JPH046536B2 - - Google Patents
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- JPH046536B2 JPH046536B2 JP61252836A JP25283686A JPH046536B2 JP H046536 B2 JPH046536 B2 JP H046536B2 JP 61252836 A JP61252836 A JP 61252836A JP 25283686 A JP25283686 A JP 25283686A JP H046536 B2 JPH046536 B2 JP H046536B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- lower limit
- value
- molding machine
- changed
- Prior art date
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラスチツク成形機の制御量監視方法
に関し、特に射出成形機の温度監視方法に関す
る。
に関し、特に射出成形機の温度監視方法に関す
る。
従来、射出成形機の温度監視は、温調計を用い
て行つている。この温調計では、第５図に示され
るように、設定された目標温度THに対し、それ
よりも高い上限温度THHとそれよりも低い下限
温度THLを同時に設定し、この上限温度THHと
下限温度THL間に挟まれた温度監視幅THW内
に射出成形機で検出された温度thがあるか否かを
監視している。ここで、目標温度TH、上限温度
THH、下限温度THL、及び温度監視幅THWに
は、次式で示される関係がある。
て行つている。この温調計では、第５図に示され
るように、設定された目標温度THに対し、それ
よりも高い上限温度THHとそれよりも低い下限
温度THLを同時に設定し、この上限温度THHと
下限温度THL間に挟まれた温度監視幅THW内
に射出成形機で検出された温度thがあるか否かを
監視している。ここで、目標温度TH、上限温度
THH、下限温度THL、及び温度監視幅THWに
は、次式で示される関係がある。
１／２THW＝｜TH−THH｜＝｜TH−THL｜
……(1)
そして、温調計は、検出温度thが上限温度
THHより高い（th＞THH）か或いは下限温度
THLより低い（th＜THL）ときに、警報（温度
異常信号）を発生する。なお、温調計において
は、目標温度THを変更すると、それに伴つて上
限温度THH及び下限温度THLも変化することに
注意されたい。
THHより高い（th＞THH）か或いは下限温度
THLより低い（th＜THL）ときに、警報（温度
異常信号）を発生する。なお、温調計において
は、目標温度THを変更すると、それに伴つて上
限温度THH及び下限温度THLも変化することに
注意されたい。
しかしながら、このような温調計を用いた従来
の射出成形機の温度監視方法では、後で詳細に説
明するように、温度の立上げ時や目標温度設定変
更時に、温度異常ではないにも拘らず、警報が発
生してしまうという欠点がある。尚、射出成形機
において目標温度の設定変更を行なうのは、例え
ば次に述べるような理由がある。すなわち、１な
いし４時間程度の短時間だけ成形を中断する場
合、温度コントロールを切つてしまつたのでは、
次回の成形機立上げに時間が掛つてしまう。した
がつて、このような場合、成形の中断の間、保温
の意味で、目標温度を通常の動作時の温度より低
く設定変更している。
の射出成形機の温度監視方法では、後で詳細に説
明するように、温度の立上げ時や目標温度設定変
更時に、温度異常ではないにも拘らず、警報が発
生してしまうという欠点がある。尚、射出成形機
において目標温度の設定変更を行なうのは、例え
ば次に述べるような理由がある。すなわち、１な
いし４時間程度の短時間だけ成形を中断する場
合、温度コントロールを切つてしまつたのでは、
次回の成形機立上げに時間が掛つてしまう。した
がつて、このような場合、成形の中断の間、保温
の意味で、目標温度を通常の動作時の温度より低
く設定変更している。
次に、図面を参照して、上述した従来の欠点を
更に詳細に説明する。
更に詳細に説明する。
第６図を参照して、時刻ｔが０で、目標温度
THが“TH1”に設定された状態で、射出成形機
の温度（例えば、シリンダ温度、金型温度等）を
