JPH0465367A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造方法

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JPH0465367A
JPH0465367A JP2177322A JP17732290A JPH0465367A JP H0465367 A JPH0465367 A JP H0465367A JP 2177322 A JP2177322 A JP 2177322A JP 17732290 A JP17732290 A JP 17732290A JP H0465367 A JPH0465367 A JP H0465367A
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文雄 上野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、窒化アルミニウム焼結体(l N焼結体)の
製造方法に関するものである。
(従来の技術) Af1N焼結体は、熱伝導率がアルミナなどより高く、
かつ熱膨張率がシリコン(St)と近似しているため、
半導体装置の実装用基板として用いられている。また、
AgN焼結体は高温下での高強度性、溶融金属との反応
性か乏しいなどの特性を合せ持っているため、他の分野
への応用が広がりつつある。近年、AIJN焼結体を高
純度化すことなどで〜270W/m−にの高熱伝導率化
が可能なった。270W/m−にのA、9N焼結体には
、不純物酸素量、そして陽イオン不純物がそれぞれ数百
ppm程度しか含まれていないことがよく知られている
周知のようにAIJN粉末に不可避的に含まれる酸化ア
ルミニウム不純物は、焼成時に添加物と反応してアルミ
ン酸塩を生成し、これらアルミン酸塩は焼成時に液相を
生成しA、QN焼結体の緻密化を促進する。通常、前記
アルミン酸塩は粒界三重点に粒界相として残留する。換
言すれば、酸化アルミニウムム不純物は粒界相にトラッ
プされ、AgN結晶自体を高純度化される。例えば、添
加物としてY2O,を用いると、3Y2035AiJ2
03   Y2O3AN2032 Y 203 ・Al
120<等のY−Ag−0系複合酸化物を生成し、添加
物としてCaOを用いるとCa0−A1203.2Ca
o e AJ7203等のCa−Aj7−0系板合酸化
物を生成し、焼結体内に残存する。このようなアルミン
酸塩は、粒界三重点に粒界相として残留する。
上述した複合酸化物が粒界相に混在すると、その分焼結
体の熱伝導率が低下する。このため、還元性雰囲気下で
長時間の焼成を行って前記複合酸化物を系外に除去する
ことによって、−層の高純度化、つまり高熱伝導率化が
図られている。前記複合酸化物を含まないAIN焼結体
は、X線回折やSEMで評価した範囲内ではAIJN単
相からなることが知られている。複合酸化物が除去され
るメカニズムについては、いくつかの説が報告されてい
るが、定説には至っておらず、複合酸化物の還元窒化反
応及び蒸発が関係していると考えられている。前記複合
酸化物がA1!N焼結体の系外に移行する速度は、焼成
雰囲気に依存し、ヒータ又は焼成容器などから微量のカ
ーボンガスが発生する雰囲気では速いことが知られてい
る。
高熱伝導性AIIN単一相焼結体の製造において、焼成
雰囲気の影響は極めて多大である。焼成雰囲気により、
粒界相の除去される速度、焼結体内に残存する不純物量
が異なる。その結果、焼結体の特性は大きく変化する。
従来より、A、QN単一相焼結体を製造する場合、焼成
容器を変えることによって焼成雰囲気を制御することが
行われていた。
前記焼成容器には、カーボンガスの供給源のグラファイ
トの他、AIN焼結体、BN(窒化硼素)、タングステ
ン等が用いられていた。しかしなから、かかる方法でも
高熱伝導性ApN焼結体を必すしも安定的に製造するこ
とか難しく、特に焼結体寸法が大形化した場合には、よ
り顕著となるという問題があった。
(発明か解決しようとする課題) 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、高熱伝導性の優れたA、ON焼結体を簡単かつ
安定的に製造し得る方法を提供しようとするものである
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 本発明は、窒化アルミニウム粉末にアルカリ土類化合物
及び/又は希土類化合物を添加した成形体を、不純物酸
素量が0.5重量%未満の窒化アルミニウム焼結体とグ
ラファイトとを共存させた不活性雰囲気にて焼成するこ
とを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法であ
る。
上記Al)N粉末としては、不純物酸素量が0.1〜2
.5重量%、より好ましくは0.3〜2.0重量%で、
かつ平均−時粒子径が1.5μm以下、より好ましくは
0.1〜1.2μmのものを用いることが望ましい。
上記アルカリ土類化合物及び/又は希土類化合物は、焼
成に際してアルカリ土類アルミン酸塩、希土類アルミン
酸塩、アルカリ土類希土類アルミン酸塩等の複合酸化物
に変化し、焼成終了時には焼結体の系外に除去される。
かかるアルカリ土類化合物としては、例えばCa、Ba
%Srの酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、シュウ酸
塩、硝酸塩、又はアルコキシド等を挙げることができる
また、希土類化合物としては、例えばY、La。
Ce、Nd、Dy5Prの酸化物、炭化物、フッ化物、
炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、又はアルコキシド等を挙
げることができ、特にY、La。
Ceの化合物が好適である。
上記アルカリ土類化合物及び/又は希土類化合物の添加
量は、これら化合物の元素換算をA、AgN粉末の量を
Bとした時、A/ (A+B)を30重量%以下、より
好ましくは0,1〜20重量%の範囲にすることが望ま
しい。この理由は、前記化合物の量が30重量%を越え
ると、それら化合物の元素がION粒界に残留してAΩ
N焼結体の高熱伝性を阻害する恐れがある。
上記不純物酸素を含むA、QN焼結体は、例えば前記成
形体の敷板や成形体に隣接して配置するブロックの形態
で還元性雰囲気中に共存させることができる。かかるA
ρN焼結体中の不純物酸素量を限定した理由は、その量
を0.5重量%以上にするとA11N焼結体の熱伝導率
の低下、焼結体中の色ムラ発生が起こる。より好ましい
不純物酸素量は、0.4重量%以下である。
上記グラファイトは、微量のカーボンガスの発生源とし
て作用し、例えば焼成炉のグラファイトヒータやグラフ
ァイト容器の形態で雰囲気中に共存される。不活性ガス
としては、例えばN2、Ar5He等を用いることがで
きる。
上記焼成は、1800〜2000℃の温度範囲で行うこ
とが望ましい。この理由は、その温度を1800℃未満
にすると焼結性か低下するばかりが、焼結助剤としての
アルカリ土類化合物及び/又は希土類化合物の元素がA
、9N粒界から抜けず、残留し、方2000℃を越える
とA、QNが昇華するばかりか雰囲気中のカーボンガス
と反、応してカーバイドが生成される恐れかある。また
、ががる焼成は前記焼成温度範囲で低温側(1800’
C)では6時間以上、高温側(2000℃)では4時間
以上行うことが望ましい。
本発明方法における焼成対象物は、上述した成形体の他
に、AIHを主成分とし、粒界相としてアルカリ土類元
素アルミニウム酸化物、希土類元素アルミニウム酸化物
、アルカリ土類元素希土類元素アルミニウム酸化物から
選ばれる少なくとも1種を含む焼結体を用いてもよい。
(作 用) 本発明方法は、A47N粉末にアルカリ土類化合物及び
/又は希土類化合物を添加した成形体を、不純物酸素量
が0,5重量%未満のA、QN焼結体とグラファイトと
を共存させた不活性雰囲気下にて焼成する。かかる焼成
工程において、前記添加物はアルカリ土類アルミン酸塩
、希土類アルミン酸塩、アルカリ土類希土類アルミン酸
塩等の複合酸化物に変化し、前記グラファイトから発生
する微量のカーボンガスの作用により焼成終了時には焼
結体の系外に除去される。つまり、前記添加物はAIH
の緻密化及び不純物酸化アルミニウムのトラップに寄与
した後、系外に除去される。また、雰囲気中に共存され
るA、9N焼結体によって、得ようとするA、QN焼結
体の重量減少を防止できる。
しかも、雰囲気中に共存させるAgN焼結体の不純物酸
素を0.5重量%未満に特定化することによって、得よ
うとするAgN焼結体の色ムラの発生、熱伝導率の低下
を防止できる。その結果、AIHの高純度化による高熱
伝導性(熱伝導率が240W/ m * K以上)を有
するA、QN単一相焼結体を簡単かつ安定的に製造でき
る。
(実施例) 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例1 まず、不純物酸素量が1.0重量%、平均−次粒子径0
.6μmのAIN粉末に添加物として平均粒径0.1.
czm、純度99.9%のY2O,粉末3重量部、(Y
換算、 2.38重量%)を加え、ボールミルで混合し
て原料粉末を調製した。つづいて、この原料粉末にアク
リル系バインダ5重量%を添加した造粒した後、この造
粒粉末12gを500kg/ cm2の一軸加圧下て成
形して約30X 30X 7mmの圧粉体とした。ひき
つづき、この圧粉体を窒素ガス雰囲気中で700℃まで
加熱してアクリル系バインダを除去した。次いで、前記
圧粉体を不純物酸素ff10.21重量%のA、QN焼
結体からなる直径901111%厚さ 11mの敷板上
に載せ、これを内寸法で直径1001110%高さ 1
00IIIIIのグラフアイ製容器内にセットし、グラ
ファイト製ヒータ炉内にて1気圧の窒素ガス雰囲気、1
900℃で24時間焼成してAfiN焼結体を製造した
比較例1 圧粉体を載せる敷板として、不純物酸素量]、5重量%
のAgN焼結体からなるものを用いた以外、実施例1と
同様な方法によりA、QN焼結体を製造した。
比較例2 圧粉体を載せる敷板として、75mn角、厚さ0.05
manのタングステンシートからなるものを用いた以外
、実施例1と同様な方法によりAgN焼結体を製造した
比較例3 圧粉体をタングステンシートを用いずにクラフィト製容
器にそのままセットした以外、実施例1と同様な方法に
よりA、9N焼結体を製造した。
得られた本実施例1及び比較例1〜3のA、17N焼結
体について、それらの粉砕物をX線回折により構成相を
調べたところ、単一のIcIN相からなるものであった
。但し、比較例3の焼結体では粉砕時に異臭を発つし、
なんらかの微量不純物が混入されていることが推定され
る。また、これらAJN焼結体について、密度、熱伝導
率及び外観を調べた。これらの結果を下記第1表に示し
た。
なお、■密度、■熱伝導率は以下に示す方法により測定
した。
■密度 アルキメデス法によりApN焼結体の密度を測定した。
■熱伝導率 各A111N焼結体から直径IDllID1%厚さ 3
■の円板を切り出し、21.’C±2℃の室温下、レー
ザフラッシュ法により熱伝導率を測定した。
実施例2〜6 圧粉体を載せる敷板として、下記第2表に示す不純物酸
素量を有するAρN焼結体からなるものを用いた以外、
実施例1と同様な方法により 5種のA47N焼結体を
製造した。
得られた本実施例2〜6のAl)N焼結体について、前
述した実施例1と同様な方法により密度、熱伝導率を調
べた。その結果を同第2表に併記した。
実施例7〜13 下記第3表に示すAIN粉末及び添加物からなる原料粉
末を用いた以外、実施例1と同様な方法により 7種の
Afi N焼結体を製造した。
得られた本実施例7〜13のA、QN焼結体について、
前述した実施例1と同様な方法により密度、熱伝導率の
評価すると共に、電気抵抗、絶縁破壊電圧、誘電率を調
べた。その結果を同第3表に併記した。なお、電気抵抗
、絶縁破壊電圧、誘電率の測定法はいずれもJISにの
っとり、室温下で行った。
実施例14〜18 IN粉末として下記第4表に示す組成のものを用い、か
つ焼成を同第4表に示す条件で行った以外、実施例1と
同様な方法により 5種のA、QN焼結体を製造した。
但し、実施例1Bでは造粒粉6gを加圧成形して製造に
供した。
得られた本実施例14〜18のAIN焼結体について、
前述したのと同様な方法により密度、熱伝導率、電気抵
抗、絶縁破壊電圧、誘電率を調べた。
その結果を同第4表に併記した。
[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明によれば色ムラがなく、24
0W / m K以上の高熱伝導性を有するAgN焼結
体を簡単かつ安定的に製造でき、ひいては歩留まりの向
上、低コスト化を図ることができる等顕著な効果を奏す
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 窒化アルミニウム粉末にアルカリ土類化合物及び/又は
    希土類化合物を添加した成形体を、不純物酸素量が0.
    5重量%未満の窒化アルミニウム焼結体とグラファイト
    とを共存させた不活性雰囲気にて焼成することを特徴と
    する窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
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