JPH0465463A - ポリアミド系樹脂組成物のめっき方法 - Google Patents
ポリアミド系樹脂組成物のめっき方法Info
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- JPH0465463A JPH0465463A JP2175540A JP17554090A JPH0465463A JP H0465463 A JPH0465463 A JP H0465463A JP 2175540 A JP2175540 A JP 2175540A JP 17554090 A JP17554090 A JP 17554090A JP H0465463 A JPH0465463 A JP H0465463A
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- Japan
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- plating
- polyamide
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、容易にめっきすることか可能なポリアミド系
樹脂組成物とそのめっき方法に関する。
樹脂組成物とそのめっき方法に関する。
（従来の技術）
現在、ポリアミド系樹脂を含む樹脂製品へのめっきは、
第２図に示すような煩雑で長い工程を経て行われており
、工程の短縮化がコスト低減のた三級アミン類、四級ア
ンモニウム塩なと）で示されるトリアジンチオール類を
必須第一成分、ならびにＭＳＣＮ（ＭはＬ ｉ、Ｎａ、
に、１／２ Ｃａ。
第２図に示すような煩雑で長い工程を経て行われており
、工程の短縮化がコスト低減のた三級アミン類、四級ア
ンモニウム塩なと）で示されるトリアジンチオール類を
必須第一成分、ならびにＭＳＣＮ（ＭはＬ ｉ、Ｎａ、
に、１／２ Ｃａ。
１／２Ｍｇ、ＮＨ，なと）のようなロダン塩を第二成分
として含むことを特徴とするポリアミド系樹脂組成物。
として含むことを特徴とするポリアミド系樹脂組成物。
あるため対応が困難であり、めっき技術の基本的な考え
方を刷新する必要が叫ばれている。
方を刷新する必要が叫ばれている。
（発明か解決しようとする課題）
従来行われているめっき工程を簡素化、低コスト化する
ためにはまず、エノチング工程や活性化工程を削除する
ことおよび洗浄工程を減少させることが課題となってい
る。このような課題を解決するためには、樹脂製品自身
に活性化能力を付与させる必要がある。さらに、樹脂自
身に活性化能力を付与することにより、例えば、インサ
ート射出成形あるいは二色射出成形等により活性化能力
を持つ部分とそうてない部分か共存する表面を得１．る
モ績ができ、立体回路基板や電磁波ンールトハ、Ｊウ−
ジングなどの部分めっき製品が非常に簡単な方（上式に
おいて、Ｒは−ＯＲ’ −３Ｒ’ＮＨＲ’ −Ｎ
（Ｒ’ ） ； Ｒ’ はＨ１アルキル基、アルケ
ニル基、フェニル基、フェニルアルキル基、アルキルフ
ェニル基、またはシクロアルキル基、また、ＭはＨ，Ｎ
ａ、Ｌ ｉ、に、１／２ Ｂａ１／２Ｃａ、１／２Ｍ
ｇ 、脂肪族−級、二級および三級アミン類、四級アン
モニウム塩など）で示さりめっきができる組成物を開発
するに至った。
ためにはまず、エノチング工程や活性化工程を削除する
ことおよび洗浄工程を減少させることが課題となってい
る。このような課題を解決するためには、樹脂製品自身
に活性化能力を付与させる必要がある。さらに、樹脂自
身に活性化能力を付与することにより、例えば、インサ
ート射出成形あるいは二色射出成形等により活性化能力
を持つ部分とそうてない部分か共存する表面を得１．る
モ績ができ、立体回路基板や電磁波ンールトハ、Ｊウ−
ジングなどの部分めっき製品が非常に簡単な方（上式に
おいて、Ｒは−ＯＲ’ −３Ｒ’ＮＨＲ’ −Ｎ
（Ｒ’ ） ； Ｒ’ はＨ１アルキル基、アルケ
ニル基、フェニル基、フェニルアルキル基、アルキルフ
ェニル基、またはシクロアルキル基、また、ＭはＨ，Ｎ
ａ、Ｌ ｉ、に、１／２ Ｂａ１／２Ｃａ、１／２Ｍ
ｇ 、脂肪族−級、二級および三級アミン類、四級アン
モニウム塩など）で示さりめっきができる組成物を開発
するに至った。
すなわち、本発明に係るポリアミド系樹脂組成物とは、
一般式 ％式％ ２−ド系樹脂組成物である。
一般式 ％式％ ２−ド系樹脂組成物である。
この組成物のめっき方法は、第１図に示すように、金属
塩水溶液に浸漬後、これを水洗したのち、還元処理する
ことにより樹脂表面に金属めっき層を生成させることを
特徴とする。
塩水溶液に浸漬後、これを水洗したのち、還元処理する
ことにより樹脂表面に金属めっき層を生成させることを
特徴とする。
本発明においてポリアミド系樹脂とは、具体的にはナイ
ロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン１０．
ナイロン１２、ナイロン６１０なとであり、カラス繊維
強化ナイロン、金属繊維強化ナイロンなども含まれる。
ロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン１０．
ナイロン１２、ナイロン６１０なとであり、カラス繊維
強化ナイロン、金属繊維強化ナイロンなども含まれる。
トリアジンチオール類は、具体的には、１，３．５
−トリアジン２、 ４． ６−１− リ チ
オ − ル 、 １． ３． ５−１−
リ アジン−２，４，６−トリチオールモノナトリ
ウム１、 ３． ５ − ト リ ア ン ン −
２，４，６−ト リ チオールジナトリウム、１．３．
５−トリアジン２、 ４． ６−１− リ チ
オ − ル ト リ す ト リ ウ ム 、 １
。
−トリアジン２、 ４． ６−１− リ チ
オ − ル 、 １． ３． ５−１−
リ アジン−２，４，６−トリチオールモノナトリ
ウム１、 ３． ５ − ト リ ア ン ン −
２，４，６−ト リ チオールジナトリウム、１．３．
５−トリアジン２、 ４． ６−１− リ チ
オ − ル ト リ す ト リ ウ ム 、 １
。
３．５−１−リアジン−２，４，６−）リチオ−ルール
を用い、ポリアミドの溶融する温度で予備混練し、これ
を射出成形機等により成形することにより、ポリアミド
系樹脂組成物を得ることかできる。この際、第二成分と
してＭＳＣＮ（Ｍは、Ｌ＋、Ｎａ、に、１／２ Ｃａ、
ｌ／２ Ｍｇ、ＮＨ，など）のようなロタノ塩を添加す
ることにより第一成分の添加量を低減することかできる
。
を用い、ポリアミドの溶融する温度で予備混練し、これ
を射出成形機等により成形することにより、ポリアミド
系樹脂組成物を得ることかできる。この際、第二成分と
してＭＳＣＮ（Ｍは、Ｌ＋、Ｎａ、に、１／２ Ｃａ、
ｌ／２ Ｍｇ、ＮＨ，など）のようなロタノ塩を添加す
ることにより第一成分の添加量を低減することかできる
。
一般に第一成分は、５重量部以下ではめっき性が不十分
であるが、上記第二成分を５〜２０重量アニリノー１．
３．５−）リアジン−２，４−ジチオール、６−アニソ
ツー１．３．５−トリアジン−２，４−ジチオールモノ
ナトリウムなどを挙げることができる。
であるが、上記第二成分を５〜２０重量アニリノー１．
３．５−）リアジン−２，４−ジチオール、６−アニソ
ツー１．３．５−トリアジン−２，４−ジチオールモノ
ナトリウムなどを挙げることができる。
トリアジンチオール類は、ポリアミド１００重量部に対
して、２から３０重量部好ましくは５から２０重量部を
、例えばペレタイザーまたは熱口可能となり、加工性な
らひにめっき性に優れた組成物を得ることかできる。
して、２から３０重量部好ましくは５から２０重量部を
、例えばペレタイザーまたは熱口可能となり、加工性な
らひにめっき性に優れた組成物を得ることかできる。
予備混線条件や成形条件は、ポリアミド、トリアジンチ
オール類、ロタン塩、充填剤の種類で異なり限定できな
いか、これらの一般の加工条件の範囲内にある。これら
の組成物を金属塩の水溶液に１０°Ｃから９０’Ｃて１
秒間から６０分間浸漬すると組成物表面の色相か変化す
る。これを水洗後さらに還元液に１０°Ｃから９５°Ｃ
で１秒から６０分間浸漬すると表面に金属か析出してき
てめっきは完了する。
オール類、ロタン塩、充填剤の種類で異なり限定できな
いか、これらの一般の加工条件の範囲内にある。これら
の組成物を金属塩の水溶液に１０°Ｃから９０’Ｃて１
秒間から６０分間浸漬すると組成物表面の色相か変化す
る。これを水洗後さらに還元液に１０°Ｃから９５°Ｃ
で１秒から６０分間浸漬すると表面に金属か析出してき
てめっきは完了する。
ここで言う金属塩とは、トリアジンチオール類ならひに
ロダン塩と反応するものであれば何でも良いが、好まし
くは塩化金酸、塩化金酸カリウム、塩化金酸ナトリウム
、シアン化合、塩化白金、塩化白金酸、塩化白金酸カリ
ウム、塩化白金酸すようになる。液性は、ｐＨ２からｐ
Ｈ１２まで可能であり、酸性は硝酸により、またアルカ
リ性はアンモニアで調整することが・できる。ここでい
う還元液とは、金属塩を金属に還元する能力のあるもの
であれば何でも良いか、一般にはホルマリン等のアルテ
ヒト類、次亜りん酸ソーダ等の次亜りん酸塩、ジメチル
アミンホラン、水素化ホウ素ナトリウム、ヒトランン誘
導体等を挙げることができる。
ロダン塩と反応するものであれば何でも良いが、好まし
くは塩化金酸、塩化金酸カリウム、塩化金酸ナトリウム
、シアン化合、塩化白金、塩化白金酸、塩化白金酸カリ
ウム、塩化白金酸すようになる。液性は、ｐＨ２からｐ
Ｈ１２まで可能であり、酸性は硝酸により、またアルカ
リ性はアンモニアで調整することが・できる。ここでい
う還元液とは、金属塩を金属に還元する能力のあるもの
であれば何でも良いか、一般にはホルマリン等のアルテ
ヒト類、次亜りん酸ソーダ等の次亜りん酸塩、ジメチル
アミンホラン、水素化ホウ素ナトリウム、ヒトランン誘
導体等を挙げることができる。
これらは、０．１重量％から１０重量％、好まニッケル
、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル、りん酸ニッケル、塩化
スズ、酢酸スズ、硫酸スズ等である。これらの水溶液濃
度は、０．１重量％から１０重量％、好ましくは１重量
％から５重量％である。１重量％以下では処理に時間か