立上げたとする。このとき、上限温度THH及び
下限温度THLも、時刻ｔ＝０で、同時に
“THH1”及び“THL1”に設定される。その為、
検出温度thが下限温度THL1より低い間、警報が
発生する。一方、昇温完了後に、成形中断し保温
する等により、時刻がt1で、目標温度THが
“TH1”から“TH2”に設定変更されたとする。
このとき、上限温度THH及び下限温度THLも、
時刻ｔ＝t1で、同時に“THH2”及び“THL2”
に設定変更される。その為、この例のように、設
定変更された後の上限温度THH2が設定変更され
る前の目標温度TH1より低い（THH2＜TH1）
場合、検出温度thが設定変更後の上限温度THH2
より一時的に高くなるので、この間警報が発生す
る。このようなことは、再び成形を開始する為
に、時刻ｔがt2で、目標温度THを“TH2”から
“TH1”に設定変更した場合にも発生する。
THが“TH1”に設定された状態で、射出成形機
の温度（例えば、シリンダ温度、金型温度等）を
立上げたとする。このとき、上限温度THH及び
下限温度THLも、時刻ｔ＝０で、同時に
“THH1”及び“THL1”に設定される。その為、
検出温度thが下限温度THL1より低い間、警報が
発生する。一方、昇温完了後に、成形中断し保温
する等により、時刻がt1で、目標温度THが
“TH1”から“TH2”に設定変更されたとする。
このとき、上限温度THH及び下限温度THLも、
時刻ｔ＝t1で、同時に“THH2”及び“THL2”
に設定変更される。その為、この例のように、設
定変更された後の上限温度THH2が設定変更され
る前の目標温度TH1より低い（THH2＜TH1）
場合、検出温度thが設定変更後の上限温度THH2
より一時的に高くなるので、この間警報が発生す
る。このようなことは、再び成形を開始する為
に、時刻ｔがt2で、目標温度THを“TH2”から
“TH1”に設定変更した場合にも発生する。
一方、このような誤警報の発生を防止するため
に、目標温度THを第６図に示すように、一度に
設定或いは変更するのではなく、検出温度thが常
に温度監視幅THW内に入るように、オペレータ
が目標温度THを最終的な目標温度まで徐々に変
更する方法もある。しかしながら、このような方
法では、オペレータが、目標温度THの設定変更
の毎に、検出温度thを監視しながら目標温度TH
を徐々に設定変更しなければならないという欠点
があつた。
に、目標温度THを第６図に示すように、一度に
設定或いは変更するのではなく、検出温度thが常
に温度監視幅THW内に入るように、オペレータ
が目標温度THを最終的な目標温度まで徐々に変
更する方法もある。しかしながら、このような方
法では、オペレータが、目標温度THの設定変更
の毎に、検出温度thを監視しながら目標温度TH
を徐々に設定変更しなければならないという欠点
があつた。
本発明の目的は、プラスチツク成形機の立上げ
時や目標値を変更する場合に、目標値を一度に設
定変更しても誤警報が発生することのないプラス
チツク成形機の制御量監視方式を提供することに
ある。
時や目標値を変更する場合に、目標値を一度に設
定変更しても誤警報が発生することのないプラス
チツク成形機の制御量監視方式を提供することに
ある。
本発明は、プラスチツク成形機で検出され制御
量が、目標値より高い上限値と目標値より低い下
限値間に挟まれた制御量監視幅内にあるか否かを
監視し、制御量が上限値より高いとき或いは下限
値より低いときに警報を発生するプラスチツク成
形機の制御量監視方法であつて、制御量を高くす
るように目標値を変更する場合、上限値は目標値
を変更する時に変更するが、下限値については、
予め定められた第１の条件をみたさない間は目標
値変更前の下限値を維持し、第１の条件をみたし
た時に下限値を変更し、逆に、制御量を低くさせ
るように目標値を変更する場合、下限値は目標値
を変更する時に変更するが、上限値については、
予め定められた第１の条件をみたさない間は目標
値変更前の上限値を維持し、第２の条件をみたし
た時に上限値を変更し、目標値が一定の区間でも
制御量監視幅を可変にするようにしたことを特徴
とする。
量が、目標値より高い上限値と目標値より低い下
限値間に挟まれた制御量監視幅内にあるか否かを
監視し、制御量が上限値より高いとき或いは下限
値より低いときに警報を発生するプラスチツク成
