JPH0465603A - アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 - Google Patents

アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置

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JPH0465603A
JPH0465603A JP2178228A JP17822890A JPH0465603A JP H0465603 A JPH0465603 A JP H0465603A JP 2178228 A JP2178228 A JP 2178228A JP 17822890 A JP17822890 A JP 17822890A JP H0465603 A JPH0465603 A JP H0465603A
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wafer
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slope
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハや液晶デイスプレー用のプレー
ト等に形成されたアライメントマークを光電検出してア
ライメントする方法に関するものである。
〔従来の技術〕□ 従来、ウェハやプレート等の位置合わせ(アライメント
)においては、それら基板上の所定位置に形成されたア
ライメントマークを顕微鏡対物しンズを介して光電検出
する方式が一般的であった。
光電検出方式にも大別して2種類があり、レーザビーム
等のスポットでマークを相対走査し、マークで生じる散
乱光や回折光をフォトマルチプライヤやフォトダイオー
ド等で受光する光ビーム走査方式と、−様、照明された
マークの拡大像をテレビカメラ(ヒシコン管やCCD)
で撮像して、その画像信号を利用する方式とがある。
いずれの場合にも、得られる光電信号は、波形処理され
、マークの中心位置が求められる。
光ビーム走査方式と撮像方式とは、その個々の走査系に
おいて全く異なる構成を取るか、ここでは両者とも電気
光学的走査装置(以下、Electrical−Opt
ical  5cannerE、O,Sとする)である
として考える。
この様なE、O,Sのうち、レーザビームのスポットに
対してウェハステージを一次元移動させて、マーク位置
を検出する方式としては、USP。
4.655,598、USP、4,677.301、U
SP、4,702,606等に開示された技術か知られ
ている。
又、ウェハステージを設計値で位置決めした後、−次元
走査ビームの走査範囲内でマーク位置を検出する方式と
しては、USP、4,390,270、USP、4,5
66.795等に開示された技術が知られている。
又、撮像方式のE、 0.3としては、USP。
4.402,596、USP、4,679,942、U
SP、4,860,374等に開示された技術が知られ
ている。
これらの従来技術では、主に以下の2つの理由で走査ビ
ーム、又はマーク照明光として単色光を使っている。
■投影型露光装置(ステッパー)において、投影光学系
を介してウェハマークを検出する形式では、投影光学系
の大きい色収差を避けるために単一波長の照明光、又は
レーザビームを使う。
■高輝度、高分解能の検出を行うべく微小スポットに集
光するために単色のレーザビームを使う。
このように単色照明光(又はビーム)を使うと、比較的
S/N比か大きくとれるか、露光装置で扱うウェハては
、通常ウェハ全面に0.5μm〜2μm程度の厚みてフ
ォトレジスト層か形成されているため、単色性による干
渉現象が生し、これが、マーク位置検出時に誤検出され
たり、不鮮明な画像となったりしていた。
そこで近年、レジストによる干渉現象を低減させるため
に、照明光の多波長化、あるいは広帯域化が提案される
ようになった。
例えば撮像方式のE、○、Sで照明光をハロゲンランプ
等から作り、その波長帯域幅を300nm程度(レジス
トへの感光域を除く)にすると、レジストの表面とウェ
ハの表面とで反射した光同志の干渉性がほとんどなくな
り、鮮明な画像検圧が可能になる。従って、撮像方式で
は照明光を白色化(広帯域化)するとともに、結像光学
系を色消ししておくだけで、レジストに影響されない極
めて高精度なアライメントセンサーが得られることにな
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記の通り、照明光の多色化、又は白色化で干渉縞の発
生か押さえられ、鮮明な画像検出か出来るようになると
、いままで埋もれていた微小な誤差要因かクローズアッ
プされるようになった。
すなわち、アライメントマークの段差構造がより鮮明に
捕らえられることから、マークエツジのプロフィールの
わずかな差異が検出精度やアライメント精度を左右する
ようになった。
従来、画像信号の処理アルゴリズムには様々なものか考
えられていたが、いずれの方式でも、マークエツジのプ
ロフィールのわずかな変化を考慮したものはなく、総合
的なアライメント精度の向上には自ずと限界があった。
本発明はこのような問題点に鑑みて成され、アライメン
ト精度の向上を目指すことを目的とする。
〔課題を解決する為の手段〕
本発明は、ウェハ等の基板上のアライメントマークから
生じる光情報をテレビカメラやスキャニング・レーザ等
の電気光学走査装置によって、光電検出し、アライメン
トマークの相対走査方向に関して強度変化する時系列的
な光電信号(画像信号)を処理することによってアライ
メントマークの位置を決定する方法に関するものである
そして本発明では、マーク幅を規定する一対のマークエ
ツジ部の夫々の位置で極値となる光電信号波形を得る工
程と、光電信号波形中の2つの極値波形の内側に存在す
る一対のスロープ波形部部に基づ′いてマークの位置を
決定する第1決定工程と、2つの極値波形の外側に存在
する一対のスロープ波形部分に基づいてマークの位置を
決定する第2決定工程と、2つの極値波形の内側と外側
の両方に存在するスロープ波形部分に基づいてマークの
位置を決定する第3決定工程と、 第1決定工程、第2決定工程、第3決定工程のうちいず
れかlの工程を、基板の目標とするアライメント精度に
応じて選択する工程とを設けるにようにした。
〔作 用〕
本発明では、基本的に第2図に従って信号の波形処理を
行う。
第2図(A )はウェハW上に形成された凸状のマーク
MKの断面構造を示し、表面にはレジスト層PRか一様
に塗布されている。
第2図(B)は、マークMKの両端のエツジE1、E2
を横切る様な走査線に沿ってマークMKの像をテレビカ
メラで撮像したときのビデオ信号VSの波形を示す。こ
のビデオ信号VSは、マークMKの両端のエツジE1.