かかりすぎ、５重量％以上では洗浄や排水処理に問題が
生ずる一］口こ本発明に基づ〈実施例を比較例と共に説
明する。
、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル、りん酸ニッケル、塩化
スズ、酢酸スズ、硫酸スズ等である。これらの水溶液濃
度は、０．１重量％から１０重量％、好ましくは１重量
％から５重量％である。１重量％以下では処理に時間か
かかりすぎ、５重量％以上では洗浄や排水処理に問題が
生ずる一］口こ本発明に基づ〈実施例を比較例と共に説
明する。
所定量のナイロン６およびナイロン６６をそれぞれ２３
０ °Ｃおよび２７０ °Ｃの熱ロール上で溶融し、こ
れに１．３．５−）リアジン−２，４，６トリチオール
モノナトリウム（ＴＴＮ）をナイロン１００重量部に対
して１５重量部の割合で加えて混練する。これをベレッ
ト状に加工したのち実験用射出成形機を用いて６０Ｘ６
０Ｘ２ｍｍの試験板に成形した。また同様にナイロン１
００重量部に対してｌ、３．５−トリアノン−２，４゜
６−トリチオールモノナトリウム（ＴＴＮ）７重量部お
よびロダンカリ７重量部を混練した試験板を成形した。
０ °Ｃおよび２７０ °Ｃの熱ロール上で溶融し、こ
れに１．３．５−）リアジン−２，４，６トリチオール
モノナトリウム（ＴＴＮ）をナイロン１００重量部に対
して１５重量部の割合で加えて混練する。これをベレッ
ト状に加工したのち実験用射出成形機を用いて６０Ｘ６
０Ｘ２ｍｍの試験板に成形した。また同様にナイロン１
００重量部に対してｌ、３．５−トリアノン−２，４゜
６−トリチオールモノナトリウム（ＴＴＮ）７重量部お
よびロダンカリ７重量部を混練した試験板を成形した。
比較例は同様にして、ナイロンのみの板と食塩を１５重
量部含む試験板を成形して使６８４１）を用い２端子法
により測定を行い、また密着性はクロスカッティング法
により試験を行い、剥離面を目視て観察し百分率で表示
した。結果を第１表に示す。
量部含む試験板を成形して使６８４１）を用い２端子法
により測定を行い、また密着性はクロスカッティング法
により試験を行い、剥離面を目視て観察し百分率で表示
した。結果を第１表に示す。
ナイロンに対するＴＴＮの作用は食塩のような無機化合
物（比較例２）とは異なり、大量に混練しても強度の低
下はなくむしろ増加する傾向にある（実施例１，２，４
．５）。このことはエンジニアリングプラスチックとし
て好ましく、他の添試験板を浸漬したところ、本発明の
ポリアミド系樹脂組成物からなる試験板では表面が銀で
覆われた樹脂製品が得られた。銀めっきの性能は、生成
銀膜の導電性と密着性から検討した。膜の導電性は、武
田理研製デンクルマルチメーター（ＴＲ生成させること
ができる（実施例１．２，３，４５．６）。もちろん、
ＴＴＮを含まない比較例１．２ではこのような特徴は全
く発生しないことから、本発明の優位性は証明される。
物（比較例２）とは異なり、大量に混練しても強度の低
下はなくむしろ増加する傾向にある（実施例１，２，４
．５）。このことはエンジニアリングプラスチックとし
て好ましく、他の添試験板を浸漬したところ、本発明の
ポリアミド系樹脂組成物からなる試験板では表面が銀で
覆われた樹脂製品が得られた。銀めっきの性能は、生成
銀膜の導電性と密着性から検討した。膜の導電性は、武
田理研製デンクルマルチメーター（ＴＲ生成させること
ができる（実施例１．２，３，４５．６）。もちろん、
ＴＴＮを含まない比較例１．２ではこのような特徴は全
く発生しないことから、本発明の優位性は証明される。
さらに、本発明の方法による金属めっき層上に一般に行
われている電気めっきを施すこともできる。
われている電気めっきを施すこともできる。
（発明の効果）
前途のように本発明によれば、ポリアミド系樹脂におい
て従来のめっき工程における工、チングや活性化を省く
ことがてき、コストの低減が達成される。
て従来のめっき工程における工、チングや活性化を省く
ことがてき、コストの低減が達成される。
また、本発明の組成物は、一般の成形材料と同様に成形
できるものであるため、インサート成形や二色成形によ
り一般の成形材料との一体成形か可能であり、この一体
成形品を本発明による方法でめっきすることにより、回
路基板や電磁波シー１１１図は、本発明の組成物のめっ
き工程を示しす。
できるものであるため、インサート成形や二色成形によ
り一般の成形材料との一体成形か可能であり、この一体
成形品を本発明による方法でめっきすることにより、回
路基板や電磁波シー１１１図は、本発明の組成物のめっ
き工程を示しす。
第１図
第２図
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （上式において、Ｒは−ＯＲ′、−ＳＲ′、−ＮＨＲ′
、−Ｎ（Ｒ′）＿２；Ｒ′はＨ、アルキル基、アルケニ
ル基、フェニル基、フェニルアルキル基、アルキルフェ
ニル基、またはシクロアルキル基、また、ＭはＨ、Ｎａ
、Ｌｉ、Ｋ、１／２Ｂａ、１／２Ｃａ、１／２Ｍｇ、脂
肪族一級、二級および三級アミン類、四級アンモニウム
塩など）で示されるトリアジンチオール類を必須第一成