形機の制御量監視方法であつて、制御量を高くす
るように目標値を変更する場合、上限値は目標値
を変更する時に変更するが、下限値については、
予め定められた第１の条件をみたさない間は目標
値変更前の下限値を維持し、第１の条件をみたし
た時に下限値を変更し、逆に、制御量を低くさせ
るように目標値を変更する場合、下限値は目標値
を変更する時に変更するが、上限値については、
予め定められた第１の条件をみたさない間は目標
値変更前の上限値を維持し、第２の条件をみたし
た時に上限値を変更し、目標値が一定の区間でも
制御量監視幅を可変にするようにしたことを特徴
とする。
プラスチツク成形機の立上げ時や目標値を高く
設定変更する時、等に設定温度の下限値は第１の
条件をみたすまではそれ以前の値を維持している
ので、誤警報の発生はない。同様に、目標値を低
く設定変更する時、上限値は第２の条件をみたす
までそれ以前の値を維持しているので、誤警報の
発生を防止できる。
設定変更する時、等に設定温度の下限値は第１の
条件をみたすまではそれ以前の値を維持している
ので、誤警報の発生はない。同様に、目標値を低
く設定変更する時、上限値は第２の条件をみたす
までそれ以前の値を維持しているので、誤警報の
発生を防止できる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
なお、以下の実施例では、プラスチツク成形機
が射出成形機で、制御量が温度である場合につい
て述べる。
が射出成形機で、制御量が温度である場合につい
て述べる。
第４図を参照して、本発明の一実施例が適用さ
れる射出成形機の温度制御システムは、射出成形
機のシリンダ、金型、作動油等の制御系１内に設
けられた熱電対等の温度センサ２を有する。温度
センサ２で検出された温度thは、Ａ／Ｄ変換器３
でデイジタル値に変換され、温度コントローラ４
に入力する。
れる射出成形機の温度制御システムは、射出成形
機のシリンダ、金型、作動油等の制御系１内に設
けられた熱電対等の温度センサ２を有する。温度
センサ２で検出された温度thは、Ａ／Ｄ変換器３
でデイジタル値に変換され、温度コントローラ４
に入力する。
温度コントローラ４は、直接デイジタル制御
（DDC）演算処理部４１、上・下限監査処理部４
２、及びRAM等のメモリ４３を含む。DDC演算
処理部４１は、Ａ／Ｄ変換器３を介して入力した
検出温度thと設定された目標温度THとを受け、
これらの差が小さくなるように固定リレー
（SSR）又は、電磁接触器５を介してヒータ６を
駆動制御する。上・下限監視処理部４１は、本発
明による温度監視方法を実現するところで、Ａ／
Ｄ変換器３を介して入力した検出温度thが上限温
度THHより高いとき或いは下限温度THLより低
いときに温度異常信号を警報装置７へ送出して、
警報を発生させる。
（DDC）演算処理部４１、上・下限監査処理部４
２、及びRAM等のメモリ４３を含む。DDC演算
処理部４１は、Ａ／Ｄ変換器３を介して入力した
検出温度thと設定された目標温度THとを受け、
これらの差が小さくなるように固定リレー
（SSR）又は、電磁接触器５を介してヒータ６を
駆動制御する。上・下限監視処理部４１は、本発
明による温度監視方法を実現するところで、Ａ／
Ｄ変換器３を介して入力した検出温度thが上限温
度THHより高いとき或いは下限温度THLより低
いときに温度異常信号を警報装置７へ送出して、
警報を発生させる。
メモリ４３には、目標温度THとして“TH1”、
“TH2”、上限温度THHとして、“THH1”、
“THH2”、下限温度THLとして“THL1”、
“THL2”が格納されていると共に、偏差
“ΔTH”、初期温度“TH0”、加熱定数“x1”、及
び冷却定数“x2”が格納されている。
“TH2”、上限温度THHとして、“THH1”、
“THH2”、下限温度THLとして“THL1”、
“THL2”が格納されていると共に、偏差
“ΔTH”、初期温度“TH0”、加熱定数“x1”、及
び冷却定数“x2”が格納されている。
なお、８は目標温度TH等を設定するためのキ
ーボード、デイジタルスイツチ等の設定入力装
置、９は陰極線管（CRT）、液晶表示装置
（LCD）、発光ダイオード（LED）等の表示装置
である。
ーボード、デイジタルスイツチ等の設定入力装
置、９は陰極線管（CRT）、液晶表示装置
（LCD）、発光ダイオード（LED）等の表示装置