E、2の位置で極小値となるようなボトム波形部分BW
1.BW2になる。ボトム波形部分BWlとBW2の間
の波形レベルはマークMK自体の反射率によって変化し
、ボトム波形部分BWIの左側の波形レベルと、ボトム
波形部分BW2の右側の波形レベルとは、ウェハ下地の
反射率によって変化する。
第2図(C)は2つのボトム波形部分BWI。
BW2を拡大して示したもので、ボトム波形部分BWI
は、走査が進行するにつれて、ボトムレベルBTlまで
落ち込むダウンスロープ部DSLIと、ボトムレベルB
TIから立ち上がるアップスロープ部USLLとを有す
る。同様にボトム波形部分BW2もボトムレベルBT2
まで落ち込むダウンスロープ部DSL2と、ボトムレベ
ルBT2から立ち上がるアップスロープ部USL2とを
有する。 本発明では、マークMKの両エツジEl−。
E2の夫々に対応したボトム波形部分BWI、 BW2
のスロープ部DSL1.USLI、DSL2゜USL2
を選択的に使用することでマークMKの走査方向に関す
る中心位置を決定するようにした。
これら各スロープ部において、内側に存在するスロープ
部とはアップスロープ部USLIとダウンスロープ部D
SL2であり、外側に存在するスロープ部とはダウンス
ロープ部DSLIとアップスロープ部USL2である。
実際の処理においては、一方のボトム波形部分BWIで
、ダウンスロープ部DSL lの肩の部分のピーク値と
ボトムレベルBTIとの間を所定の比で(例えば50%
)で分割するスライスレベルSlとスロープ部DSL 
1とが一致する走査位置P1、及びアップスロープ部U
SLIの肩の部分のピーク値とボトムレベルBTIとの
間を所定の比で分割するスライスレベルS2とスロープ
部USLIとか一致する走査位置P2を求める。
同様に他方のボトム波形部分BW2に対しても、ダウン
スロープ部DSL2をスライスレベルS3で比較して求
めた位置P3と、アップスロープ部USL2をスライス
レベルS4で比較して求めた位置P4とを決定する。
従って、マークMKの中心位置Pmの算出は、基本的に
以下の3つの式のいずれか1つに従って行われる。
Pm= (P2+P3)/2  ・−(11Pm=(P
1十P4)/2 −・−[2)Pm= (P1+P2+
P3+P4)/4  =(3)式f1+は内スロープ決
定法、式f2)は外スロープ決定法、そして式(3)は
両スロープ決定法の基本式である。
そして本発明においては、例えば実際のウェハをアライ
メントしたときの精度が最もよくなる決定法を選んで、
ウェハのアライメントを実行する。
〔実 施 例〕
次に本発明の実施例による方法を実施するのに好適な投
影露光装置の構成を第1図を参照にして説明する。
第1図において、レチクルR上のパターン領域PAの像
は投影レンズPLを介してウェハW上に結像投影される
。ウェハWはX、 Y方向にステップアンドリピート法
で移動するステージST上に載置され、ステージSTの
座標位置は干渉計IFX、IFYで計測される。レチク
ルRは、パターン領域PAの両脇に設けられたレチクル
アライメントマークRMI、RM2をレチクルアライメ
ント顕微鏡RA、S1.RAS2に対して位置決めする
ことで、装置(投影レンズPLの光軸)に対してアライ
メントされる。又パターン領域PAの周囲のストリート
ライン相当領域内には、ダイ・パイ・ダイアライメント
用のマーク(窓)が形成されており、各マーク(窓)は
、ウェハW上の1つのショット領域に付随したダイ・パ
イ・ダイ用のウェハマークとともに、TTR(スルーザ
レチクル)方式のアライメント顕微鏡DAS1.DAS
2、DAS3.DAS4によって検出される。
さて、本実施例による方法は、ここではウェハW上のマ
ークのみをオフ・アクンス方式で検出するウェハアライ
メントセンサーに対して適用される。このウェハアライ
メントセンサーは、投影レンズPLの下部直近に配置さ
れたミラー10.対物レンズ12、ビームスプリッタ1
4、結像レンズ16、共役指標板18、撮像レンズ20
、及びCCD2次元撮像素子22によって構成される。
さらにウェハW上のマーク領域を照明するために、ハロ
ゲンランプ、光輝度多色LED等からの広帯域波長の光
を導くオプチカルファイバー24、コンデンサーレンズ
26、照明視野絞り28、レンズ系30、及び先のビー
ムスプリッタ14とで構成された照明光学系が設けられ
る。
以上の構成において、ウェハWは対物レンズ12と結像
レンズ12と結像レンズ16との合成系に関して指標板
18と光学的に共役に配置され、指標板18とCCD2
2の受光面とは撮像用レンズ20に関して共役に配置さ
れる。
従ってCCD22は、ウェハW上のマークの拡大像と指
標板18上の固定(参照)マークの拡大像とを同時に撮
像する。また照明光学系のファイバー24の射出端面は
2次光源像として、対物レンズ12とレンズ系30との
間の瞳面(開口絞り位置)にリレーされ、ウェハWに対
してケーラ照明を行う。更に視野絞り28は対物レンズ
12とレンズ系30との合成系によってウェハWと共役
になっており、視野絞り28のアパーチャ像がウェハW
と共役になっており、視野絞り28のアパチャ像がウェ
ハW上に投影されることになる。本実施例では、少なく
とも対物レンズ12、結像レンズ16、撮像用レンズ2
0の夫々に対して色消しかなされており、色収差による
結像特性の劣化を押さえている。
又、本実施例の装置では、ステージST上に基準マーク
FMが設けられ、ウェハアライメントセンサー内の指標
板18上の指標マークのウェハWへの投影点と、レチク
ルR上のレチクルアライメントマークRMI、RM2あ
るいはダイ・パイ・ダイ用のマークの投影点との開の距
離(ベースライン)を計測するのに使われる。
次に第3図を参照して、第1図中のCCD22からのビ
デオ信号の処理回路について説明する。
CCD22は2次元撮像素子てあり、水平走査方向と垂
直走査方向とに画素(ピクセル)か配列されるが、本実
施例のCCD22では、ウェハW上のマークのエツジを
横切る方向を水平走査方向に一致させるものとする。
さて、CCD22からは水平同期信号と垂直同期信号と
が混合したコンポジットビデオ信号か得られる。このビ
デオ信号は、周波数フィルターやAGC等の前処理回路
40を介してアナログ−デジタル変換器(ADC)42
に送られる。一方、CCD22からのビデオ信号は、同
期信号分離回路やクロック発生回路等を含む制御回路4
4に送られる。この制御回路44はCCD22の水平同
期信号に基づいて、1画素の電気走査(読み出し走査)
あたり1つのクロックパルスとなるようなりロック信号
SCLを出力する。このクロック信号SCLは、CCD
22の電気的走査が1フレーム中でのサンプリング範囲
(水平走査線の垂直方向の本数)になったか否かを検出
する比較部46と、ADC42の出力データを記憶する
ためのメモリ(RAM)43に対してアドレス値を出力
するアドレスカウンタ48とに送られる。従って、RA
M43内には、CCD22の所定の水平走査線から指定
された本数分だけのデジタル波形データが記憶される。
RAM43内の波形データは、プロセッサー50によっ
て管理されるアドレスバスA−BUSとデータバスD−
Busとによってプロセッサ、−50に読み込まれ、所
定の波形処理演算が行われる。プロセッサー50のアド
レスバスA−BUSとデータバスD−BUSには、ステ
ージSTを制御するためのステージコントローラ52が
つながれ、このコントローラ52は干渉計IFX、IF
Yの座標計測値を入力してステージSTの駆動モータ5
4を制御する。
次に、本実施例に好適なマーク形状や配置を第4図、第
5図、第6図を参照にして説明する。
第4図はウェハW上のショット配列を示し、レチクルR
のパターン領域PAの投影像はショット領域SAの夫々
とアライメントされる。そして露光時には、各ショット
領域SAの中心CCがレチクルRのパターン領域PAの
中心と一致する中心CCで直行する中心線はウェハステ
ージSTの干渉計で規定される直行座標系のX軸、Y軸
と平行になる。
さて、各ショット領域SAにはグイ・パイ・ダイ用のウ
ェハマークMD1.MD2.MD3.Mp4が形成され
ている。本実施例では、このマークMDI〜MD4をオ
フ・アクシス方式のウェハアライメントセンサー(10
〜30)で検出するものとする。各マークMDnは、第
6図(A)に示すように、4本のバーマークBPM1.