分、ならびにＭＳＣＮ（ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、１／２Ｃ
ａ、１／２Ｍｇ、ＮＨ＿４など）のようなロダン塩を第
二成分として含むことを特徴とするポリアミド系樹脂組
成物。 - （２）上記の組成物を金属塩水溶液に浸漬後、水洗した
のち、還元処理して表面に金属めっき層を生成させる樹
脂めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175540A JPH07110927B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | ポリアミド系樹脂組成物のめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175540A JPH07110927B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | ポリアミド系樹脂組成物のめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465463A true JPH0465463A (ja) | 1992-03-02 |
| JPH07110927B2 JPH07110927B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15997866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175540A Expired - Lifetime JPH07110927B2 (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | ポリアミド系樹脂組成物のめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110927B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6014318A (en) * | 1997-10-27 | 2000-01-11 | Nec Corporation | Resin-sealed type ball grid array IC package and manufacturing method thereof |
| JP2007169497A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Cci Corp | 減衰性付与剤及び減衰性材料 |
| US9882104B2 (en) | 2011-07-29 | 2018-01-30 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device package having LED disposed in lead frame cavities |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128841A (ja) * | 1974-09-05 | 1976-03-11 | Nippon Zeon Co | Jugotaiyoanteikazai |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2175540A patent/JPH07110927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128841A (ja) * | 1974-09-05 | 1976-03-11 | Nippon Zeon Co | Jugotaiyoanteikazai |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6014318A (en) * | 1997-10-27 | 2000-01-11 | Nec Corporation | Resin-sealed type ball grid array IC package and manufacturing method thereof |
| JP2007169497A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Cci Corp | 減衰性付与剤及び減衰性材料 |
| US9882104B2 (en) | 2011-07-29 | 2018-01-30 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device package having LED disposed in lead frame cavities |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07110927B2 (ja) | 1995-11-29 |
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