である。
以下、上・下限監視処理部４２で実行される本
実施例の温度監視方法の一例について説明する。
実施例の温度監視方法の一例について説明する。
第１図を参照して、時刻ｔ＝０で、目標温度
THを“TH1”に設定し、射出成形後の温度を立
上げたとする。このとき、上・下限監視処理部４
２は、上限温度THHとして“THH1”、下限温
度THLとして初期温度“TH0”を設定し、検出
温度thを監視する。これにより、検出温度thは
DDC演算処理部４１の制御により目標温度TH1
へ向かつて徐々に上昇していくが、下限温度が初
期温度TH0であり、検出温度thより低いので、
警報装置７より警報が発生されることはない。検
出温度thと目標温度TH1との偏差がΔTHになる
と、上・下限監視処理部４２は昇温完了と判断
し、下限温度THLを“TH0”から“THL1”に
設定する。このとき、上限温度THHは
“THH1”のままである。従つて、これ以降、目
標温度THを変更するまで、上・下限監視処理部
４２は、上限温度“THH1”、下限温度“THL1”
として温度監視を行なう。
THを“TH1”に設定し、射出成形後の温度を立
上げたとする。このとき、上・下限監視処理部４
２は、上限温度THHとして“THH1”、下限温
度THLとして初期温度“TH0”を設定し、検出
温度thを監視する。これにより、検出温度thは
DDC演算処理部４１の制御により目標温度TH1
へ向かつて徐々に上昇していくが、下限温度が初
期温度TH0であり、検出温度thより低いので、
警報装置７より警報が発生されることはない。検
出温度thと目標温度TH1との偏差がΔTHになる
と、上・下限監視処理部４２は昇温完了と判断
し、下限温度THLを“TH0”から“THL1”に
設定する。このとき、上限温度THHは
“THH1”のままである。従つて、これ以降、目
標温度THを変更するまで、上・下限監視処理部
４２は、上限温度“THH1”、下限温度“THL1”
として温度監視を行なう。
次に、昇温完了後、成形を中断し保温するため
に、時刻ｔ＝t1で、目標温度THを“TH1”から
“TH2”に設定変更したとする。このとき、上・
下限監視処理部４２は、上限温度THHとして
“THH1”を維持し、下限温度THLを“THL1”
から“THL2”に設定変更して検出温度thの監視
を行なう。これにより、検出温度thはDDC演算
処理部４１の制御により目標温度TH2へ向かつ
て徐々に下降していくが、上限温度が“THH1”
であり検出温度thより高いので、警報装置７より
警報が発生されることはない。検出温度thと目標
温度TH2との偏差がΔTHになると、上・下限監
視処理部４２は上限温度THHを“THH1”から
“THH2”に変更する。このとき、下限温度THL
は“THL2”のままである。従つて、これ以降、
目標温度THを変更するまで、上・下限監視処理
部４２は、上限温度THH2、下限温度THL2とし
て検出温度thの監視を行なう。
に、時刻ｔ＝t1で、目標温度THを“TH1”から
“TH2”に設定変更したとする。このとき、上・
下限監視処理部４２は、上限温度THHとして
“THH1”を維持し、下限温度THLを“THL1”
から“THL2”に設定変更して検出温度thの監視
を行なう。これにより、検出温度thはDDC演算
処理部４１の制御により目標温度TH2へ向かつ
て徐々に下降していくが、上限温度が“THH1”
であり検出温度thより高いので、警報装置７より
警報が発生されることはない。検出温度thと目標
温度TH2との偏差がΔTHになると、上・下限監
視処理部４２は上限温度THHを“THH1”から
“THH2”に変更する。このとき、下限温度THL
は“THL2”のままである。従つて、これ以降、
目標温度THを変更するまで、上・下限監視処理
部４２は、上限温度THH2、下限温度THL2とし
て検出温度thの監視を行なう。
次に、再び成形を開始するために、時刻ｔ＝t2
で、目標温度THを“TH2”から“TH1”に設定
変更したとする。このとき、上・下限監視処理部
４２は、下限温度THLとして“THL2”を維持
し、上限温度THHを“THH2”から“THH1”
に設定変更して検出温度thの監視を行なう。これ
により、検出温度thはDDC演算処理部４１の制
御により目標温度TH1へ向かつて徐々に上昇し
ていくが、下限温度THLが“THL2”であり検
出温度thより低いので、警報装置７より警報が発
生されることはない。検出温度thと目標温度
TH1との偏差がΔTHになると、上・下限監視処
理部４２は下限温度THLを“THL2”から
“THL1”に変更する。このとき、上限温度THH
は“THH1”のままである。従つて、これ以降、
目標温度THを変更するまで、上・下限監視処理
部４２は、上限温度及び下限温度をそれぞれ
“THH1”及び“THL1”として検出温度thの監
視を行う。
で、目標温度THを“TH2”から“TH1”に設定
変更したとする。このとき、上・下限監視処理部
４２は、下限温度THLとして“THL2”を維持
し、上限温度THHを“THH2”から“THH1”
に設定変更して検出温度thの監視を行なう。これ
により、検出温度thはDDC演算処理部４１の制
御により目標温度TH1へ向かつて徐々に上昇し
ていくが、下限温度THLが“THL2”であり検
出温度thより低いので、警報装置７より警報が発
生されることはない。検出温度thと目標温度
TH1との偏差がΔTHになると、上・下限監視処
理部４２は下限温度THLを“THL2”から
“THL1”に変更する。このとき、上限温度THH
は“THH1”のままである。従つて、これ以降、
目標温度THを変更するまで、上・下限監視処理
部４２は、上限温度及び下限温度をそれぞれ
“THH1”及び“THL1”として検出温度thの監
視を行う。
なお、上記実施例では、下限温度或いは上限温
度を変更する条件として、検出温度と目標温度と
の偏差が所定の偏差以下であることを利用してい
るが、次に述べるように、加熱時間或いは冷却時
間が経過したことを利用しても良い。
度を変更する条件として、検出温度と目標温度と
の偏差が所定の偏差以下であることを利用してい
るが、次に述べるように、加熱時間或いは冷却時
間が経過したことを利用しても良い。
第２図を参照して、時刻ｔ＝０で、目標温度
THを“TH1”に設定し、射出成形機の温度を立
上げたとする。このとき、上・下限監視処理部４
２は、上限温度THH及び下限温度THLとしてそ
れぞれ“THH1”及び初期温度“TH0”を設定
し、検出温度thを監視する。これにより、検出温
度thはDDC演算処理部４１の制御により目標温
度TH1へ向かつて徐々に上昇していくが、下限
温度THLが初期温度TH0であり検出温度thより
低いので、警報装置７より警報が発生されること
はない。時刻ｔ＝０より、次式で表わされる初期
加熱時間“T0”経過すると、上・下限監視処理
部４２は昇温完了と判断し、下限温度THLを
“TH0”から“THL1”に設定する。
THを“TH1”に設定し、射出成形機の温度を立
上げたとする。このとき、上・下限監視処理部４
２は、上限温度THH及び下限温度THLとしてそ
れぞれ“THH1”及び初期温度“TH0”を設定
し、検出温度thを監視する。これにより、検出温
度thはDDC演算処理部４１の制御により目標温
度TH1へ向かつて徐々に上昇していくが、下限
温度THLが初期温度TH0であり検出温度thより
低いので、警報装置７より警報が発生されること
はない。時刻ｔ＝０より、次式で表わされる初期
加熱時間“T0”経過すると、上・下限監視処理
部４２は昇温完了と判断し、下限温度THLを
“TH0”から“THL1”に設定する。
T0＝x1・｜TH1−TH0｜ ……(2)
ここで、加熱定数x1〔秒／℃〕は温度の加熱特
性から求められる計数である。このとき、上限温
度THHは“THH1”のままである。従つて、こ
れ以降、目標温度THを変更するまで、上・下限
監視処理部４２は、上限温度THH及び下限温度
THLをそれぞれ“THH1”及び“THL1”とし
て検出温度thの監視を行う。
性から求められる計数である。このとき、上限温
度THHは“THH1”のままである。従つて、こ
れ以降、目標温度THを変更するまで、上・下限
監視処理部４２は、上限温度THH及び下限温度
THLをそれぞれ“THH1”及び“THL1”とし
て検出温度thの監視を行う。
次に、昇温完了後、成形を中断し保温を行なう
ために、時刻ｔ＝t1で目標温度THを“TH1”か
ら“TH2”に設定変更したとする。このとき、
上・下限監視処理部４２は、上限温度THHとし
て“THH1”を維持し、下限温度THLを
“THL1”から“THL2”に設定変更して検出温
度thの監視を行なう。これにより、検出温度thは
DDC演算処理部４１の制御により目標温度TH2
へ向かつて徐々に下降していくが、上限温度が
“THH1”であり検出温度thより高いので、警報
装置７より警報が発生されることはない。時刻ｔ
＝t1より、次式で表わされる冷却時間“T1”経過
すると、上・下限監視処理部４２は上限温度
THHを“THH1”から“THH2”に変更する。
ために、時刻ｔ＝t1で目標温度THを“TH1”か
ら“TH2”に設定変更したとする。このとき、
上・下限監視処理部４２は、上限温度THHとし
て“THH1”を維持し、下限温度THLを
“THL1”から“THL2”に設定変更して検出温
度thの監視を行なう。これにより、検出温度thは
DDC演算処理部４１の制御により目標温度TH2
へ向かつて徐々に下降していくが、上限温度が
“THH1”であり検出温度thより高いので、警報
装置７より警報が発生されることはない。時刻ｔ
＝t1より、次式で表わされる冷却時間“T1”経過
すると、上・下限監視処理部４２は上限温度
THHを“THH1”から“THH2”に変更する。
T1＝x2・｜TH1−TH2｜ ……(3)
ここで、冷却定数x2〔秒／℃〕は温度の冷却特
性から求められる係数である。このとき、下限温
度THLは“THL2”のままである。従つて、こ
れ以降目標温度THが変更される時まで、上・下
限監視処理部４２は、上限温度THH及び下限温
度THLをそれぞれ“THH2”及び“THL2”と
して検出温度thの監視を行なう。
性から求められる係数である。このとき、下限温
度THLは“THL2”のままである。従つて、こ
れ以降目標温度THが変更される時まで、上・下
限監視処理部４２は、上限温度THH及び下限温
度THLをそれぞれ“THH2”及び“THL2”と
して検出温度thの監視を行なう。
次に、再び成形を開始するために、時刻ｔ＝t2
で、目標温度THを“TH2”から“TH1”に設定
変更したとする。このとき、上・下限監視処理部
４２は、下限温度THLとして“THL2”を維持
し、上限温度THHを“THH2”から“THH1”
に設定変更して検出温度thの監視を行なう。これ
により、検出温度thはDDC演算処理部４１の制
御により目標温度TH1へ向かつて徐々に上昇し
ていくが、下限温度THLが“THL2”であり検
出温度thより低いので、警報装置７より警報が発
生されることはない。時刻ｔ＝t2より、次式で表
わされる加熱時間“T2”経過すると、上・下監
視処理部４２は下限温度THLを“THL2”から
“THL1”に変更する。
で、目標温度THを“TH2”から“TH1”に設定
変更したとする。このとき、上・下限監視処理部
４２は、下限温度THLとして“THL2”を維持
し、上限温度THHを“THH2”から“THH1”
に設定変更して検出温度thの監視を行なう。これ
により、検出温度thはDDC演算処理部４１の制
御により目標温度TH1へ向かつて徐々に上昇し
ていくが、下限温度THLが“THL2”であり検
出温度thより低いので、警報装置７より警報が発
生されることはない。時刻ｔ＝t2より、次式で表
わされる加熱時間“T2”経過すると、上・下監
視処理部４２は下限温度THLを“THL2”から
“THL1”に変更する。
T2＝x1・｜TH2−TH1｜ ……(4)
このとき、上限温度THHは“THH1”のまま
である。従つて、これ以降、目標温度THが変更
される時まで、上・下限監視処理部４２は、上限
温度THH及び下限温度THLをそれぞれ
“THH1”及び“THL1”として検出温度thの監
視を行う。
である。従つて、これ以降、目標温度THが変更
される時まで、上・下限監視処理部４２は、上限
温度THH及び下限温度THLをそれぞれ
“THH1”及び“THL1”として検出温度thの監
視を行う。
なお、上記２つの実施例を組み合せても良いの
は勿論である。以上の説明では、射出成形機が正
常の場合について述べたが、次に、温度異常が発
生した場合について、上記２つの実施例を組み合
せた監視方法を説明する。
は勿論である。以上の説明では、射出成形機が正
常の場合について述べたが、次に、温度異常が発
生した場合について、上記２つの実施例を組み合
せた監視方法を説明する。
第３図を参照して、異常(1)はオーバーシユート
の異常を示す。実施例では、上限温度THHと下
限温度THLを独立に設定できるので、上限温度
THH1をオーバーシユートによる樹脂の分解温度
に設定できる。異常(2)は、アンダーシユートの異
常を示す。異常(3)は、目標温度THを“TH2”か
ら“TH1”へ変更した時点から加熱時間“T2”
経過後に下限温度THLを“THL2”から
“THL1”に変更したときに発生した下限異常を
示す。このような温度異常は、例えば、ヒータ断
線などにより温度上昇にトラブルがあつた場合に
発生する。又、異常(4)は、目標温度THを
“TH1”から“TH2”へ変更した時点から冷却時
間“T1”経過後に上限温度THHを“THH1”か
ら“THH2”に変更したときに発生した上限異常
を示す。このようは温度異常は、例えば、シリン
ダの冷却機能や温度センサ２にトラブルがあつた
場合に発生する。
の異常を示す。実施例では、上限温度THHと下
限温度THLを独立に設定できるので、上限温度
THH1をオーバーシユートによる樹脂の分解温度
に設定できる。異常(2)は、アンダーシユートの異
常を示す。異常(3)は、目標温度THを“TH2”か
ら“TH1”へ変更した時点から加熱時間“T2”
経過後に下限温度THLを“THL2”から
“THL1”に変更したときに発生した下限異常を
示す。このような温度異常は、例えば、ヒータ断
線などにより温度上昇にトラブルがあつた場合に
発生する。又、異常(4)は、目標温度THを
“TH1”から“TH2”へ変更した時点から冷却時
間“T1”経過後に上限温度THHを“THH1”か
ら“THH2”に変更したときに発生した上限異常
を示す。このようは温度異常は、例えば、シリン
ダの冷却機能や温度センサ２にトラブルがあつた
場合に発生する。
なお、上述した実施例では、制御量が温度の場
合について説明したが、これに限定せず、射出速
度、スクリユ回転数、圧力等でも良い。又、プラ
スチツク成形機も、射出成形機に限定せず、押出
成形機等の他のプラスチツク成形機でも良い。
合について説明したが、これに限定せず、射出速
度、スクリユ回転数、圧力等でも良い。又、プラ
スチツク成形機も、射出成形機に限定せず、押出
成形機等の他のプラスチツク成形機でも良い。
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明によれ
ば、誤警報の発生を防止できる。また、上限値と
下限値を独立に設定できるので、制御量の変動を
敏感に監視できる。更に、オペレータは、目標値
を１回変更するだけで後は自動的に行なうので、
操作性を向上できる。
ば、誤警報の発生を防止できる。また、上限値と
下限値を独立に設定できるので、制御量の変動を
敏感に監視できる。更に、オペレータは、目標値
を１回変更するだけで後は自動的に行なうので、
操作性を向上できる。
第１図は本発明による一実施例を示すタイムチ
ヤート、第２図は本発明による他の一実施例を示
すタイムチヤート、第３図は本発明による異常検
知の動作を説明する為のタイムチヤート、第４図
は本発明の適用される射出成形機の温度制御シス
テムを示すブロツク図、第５図は従来の温調計に
よる温度監視方法を説明する為の図、第６図は第
５図に示す温調計による温度監視方法の欠点を説
明する為のタイムチヤートである。 １……制御系、２……温度センサ、３……Ａ／
Ｄ変換器、４……温度コントローラ、４１……
DDC演算処理部、４２……上・下限監視処理部、
４３……メモリ、５……SSR又は、電磁接触器、
６……ヒータ、７……警報装置、８……設定入力
装置、９……表示装置。
ヤート、第２図は本発明による他の一実施例を示
すタイムチヤート、第３図は本発明による異常検
知の動作を説明する為のタイムチヤート、第４図
は本発明の適用される射出成形機の温度制御シス
テムを示すブロツク図、第５図は従来の温調計に
よる温度監視方法を説明する為の図、第６図は第
５図に示す温調計による温度監視方法の欠点を説
明する為のタイムチヤートである。 １……制御系、２……温度センサ、３……Ａ／
Ｄ変換器、４……温度コントローラ、４１……
DDC演算処理部、４２……上・下限監視処理部、
４３……メモリ、５……SSR又は、電磁接触器、
６……ヒータ、７……警報装置、８……設定入力
装置、９……表示装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツク成形機で検出された温度の値
が、目標値より高い上限値と目標値より低い下限
値間に挟まれた温度監視幅内にあるか否かを監視
し、前記温度の値が前記上限値より高いとき或い
は前記下限値より低いときに警報を発生するプラ
スチツク成形機の温度監視方法において、温度の
値を高くさせるように目標値を変更する場合、上
限値は目標値を変更する時に変更するが、下限値
については、予め定められた第１の条件をみたさ
ない間は目標値変更前の下限値を維持し、該第１
の条件をみたした時に下限値を変更し、逆に、温
度の値を低くさせるように目標値を変更する場
合、下限値は目標値を変更する時に変更するが、
上限値については、予め定められた第２の条件を
みたさない間は目標値変更前の上限値を維持し、
該第２の条件をみたした時に上限値を変更し、目
標値が一定の区間でも前記温度監視幅を可変にす
るようにしたことを特徴とするプラスチツク成形
機の温度監視方法。 ２ 前記プラスチツク成形機が射出成形機である
特許請求の範囲第１項記載のプラスチツク成形機
の温度監視方法。 ３ 前記第１及び第２の条件が、温度の値と変更
後の目標値との偏差が所定の偏差以下である特許
請求の範囲第１項記載のプラスチツク成形機の温
度監視方法。 ４ 前記第１及び第２の条件が、前記プラスチツ
ク成形機が正常であれば、温度の値が目標値変更
時から変更後の目標値に達するだろう時間経過し
たことである特許請求の範囲第１項記載のプラス
チツク成形機の温度監視方法。 ５ 前記第１及び第２の条件が、それぞれプラス
チツク成形機が正常であるときの加熱時間及び冷
却時間経過したことである特許請求の範囲第１項
記載のプラスチツク成形機の温度監視方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25283686A JPS63109034A (ja) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | プラスチック成形機の温度監視方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25283686A JPS63109034A (ja) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | プラスチック成形機の温度監視方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63109034A JPS63109034A (ja) | 1988-05-13 |
| JPH046536B2 true JPH046536B2 (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=17242867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25283686A Granted JPS63109034A (ja) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | プラスチック成形機の温度監視方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63109034A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4652347B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2011-03-16 | 住友重機械工業株式会社 | 可塑化評価装置及び可塑化評価方法 |
| JP2012225641A (ja) * | 2012-07-17 | 2012-11-15 | Hoshizaki Electric Co Ltd | 冷却庫 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024026A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Nec Corp | 化合物半導体素子 |
-
1986
- 1986-10-25 JP JP25283686A patent/JPS63109034A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63109034A (ja) | 1988-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |