JPH0465367A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPH0465367A JPH0465367A JP2177322A JP17732290A JPH0465367A JP H0465367 A JPH0465367 A JP H0465367A JP 2177322 A JP2177322 A JP 2177322A JP 17732290 A JP17732290 A JP 17732290A JP H0465367 A JPH0465367 A JP H0465367A
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
製造方法に関するものである。
かつ熱膨張率がシリコン(St)と近似しているため、
半導体装置の実装用基板として用いられている。また、
AgN焼結体は高温下での高強度性、溶融金属との反応
性か乏しいなどの特性を合せ持っているため、他の分野
への応用が広がりつつある。近年、AIJN焼結体を高
純度化すことなどで〜270W/m−にの高熱伝導率化
が可能なった。270W/m−にのA、9N焼結体には
、不純物酸素量、そして陽イオン不純物がそれぞれ数百
ppm程度しか含まれていないことがよく知られている
。
ルミニウム不純物は、焼成時に添加物と反応してアルミ
ン酸塩を生成し、これらアルミン酸塩は焼成時に液相を
生成しA、QN焼結体の緻密化を促進する。通常、前記
アルミン酸塩は粒界三重点に粒界相として残留する。換
言すれば、酸化アルミニウムム不純物は粒界相にトラッ
プされ、AgN結晶自体を高純度化される。例えば、添
加物としてY2O,を用いると、3Y2035AiJ2
03 Y2O3AN2032 Y 203 ・Al
120<等のY−Ag−0系複合酸化物を生成し、添加
物としてCaOを用いるとCa0−A1203.2Ca
o e AJ7203等のCa−Aj7−0系板合酸化
物を生成し、焼結体内に残存する。このようなアルミン
酸塩は、粒界三重点に粒界相として残留する。
体の熱伝導率が低下する。このため、還元性雰囲気下で
長時間の焼成を行って前記複合酸化物を系外に除去する
ことによって、−層の高純度化、つまり高熱伝導率化が
図られている。前記複合酸化物を含まないAIN焼結体
は、X線回折やSEMで評価した範囲内ではAIJN単
相からなることが知られている。複合酸化物が除去され
るメカニズムについては、いくつかの説が報告されてい
るが、定説には至っておらず、複合酸化物の還元窒化反
応及び蒸発が関係していると考えられている。前記複合
酸化物がA1!N焼結体の系外に移行する速度は、焼成
雰囲気に依存し、ヒータ又は焼成容器などから微量のカ
ーボンガスが発生する雰囲気では速いことが知られてい
る。
雰囲気の影響は極めて多大である。焼成雰囲気により、
粒界相の除去される速度、焼結体内に残存する不純物量
が異なる。その結果、焼結体の特性は大きく変化する。
容器を変えることによって焼成雰囲気を制御することが
行われていた。
トの他、AIN焼結体、BN(窒化硼素)、タングステ
ン等が用いられていた。しかしなから、かかる方法でも
高熱伝導性ApN焼結体を必すしも安定的に製造するこ
とか難しく、特に焼結体寸法が大形化した場合には、よ
り顕著となるという問題があった。
もので、高熱伝導性の優れたA、ON焼結体を簡単かつ
安定的に製造し得る方法を提供しようとするものである
。
及び/又は希土類化合物を添加した成形体を、不純物酸
素量が0.5重量%未満の窒化アルミニウム焼結体とグ
ラファイトとを共存させた不活性雰囲気にて焼成するこ
とを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法であ
る。
.5重量%、より好ましくは0.3〜2.0重量%で、
かつ平均−時粒子径が1.5μm以下、より好ましくは
0.1〜1.2μmのものを用いることが望ましい。
成に際してアルカリ土類アルミン酸塩、希土類アルミン
酸塩、アルカリ土類希土類アルミン酸塩等の複合酸化物
に変化し、焼成終了時には焼結体の系外に除去される。
%Srの酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、シュウ酸
塩、硝酸塩、又はアルコキシド等を挙げることができる
。
炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、又はアルコキシド等を挙
げることができ、特にY、La。
量は、これら化合物の元素換算をA、AgN粉末の量を
Bとした時、A/ (A+B)を30重量%以下、より
好ましくは0,1〜20重量%の範囲にすることが望ま
しい。この理由は、前記化合物の量が30重量%を越え
ると、それら化合物の元素がION粒界に残留してAΩ
N焼結体の高熱伝性を阻害する恐れがある。
形体の敷板や成形体に隣接して配置するブロックの形態
で還元性雰囲気中に共存させることができる。かかるA
ρN焼結体中の不純物酸素量を限定した理由は、その量
を0.5重量%以上にするとA11N焼結体の熱伝導率
の低下、焼結体中の色ムラ発生が起こる。より好ましい
不純物酸素量は、0.4重量%以下である。
て作用し、例えば焼成炉のグラファイトヒータやグラフ
ァイト容器の形態で雰囲気中に共存される。不活性ガス
としては、例えばN2、Ar5He等を用いることがで
きる。
とが望ましい。この理由は、その温度を1800℃未満
にすると焼結性か低下するばかりが、焼結助剤としての
アルカリ土類化合物及び/又は希土類化合物の元素がA
、9N粒界から抜けず、残留し、方2000℃を越える
とA、QNが昇華するばかりか雰囲気中のカーボンガス
と反、応してカーバイドが生成される恐れかある。また
、ががる焼成は前記焼成温度範囲で低温側(1800’
C)では6時間以上、高温側(2000℃)では4時間
以上行うことが望ましい。
に、AIHを主成分とし、粒界相としてアルカリ土類元
素アルミニウム酸化物、希土類元素アルミニウム酸化物
、アルカリ土類元素希土類元素アルミニウム酸化物から
選ばれる少なくとも1種を含む焼結体を用いてもよい。
/又は希土類化合物を添加した成形体を、不純物酸素量
が0,5重量%未満のA、QN焼結体とグラファイトと
を共存させた不活性雰囲気下にて焼成する。かかる焼成
工程において、前記添加物はアルカリ土類アルミン酸塩
、希土類アルミン酸塩、アルカリ土類希土類アルミン酸
塩等の複合酸化物に変化し、前記グラファイトから発生
する微量のカーボンガスの作用により焼成終了時には焼
結体の系外に除去される。つまり、前記添加物はAIH
の緻密化及び不純物酸化アルミニウムのトラップに寄与
した後、系外に除去される。また、雰囲気中に共存され
るA、9N焼結体によって、得ようとするA、QN焼結
体の重量減少を防止できる。
素を0.5重量%未満に特定化することによって、得よ
うとするAgN焼結体の色ムラの発生、熱伝導率の低下
を防止できる。その結果、AIHの高純度化による高熱
伝導性(熱伝導率が240W/ m * K以上)を有
するA、QN単一相焼結体を簡単かつ安定的に製造でき
る。
.6μmのAIN粉末に添加物として平均粒径0.1.
czm、純度99.9%のY2O,粉末3重量部、(Y
換算、 2.38重量%)を加え、ボールミルで混合し
て原料粉末を調製した。つづいて、この原料粉末にアク
リル系バインダ5重量%を添加した造粒した後、この造
粒粉末12gを500kg/ cm2の一軸加圧下て成
形して約30X 30X 7mmの圧粉体とした。ひき
つづき、この圧粉体を窒素ガス雰囲気中で700℃まで
加熱してアクリル系バインダを除去した。次いで、前記
圧粉体を不純物酸素ff10.21重量%のA、QN焼
結体からなる直径901111%厚さ 11mの敷板上
に載せ、これを内寸法で直径1001110%高さ 1
00IIIIIのグラフアイ製容器内にセットし、グラ
ファイト製ヒータ炉内にて1気圧の窒素ガス雰囲気、1
900℃で24時間焼成してAfiN焼結体を製造した
。
のAgN焼結体からなるものを用いた以外、実施例1と
同様な方法によりA、QN焼結体を製造した。
manのタングステンシートからなるものを用いた以外
、実施例1と同様な方法によりAgN焼結体を製造した
。
器にそのままセットした以外、実施例1と同様な方法に
よりA、9N焼結体を製造した。
体について、それらの粉砕物をX線回折により構成相を
調べたところ、単一のIcIN相からなるものであった
。但し、比較例3の焼結体では粉砕時に異臭を発つし、
なんらかの微量不純物が混入されていることが推定され
る。また、これらAJN焼結体について、密度、熱伝導
率及び外観を調べた。これらの結果を下記第1表に示し
た。
した。
■の円板を切り出し、21.’C±2℃の室温下、レー
ザフラッシュ法により熱伝導率を測定した。
素量を有するAρN焼結体からなるものを用いた以外、
実施例1と同様な方法により 5種のA47N焼結体を
製造した。
述した実施例1と同様な方法により密度、熱伝導率を調
べた。その結果を同第2表に併記した。
末を用いた以外、実施例1と同様な方法により 7種の
Afi N焼結体を製造した。
前述した実施例1と同様な方法により密度、熱伝導率の
評価すると共に、電気抵抗、絶縁破壊電圧、誘電率を調
べた。その結果を同第3表に併記した。なお、電気抵抗
、絶縁破壊電圧、誘電率の測定法はいずれもJISにの
っとり、室温下で行った。
つ焼成を同第4表に示す条件で行った以外、実施例1と
同様な方法により 5種のA、QN焼結体を製造した。
供した。
前述したのと同様な方法により密度、熱伝導率、電気抵
抗、絶縁破壊電圧、誘電率を調べた。
0W / m K以上の高熱伝導性を有するAgN焼結
体を簡単かつ安定的に製造でき、ひいては歩留まりの向
上、低コスト化を図ることができる等顕著な効果を奏す
る。
Claims (1)
- 窒化アルミニウム粉末にアルカリ土類化合物及び/又は
希土類化合物を添加した成形体を、不純物酸素量が0.
5重量%未満の窒化アルミニウム焼結体とグラファイト
とを共存させた不活性雰囲気にて焼成することを特徴と
する窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177322A JP2938153B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177322A JP2938153B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465367A true JPH0465367A (ja) | 1992-03-02 |
| JP2938153B2 JP2938153B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=16028956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2177322A Expired - Lifetime JP2938153B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938153B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005049525A1 (ja) | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| WO2005123627A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Tokuyama Corporation | 窒化物焼結体、及びその製造方法 |
| US7553788B2 (en) | 2006-09-26 | 2009-06-30 | Tokuyama Corporation | Process for producing an aluminum nitride sintered body |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2177322A patent/JP2938153B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP2189432A3 (en) * | 2003-11-21 | 2012-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High thermal conductive aluminum nitride sintered body |
| WO2005123627A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Tokuyama Corporation | 窒化物焼結体、及びその製造方法 |
| US7876053B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-01-25 | Tokuyama Corporation | Nitride sintered body and method for manufacturing thereof |
| US7973481B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-07-05 | Tokuyama Corporation | Nitride sintered body and method for manufacturing thereof |
| CN1972883B (zh) | 2004-06-21 | 2011-07-20 | 株式会社德山 | 氮化物烧结体及其制造方法、支架以及复合发光元件 |
| JP4937738B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-05-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化物焼結体、及びその製造方法 |
| US7553788B2 (en) | 2006-09-26 | 2009-06-30 | Tokuyama Corporation | Process for producing an aluminum nitride sintered body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2938153B2 (ja) | 1999-08-23 |
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