JPH0465490B2 - - Google Patents
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- JPH0465490B2 JPH0465490B2 JP57010273A JP1027382A JPH0465490B2 JP H0465490 B2 JPH0465490 B2 JP H0465490B2 JP 57010273 A JP57010273 A JP 57010273A JP 1027382 A JP1027382 A JP 1027382A JP H0465490 B2 JPH0465490 B2 JP H0465490B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- sample
- detector
- lens
- shield
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
- H01J2237/24415—X-ray
- H01J2237/2442—Energy-dispersive (Si-Li type) spectrometer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビームにより試料から放出され
た放射を検出する為に電磁レンズの付近に配置さ
れた検出器を具える電子顕微鏡に関するものであ
る。
た放射を検出する為に電磁レンズの付近に配置さ
れた検出器を具える電子顕微鏡に関するものであ
る。
この種類の電子顕微鏡は英国特許第1420803号
明細書に記載されており既知である。この英国特
許明細書の場合のように、対物レンズの付近に配
置された検出器がＸ線のような試料（被検体）か
ら放出される電磁放射を検出するようにする場合
には、測定に関する所定のセツテイング、例えば
米国特許第3629575号明細書に記載された低倍率
のセツテイングを行なつた際に、試料から放出す
る二次電子或いは反射電子が測定或いは検出器に
悪影響を及ぼすおそれがある。倍率を通例の範囲
内にセツテイングする場合にはこのような悪影響
は通常生じない。その理由は、この場合上述した
電子は比較的強い関連のレンズの磁界により捕捉
され、これらの電子が検出器に到達しない為であ
る。最適な測定を行なう為には、検出器を試料に
できるだけ近づけて配置し、検出器が測定される
べき放射に高度に感応するようにすることが望ま
しい。しかし、検出器が正確にこの最適位置にあ
ると、前述した低倍率のセツテイングに用いられ
ているような附勢の弱いレンズで測定に関するセ
ツテイングを行なう場合検出器が散乱電子を捕捉
してしまうようになる。
明細書に記載されており既知である。この英国特
許明細書の場合のように、対物レンズの付近に配
置された検出器がＸ線のような試料（被検体）か
ら放出される電磁放射を検出するようにする場合
には、測定に関する所定のセツテイング、例えば
米国特許第3629575号明細書に記載された低倍率
のセツテイングを行なつた際に、試料から放出す
る二次電子或いは反射電子が測定或いは検出器に
悪影響を及ぼすおそれがある。倍率を通例の範囲
内にセツテイングする場合にはこのような悪影響
は通常生じない。その理由は、この場合上述した
電子は比較的強い関連のレンズの磁界により捕捉
され、これらの電子が検出器に到達しない為であ
る。最適な測定を行なう為には、検出器を試料に
できるだけ近づけて配置し、検出器が測定される
べき放射に高度に感応するようにすることが望ま
しい。しかし、検出器が正確にこの最適位置にあ
ると、前述した低倍率のセツテイングに用いられ
ているような附勢の弱いレンズで測定に関するセ
ツテイングを行なう場合検出器が散乱電子を捕捉
してしまうようになる。
本発明の目的は上述した欠点を軽減させること
にある。
にある。
本発明は、電子ビームを制御する少なくとも１
つの電磁レンズと、前記の電子ビームを受けて放
射を放出する試料と、この試料に隣接して配置さ
れ、この試料から放出される前記の放射を測定す
る検出器と、前記の試料と前記の検出器との間の
位置に移動しうる電子吸収遮蔽体と、前記の電磁
レンズの付勢状態に応じて、すなわち、電磁レン
ズが低付勢状態にある際に前記の電子吸収遮蔽体
を前記の位置内に移動させ且つ電磁レンズが高付
勢状態にある際に前記の電子吸収遮蔽体を前記の
位置からこの位置外に移動させる移動手段とを具
える電子顕微鏡において、前記の移動手段が、前
記の電磁レンズの磁界により前記の電子吸収遮蔽
体を移動させる磁気手段を有していることを特徴
とする。
つの電磁レンズと、前記の電子ビームを受けて放
射を放出する試料と、この試料に隣接して配置さ
れ、この試料から放出される前記の放射を測定す
る検出器と、前記の試料と前記の検出器との間の
位置に移動しうる電子吸収遮蔽体と、前記の電磁
レンズの付勢状態に応じて、すなわち、電磁レン
ズが低付勢状態にある際に前記の電子吸収遮蔽体
を前記の位置内に移動させ且つ電磁レンズが高付
勢状態にある際に前記の電子吸収遮蔽体を前記の
位置からこの位置外に移動させる移動手段とを具
える電子顕微鏡において、前記の移動手段が、前