BPM2、BPM3.BPM4が同一間隔で平行に並ん
だマルチマークとする。また、第6図(B)に示すよう
にバーマークBPMnはウェハ下地に対して凸状に形成
されているものとする。このマークMDnの中心CZは
、バーマークB P M 2とBPM3との間に存在す
る。
また、□第5図は共役指標板・18上の指標マークTL
、TRの配置を示し、指標マークTL、 TRの夫々は
透明ガラス板の上にクロム層で形成された2本の細線か
らなる。アライメントの際は、2つの指標マークTL、
TRO間にマークMDnを挟み込むようにステージST
を位置決めする。
こうして得られるビデオ信号波形の一例を第7図に示す
第7図(A)は指標マークTL、TRにウェハマークM
Dnを挟み込んだ様子を示し、ウェハマークMDnの中
心CIと指標マークTL、TRの中心Ctとがわずかに
ずれている。このずれ量を精密に算出するのが、第3図
に示したプロセッサー50である。第7図(B )に示
すように、CCD22の水平走査線SLに沿って得られ
るビデオ信号波形は、広帯域照明光を使ってレジスト層
での干渉現象を低減させているため、各マークのエツジ
位置でのみボトム(極小値)になる。第7図(B)で、
指標マークTL、TRはそれぞれ微細な2本のバーマー
クであるため、そのバーマーク1本について1つのボト
ム波形BLI、BL2゜BRl、BR2になる。またウ
ェハマークMDnの4本のバーマークBPMI〜BPM
4の各エツジ位置で、計8つのボトム波形WLI、WR
I。
WL2.WR2,WL3.WR3,WL4.WR4が得
られる。
ところが、指標マークTL、TRの位置で現れるボトム
波形と、ウェハマークMDnの各エツジ位置で現れるボ
トム波形とては、光学的な現象が全く異なっている。即
ち指標マークTL、TRは。
ウェハ表面で反射した照明光によって透過照明されるた
めに、CCD22上では暗部として撮像される。これに
対してウェハマークの各エツジは、照明光が対物レンズ
12等の開口数(N、 、A、 )よりも大きな角度で
散乱されて、CCD22への結像光路内に戻ってこない
ために暗部(暗線)として撮像されるのである。
尚、第7図(B)の信号波形は、第7図(A)に示すよ
うに、N本の走査線SLに沿って得られた信号波形を垂
直方向の画素列で加算平均したものである。この加算平
均はプロセッサー50がRAM43からN本分の波形デ
ータを読み出して実行する。
次に本実施例のアライメント方法を説明するが、その前
提として、いくつかのパラメータが予めプロセッサー5
0内に設定されているものとする。
そのパラメータの代表的なものは以下の通りである。
■指標マークTLとTRの中心アドレス値ACC■指標
マークTLとTRのウェハ上での間隔Lt(μm) ■指標マークTL、TRの夫々の本数Kt■ウェハマー
クMDnの本数Km ■指標マークTL、TRの中心アドレス値ACCからの
ポイント(番地)数HL、 HR■指標マークTL、T
Rの各処理幅のポイント(番地)数Pt ■ウェハマークMDnの中心アドレス値ACCからの処
理幅のポイント(番地)数Pm これらのパラメータのうち、ポイント数HL、 HR,
Pt、Pmの意味については第7図(A)中に図示しで
ある。
また本実施例では、ウェハWのグローバルアライメント
が完了した後に、ウェハアライメントセンサーを用いて
よりファインな位置検出を行うことを前提としている。
従ってグローバルアライメント後にウェハW上のショッ
ト配列の設計値のみに基づいてステージSTを位置決め
して指標マークTL、TRとウェハマークMDnとを検
出すると、グローバルアライメント時の残留誤差(土1
μm以下)分、ショット配列の僅かな不規則性、又はウ
ェハWの伸縮分等を含んだアライメント誤差ΔXが存在
する。このアライメント誤差ΔXは第7図中に示した中
心位置CIとCtO差である。
さて、プロセッサー50はCCD22で撮像された走査
線N本分の波形データがRAM43に取り込まれると、
第8図に示した手順で波形処理を実行する。そこで以下
、第8図の各ステップに沿って説明する。
〔ステップ100〕 ここでは、RAM43に取り込まれたN本分の原波形デ
ータから任意の本数を選んで垂直方向に画素毎の加算平
均を行い、1本の平均波形データを作る。作られた平均
波形データはRAM43内に一時的に記憶される。
尚、加算平均すべき走査線は垂直方向に連続している必
要はなく、1本おき、又は2本おきてもよい。
〔ステップ102〕 次にプロセッサー50は、平均波形データをスムージン
グする。このスムージングは平均波形データを数値フィ
ルターに通すことによって行われる。
第9図(A)は、RAM43内の平均波形データの一例
を示したもので、横軸はRAM43のアドレスポイント
、縦軸はレベルを表す。この波形に対して第9図(B)
のような数値フィルターFNaをかける。これによって
平均波形データ中に存在する高周波成分が除去されたス
ムージング波形データR(n)か得られる。この波形デ
ータR(n)もRAM43内に一時的に記憶される。
〔ステップ104〕 次にプロセッサー50は平均波形データを微分する。こ
の微分は第9図(C)に示したように傾きか一定の数値
フィルターFNbに平均波形データを通すことによって
行われる。これによって第9図(A)のようなボトム波
形は第9図(D)のような微分波形データP (n)に
なる。この微分波形データ上でボトム点となるアドレス
ポイントPXDは、平均波形データ(又はスムージング
波形データ)上のダウンスロープ部DWSの中点位置と
一致し、微分波形データ上でピーク点となるアドレスポ
イントPXUは、平均波形データ上でのアップスロープ
部L!PSの中点位置と一致している。
従って、微分処理を行うことによって、スムージング波
形データ上での全てのスロープ位置が特定できることに
なる。尚、第9図(D)においてアドレスポイントPX
DとPXUの間て微分波形が零クロスする点は、第9図
(A)の波形中でのボトム点に一致している。
〔ステップ106〕 次にプロセッサー50は、この微分波形データP (n
)中の全てのピーク点とボトム点、及びそれらの位置を
抽出する。この場合、第9図(D)に示すように、本来
のボトム、ピーク以外の小さなボトム、ピークDup、
Dubも抽出され得る。
〔ステップ108〕 そこでプロセッサー50は、これら小さなボトム、ピー
クDup、Dubは小さい順に切り捨てて、指標マーク
の本数Ktとウェハマークの本数Kmとに対応した数の
ボトム点とピーク点を選ぶ。
先の第7図に示したように、左右の指標マークTL、T
Rに対応した波形処理幅Pt内では、スムージング波形
データR(n)上で2つのボトム波形が得られることが
分かっている(指標マーク本数Kt=2)。従って、処
理幅Pt内では、微分波形データP (n)上で2つの
ピーク点と2つのボトム点とが得られることになる。
一方、ウェハマークMDnに対応した処理幅2Pm内で
はスムージング波形データR(n)上で8つ(2Km)
のボトム波形が得られることが分かっている。従って処
理幅2Pm内では微分波形データP (n)上で8つの
ピーク点と8つのボトム点とが得られることになる。
以上の処理によって、スムージング波形データ上の各マ
ークに対応したダウンスロープ部とアップスロープ部と
が特定されたことになる。
第10図はその様子を表し、第10図(A)はスムージ
ング波形データを表し、第1O図(B)は微分波形デー
タを表す。ここで第1θ図の横軸は、スムージング波形
データのアドレスポイントを表し、微分波形データ上の
ピーク点、ボトム点に対応じて、スムージング波形デー
タ中の各スロープの中心位置が求められる。
左側の指標マークTLに対応したスムージング波形(B
LI、BL2)上の各スロープ中心位置は、ダウンスロ
ープRD(1+、RD (2)の2つと、アップスロー
プR,U(1)、RLJ(2)の2つである。また右側
の指標マークTRに対応したスムージング波形(BRI
、BR2)上の各スロープ中心位置は、ダウンスロープ
RD(3)、R1]41の2つと、アップスロープRU
(3)、RU(41の2つである。
同様に、4本のバーマークBPMI−BPM2の各エツ
ジで生じたスムージング波形上の各スロープの中心位置
は、ダウンスロープWD(1)〜WD(8)とアップス
ロープWU[1)〜W U (8)である。
ところで、ダウンスロープやアップスロープを特定する
手法として、実際にはスムージング波形と微分波形との
各コントラスト値(レベル)を用いてコントラストリミ
ットを定め、そのリミット値に基づいてスムージング波
形中の各スロープ位置を特定するのがよい。
第11図(A)は第10図(A)中のボトム波形WLl
のみを拡大して示し、第11図(B)は第11図(A)
の微分波形のみを拡大して示したものである。
まず微分波形データ中のボトム位置WD(1)に対応し
た微分レベル(コントラスト値)CWD(4)の絶対値
を求め、位置WD(1)に対応するスムージング波形中
のレベルCDS (1)を求める。このレベルCDS 
(1)は位置CWD (1)で決まるダウンスロープ中
のレベルよりも少し小さな値として取り込まれる。
次にプロセッサーは、次式によってコントラス上値CV
W(1,)を算出する。
CVWd(1)  =  A  −CD5(1)  +
  B −CWD(1)同様に、微分波形データ中のピ
ーク位置WU(1)に対応した微分レベルCWU (1
)の絶対値を求め、さらに位置WU(1)に対するスム
ージング波形中のレベルCUS、、(1)を求める。
そして次式によってコントラスト値CVWu(1)を求
める。
CVWu(1,) =A −CUS(1) + B−C
WU(1)ここでA、Bは定数であるが、ノイズを区別
する場合にはA=1.B=0.5程度に設定する。
以上の動作を、ウェハマークの信号処理範囲内で行うと
ともに、指標マークの信号波形に対しても全く同様に行
う。
指標マークについては、第10図(A)中のボトム波形
BLIを例にとると、その微分波形中のボトム位置はR
D(1)、ピーク位置はRU(1)である。
そこで、位置RD (1)での微分波形中のレベル(ボ
トム)をCFD (1) 、位置RLT (1)での微
分波形中のレベル(ピーク)をCFU (1)、そして
スムージング波形中のボトム波形BLIでのダウンスロ
ープの中心付近のレベルをCDR(1)、アップスロー
プの中心付近のレベルをCLIR(1)とすると、指標
マークのコントラスト値CVRd (1,) 、CVR
u (1)はそれぞれ以下のようにして求められる。
CVRd(1) = A −CDR(1) + B−C
FD(1)CVRu(1)  =  A  −CUR(
1)  + 〇 ・CFtl(1)そしてプロセッサー
は指標マークに対するウェハマークのコントラスト比G
Gを次式によって求める。
GG = CVWd(1)/CVRd(1)X100(
X)又は、 GG =CVWu(] )/CVRu(1) X 10
0(X)そしてこのコントラスト比GGが所定の比以下
になっている場合は、ウェハマークのエツジに対応した
ボトム波形ではないと判断していく。
〔ステップ110〕 次にプロセッサー50はスムージング波形中の各スロー
プ部を所定のスライスレベルと比較してその交点を求め
る。このステップ110は、場合によっては省略しても
よい。それは、第10図のようにして求まったスムージ
ング波形上の各スロープの中心位置をそのまま以後の処
理に使えることもあるからである。
さて、このステップ110では先の第2図(C)で説明
したように、各スロープ毎に最適なスライスレベルを決
める。このスライスレベルの決定にあたっては、先に第
10図で求めた指標マークのアップスロープ位置RU(
1)〜RU(4)、ダウンスロープ位置RD(11〜R
D (41、ウェハマークのアップスロープ位置WU(
1)〜W U (8)、ダウンスロープ位置WD(1)
〜W D +8+の夫々を使う。そこで具体的な一例を
第12図によって説明する。先ず第12図(A)のよう
にスムージング波形上の1つのボトム波形WLIのダウ
ンスロープ位置WD(1)から一定のポイント数(アド
レス)分だけ波形データを前後にサーチする。そしてダ
ウンスロープ下部の最小値BTとダウンスロープの肩の
部分の最大値5PCIとを求め、第12図(B)に示す
ように最小値BTと最大値SPdとの間を所定の比率で
分割するところにスライスレベルSlを決定する。
ここでその比率をα(%)とすると、スライスレベルS
1は次式で演算される。
51=(SPd−BT) X (α/100) +BT
次にこのスライスレベルS1と一致するダウンスロープ
部のレベルの位置を求める。この際、スライスレベルS
lと一致するレベルがサンプリング点の間に存在する場
合は、直線補間等の手法で、交点位置5WD(1)を求
める。この位置5WD(1)は、例えばアドレスポイン
トの間を1/10で補間した実数で表すものとする。
以上と同様にして、スムージング波形上のボトム波形W
LIのアンプスロープについても、位置W[J(11か
ら前後にサーチ(ここでは最小値BTが分かっているの
で、サーチは一方向のみでもよい)を行い、次式によっ
てスライスレベルS2を決定する。
52=(SPu−BT) X (α/100) ’−,
BTそして、このスライスレベルS2と一致するアップ
スロープ部の位置5WU(1)を実数で算出する。
以下、同様にしてスムージング波形中の各ボトム波形に
ついて最適なスライスレベルを決めて、その交点位置5
RLI(1+〜5RU(4)、5RD(1)〜5RD(
4)、5WU(1)〜5WU(8)、5WD(i)〜5
WD(8)を求める。
〔ステップ112〕 次にプロセッサー50は、ウェハアライメントセンサー
の光学系の倍率誤差等をキャンセルするために、CCD
22の1画素(スムージング波形データのサンプリング
間隔)がウェハ面上で何μmに相当するのかを算出して
、その換算値UNT(μm/ポイント)を実数で求めて
おく。ここでは、安定性の良い指標マークTL、TRの
設計上の間隔Lt(μm)を用いるものとする。間隔L
tはウェハ面上の値として登録されているので、次式に
よって換算値UNTを演算する。尚、指標マークTL、
TRはともにKt本(本実施例ではKt=2)とする。
〔ステップ114) 次にプロセッサー50は指標マークTLとTRの間の中
心位置Ct(μm)を次式に基づいて実数で求める。
Σ (SRU(n)+5RD(n)] Ct=                XUNTKt 〔ステップ116〕 ここでは予め指定された処理モードに従ってウェハマー
クの中心位置CIの演算アルゴリズムを選択する。この
ステップ116から次にどのステップ(118,120
,122のいずれか)に進むかはオペレータによって指
定されたり、或いはオートセットアツプシステムによっ
て自動的に切り換えられる。
〔ステップ118〕 ここで゛は内スロープ検出法によってウェハマークの中
心位置CI(μm)を実数で算出する。
ここで先の第10図を参照すると、ウェハマークの波形
上の内スロープ位置は、5WU(1)、5WD(2)、
5WU(3)、S W D (41,5WU(51、S
 W D (6)、S W U (7)、S W D 
(8)である。
従って、ここではウェハマークの本数をKm(本実施例
ではKm=4)として、次式に基づいて中心位置CIを
算出する。
Km 〔ステップ120〕 ここでは外スロープ検出法によってウェハマークの中心
位置C/(μm)を実数で算出する。
ここで先の第10図を参照すると、ウェハマークの波形
上の外スロープ位置は、SWDm、5WU(2)、S 
W D [3)、5WU(4)、S W D (5)、
5WU(61、S W D (7)、5WU(8)であ
る。
従ってここでは次式に基づいて中心位置CIを算出する
〔ステップ122〕 ここでは両スロープ検出法によってウェハマークの中心
位置CICμm)を実数で算出する。
先の第1θ図から明らかなように、ウェハマークの波形
上のダウンスロープ、アップスロープの全ての加算平均
位置が中心C1になるので、次式に基づいて演算される
〔ステップ124〕 次にプロセッサー50は、指標マークの中心位置Ctと
ウェハマークの中心位置CIとの差を算出してアライメ
ント誤差ΔA(μm)を決定する。
このアライメント誤差ΔAは、RAM43にビデオ信号
波形を取り込んだ時のウェハステージSTの残留アライ
メント誤差であり、以後のステージSTの位置決めにあ
たっては、グローバルアライメントによって決定された
ステージ位置決め座標の設計値をΔAだけオフセットさ
せればよい。
以上、本実施例の基本的なアライメント手順について説
明したが、次に本実施例のステップ116でどの処理モ
ードを選択するかの決め方についての一例を説明する。
通常、半導体ウェハ上にデバイスを形成する工程には、
素子間の配線等の為のためにアルミニウム層を一様に蒸
着する工程があり、ウェハ上の凹凸のアライメントマー
クはアルミ層で被覆された状態で7ライメントセンサー
で検出される。すなわちアルミ層そのものでできたマー
クを検出することになる。
従ってマーク上にアルミ層がきれいに蒸着されずに非対
称になった場合、マークの両端のエツジ部に対応したビ
デオ信号波形(ボトム波形)も非対称になる。第13図
(A)はアルミ層A1で被覆されたアライメントマーク
WMの断面構造を示し、CCD22で撮像され、テレビ
モニター上に映し出されたマーク像は第13図(B)に
示すように、左右のエツジ部に生しる暗線の幅が互いに
異なっている。
これは、第13図(A)に示すように、マークWMの左
右のエツジ部でアルミ層Alが非対称に蒸着しているか
らである。可視域の照明光を用いてこのマークWMを観
察すると、通常はアルミ層A1の表面しか見えない。そ
のためCCD22から出力されるビデオ信号波形は第1
3図(C)のようになり、左右のエツジ部に対応したボ
トム波形は互いに異なったものになる。
このような波形に対して本実施例の信号波形処理アルゴ
リズムを適用して、外スロープ位置SWD (1) 、
SWU (2)と内スロープ位置5WU(1) 、SW
D (2)を求め、第8図のステップ122で両スロー
プ検8法を選ぶき、第13図のマークWMの中心位置C
lは次式で得られる。
C1−fsWD(1)+5WtJ(2)+5WU(1)
+5WD(2) l / 4ところが、このような非対
称性の強いマークを両スロープ検畠法で検出してアライ
メントしても、その精度が必ずしも十分に得られないこ
とが実験により確かめられた。
この原因は、1つにはアライメント(重ね合わせ)精度
を調へるバーニアに問題がある。
バーニアによる重ね合わせ精度の検査には、予めウェハ
上に形成されたバーニア主尺に対してレチクル上のバー
ニア副尺を、アライメントセンサーを使って位置決めし
て、重ね焼きするものであり、その重ね焼きによって作
られたバーニアのずれ量を読むことで、アライメント精
度が判定できる。
従来、この検査はステッパーを用いて重ね焼きされたウ
ェハを現像した後、レジストで形成されたバーニア副尺
と下地のバーニア主尺とを別の光学顕微鏡等で観察して
バーニアのずれ量を目視で読み取っている。
第14図(A) 、(B)と第15図(A)、(B)は
アルミ層におけるバーニアの一例を示し、第14図(A
)、(B)はバーニア主尺WBMの上のレジスト層PR
にバーニア副尺WBSをぬきで形成する場合であり、第
15図(A)、(B)はバーニア主尺WBMの両脇のレ
ジスト層PRに2本のバーニア副尺WBSをぬきで形成
する場合である。
ここではバーニア主尺WBMが非対称になっているもの
とする。
目視でこれらバーニアを計測する場合、レジストによる
副尺WBSのエツジ部と、それに隣接した主尺のエツジ
部の距離a、  bを読み取り、その距離が目測で等し
くなっている位置をアライメント精度としている。
具体的には、第16図に示すように主尺WBMを計測方
向に一定ピッチで作っておき、これに重ね焼きされる副
尺WBSは主尺WBMのピッチに対して例えば0.02
μmだけ大きなピンチにしておく。理想的にアライメン
トされていれば、バニアに付随して表示された数値の0
のところで主尺WBMと副尺WBSとか中心同志で重な
る。
第16図の場合、主尺WBMと副尺WBSとか中心同志
で重なっているのは、数値−02の位置であるので、ア
ライメント精度としては−0,02μmか得られている
ことになる。尚、第16図は第14図に示した方式のバ
ーニアパターンであるが、第15図に示した方式でも同
様である。
さて、第14図のバーニア形式の場合、距離a。
bを規定する主尺WBM上のエツジ位置は、第13図(
C)の波形上に対応させると内スロープ位置SWU (
1) 、SWD (2)になる。
一方、第15図のバーニア形式の場合は、距離a、  
bを規定する主尺WBM上のエツジ位置は第13図(C
)の波形上に対応させると外スロープ位置SWD (1
) 、SWU (2)になる。
即ち、アライメント精度をチエツクしたときのバーニア
の形式によって、実際のアライメント時には内スロープ
検出法を使うか外スロープ検出法を使うかを選択しなけ
ればならないことになる。
従って、第14図(第16図)のバーニア形状でアライ
メントチエツクする場合は内スロープ検出法(第8図の
ステップ118)を選択し、第15図のバーニア形式で
は外スロープ検出法(第8図のステップ120)を選択
すればよい。
このようにすると、目視でバーニア計測したアライメン
ト精度と、ウェハアライメントセンサーで検出されたア
ライメント誤差との対応付けが正確になる。
ところで、プロセスによってはアルミ層Alの下のマー
クWMに対してアライメントを行うこともある。この場
