JPH0465017A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
- Publication number
- JPH0465017A JPH0465017A JP2176007A JP17600790A JPH0465017A JP H0465017 A JPH0465017 A JP H0465017A JP 2176007 A JP2176007 A JP 2176007A JP 17600790 A JP17600790 A JP 17600790A JP H0465017 A JPH0465017 A JP H0465017A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- dielectric constant
- lead
- dielectric
- calcium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波領域で使用される誘電体磁器組成
物に関する。
物に関する。
従来の技術
近年、自動車電話、可搬型電話、衛星放送など、マイク
ロ波頭域のtM1波を利用する通信の進展にともない、
機器の小型化が要求されている。このためには、機器を
構成する個々の部品が小型化される必要がある。
ロ波頭域のtM1波を利用する通信の進展にともない、
機器の小型化が要求されている。このためには、機器を
構成する個々の部品が小型化される必要がある。
誘電体はこれらの機器において、フィルタ素子や発振素
子に誘電体共振器として組み込まれている。誘電体共振
器の大きさは同じ共振モードを利用する場合、誘電体材
料の持つ誘電率の平方根に逆比例するため、小型の誘電
体共振器を作製するには、高い比誘電率を有する材料が
必要である。
子に誘電体共振器として組み込まれている。誘電体共振
器の大きさは同じ共振モードを利用する場合、誘電体材
料の持つ誘電率の平方根に逆比例するため、小型の誘電
体共振器を作製するには、高い比誘電率を有する材料が
必要である。
また誘電体に求められる他の特性は、マイクロ波領域で
低損失であること、すなわち無負荷Q値が高いこと、さ
らに共振周波数の温度変化が小さいこと、すなわち比誘
電率の温度変化が小さいことである。
低損失であること、すなわち無負荷Q値が高いこと、さ
らに共振周波数の温度変化が小さいこと、すなわち比誘
電率の温度変化が小さいことである。
従来、この分野で利用されてきた誘電体としては、B
a (Z n +ziT a z7z) Oa、、 B
a OT I 02系の組成およびその一部を他の元
素で置換した組成などが知られていた。これらはいずれ
も比誘電率が30程度であり、共振器を小型化するには
、比誘電率が低すぎる。より比誘を率の大きい材料とし
て、Bad−TiO2−3m208系が特開昭57−1
5309号公報に開示されている。この系は80程度の
比誘電率と、2〜4GHzで3000程度の高い無負荷
Q値、および小さい比誘電率の温度係数を有している。
a (Z n +ziT a z7z) Oa、、 B
a OT I 02系の組成およびその一部を他の元
素で置換した組成などが知られていた。これらはいずれ
も比誘電率が30程度であり、共振器を小型化するには
、比誘電率が低すぎる。より比誘を率の大きい材料とし
て、Bad−TiO2−3m208系が特開昭57−1
5309号公報に開示されている。この系は80程度の
比誘電率と、2〜4GHzで3000程度の高い無負荷
Q値、および小さい比誘電率の温度係数を有している。
しかしながら共振器をさらに小型化するため、より高い
比誘電率の材料が求められているが、高い無負荷Q値と
小さい温度係数を有する材料は知られていない。一方、
誘電体の温度係数は比誘電率が高くなると一般に負であ
るが、P b Z r Oflのように正の値を有する
ものがある。したがって、正と負の値を有する材料を組
合せ、温度係数を小さくする試みもなされている。負の
温度係数を有する材料としては、T s O2やS r
T r OBが知られており、正の温度係数を有する
材料としては、PbO−Zr0□にランタニド酸化物を
添加した系として、特開昭61−156602号公報に
開示されたPbO−Tb203−ZrO2などがある。
比誘電率の材料が求められているが、高い無負荷Q値と
小さい温度係数を有する材料は知られていない。一方、
誘電体の温度係数は比誘電率が高くなると一般に負であ
るが、P b Z r Oflのように正の値を有する
ものがある。したがって、正と負の値を有する材料を組
合せ、温度係数を小さくする試みもなされている。負の
温度係数を有する材料としては、T s O2やS r
T r OBが知られており、正の温度係数を有する
材料としては、PbO−Zr0□にランタニド酸化物を
添加した系として、特開昭61−156602号公報に
開示されたPbO−Tb203−ZrO2などがある。
これらの材料では、比誘電率が100以上と大きく共振
器の小型化に寄与するところは大であるが、共振周波数
の温度係数τ、は一1000PPm/℃程度の大きな温
度変化を示す。
器の小型化に寄与するところは大であるが、共振周波数
の温度係数τ、は一1000PPm/℃程度の大きな温
度変化を示す。
発明が解決しようとする課題
このような従来の誘電体磁器組成物では、比誘電率およ
び無負荷Q値が大きくて、比誘電率の温度変化が小さい
という条件を兼ね備えていないという課題があった。
び無負荷Q値が大きくて、比誘電率の温度変化が小さい
という条件を兼ね備えていないという課題があった。
本発明は上記課題を解決するもので、比誘電率が大きく
て、マイクロ波領域で低損失であり、さらに比誘電率の
温度変化率が小さい誘電体磁器組成物を提供することを
目的とする。
て、マイクロ波領域で低損失であり、さらに比誘電率の
温度変化率が小さい誘電体磁器組成物を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、xPb。
y (Mg、/ B Nb2/3 )02 zcao
の組成式で表わされる酸化鉛、酸化マグネシウム。
の組成式で表わされる酸化鉛、酸化マグネシウム。
酸化ニオブおよび酸化カルシウムよりなる組成物で構成
され、x、y、zがモル百分率で、0.05≦X≦0,
45 0.4 ≦y≦0.55 0.15≦z ’J1.4 ただし、x+y+z=1の条件を満たすものである。
され、x、y、zがモル百分率で、0.05≦X≦0,
45 0.4 ≦y≦0.55 0.15≦z ’J1.4 ただし、x+y+z=1の条件を満たすものである。
作用
本発明は上記した構成により、マグネシウムニオブ酸鉛
(P b (Mg+7z Nbzz3) 03 )鉛の
一部がカルシウムで置換され、酸鉛の高い比誘電率を保
持しつつ、マイクロ波領域での高いQ値と優れた温度特
性が現出する。
(P b (Mg+7z Nbzz3) 03 )鉛の
一部がカルシウムで置換され、酸鉛の高い比誘電率を保
持しつつ、マイクロ波領域での高いQ値と優れた温度特
性が現出する。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。
出発原料には化学的に高純度であるMgO。
Nb、O6を、モル比で等量になるよう純度補正を行な
った後秤量し、安定化ジルコニア製の玉石を用いたポリ
エチレン製のボールミルに入れ、純粋を混合媒体に加え
て17時間混合する。混合後、スラリーを乾燥し、アル
ミナ製の坩堝に入れ、1000°Cで2時間仮焼し、M
gNb、06を合成する。これにやはり化学的に高純度
であるPbOとCaCo3を純度補正を行なったのち、
次の表に示した配合量にしたがって所定量秤量する。こ
れらの粉体を前述のボールミルに入れ、前記と同様に混
合する。混合後、スラリーを乾燥し、アルミナ製の坩堝
に入れ、750〜850℃で2時間仮焼する。仮焼体は
、ライカイ機で解砕した後、前述したボールミルで17
時間粉砕し、乾燥させ、原料粉体とする。この粉体にバ
インダとしてポリビニルアルコールの5%水溶液を6重
量%加えて混合後、32メツシユのふるいを通して造粒
し、100MPaで直径13−1厚み約5閣の円柱状に
プレス成形する。成形体は600℃で2時間加熱してバ
インダを焼却後、マグネシアの容器に入れ、周囲に同一
組成の仮焼粉を配してPbOの蒸発を防ぎながら、組成
に応じて1100〜1400℃で2時間保持して焼成す
る。得られた焼結体を誘電体共振器法による測定から共
振周波数と無負荷Q値を求めた。また焼結体の寸法と共
振周波数より比誘電率を夏山した。共振周波数は、2〜
6G)(zであった。また−25℃および85℃におけ
る共振周波数を測定し、20℃の値を基準として、温度
変化率(τt)を算出した。これらの結果を表に示す。
った後秤量し、安定化ジルコニア製の玉石を用いたポリ
エチレン製のボールミルに入れ、純粋を混合媒体に加え
て17時間混合する。混合後、スラリーを乾燥し、アル
ミナ製の坩堝に入れ、1000°Cで2時間仮焼し、M
gNb、06を合成する。これにやはり化学的に高純度
であるPbOとCaCo3を純度補正を行なったのち、
次の表に示した配合量にしたがって所定量秤量する。こ
れらの粉体を前述のボールミルに入れ、前記と同様に混
合する。混合後、スラリーを乾燥し、アルミナ製の坩堝
に入れ、750〜850℃で2時間仮焼する。仮焼体は
、ライカイ機で解砕した後、前述したボールミルで17
時間粉砕し、乾燥させ、原料粉体とする。この粉体にバ
インダとしてポリビニルアルコールの5%水溶液を6重
量%加えて混合後、32メツシユのふるいを通して造粒
し、100MPaで直径13−1厚み約5閣の円柱状に
プレス成形する。成形体は600℃で2時間加熱してバ
インダを焼却後、マグネシアの容器に入れ、周囲に同一
組成の仮焼粉を配してPbOの蒸発を防ぎながら、組成
に応じて1100〜1400℃で2時間保持して焼成す
る。得られた焼結体を誘電体共振器法による測定から共
振周波数と無負荷Q値を求めた。また焼結体の寸法と共
振周波数より比誘電率を夏山した。共振周波数は、2〜
6G)(zであった。また−25℃および85℃におけ
る共振周波数を測定し、20℃の値を基準として、温度
変化率(τt)を算出した。これらの結果を表に示す。
(以 下 余 白)
表より明らかなように酸化鉛、酸化マグネシウム、酸化
ニオブおよび酸化カルシウムよりなる組成物を組成式 %式% と表したとき、x、y、zがモル百分率で、0.05≦
X≦0.45 0.4 ≦y≦0.55 0.15≦2≦0.4 ただし、z−4−y+z=1なる関係を満たす組成では
、比誘電率が35〜107と高く、無負荷Q値が300
以上の値を有しており、かつ共振周波数の温度変化が2
00ppm/’c以下である。特に試料番号7,8.1
2では、80以上の比誘電率を有し、400以上の無負
荷Q値と共振周波数の温度変化が200ppm/”C以
下の優れた特性を示した。
ニオブおよび酸化カルシウムよりなる組成物を組成式 %式% と表したとき、x、y、zがモル百分率で、0.05≦
X≦0.45 0.4 ≦y≦0.55 0.15≦2≦0.4 ただし、z−4−y+z=1なる関係を満たす組成では
、比誘電率が35〜107と高く、無負荷Q値が300
以上の値を有しており、かつ共振周波数の温度変化が2
00ppm/’c以下である。特に試料番号7,8.1
2では、80以上の比誘電率を有し、400以上の無負
荷Q値と共振周波数の温度変化が200ppm/”C以
下の優れた特性を示した。
しかしながら、前述の範囲外のx、y、 t、の組成
では、マイクロ波用誘電体として望ましくない。
では、マイクロ波用誘電体として望ましくない。
すなわち、CaOが0.15より少ない組成(表の試料
番号6)では、無負荷Q値が100以下であり、またC
aOが0.4より多い組成(表の試料番号11)では、
比gN率が35以下となるため使用不適である。また(
M g l/s N b tyx )02が0.4未満
の組成(表の試料番号18)では、無負荷Q値が200
以下となり、0,55を超える組成(表の試料番号1)
では1400°C以下の温度では緻密に焼結しないので
使用不適である。
番号6)では、無負荷Q値が100以下であり、またC
aOが0.4より多い組成(表の試料番号11)では、
比gN率が35以下となるため使用不適である。また(
M g l/s N b tyx )02が0.4未満
の組成(表の試料番号18)では、無負荷Q値が200
以下となり、0,55を超える組成(表の試料番号1)
では1400°C以下の温度では緻密に焼結しないので
使用不適である。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化ニオブおよび酸化カルシウ
ムで構成された誘電体磁器組成物よりなるので、無負荷
Q値およびマイクロ波領域における比誘電率が高く、共
振周波数の温度変化が小さい誘電体磁器組成物を提供で
きる。したがってマイクロ波領域における比誘電率が改
善されるので誘電体共振器を小型にすることが可能とな
り、自動車電話や可搬型電話などのマイクロ波用機器の
小型化に寄与するところが大である。また誘電体共振器
のみならず、マイクロ波用の回路基板などにも利用でき
、工業的価値が大きいものである。
鉛、酸化マグネシウム、酸化ニオブおよび酸化カルシウ
ムで構成された誘電体磁器組成物よりなるので、無負荷
Q値およびマイクロ波領域における比誘電率が高く、共
振周波数の温度変化が小さい誘電体磁器組成物を提供で
きる。したがってマイクロ波領域における比誘電率が改
善されるので誘電体共振器を小型にすることが可能とな
り、自動車電話や可搬型電話などのマイクロ波用機器の
小型化に寄与するところが大である。また誘電体共振器
のみならず、マイクロ波用の回路基板などにも利用でき
、工業的価値が大きいものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化鉛,酸化マグネシウム,酸化ニオブおよび酸化カル
シウムよりなる組成物を組成式 xPbO−y (Mg_1_/_3Nb_2_/_3)
O_2−zCaOと表したとき、x,y,zがモル百分
率で、 0.05≦x≦0.45 0.4≦y≦0.55 0.15≦z≦0.4 ただし、x+y+z=1の条件を満たすことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02176007A JP3098763B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 誘電体共振器 |
| US07/724,884 US5153154A (en) | 1990-07-03 | 1991-07-02 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02176007A JP3098763B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465017A true JPH0465017A (ja) | 1992-03-02 |
| JP3098763B2 JP3098763B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=16006089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02176007A Expired - Fee Related JP3098763B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098763B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510447A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-24 | Nippon Electric Co | Oxide permittivity material |
| JPS6469522A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-15 | Ube Industries | Low-temperature perovskite-type capacitor material |
| JPH03285864A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-17 | Toshiba Corp | 誘電体薄膜 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP02176007A patent/JP3098763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510447A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-24 | Nippon Electric Co | Oxide permittivity material |
| JPS6469522A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-15 | Ube Industries | Low-temperature perovskite-type capacitor material |
| JPH03285864A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-17 | Toshiba Corp | 誘電体薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3098763B2 (ja) | 2000-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |