JPH0465392A - 分子線エピタキシャル結晶成長装置 - Google Patents
分子線エピタキシャル結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH0465392A JPH0465392A JP17859090A JP17859090A JPH0465392A JP H0465392 A JPH0465392 A JP H0465392A JP 17859090 A JP17859090 A JP 17859090A JP 17859090 A JP17859090 A JP 17859090A JP H0465392 A JPH0465392 A JP H0465392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- raw material
- amount
- molecular beam
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、分子線エピタキシー法により結晶を成長す
る装置に関し、特にＧａＡｓ等の半導体結晶成長に用い
られる分子線エピタキシー用セルの改良に関するもので
ある。
る装置に関し、特にＧａＡｓ等の半導体結晶成長に用い
られる分子線エピタキシー用セルの改良に関するもので
ある。
［従来の技術］
従来、分子線エピタキシー法による結晶成長においては
、原料の供給はＰ Ｂ Ｎ （Ｐｙｒｏｌｉｔｉｃ Ｂ
ｏｒ。
、原料の供給はＰ Ｂ Ｎ （Ｐｙｒｏｌｉｔｉｃ Ｂ
ｏｒ。
ｎ Ｎ１ｔｒｉａｅ）などで作られたるつぼ中に、例え
ばＧａＡｓを結晶成長させる場合においてはＧａやＡＳ
、あるいはドーピング材となるＳｉなどをそれぞれるつ
ぼに入れ、それぞれの蒸発比率を一定に保ち、基板上に
所要の結晶をエピタキシャル成長させることが一般に行
なわれている。
ばＧａＡｓを結晶成長させる場合においてはＧａやＡＳ
、あるいはドーピング材となるＳｉなどをそれぞれるつ
ぼに入れ、それぞれの蒸発比率を一定に保ち、基板上に
所要の結晶をエピタキシャル成長させることが一般に行
なわれている。
以下、この従来の方法による分子線エピタキシー法にお
けるＧａＡｓの結晶成長に用いられるＧａセルを例にと
って説明する。
けるＧａＡｓの結晶成長に用いられるＧａセルを例にと
って説明する。
第６図はこの従来のＧａ用セル構造の概略構成図を示す
。この図において、１０はＧａ用セル、１は放熱防止用
筒、２はるつぼ、３は材料源（蒸発源）としてのＧａ、
４は加熱用ヒーター、５は熱電対、６はシャッターであ
る。
。この図において、１０はＧａ用セル、１は放熱防止用
筒、２はるつぼ、３は材料源（蒸発源）としてのＧａ、
４は加熱用ヒーター、５は熱電対、６はシャッターであ
る。
Ｇａ用セル１０は放熱防止用筒ｌの中にＰＢＮなどで作
られたるつぼ２を設置し、るつぼ２の中に材料源（蒸発
源）であるＱａを入れておく。るつぽ２は加熱用ヒータ
ー４で例えば８００〜９００℃に加熱され、熱電対５に
よりその温度が検出され、所定の温度に調節される。
られたるつぼ２を設置し、るつぼ２の中に材料源（蒸発
源）であるＱａを入れておく。るつぽ２は加熱用ヒータ
ー４で例えば８００〜９００℃に加熱され、熱電対５に
よりその温度が検出され、所定の温度に調節される。
他の例えばＡｓやドーピング材など必要な材料源も同様
に所定の条件に設定し、成長すべき基板の温度、その他
の条件を設定した後、Ｇａ用セル１０のシャッター６を
開けるとＧａ３は蒸発する。
に所定の条件に設定し、成長すべき基板の温度、その他
の条件を設定した後、Ｇａ用セル１０のシャッター６を
開けるとＧａ３は蒸発する。
かくして、例えば約５０印上方に配置された基板上にＧ
ａＡＳの結晶が０．５〜１μｍ／時間の速度で成長する
。
ａＡＳの結晶が０．５〜１μｍ／時間の速度で成長する
。
１発明が解決しようとする課題〕
従来の分子線エピタキシャル結晶成長装置は、上記の様
な方法で結晶成長させるようにしており、結晶成長させ
る時、るつぼ２中のＧａ３は成長を重ねてゆくと減少し
てゆく。これは例えば１回結晶成長するごとに１ｇずつ
減少するような割合である。この時、るつぼを加熱する
ヒーター４は第７図に示すごとく、るつぼの先端部より
下部に向かって数十度温度が低くなる、すわちトップヒ
ート構造となっているので、材料源が減少する↓こ従っ
て材料源の最上部の温度は低くなり、蒸発量が減少する
。
な方法で結晶成長させるようにしており、結晶成長させ
る時、るつぼ２中のＧａ３は成長を重ねてゆくと減少し
てゆく。これは例えば１回結晶成長するごとに１ｇずつ
減少するような割合である。この時、るつぼを加熱する
ヒーター４は第７図に示すごとく、るつぼの先端部より
下部に向かって数十度温度が低くなる、すわちトップヒ
ート構造となっているので、材料源が減少する↓こ従っ
て材料源の最上部の温度は低くなり、蒸発量が減少する
。
蒸発量の減少は成長速度の減少を招き、同一条件で所望
の厚みの成長層を得ることができなくなる。
の厚みの成長層を得ることができなくなる。
このため、同一厚みの成長層を得ようとするならば、元
の蒸発量を維持するためにるつぼの温度を上げるか、成
長時間を長くするかする必要があった。
の蒸発量を維持するためにるつぼの温度を上げるか、成
長時間を長くするかする必要があった。
しかしながら、成長速度を検出するために実際に成長し
た成長層の厚みを確認し、それらの結果より次の成長時
に蒸発量を修正すべきＧａ３の温度を決定する必要があ
り大変わずられしい。
た成長層の厚みを確認し、それらの結果より次の成長時
に蒸発量を修正すべきＧａ３の温度を決定する必要があ
り大変わずられしい。
この発明は、上記の様な問題点を解決するためになされ
たもので、材料源の減少に従って成長速度が減少するこ
とを防ぎ、同一条件で安定した結晶を再現性良く得られ
る分子線エピタキシャル結晶成長装置を得ることを目的
とする。
たもので、材料源の減少に従って成長速度が減少するこ
とを防ぎ、同一条件で安定した結晶を再現性良く得られ
る分子線エピタキシャル結晶成長装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る分子線エピタキシャル結晶成長装置は、
分子線エピタキシー用セルに組込まれたるつぼを２重式
にし、内側の第２のるつぼに材料源を入れるとともに外
側の第１のるつぼを一定温度に加熱可能なヒーターで加
熱するとともに、第２のるつぼに入れた材料源は成長を
重ねるに従って減少するために、材料源の最先端部の温
度が低くなり蒸発量が減少し、成長速度が減少するので
、材料源の減少量だけ第２のるつぼを上昇させ、材料源
の最先端部分は常に一定位Ｗ（一定温度）になるように
するか、あるいは、所望の成長速度で目的とする結晶を
再現性良く得られるように、成長中に適当な位置にるつ
ぼを移動させるようにしたものである。
分子線エピタキシー用セルに組込まれたるつぼを２重式
にし、内側の第２のるつぼに材料源を入れるとともに外
側の第１のるつぼを一定温度に加熱可能なヒーターで加
熱するとともに、第２のるつぼに入れた材料源は成長を
重ねるに従って減少するために、材料源の最先端部の温
度が低くなり蒸発量が減少し、成長速度が減少するので
、材料源の減少量だけ第２のるつぼを上昇させ、材料源
の最先端部分は常に一定位Ｗ（一定温度）になるように
するか、あるいは、所望の成長速度で目的とする結晶を
再現性良く得られるように、成長中に適当な位置にるつ
ぼを移動させるようにしたものである。
また、分子線エピタキシー用セルに組み込まれたるつぼ
においては、るつぼ中に入れられた材料源は成長を重ね
るに従って減少するために、材料源の最先端部の温度が
低くなり蒸発量は減少する。
においては、るつぼ中に入れられた材料源は成長を重ね
るに従って減少するために、材料源の最先端部の温度が
低くなり蒸発量は減少する。
すなわち、成長速度が減少するので、一定の成長速度を
保つためには低下した温度分だけ材料源の温度を上げて
やれば良く、そのため、この発明に係る分子線エピタキ
シャル結晶成長装置は、材料源の液面の高さの変化（材
料源の減少量）と成長速度の変化の関係を温度制御部に
フィードバックし、成長速度を常に一定になるようにヒ
ーターへの電力供給量を制御するようにしたものである
。
保つためには低下した温度分だけ材料源の温度を上げて
やれば良く、そのため、この発明に係る分子線エピタキ
シャル結晶成長装置は、材料源の液面の高さの変化（材
料源の減少量）と成長速度の変化の関係を温度制御部に
フィードバックし、成長速度を常に一定になるようにヒ
ーターへの電力供給量を制御するようにしたものである
。
Ｃ作用〕
この発明ムこおいては、材料源を入れたるつぼを移動式
にすることにより材料源の変化に従いるつぼの位置を変
えることができる様にしたため、材料源の最先端部分は
常に一定の位置に保持できる。
にすることにより材料源の変化に従いるつぼの位置を変
えることができる様にしたため、材料源の最先端部分は
常に一定の位置に保持できる。
従って一定成長速度で安定して一定特性の結晶が得られ
る。また、成長中においてもるつぼの位置を変え成長速
度を変えることができるので、簡単な操作で組成の異な
った結晶、例えばＧａＡｌＡｓ等の混晶の場合の組成比
を簡単に変えることができる。
る。また、成長中においてもるつぼの位置を変え成長速
度を変えることができるので、簡単な操作で組成の異な
った結晶、例えばＧａＡｌＡｓ等の混晶の場合の組成比
を簡単に変えることができる。
また、この発明においては、るつぼに入れた材料源の液
量の変化を材料源の液面の高さの変化により検出し、そ
の変化量をるつぼを加熱しているヒーターへの温度制御
部にフィードバックし成長速度を一定になる様に制御す
るようにしたので、一定の特性の結晶を安定して得られ
ることができる。
量の変化を材料源の液面の高さの変化により検出し、そ
の変化量をるつぼを加熱しているヒーターへの温度制御
部にフィードバックし成長速度を一定になる様に制御す
るようにしたので、一定の特性の結晶を安定して得られ
ることができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例による分子線エピタキ
シャル結晶成長装置での結晶成長に用いられる分子線エ
ピタキシー用セルの一例を示す概略構成図である。第２
図はこのセルのるつぼの温度分布の一例を示す温度分布
図である。
シャル結晶成長装置での結晶成長に用いられる分子線エ
ピタキシー用セルの一例を示す概略構成図である。第２
図はこのセルのるつぼの温度分布の一例を示す温度分布
図である。
なお、ここでは例えば■−ｖ族化合物半導体であるＧａ
Ａｓ結晶を作る場合のＧａセルについて説明する。
Ａｓ結晶を作る場合のＧａセルについて説明する。
第１図において、１は放熱防止筒で、その中に一定温度
で加熱可能な加熱用ヒーター４が設けられている。２は
Ｇａ３を入れるための第１のるつぼ、７は第１のるつぼ
２を保護するための第２のるつぼである。
で加熱可能な加熱用ヒーター４が設けられている。２は
Ｇａ３を入れるための第１のるつぼ、７は第１のるつぼ
２を保護するための第２のるつぼである。
第１のるつぼは上下移動用の支持棒８で支持され、目的
とする位置に移動できるように構成されている。なお２
０はＧａ用セル全体を示す。
とする位置に移動できるように構成されている。なお２
０はＧａ用セル全体を示す。
次にその実施例とじて、ＧａＡｓを結晶成長する場合に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図のごとく構成されたセル２０の第１のるつぼ２の
中に材料源であるＣａ３を入れる。るっぽ２の加熱は第
２のるつぼ７の外側より加熱用ヒーター４で行ない、熱
電対５で温度を検出し、所定の温度になるように調節さ
れる。他の材料源であるＡｓその他のセル（図示せず）
も同様に温度調節され、成長すべき基板（図示せず）も
所定の温度に設定し、その他の条件が整った後、各セル
のンヤソタ−６を開き成長を開始する。
中に材料源であるＣａ３を入れる。るっぽ２の加熱は第
２のるつぼ７の外側より加熱用ヒーター４で行ない、熱
電対５で温度を検出し、所定の温度になるように調節さ
れる。他の材料源であるＡｓその他のセル（図示せず）
も同様に温度調節され、成長すべき基板（図示せず）も
所定の温度に設定し、その他の条件が整った後、各セル
のンヤソタ−６を開き成長を開始する。
エピタキシャル成長はセルに入れられたＧａを消費しな
がら行なわれるために、材料ｌＧａ５は成長を重ねる毎
に減少する。この時るつぼの温度は第２図に示したごと
く、るつぼの先端部より底部に向いて温度が低くなる。
がら行なわれるために、材料ｌＧａ５は成長を重ねる毎
に減少する。この時るつぼの温度は第２図に示したごと
く、るつぼの先端部より底部に向いて温度が低くなる。
すなわち、トップヒト構造になっているために、ＧａＳ
量の減少に従いＧａ３の最先端部は下方に下がりＣ，ａ
３の温度は低下する。すなわち、成長速度は遅くなる。
量の減少に従いＧａ３の最先端部は下方に下がりＣ，ａ
３の温度は低下する。すなわち、成長速度は遅くなる。
そのために、本実施例においてはＧａ３の減少量だけ支
持棒８でるつぼを上方に上昇させ、Ｇａ３の液面の最先
端部が常に一定位置に来るように調整する。かくしてＧ
ａ３の蒸発量は一定に保たれ、他の条件を変えることな
く所定の特性を持ったエピタキシャルを安定して得るこ
とができる。
持棒８でるつぼを上方に上昇させ、Ｇａ３の液面の最先
端部が常に一定位置に来るように調整する。かくしてＧ
ａ３の蒸発量は一定に保たれ、他の条件を変えることな
く所定の特性を持ったエピタキシャルを安定して得るこ
とができる。
また、るつぼ２を所定の温度に加熱しながら、るつぼ２
の位置を任意に変えることにより成長速度を変えること
ができるので、成長中においても組成の異なる成長層を
得ることも可能である。
の位置を任意に変えることにより成長速度を変えること
ができるので、成長中においても組成の異なる成長層を
得ることも可能である。
なお、材料源Ｇａ３の液面の高さは光学的、マイクロ波
的、赤外線的方法等、必要に応じて最適な装置で測定す
ることができる。
的、赤外線的方法等、必要に応じて最適な装置で測定す
ることができる。
また、第３図はこの発明の第２の実施例による分子線エ
ピタキシャル結晶成長装置による結晶成長に用いる分子
線エピタキシー用セルの一例を示す概略構成図、第４図
は当該セルに組み込まれたるつぼの部分の温度分布の概
略図、第５図は材料源Ｇａ量に対する成長速度変化の概
略図である。
ピタキシャル結晶成長装置による結晶成長に用いる分子
線エピタキシー用セルの一例を示す概略構成図、第４図
は当該セルに組み込まれたるつぼの部分の温度分布の概
略図、第５図は材料源Ｇａ量に対する成長速度変化の概
略図である。
なお、ここでは例えばｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａ
Ａｓ結晶を作る場合のＧａセルについて説明する。
Ａｓ結晶を作る場合のＧａセルについて説明する。
第３図のごとく構成されたセル１ｏのるっぽ２の中に材
料源Ｇａ３を入れる。るっぽ２の加熱は加熱用ヒーター
４ａで行ない、熱電対５で温度を検出し、所定の温度に
なるように調節する。他の材料源であるＡｓその他のセ
ル（図示せず）も同様に調節され、成長すべき基板（図
示せず）も所定の温度に設定する。
料源Ｇａ３を入れる。るっぽ２の加熱は加熱用ヒーター
４ａで行ない、熱電対５で温度を検出し、所定の温度に
なるように調節する。他の材料源であるＡｓその他のセ
ル（図示せず）も同様に調節され、成長すべき基板（図
示せず）も所定の温度に設定する。
その他の条件が整った後、各セルおよび材料源Ｇａ３の
シャッター６を開き成長を開始する。
シャッター６を開き成長を開始する。
エピタキシャル成長はるっぽ２に入れられたＧａ３を消
費しながら行なわれるために、材料＃１Ｇａ３は成長を
重ねるに従って減少する。この時、るつぼ２の温度は第
４図のごとくるつば２の先端部より底部に向かって温度
が低くなる。すなわち、トップヒート構造になっている
ために、材料源Ｇａ３の減少に従い、材料ｆｉＧａ３の
最先端部は下方に下がり温度は低下する。すなわち、第
３図に示した如く、例えば材料＠Ｇａ３の先端部がＡ点
よりＡ′点に下がると成長速度は遅くなる。
費しながら行なわれるために、材料＃１Ｇａ３は成長を
重ねるに従って減少する。この時、るつぼ２の温度は第
４図のごとくるつば２の先端部より底部に向かって温度
が低くなる。すなわち、トップヒート構造になっている
ために、材料源Ｇａ３の減少に従い、材料ｆｉＧａ３の
最先端部は下方に下がり温度は低下する。すなわち、第
３図に示した如く、例えば材料＠Ｇａ３の先端部がＡ点
よりＡ′点に下がると成長速度は遅くなる。
そのため、本実施例においては、材料源の減少量を第３
図のＧａ量チエツク用窓１７より観測し、材料源の液面
の高さの変化（材料源の減少量）と成長速度の変化の関
係を記憶している図示しない温度制御部により材料源Ｇ
ａ３の液面の低下分、すなわち温度低下による成長速度
の減少分だけ、セル１０のヒーター４ａによりるつぼ２
の温度を上げる。
図のＧａ量チエツク用窓１７より観測し、材料源の液面
の高さの変化（材料源の減少量）と成長速度の変化の関
係を記憶している図示しない温度制御部により材料源Ｇ
ａ３の液面の低下分、すなわち温度低下による成長速度
の減少分だけ、セル１０のヒーター４ａによりるつぼ２
の温度を上げる。
かくして材料５ｃａ３の蒸発量は一定に保たれ、他の条
件を変えることなく所定の特性を持ったエピタキシャル
層を安定して得ることができる。
件を変えることなく所定の特性を持ったエピタキシャル
層を安定して得ることができる。
なお、材料源Ｇａ３の液面の高さは光学的、マイクロ波
的、赤外線的方法等、必要に応して最適な装置で測定す
ることができる。
的、赤外線的方法等、必要に応して最適な装置で測定す
ることができる。
以上、説明したように、この発明に係る分子線エピタキ
シャル結晶成長装置によれば、るつぼ中のＧａＯ量の変
化に従ってるつぼの位置を変え、Ｇａの最先端部が常に
一定位置に来るように調節可能な支持棒を取り付けるこ
とにより一定量の原料を蒸発させることが可能となり、
従って一定成長速度に保つことができるので、安定して
再現性良く所望の特性を持った結晶を得ることができる
。
シャル結晶成長装置によれば、るつぼ中のＧａＯ量の変
化に従ってるつぼの位置を変え、Ｇａの最先端部が常に
一定位置に来るように調節可能な支持棒を取り付けるこ
とにより一定量の原料を蒸発させることが可能となり、
従って一定成長速度に保つことができるので、安定して
再現性良く所望の特性を持った結晶を得ることができる
。
また、るつぼ中のＱａの量の変化を光学的にあるいはそ
の他の方法でＧａ液面の高さの変化により検出し、変化
量に従ってヒーターへの電力供給量を制御するようにし
たので、結晶成長速度を一定に保つことができ、一定の
特性の結晶を安定して得ることができる。
の他の方法でＧａ液面の高さの変化により検出し、変化
量に従ってヒーターへの電力供給量を制御するようにし
たので、結晶成長速度を一定に保つことができ、一定の
特性の結晶を安定して得ることができる。
第１図はこの発明の第１の実施例による分子線エピタキ
シャル結晶成長装置のＧａ用セルの概略構成図、第２図
は第１図におけるるつぼ部分の温度分布の概略構成を示
す図、第３図はこの発明の第２の実施例による分子線エ
ピタキシャル結晶成長装置のＧａ用セルの概略構造図、
第４図は当該セルのるつぼ付近の温度分布例を示す概略
図、第５図は材料源Ｇａの液面の高さと成長速度を示す
概略図、第６図は従来のセルの概略図、第７図は当該セ
ルのるつぼ付近の温度分布の概略図である。 図において、１は放熱防止筒、２はるつぼ、３は材料源
Ｑａ、４，４ａはヒーター ５は熱電対、６はシャッタ
ー ７は第２のるつぼ、１７はＱａ量チエツク用窓、８
は支持棒、１０．２０はセル全体である。 なお、図において同一符号は同−又は相当部分を示す。
シャル結晶成長装置のＧａ用セルの概略構成図、第２図
は第１図におけるるつぼ部分の温度分布の概略構成を示
す図、第３図はこの発明の第２の実施例による分子線エ
ピタキシャル結晶成長装置のＧａ用セルの概略構造図、
第４図は当該セルのるつぼ付近の温度分布例を示す概略
図、第５図は材料源Ｇａの液面の高さと成長速度を示す
概略図、第６図は従来のセルの概略図、第７図は当該セ
ルのるつぼ付近の温度分布の概略図である。 図において、１は放熱防止筒、２はるつぼ、３は材料源
Ｑａ、４，４ａはヒーター ５は熱電対、６はシャッタ
ー ７は第２のるつぼ、１７はＱａ量チエツク用窓、８
は支持棒、１０．２０はセル全体である。 なお、図において同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）分子線エピタキシャル法を用いて結晶成長を行な
う装置において、 るつぼを一定温度で加熱するヒーターと、 るつぼ中の原料の量の変化に応じてるつぼの位置を変化
させ、一定量の原料を蒸発させ一定量の成長速度に保つ
手段、あるいはるつぼの位置を変化させることにより成
長中において所望の成長速度により所望の特性を持った
結晶を得る手段のいずれか一方とを備えたことを特徴と
する分子線エピタキシャル結晶成長装置。 - （２）分子線エピタキシャル法を用いて結晶成長を行な
う装置において、 材料源の液面の高さの変化を検出して材料源の液量の変
化を検出する手段と、 その変化量に応じてるつぼを加熱しているヒーターへの
電力供給量を制御することにより結晶の成長速度を制御
する手段とを備えたことを特徴とする分子線エピタキシ
ャル結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17859090A JPH0465392A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 分子線エピタキシャル結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17859090A JPH0465392A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 分子線エピタキシャル結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465392A true JPH0465392A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16051127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17859090A Pending JPH0465392A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 分子線エピタキシャル結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030041646A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | (주)알파플러스 | 도가니 입구에서의 소오스 응축 방지형 진공 증발원 |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP17859090A patent/JPH0465392A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030041646A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | (주)알파플러스 | 도가니 입구에서의 소오스 응축 방지형 진공 증발원 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04149092A (ja) | コーン部育成制御方法及び装置 | |
| CN106298577B (zh) | 一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用 | |
| JPH0669917B2 (ja) | 複数段ヒ−タ−の制御方法 | |
| US7582160B2 (en) | Silicone single crystal production process | |
| JPH0465392A (ja) | 分子線エピタキシャル結晶成長装置 | |
| US4869776A (en) | Method for the growth of a compound semiconductor crystal | |
| US20060260536A1 (en) | Vessel for growing a compound semiconductor single crystal, compound semiconductor single crystal, and process for fabricating the same | |
| EP1040212A4 (en) | LOAD FOR VERTICAL NACELLE DRAWING METHOD AND USE THEREOF | |
| EP1475464A1 (en) | Method for producing an optical fluoride crystal | |
| KR102698437B1 (ko) | 용융물로부터 원통형 결정을 풀링하는 방법 | |
| JP3788156B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法およびそれに用いられるｐｂｎ製容器 | |
| US12534820B2 (en) | Method for growing silicon single crystal | |
| JPH08290991A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JPH06219884A (ja) | 単結晶の成長炉 | |
| US3446602A (en) | Flame fusion crystal growing employing vertically displaceable pedestal responsive to temperature | |
| Robertson et al. | Observations on the unrestrained growth of germanium crystals | |
| JPH0375293A (ja) | 分子線エピタキシー用セル | |
| JP3154351B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH11292681A (ja) | ブリッジマン型単結晶育成装置 | |
| JPH02279587A (ja) | 分子線エピタキシ―用セル | |
| JPH05319973A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH0510316B2 (ja) | ||
| JPH03228898A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS60112690A (ja) | 分子線結晶成長装置用蒸発源セル | |
| JPS59152296A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法 |