記の電磁レンズの磁界により前記の電子吸収遮蔽
体を移動させる磁気手段を有していることを特徴
とする。
本発明による電子顕微鏡においては、レンズが
あまり弱く附勢されない場合に検出器を最適な位
置および構成にして測定を行なうことができ、一
方レンズを弱く附勢する場合には電子の入射によ
る検出器への悪影響が遮蔽体により除去される。
この目的の為には電子顕微鏡装置を開ける必要が
ない。
あまり弱く附勢されない場合に検出器を最適な位
置および構成にして測定を行なうことができ、一
方レンズを弱く附勢する場合には電子の入射によ
る検出器への悪影響が遮蔽体により除去される。
この目的の為には電子顕微鏡装置を開ける必要が
ない。
本発明による一好適例では、遮蔽体に対するス
イツチング機構を、レンズを附勢する制御装置に
結合し、レンズを附勢する程度に応じて遮蔽体を
自動的に適正な位置に配置するようにする。この
制御は例えば電子顕微鏡と関連するコンピユータ
により行なうことができる。
イツチング機構を、レンズを附勢する制御装置に
結合し、レンズを附勢する程度に応じて遮蔽体を
自動的に適正な位置に配置するようにする。この
制御は例えば電子顕微鏡と関連するコンピユータ
により行なうことができる。
本発明においては、遮蔽体をレンズ自体の磁界
によつて調整しうるようになる。最も一般的な状
態では、レンズがあまり弱く附勢されていない場
合に遮蔽体が検出器への放射の入射を妨害しない
ようになり、レンズが弱く附勢された場合に遮蔽
体が検出器を遮蔽するようになる。また本発明は
電子顕微鏡の対物レンズに限定されない。
によつて調整しうるようになる。最も一般的な状
態では、レンズがあまり弱く附勢されていない場
合に遮蔽体が検出器への放射の入射を妨害しない
ようになり、レンズが弱く附勢された場合に遮蔽
体が検出器を遮蔽するようになる。また本発明は
電子顕微鏡の対物レンズに限定されない。
図面につき本発明を説明する。
第１図に示す本発明による電子顕微鏡は、陽極
２、ビームアライメント装置３および絞り４を有
する電子源１と、第１集束レンズ５、第２集束レ
ンズ６および集束絞り７を有する集束装置と、第
１対物レンズコイル８および第２対物レンズコイ
ル９を有する対物レンズと、ビーム走査装置１０
と、試料空間１１と、回折絞り１３を有する回折
レンズ１２と、中間レンズ１４と、第１投映レン
ズ１５および第２投映レンズ１６を有する投映装
置と、フイルムカメラ１７と、スクリーン（ビユ
ーイングスクリーン）１８とを具えている。これ
らの素子はすべて外匣（ハウジング）２０内に収
容され、この外匣２０は電子源に対する給電導線
２１と観察窓２２とを有する。この外匣２０には
光学的なビユーア２３と、真空ポンプ装置２４
と、プレート（感光板）カメラ２５とを装着す
る。試料空間１１内には試料２６と放射検出器２
７とが配置され、この放射検出器２７は電子ビー
ムにより試料から放出される放射を検出する為の
信号出力ライン２８を有する。
２、ビームアライメント装置３および絞り４を有
する電子源１と、第１集束レンズ５、第２集束レ
ンズ６および集束絞り７を有する集束装置と、第
１対物レンズコイル８および第２対物レンズコイ
ル９を有する対物レンズと、ビーム走査装置１０
と、試料空間１１と、回折絞り１３を有する回折
レンズ１２と、中間レンズ１４と、第１投映レン
ズ１５および第２投映レンズ１６を有する投映装
置と、フイルムカメラ１７と、スクリーン（ビユ
ーイングスクリーン）１８とを具えている。これ
らの素子はすべて外匣（ハウジング）２０内に収
容され、この外匣２０は電子源に対する給電導線
２１と観察窓２２とを有する。この外匣２０には
光学的なビユーア２３と、真空ポンプ装置２４
と、プレート（感光板）カメラ２５とを装着す
る。試料空間１１内には試料２６と放射検出器２
７とが配置され、この放射検出器２７は電子ビー
ムにより試料から放出される放射を検出する為の
信号出力ライン２８を有する。
第２図は放射検出器２７、試料２８および対物
レンズ磁極部材３０および３１を示す。電子ビー
ム２９は試料２６を照射し、偏向コイル装置１０
によりこの試料上を電子ビームが走査するように
することができる。試料内で放出された放射は通
路３２に沿つて検出器２７に到達しうる。例えば
Ｘ線を測定する場合、検出器は、例えば入口窓３
３および検出ターゲツト３４の後に配置され冷却
されるか或いは冷却されないようにした半導体検
出器を具え、この半導体検出器が信号出力ライン
３５を有し、この信号出力ラインがリード線２８
を経て信号処理装置３６に接続されるようにす
る。放射が適切に透過するようにする為に比較的
薄肉にされ例えばベリリウムから造つた入口窓の
前方には遮蔽体３７を配置する。この場合この遮
蔽体は第１レバー３８を介してピボツト装置４９
および第２レバー５０に連結し、この第２レバー
５０上には磁気材料片５１を設ける。
レンズ磁極部材３０および３１を示す。電子ビー
ム２９は試料２６を照射し、偏向コイル装置１０
によりこの試料上を電子ビームが走査するように
することができる。試料内で放出された放射は通
路３２に沿つて検出器２７に到達しうる。例えば
Ｘ線を測定する場合、検出器は、例えば入口窓３