合、マークWMの上のアルミ層Alがどの程度非対称に
形成されているかが特定し難い。そこでマーク断面構造
を調べることによって、その非対称性を確認したら、非
対称性の程度に応じて内スロープ検出法に重み付けする
か、外スロープ検出法に重み付けするかを自動的に選ぶ
ようにする。例えば第13図(C)のようなシングルマ
ークの波形に対しては次式によってマーク中心位置C1
を決定する。
2 (A十B) この式は両スロープ検出法の演算式を変更して重み付け
の定数A、  Bを入れたものであり、定数A、  B
は次の条件を同時に満たしていればよい。
0<A<2.0<B<2.A+B=2 ここで重み付は定数A、 Bをともに1にしたときが両
スロープ検出法である。
尚、マーク断面構造を調べる方法としては、走査型電子
顕微鏡(SEM)測長器、超音波顕微鏡を使う方法、赤
外域のレーザスポットや照明光等のアルミ層A/を透過
し得る光を使って光学的に計測する方法等が考えられる
ところで、アルミ層AIを蒸着したときの非対称は、ウ
ェハ中心から当方的に広がっていく傾向があり、ウェハ
上の周辺に位置するショット(チップ)のマークをウェ
ハアライメントセンサーを介して目視観察すると、その
位置での非対称性が例えば第17図のように認識できる
第17図はウェハ中心をほぼ原点としたショット配列座
標XY上の周囲4カ所のショットの位置を示したもので
、各ショットには、X方向アライメント用とY方向アラ
イメント用の各マークが設けられている。座標系XY上
でY軸方向に離れて位置する2つのショットについては
、Y方向アライメント用のマークMDyを観察し、X軸
方向に離れた2つのショットについては、X方向のアラ
イメント用のマークMDxを観察する。
この際、各マークをCCD22で撮像した信号波形を処
理して、マークエツジ部でのボトム波形の幅、すなわち
、第13図(C)で示した位置5WD(1)と5WU(
1)との差、及び位置5WD(2)とSWU (2)と
の差を求める。これによって、その差の大きい方のエツ
ジに非対称性が強く生じていることがわかる。この非対
称性の量ΔUは次式によって定量的に求めることができ
る。
!5WD(1)+5WU(2) l  −13WU(1
)+5WD(2) 1このことから、ウェハの周辺のい
くつかのショットのマークを検出して、その位置での非
対称量ΔUを求めると、アルミ層蒸着時における非対称
性をウェハ全面でおおむね特定することができる。
そこで第1図に示したように、レチクルR上のダイ・パ
イ・ダイマークとウェハW上の1ショット分のマークと
をTTRアライメント系DASI〜DAS4で検出する
システムを備えたステッパーにおいては、TTRアライ
メント系でアライメントされるウェハマークの位置を、
マークの非対称性に応じて補正することが可能となる。
ここで、TTRアライメント系の1つの例として特開昭
63−283129号公報に開示された干渉アライメン
ト方式を考えてみる。
第18図は、特開昭63−283129号公報に開示さ
れた系とは若干具なるが、原理的には同じ干渉アライメ
ント方式を説明する概略図である。
レチクルR上には、ダイ・パイ・グイマークとして透明
窓内の2カ所に回折格子Gr1.Gr2が格子ピッチ方
向に離れて設けられ、露光光と異なる波長の2本のレー
ザビームLfl、Lf2の夫々が、格子Grl、Gr2
を斜めに照射する。
ビームLfl、Lf2の主光線はレチクルRの上方空間
で交差しており、その交点とレチクルRとの光軸方向の
間隔は、ビームLfl、Lf2の波長における投影レン
ズの細土色収差量に対応じている。レチクルR上の格子
Grl、Gr2の横の透明部を透過したビームLf1.
Lf2は投影レンズを介してウェハW上で交差する。そ
の交差領域には、ウェハW上の回折格子Gwと平行に一
次元の干渉縞が作られる。ウェハWの格子Gwからは土
1次回折光が干渉した干渉光BTLが垂直に発生し、こ
の干渉光BTLは投影レンズを逆進して、レチクルRの
透明窓内の中央を通って光電変換される。ここで2本の
ビームLfl、Lf2にわずかな周波数差Δfを与える
と、ウェハWの格子Gw上に形成される干渉縞はその周
波数差Δfに応じた速度で流れ、干渉光BTLの光電検
出信号(計測信号)は周波数△fて正弦波状に変化する
交流信号となる。
一方、レチクルRの格子Grl、Gr2からは送光ビー
ムLf1.Lf2と逆向きに±1次回折光DL1.DL
2を発生させるようにし、これら±1次回折光DLL、
DL2を干渉させた干渉光を光電検出して、参照信号を
作る。
この参照信号も周波数△fで正弦波状に変化する交流信
号となり、参照信号と計測信号との位相差Δφ(±18
0°以内)か、レチクルRの格子Grl、Gr2とウェ
ハWの格子Gwとのピッチ方向のずれ量になる。このよ
うに2本のビームLfl、Lf2に周波数差Δfを与え
る方式は特にヘテロダイン干渉アライメント方式と呼ば
れ、格子Gwのピッチを4μm程度(2μm幅のライン
・アンドスペース)にすると、最大位相差±180′が
±1μmに対応することから、位相差計測分解能として
±2°が得られるものとして、約±0.01μmの位置
ずれ検出能力が得られる。
さて、このような高精度、高分解能のTTRアライメン
トセンサーを用いた場合、ウェハW上の格子マークGw
の各格子要素に非対称性か生していると、当然のことな
がらマーク位置検圧結果に誤差(オフセット)が含まれ
てしまう。そこで、次に、この種のTTRアライメント
系で問題となるマークの非対称性を、広帯域照明光を用
いたウェハアライメントセンサーによって推定してオフ
セット補正する方法を説明する。
第19図(A)はウェハW上の格子マークGwの断面形
状を示し、各格子要素の右側のエツジがだれている。こ
のため、第18図に示したTTRアライメント方式を使
い、干渉縞IFを流してヘテロダイン検出で格子マーク
Gwを検出し、レチクルRの格子Grl、Gr2とのア
ライメントを行っても、個々の格子要素の非対称性の量
を平均化したようなオフセットが残留する。
そこで先の実施例と同様にして、CCD22で格子マー
クGwを撮像する。このときCCDの水平走査方向を格
子マークGwのピッチ方向と平行にする。これによって
、CCD22からのビデオ信号波形は第19図(B)に
示すように、各格子要素の両側のエツジ部で非対称なボ
トム波形となる。そして、第13図で説明したように、
各ボトム波形からダウンスロープ位置SWD (n)と
アップスロープ位置SWU (n)とを求め、さらに各
格子要素毎に非対称性量ΔU (n)を算出して平均化
すると、格子マークGw全体としての非対称性量がわか
る。従って、ダイ・パイ・ダイアライメント時には、こ
の算出量に基づいて、TTRアライメント系でのマーク
位置検圧結果にオフセットをのせてアライメントを行う
と、単一波長の照明ビームを用いたTTRアライメント
系であっても、マーク非対称性による誤差を低減させる
ことができる。
次に、信号処理のアルゴリズム上、アライメントマーク
のエツジ部から明確なボトム波形がでない場合について
、第20図を参照にして説明する。
第20図(A)はウェハ上のマルチマークMD(凸部)
の反射率が周囲の反射率と比べて極端に異な°る場合を
示し、このときの信号波形はマークと下地とのコントラ
スト差に応じた波形形状になる。
第20図(B)はマルチマークMDのライン・アンド・
スペースのデユーティを50%以外の値にした場合で、
隣接する凸状のバーマークのライン幅が狭いと、左右の
エツジでのボトム波形が分離せずに単一のボトム波形に
なってしまう。
また第20図(C)はマルチマークMDの各バーマーク
を正方形のドツトで構成して格子にした場合を示し、こ
の場合もエツジ部では明確なボトム波形が得られず、短
形波状になる。
これら第20図の場合は何れも内スロープ検出法が利用
できず、外スロープ検出法のみを利用することになる。
先の実施例で説明した通り、アルゴリズム上の動作とし
て、ウェハマーク本数Kmが予め設定されていて、信号
波形上で一定のコントラストを持ったボトム波形が2K
m個だけ得られるものとしているから、マークエツジ部
で明確なボトム波形が発生しない場合は、アルゴリズム
(演算)上でエラーを起こし易くなる。
そこで第8図に示したフローチャート上に、コントラス
ト判定ルーチンを付加して、第20図のような信号波形
になったときには自動的に第8図中のステップ120を
選択するようにする。
第21図は、そのコントラスト判定ルーチンの一例を示
すフローチャートであって、第8図中のステップ116
の代わりに実行される。
以下、第21図の各ステップを説明する。
〔ステップ200〕 ここではプロセッサーの内部カウンタ(ソフトウェアカ
ウンタ)FNに零をセットする。このカウンタFNは第
20図のような波形と第10図のような正常な波形とを
区別するためのものである。
〔ステップ202〕 ここでは、例えば第22図のような波形が得られたもの
として説明する。
先ず、第22図の波形で、ダウンスロープ位置SWD 
(n) 、又はWD(n)が求まっているので、そこか
ら左右に一定距離の位置でのコントラスト値(レベル)
CVIとCVrを求める。この一定距離はエツジでの正
常なボトム波形の幅と同程度、若しくはそれよりも少し
長めにしておく。
〔ステップ204〕 次にプロセッサーはコントラスト値CVIとCVrとの
差を計算し、その差値が一定の値GC以上であるか否か
を判断する。
第22図中の最初のボトム波形はマークエツジ部のみに
対応した正常なものであるため、コントラスト値CVI
とCVrの差値はそれ程大きくならず、ステップ20・
6に進む。
〔ステップ206〕 ここではカウンタFNの内容をインクリメント(+1)
する。
(ステップ208) プロセッサーは全てのダウンスロープ位置5WD(n)
についてチエツクしたかどうかを判断し、チエツクが終
わっていなければ、次のダウンスロープに対して同様の
処理をすべくステップ202へ飛ぶ。
〔ステップ210) ここでプロセッサーはカウンタFNの内容が零のままだ
ったか否かを判断する。カウンタFNは、第22図中の
ダウンスロープ位置S W D (2)のような状態、
即ち位置S W D +21の前後のコントラスト値C
V1.CVrの差が値GCよりも大きくなるときには、
インクリメントされない。このためカウンタFNが零で
あることは、信号波形が第20図の場合を意味し、プロ
セッサーは自動的(強制的)に外スロープ検出のための
ステップ120を実行する。
〔ステップ212〕 またカウンタFNが零でないときは、そのカウント値と
ウェハマーク本数Kmとを比較し、一致していないとき
は、その信号波形が第22図の場合であると判断して内
スロープ検出のためのステップ118を実行する。
さらにカウンタFNの値がマーク本数Kmと等しいとき
には、全てのマークエツジ部に対応じて正常にボトム波
形が発生したものと判断し、予めユーザ(オペレータ)
から指定された処理モード(3つのスロープ検出方法の
うち何れか1つ)を実行する。
以上により、第20図のような信号波形が得られる場合
にも、アルゴリズム上でエラーなく処理することができ
る。しかしながら第20図のマークのときは、外スロー
プ検出法でのみ処理されるので、先の第14図、第15
図で説明したように、バーニア形状に基づいて非対称性
を考慮すると内スロープ検出法が最適であることが分か
ったとしても、それに対応することができないことにな
る。
例えば、第20図(C)又は(B)に示したように、1
本の凸状バーマークの幅が狭いマルチマークの場合、バ
ーニア形状による非対称性の影響の違いは顕著に現れる
従ってこのような場合には、凸状バーマークを凹状バー
マークに変えることによって、バーニア形状に基づいて
決定される最適なスロープ検出法を利用することができ
る。
尚、先の第20図(B)に示すようなライン・アンド・
スペースのマルチマークの場合、1本のバーマークに対
して1つのボトム波形しか生しないので、ライン・アン
ド拳スペースのデユーティ比を変えていって、1本のバ
ーマークの両側のエツジで分離したボトム波形が得られ
るようにしてもよい。この手法は、第19図で示した干
渉アライメント方式用のウェハ格子マークGwに対して
実施すると効果的である。干渉アライメント方式では、
格子マークGwのピッチを小さくするとそれだけ高分解
能になる。ところが、CCD22を用いたウェハアライ
メントセンサーでは格子マークGwのピッチが小さくな
ると、ビデオ信号の波形が第20図(A)のようになっ
て、さらにコントラストが悪くなってくる。そこで格子
マークGWのピッチは変えずにデユーティ比を変えるこ
とで、ビデオ信号の波形を極力第19図(B)、又は第
20図(B)のようにすることができる。
本実施例の装置では、ウェハマークの観察用の照明光が
広帯域であることから、レジスト層による干渉現象が皆
無となる。従って、解像力(倍率)を上げるためにCC
D22までの光学系(対物レンズ12)の開口数(N、
 A、)を大きくすることも可能であるが、そうすると
実用的な焦点深度が得られなくなる。そこで対物レンズ
12を投影レンズPLの開口数の半分程度、例えばN、
 A。
二〇52〜0.3程度にする。さらにウェハ面がら共役
指標板18までの光学系(12,16)と指標板18か
らCCD22までの光学系(2o)とによって決まるト
ータルの結像倍率を30〜50倍程度にする。このよう
にすると、実用的なマルチマークのライン・アンド拳ス
ペースを4μm(ピッチ8μm)にした時、マークエツ
ジ部に対応したビデオ信号波形上のボトム波形に山割れ
が生じない。山割れとは、第23図(A)に示すような
凸状バーマークの断面を考えたとき、ボトムエツジ(外
エツジ)BEI、BF2とトップエツジ(内エツジ)置
、TE2の夫々が第23図(B) 17)ようにボトム
波形BWB 1、BWB2、BWTl、BWT2となっ
て分離してしまう現象である。これは、ボトムエツジB
EI (BF2)とトップエツジTEI  (TE2)
との間のエツジテーパ部に、照明光ILが垂直方向から
照射されたとしても、対物レンズI2の開口数か大きく
て倍率か高いと、そのテーパ部からの散乱光DFLがC
CD22まで戻ってくるからである。
従って、第23図(B)のビデオ信号をテレビモニター
に供給して画面上で観察すると、バーマークのエツジ部
が2本の細い黒線になって見える。
このように山割れを起こした信号波形を処理すると、分
