース５
２により、前記所定位置で停止している基板１上
に仮付けする。

リードフレーム３が仮付けされた基板１は、ヒ
ータレール３１上を第２の認識手段の撮像カメラ
８２下に送られ、基板１，リードフレーム３が撮
像され、認識手段により位置関係が検出記憶され
る。

つづいて、基板１はヒータレール３１上を、複
数組の第２の加圧手段５３に順に送られ、複数段
階の温度に加熱され加圧されてリードフレーム３
が圧着される。こうして、圧着工程を終えた半製
品パツケージ９（第６図参照）とする。

次に、前記第１図の装置の後半部のボンデイン
グ工程の各手段部の構成と動作を、第４図の拡大
図により説明する。

前記リードフレーム３が圧着された半製品パツ
ケージ９は、ヒータレール３１上を送られはんだ
片仮付手段５４の位置に停止される。このはんだ
片仮付手段５４は、次のように構成されている。
リール機構５５にリボン状はんだ薄材を巻付けて
おり、切断機構５６により所定長さのはんだ薄片
７（第５図参照）に切断し、このはんだ薄片７を
ピツクアンドプレース５７により基板１の金属板
４上の中央に仮付けする。

このはんだ薄片７が仮付けされた半製品パツケ
ージ９は、ヒータレール３１上を端子用小片圧着
手段５８の位置に停止される。

この端子用小片圧着手段５８は、次のようにな
つている。リール機構５９にはんだ材６ｃ（第８
図参照）を裏側にし巻付けられたリボン状の三層
合板材６から、打抜き機構６０により端子用小片
５（第９図参照）に打抜き、ピツクアンドプレー
ス６１により吸着し、はんだ材６ｃを裏側にした
状態で基板１の金属板４上の一端にボンデイング
する。

この端子用小片５が接着された半製品パツケー
ジ９は、ヒータレール３１上を第３の認識手段の
撮像カメラ８３下に送られ、金属板４，端子用小
片５が撮像され、認識手段により位置関係が検出
記憶される。

撮像カメラ８３で撮像された半製品パツケージ
９は、ヒータレール３１上をダイボンデイング工
程位置に送られる。

チツプ供給手段６５は、次のように構成されて
いる。位置決め機構をもつXYテーブル６６上
に、上面に粘着シートを引き張り保持したトレイ
６７が固定され、この粘着シート上には分割され
た多数の半導体チツプ８が張付けられている。

このトレイ６７はXYテーブル６６により第５
の認識手段の撮像カメラ８５下に移動され、各半
導体チツプ８が撮像され、認識手段とコンピユー
タにより、各位置と良否の情報指定が出される。
この指定によりXYテーブル６６が移動調整して
良品の半導体チツプ８を所定の吸着位置にする。

そこで、周知のダイボンド手段６２の吸着ヘツ
ド６３がトレイ６７側に移動され、吸着位置の半
導体チツプ８を撮像カメラ８４で撮像し、第４の
認識手段により位置検出し、コンピユータにより
位置修正指令を出し、これによりXYテーブル６
６が半導体チツプ８を正しい吸着位置に移動修正
する。ついで、この吸着位置の半導体チツプ８を
吸着ヘツド６３で吸着し、ヒータレール３１上に
待期している半製品パツケージ９の基板１の金属
板４上の中央に、はんだ薄片７を介しダイボンデ
イングする。

このとき、吸着ヘツド６３に支持されてある第
４の認識手段の撮像カメラ８４により基板１，半
導体チツプ８が撮像され、相互の位置とはんだ薄
片７の溶融によるぬれ広がり状態が検出記憶され
る。

こうして、ボンデイング工程が終えてなる半製
品パツケージ１０（第７図参照）は、搬送手段３
２によりヒータレール３１上を前進送りされ、不
良品除去手段６８の位置に至る。この不良品除去
手段６８は周知の直交３軸形ロボツトからなり、
前記各圧着工程ごとに設けられた第１〜第４の認
識手段による各工程別の検出に基づく良否判定情
報により、不良品を不良品パレツト１１ａに収容
する。

一方、良品の半製品パツケージ１０は、搬送手
段３２により収納手段６９の吸着位置に送られ
る。収納手段６９は、次のように構成されてい
る。両側のパレツト収容機構７０によりパレツト
１１を積重ねており、パレツト１１の位置決め機
構と、上下，左右に移動可能なパレツト移動機構
（いづれも図示は略す）を備えている。さらに、
中央には上下，前後に移動可能な直交２軸移動機
構７１と、半製品パツケージ１０の吸着機構７２
とを備えている。

これらの各機構により良品の半製品パツケージ
１０をパレツト１１上に順次整列収納していく。

前記のように、各工程の手段による動作を繰返
し、半製品パツケージ１０が一貫し連続して形成
される。

上記基板供給手段３３及びリードフレーム仮付
手段４５への基板１及びリードフレーム３の補充
は、ステージ３４及び４６にチューブ３５及び４
７ごと補充を行えばよく、装置の動作を停止させ
なくてもよい。

金属板仮付手段４０，はんだ薄片仮付手段５４
及び端子用小片圧着手段５８への各リールの交換
は、リールへの各テープ状部材を十分な長さ量で
巻いておけば長時間交換が不要で、かつ、交換の
際も補充のリールごとに交換すればよく、短時間
で容易にできる。

端子用小片圧着手段５８は、三層合板材６をは
んだ材６ｃを裏側にしてリールに巻付けてあり、
はんだ材６ｃを裏側に一定して供給され、従来の
ように表裏整列不良が生じることなく、これによ
る不良品がなくされる。

前記ダイボンデイング工程において、トレイ６
７上の半導体チツプ８群から良品のみをダイボン
ド手段６２により吸着供給され、残つた不良半導
体チツプ８はトレイ６７ごとトレイ搬送手段６５
により新しいトレイと自動交換され、連続して良
品半導体チツプ８が供給される。

また、不良品除去手段６８の下方に配置された
不良品用パレツト１１ａは、各工程別に生じた不
良半製品を収容するものであるが、製造装置が連
続稼動中において、実際の不良品発生は極めて少
なく、パレツト１１ａの自動交換機構を設ける必
要はない。

さらに、良品半製品パツケージ１０の収納手段
６９には、パレツト１１の収容機構７０と、パレ
ツト移動機構と、直交２軸移動機構７１及び吸着
機構７２によつて、順次パレツト１１に良品半製
品パツケージ１０を整列収納した後、自動的に空
のパレツト１１と交換するので、作業者は空のパ
レツト１１の補充と、半製品パツケージ１０が詰
つたパレツト１１の取出しをすればよい。

なお、基板１へ各部材を接合する工程で、各認
識手段で不良が判定されると、この基板には以後
の工程では部材を接合することなく素通りさせる
ように制御するようにしてある。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれはぼ、基板供給
手段により基板を１枚宛ヒータレール上に送り込
み、搬送手段により各所定位置宛前進送りし、基
板への各部材の圧着手段及びボンデイング手段を
順に配設し、でき上つた半製品パツケージの不良
品除去手段及び良品の収納手段を配設し、各部材
の接着工程ごとに配置した認識手段の撮像カメラ
により撮像し、相互部材の位置検出に基づき良，
不良を判定しその情報指令により、半製品パツケ
ージのうち、不良品を除去手段で除去し、良品を
収納手段で収納するようにしたので、基板への各
部材の接着工程が自動的に一貫して行え、生産性
が大幅に向上され、従来のようにヒートサイクル
や手作業による異物の付着がなくされ、品質が向
上される。

また、認識手段の導入により全数目視検査を省
くことができ、省力化される。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明によるガラス封止形半導体装
置の製造装置の一実施例の斜視図、第２図は第１
図の装置の前半部の構成各手段部の拡大斜視図、
第３図は第２図の搬送装置の１対の挟み爪の動作
説明図、第４図は第１図の装置の後半部の構成各
手段部の拡大斜視図、第５図はガラス封止形半導
体装置の半製品パツケージの分解斜視図、第６図
は第５図の基板に金属板とリードフレームを圧着
してなる前段の半製品パツケージの斜視図、第７
図は第６図の半製品パツケージに端子用小片とチ
ツプをボンデイングしてなる後段の半製品パツケ
ージの斜視図、第８図は第５図の接地端子用小片
の素材の三層金属合板材の斜視図、第９図は第８
図の素材から打抜かれた接地端子用小片を示す斜
視図、第１０図は第６図及び第７図の半製品パツ
ケージを整列収納するパレツトの斜視図、第１１
図ないし第１４図は従来の製造装置を示し、第１
１図は治具を用いた基板への各部材の接合を順に
示す正面断面図、第１２図は第１１図の治具の斜
視図、第１３図は第１２図の治具に載せられた半
製品パツケージの赤外線加熱炉の斜視図、第１４
図は第１３図の加熱炉で処理された半製品パツケ
ージのボンデイング工程の各手段部を示す斜視図
である。 １……基板、１ａ……キヤビテイ、２……接着
用ガラス、３……リードフレーム、４……金属
板、５……接地端子用小片、６……三層金属合板
材、７……はんだ薄片、８……半導体チツプ、１
０……半製品パツケージ、１１……パレツト、３
１……ヒータレール、３２……搬送手段、３２
ａ，３２ｂ……挟み爪、３３……基板供給手段、
４０……金属板仮付手段、４４……第１の加圧手
段、４５……リードフレーム仮付手段、５３……
第２の加圧手段、５４……はんだ片仮付手段、５
８……端子用小片圧着手段、６２……ダイボンド
手段、６３……吸着ヘツド、６５……チツプ供給
手段、６６……XYテーブル、６７……トレイ、
６８……不良品除去手段、６９……収納手段、８
１〜８５……第１〜第５の認識手段の撮像カメ
ラ、なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の各手段を順次配設してなるガラス封止形
   半導体装置の製造装置。 (a) 長手方向に配設されてあり、上部に載せられ
   送られる基板を加熱するヒータレール、 (b) このヒータレールと平行に配設され、ヒータ
   レール上の基板を両端から１対宛の挟み爪で挟
   付け順次間欠送りし、各工程位置に停止させる
   搬送手段、 (c) 上面と上部中央に設けられたキヤビテイとに
   接着用ガラスが塗布された基板を、１枚宛前記
   ヒータレール上に供給する基板供給手段、 (d) テープ状金属板材から小片の金属板に切断
   し、前記ヒータレール上の前記基板のキヤビテ
   イに仮付けする金属板仮付手段、 (e) 前記基板と金属板の位置を検出記憶する第１
   の認識手段、 (f) 前記金属板を加熱圧着する第１の加圧手段、 (g) 前記基板上面に前記接着用ガラスを介しリー
   ドフレームを加熱仮付けするリードフレーム仮
   付け手段、 (h) この状態の基板とリードフレームの位置を検
   出記憶する第２の認識手段、 (i) 前記リードフレームを加熱圧着する第２の加
   圧手段、 (j) テープ状はんだ材をはんだ薄片に切断し、前
   記基板の金属板上の中央に付着するはんだ片仮
   付手段、 (k) テープ状三層金属合板材を接地端子用小片に
   打抜き、前記基板の金属板上の一端に熱圧着す
   る端子用小片圧着手段、 (l) 前記金属板と前記端子用小片の位置を検出記
   憶する第３の認識手段、 (m) 位置決め機構を有するXYテーブル上にトレ
   イを固定し、このトレイ上に張られた粘着シー
   ト面に、分割された多数の半導体チツプが付着
   されており、半導体チツプを所定の吸着位置に
   するチツプ供給手段、 (n) 前記トレイ上の各半導体チツプの位置及び画
   像を検出記憶し、この検出情報をコンピユータ
   に入れ良否を判定させ、前記チツプ供給手段に
   良品の半導体チツプのみを吸着位置にさせるよ
   うにするための第５の認識手段、 (p) 前記トレイ上で吸着位置にされた前記半導体
   チツプを吸着ヘツドで吸着し、前記基板の金属
   板上の中央に前記はんだ薄片を介し熱圧着する
   ダイボンド手段、 (q) 前記金属板と前記半導体チツプの位置を検出
   記憶する第４の認識手段、 (r) 前記各認識手段による検出情報でコンピユー
   タにより良否判定され、その指令が与えられ、
   前記ダイボンデイングを終えてなる半製品パツ
   ケージのうち不良品を除く不良品除去手段、 (s) 前記半製品パツケージの良品をパレツトに整
   列収納する収納手段。