３および検出ターゲツト３４の後に配置され冷却
されるか或いは冷却されないようにした半導体検
出器を具え、この半導体検出器が信号出力ライン
３５を有し、この信号出力ラインがリード線２８
を経て信号処理装置３６に接続されるようにす
る。放射が適切に透過するようにする為に比較的
薄肉にされ例えばベリリウムから造つた入口窓の
前方には遮蔽体３７を配置する。この場合この遮
蔽体は第１レバー３８を介してピボツト装置４９
および第２レバー５０に連結し、この第２レバー
５０上には磁気材料片５１を設ける。
レンズ磁極部材３０が附勢されると、磁気材料
片５１がこの磁極部材３０により吸引され、遮蔽
体３７が通路３２から除去される。この附勢がや
められると、遮蔽体は遮蔽位置に復帰する。スイ
ツチ５２（第１図）により手動的にも行なうこと
のできる外部制御の目的の為にピボツト装置を制
御素子５３に接続し、この制御素子を信号処理装
置３６を経てコイル８に対する電源装置５４にも
接続するようにすることができる。このようにす
ることにより、コイルの附勢と遮蔽体の移動とを
簡単に同期させることができ、しかも信号処理装
置への結合も可能となる。外部から移動せしめう
る遮蔽体を有する例の場合には第２レバー５０お
よび磁気材料片５１を設ける必要はない。この例
は特に、適度な空間中での磁界強度変化が自動の
遮蔽制御に不充分である場合に適している。必要
に応じ、てコイルが強く附勢された際に検出器が
遮蔽されるように磁界自体によつて遮蔽体を移動
させるようにすることができる。通常電子顕微鏡
の一部を成す中央コンピユータ５５により中央制
御の下で測定に関するセツテイングと遮蔽体の位
置との間を適切に同期させることもできる。
片５１がこの磁極部材３０により吸引され、遮蔽
体３７が通路３２から除去される。この附勢がや
められると、遮蔽体は遮蔽位置に復帰する。スイ
ツチ５２（第１図）により手動的にも行なうこと
のできる外部制御の目的の為にピボツト装置を制
御素子５３に接続し、この制御素子を信号処理装
置３６を経てコイル８に対する電源装置５４にも
接続するようにすることができる。このようにす
ることにより、コイルの附勢と遮蔽体の移動とを
簡単に同期させることができ、しかも信号処理装
置への結合も可能となる。外部から移動せしめう
る遮蔽体を有する例の場合には第２レバー５０お
よび磁気材料片５１を設ける必要はない。この例
は特に、適度な空間中での磁界強度変化が自動の
遮蔽制御に不充分である場合に適している。必要
に応じ、てコイルが強く附勢された際に検出器が
遮蔽されるように磁界自体によつて遮蔽体を移動
させるようにすることができる。通常電子顕微鏡
の一部を成す中央コンピユータ５５により中央制
御の下で測定に関するセツテイングと遮蔽体の位
置との間を適切に同期させることもできる。
第１図は対物レンズの付近に可調整検出器を有
する本発明による電子顕微鏡の一例を示す線図、
第２図は本発明による検出器を有する対物レンズ
を示す線図的断面図である。 １……電子源、２……陽極、３……ビームアラ
イメント装置、４……絞り、５……第１集束レン
ズ、６……第２集束レンズ、７……収束絞り、８
……第１対物レンズコイル、９……第２対物レン
ズコイル、１０……ビーム走査装置（偏向コイル
装置）、１１……試料空間、１２……回折レンズ、
１３……回折絞り、１４……中間レンズ、１５…
…第１投映レンズ、１６……第２投映レンズ、１
７……フイルムカメラ、１８……スクリーン、２
０……外匣、２１……給電導線、２２……観察
窓、２３……ビユーア、２４……真空ポンプ装
置、２５……プレートカメラ、２６……試料、２
７……放射検出器、２８，３５……信号出力ライ
ン、２９……電子ビーム、３０，３１……対物レ
ンズ磁極部材、３３……入口窓、３４……検出タ
ーゲツト、３６……信号処理装置、３７……遮蔽
体、３８……第１レバー、４９……ピボツト装
置、５０……第２レバー、５１……磁気材料片、
５２……スイツチ、５３……制御素子、５４……
電源装置、５５……中央コンピユータ。
する本発明による電子顕微鏡の一例を示す線図、
第２図は本発明による検出器を有する対物レンズ
を示す線図的断面図である。 １……電子源、２……陽極、３……ビームアラ
イメント装置、４……絞り、５……第１集束レン
ズ、６……第２集束レンズ、７……収束絞り、８
……第１対物レンズコイル、９……第２対物レン
ズコイル、１０……ビーム走査装置（偏向コイル
装置）、１１……試料空間、１２……回折レンズ、
１３……回折絞り、１４……中間レンズ、１５…
…第１投映レンズ、１６……第２投映レンズ、１
７……フイルムカメラ、１８……スクリーン、２
０……外匣、２１……給電導線、２２……観察
窓、２３……ビユーア、２４……真空ポンプ装
置、２５……プレートカメラ、２６……試料、２
７……放射検出器、２８，３５……信号出力ライ
ン、２９……電子ビーム、３０，３１……対物レ
ンズ磁極部材、３３……入口窓、３４……検出タ
ーゲツト、３６……信号処理装置、３７……遮蔽
体、３８……第１レバー、４９……ピボツト装
置、５０……第２レバー、５１……磁気材料片、
５２……スイツチ、５３……制御素子、５４……
電源装置、５５……中央コンピユータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームを制御する少なくとも１つの電磁
レンズと、 前記の電子ビームを受けて放射を放出する試料
と、 この試料に隣接して配置され、この試料から放
出される前記の放射を測定する検出器と、 前記の試料と前記の検出器との間の位置に移動
しうる電子吸収遮蔽体と、 前記の電磁レンズの付勢状態に応じて、すなわ
ち、電磁レンズが低付勢状態にある際に前記の電
子吸収遮蔽体を前記の位置内に移動させ且つ電磁
レンズが高付勢状態にある際に前記の電子吸収遮
蔽体を前記の位置からこの位置外に移動させる移
動手段とを具える電子顕微鏡において、 前記の移動手段が、前記の電磁レンズの磁界に
より前記の電子吸収遮蔽体を移動させる磁気手段
を有していることを特徴とする電子顕微鏡。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の電子顕微鏡に
おいて、前記の移動手段が更に、前記の電子吸収
遮蔽体を一端に取付けた第１レバーと、この第１
レバーの他端に取付けたピボツト装置と、このピ
ボツト装置に一端を取付けた第２レバーと、この
第２レバーの他端に取付けられ前記の電磁レンズ
により引き付けられる磁気材料とを有しているこ
とを特徴とする電子顕微鏡。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8100449A NL8100449A (nl) | 1981-01-30 | 1981-01-30 | Elektronenmikroskoop met roentgendetektor. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57143252A JPS57143252A (en) | 1982-09-04 |
| JPH0465490B2 true JPH0465490B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=19836946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57010273A Granted JPS57143252A (en) | 1981-01-30 | 1982-01-27 | Electron microscope |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4450355A (ja) |
| JP (1) | JPS57143252A (ja) |
| CA (1) | CA1190329A (ja) |
| DE (1) | DE3201889A1 (ja) |
| FR (1) | FR2499313A1 (ja) |
| GB (1) | GB2092367B (ja) |
| NL (1) | NL8100449A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3442207A1 (de) * | 1984-11-19 | 1986-05-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Elektronenstrahl-istpositionsgeber |
| JPS6417366A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-20 | Rinku Anariteikaru Ltd | Electron beam and x-ray detector |
| AT392857B (de) * | 1987-07-13 | 1991-06-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Vorrichtung und verfahren zur inspektion einer maske |
| JPH02231708A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の位置合わせマーク検出方法及び装置 |
| US5079428A (en) * | 1989-08-31 | 1992-01-07 | Bell Communications Research, Inc. | Electron microscope with an asymmetrical immersion lens |
| US4962306A (en) * | 1989-12-04 | 1990-10-09 | Intenational Business Machines Corporation | Magnetically filtered low loss scanning electron microscopy |
| JPH07294460A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | Ｘ線分析方法および装置 |
| US5569925A (en) * | 1994-06-23 | 1996-10-29 | Philips Electronics North America Corporation | Mechanical shutter for protecting an x-ray detector against high-energy electron or x-ray damage |
| DE102009046211B4 (de) * | 2009-10-30 | 2017-08-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Detektionsvorrichtung und Teilchenstrahlgerät mit Detektionsvorrichtung |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1066583A (en) * | 1963-05-01 | 1967-04-26 | Ass Elect Ind | Improvements relating to electronic bombardment apparatus |
| US3359418A (en) * | 1964-12-11 | 1967-12-19 | Gunter F Bahr | Electromagnetic actuating means for a shutter mechanism in an electron microscope |
| GB1183571A (en) * | 1966-03-28 | 1970-03-11 | Ass Elect Ind | Improvements relating to X-Ray Apparatus |
| NL154050B (nl) * | 1966-08-13 | 1977-07-15 | Philips Nv | Elektronenmicroscoop. |
| GB1295084A (ja) * | 1969-06-17 | 1972-11-01 | ||
| FR2203509A5 (ja) * | 1972-10-16 | 1974-05-10 | Anvar | |
| GB1420803A (en) * | 1973-06-28 | 1976-01-14 | Ass Elect Ind | Electron microscopes |
| NL7904044A (nl) * | 1978-05-31 | 1979-12-04 | Unilever Nv | Werkwijze ter bereiding van homogene, vloeibare compo- sities. |
| JPS56153656A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Hitachi Ltd | Electron microscope equipped with x-ray analyzing device |
| JPS6111885Y2 (ja) * | 1980-10-08 | 1986-04-14 |
-
1981
- 1981-01-30 NL NL8100449A patent/NL8100449A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-10-26 US US06/314,936 patent/US4450355A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-01-22 DE DE19823201889 patent/DE3201889A1/de active Granted
- 1982-01-25 GB GB8201997A patent/GB2092367B/en not_active Expired
- 1982-01-25 FR FR8201075A patent/FR2499313A1/fr active Granted
- 1982-01-27 JP JP57010273A patent/JPS57143252A/ja active Granted
- 1982-01-27 CA CA000395054A patent/CA1190329A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2092367B (en) | 1985-01-23 |
| CA1190329A (en) | 1985-07-09 |
| US4450355A (en) | 1984-05-22 |
| DE3201889A1 (de) | 1982-08-26 |
| GB2092367A (en) | 1982-08-11 |
| FR2499313A1 (fr) | 1982-08-06 |
| NL8100449A (nl) | 1982-08-16 |
| JPS57143252A (en) | 1982-09-04 |
| DE3201889C2 (ja) | 1990-10-25 |
| FR2499313B1 (ja) | 1985-03-08 |
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