離したボトム波形BWBIとBWTlとを2つのエツジ
と誤認識することもある。
本実施例の装置では、このような山割れが生しないよう
に、プロセス上のウェハマークの形状変化を経験的に考
慮して、対物レンズ12の開口数を0.2〜0.3、C
CD22までの倍率を30〜50と比較的小さく定めて
いる。さらにCCD22のセルサイズ(セルピッチ)は
ウェハ面換算で0.2μm〜0.3μm程度である。
次に、本発明の第2の実施例による装置構成を第24図
、第25図を参照して説明する。本実施例では共役指標
板18、CCD22の構成、及びウェハマークのアライ
メントの仕方が先の実施例と異なる。第24図はウェハ
W上のX方向マークとY方向マークとを共通の光学系を
介して検出する場合の系を示し、第1図と異なる点は、
指標板18上にX方向用とY方向用の2組の指標マーク
群が形成され、結像レンズ系20の後にビームスプリッ
タ21を設けて結像光束を2つに分岐し、その分割され
た結像光束の夫々を受光する2つのCCD22X、22
Yを設けることである。ただし2つのCCD22X、2
2Yは矢印で示したように水平走査方向が互いに906
になるように設定されている。
さらに共役指標板18は、第25図に示すようにX方向
用には、指標マーク群TLA、TRA。
TLB、TRBを含む領域VPBxと、その上方の透明
領域VPAxと、目視用マークVCMxとを有し、Y方
向用には同様に指標マーク群TLA。
TRA、TLB、TRBと目視用マークVCMyとを有
する。
CCD22Xは、領域VPAxとVPBx、及びマーク
VCMxをカバーするとともに、Y方向用の指標マーク
TRA、TLAが写り込まないような撮像範囲を有する
。CCD22Yについても同様である。本実施例では、
共役指標板18、結像レンズ系20までの系がX、Y用
に共用されているために、ウェハ面を観察するミラーl
O1対物レンズ12も1カ所に配置するだけでよい。
尚、X方向用とY方向用のアライメント光学系を対物レ
ンズから別個に配置する場合は、当然のことながら共役
指標板18もX方向用とY方向用とで別体になる。
さて、第25図に示した共役指標マーク群のうち内側の
指標マークTLAとTRAは、−例として4μm幅のバ
ーマークを4μmのスペースで7本配置したマルチマー
クを挟み込めるように作られている。このため、マルチ
マークでないシングルマークを検出する場合等は、各指
標マークTRA、TLAの下にくるウェハ面はマークや
パターンの禁止領域にならざるを得ない。すなわち、ウ
ェハマークの形成領域をストリートライン上で広く定め
ておかねばならず、デバイス製造上に制約を与えること
になる。
そこで本実施例では、X方向用のシングルマークの検出
時には、第25図の右側の指標マークTRAとTRBの
間にシングルマークを挟み込むようにして、指標マーク
TRAとTRBを含むビデオ信号波形部分のみを処理す
る。
また幅の広いマークに対しては指標マークTLBとTR
Bを用いてもよい。
具体的には第26図に示すように、シングルマークWD
に対しては指標マークTRA、TRBで挟み込み、n本
の走査線のビデオ信号を加算平均した波形から、予めパ
ラメータとして与えられている指標マーク処理範囲R−
L、R−Rの波形部分と、その間のウェハマーク処理範
囲W−Aの波形部分とを選び、先の第1の実施例と同様
に信号波形すればよい。また全体として幅が広くなるマ
ルチマークについては、第27図に示すように外側の指
標マークTLB、TRBを用いるように指標マーク処理
範囲R−L、R−Rを設定し、内側の指標マークTLA
、TRAに重なっているウェハマークの波形部分は除外
されるようにウェハマーク処理範囲W−Aを設定する。
これら処理範囲の設定は使用するマーク形状寸法等を事
前に登録することによって自動的に行われる。
また、登録したマーク形状によっては、使用すべき指標
マークと重なることもあるので、ウェハグローバルアラ
イメント後に特定されたウェハマーク位置を故意にX、
 Y方向(計測方向)にシフトさせて、指標マークと重
ならないようにすることもできる。
次に第3の実施例について説明するが、ここでは第り図
に示したオフ・アクシス方式のウェハアライメントセン
サーを、ウェハのグローバルアライメントに利用する場
合について説明する。
一般に、この種のステッパーでは、ウェハのオリエンテ
ーションフラットを検出して機械的にウェハを位置決め
して(プリアライメント)してステージST上に載置す
るが、その状態では20μm−100μm程度のプリア
ライメント誤差が存在する。グローバルアライメントは
、そのプリアライメント誤差を見込んでウェハ上のグロ
ーバルアライメント用のマークをサーチし、ウェハ上の
実際のショット配列と設計上のショット配列とを±1μ
m程度の誤差範囲内に対応付ける作業である。従ってC
CDカメラを用いてグローバルアライメントする場合、
設計値でステージSTを位置決めしても、プリアライメ
ント誤差が大きいとCCDカメラの撮像範囲内にグロー
バルマークが存在しないことも起こり得る。
そこで、CCDカメラでウェハ面を撮像して、ウェハW
をグローバルアライメントする場合には、ウェハ面をC
CDで観察してはウェハを一定量ずらしていくグローバ
ル・サーチが必要となる。そのために、第25図に示し
た指標板I8の透明領域VPAX (又はVPAY)を
用いる。この領域VPAxはCCD22Xの撮像面上の
予め定められた位置に存在するから、領域VPAxを走
査する走査線の位置や本数も予めわかっている。またウ
ェハ上のグローバルマークWGMが第28図のようにス
トリートラインSAL内に形成されているものとする。
このグローバルマークWGMはストリートラインSAL
の伸びるY方向に沿って平行に並へられた3本の格子状
マークから成り、ストリートラインSALの左側のチッ
プ領域CPAから1本目の格子状マークまでの距離はa
1右側のチップ領域CPAから3本目の格子状マークま
での距離はdである。さらに3本の格子状マークの間隔
はそれぞれす、cである。
ここで設計値に従ってウェハステージSTを最初に位置
決めしたとき、指標板18の透明領域VPAxが第28
図のように主に左側のチップ領域CPAにかかり、グロ
ーバルマークWGMの1本目と2本目までを取り込んで
いるものとする。このとき、領域VPAx内の走査線の
複数本に対応したビデオ信号を加算平均すると、第29
図(A)のような波形データがメモリ上に記憶される。
次にこの最初に取り込んだ波形データを解析して、グロ
ーバルマークWGAかどうかを認識する。
認識のアルゴリズムとしては、例えば特開昭60−11
4914号公報に開示された手法か応用できる。
すなわち、第28図中に示したマークWGMの設計上の
配置関係(間隔a、  b、  c、  d)に最も近
い状態の波形位置を捜し出す。
通常は、第29図(A)の最初に取り込んだ波形データ
中にマークWGMの3本か同時に入って(るが、プリア
ライメント誤差が極端に大きくなってくると、第28図
のように領域VPAxがマークWGMの3本目までをカ
バーしな(なる。
そこで、プロセッサーは、ウェハステージSTをX方向
に一定量だけシフトさせた後、CCDカメラからのビデ
オ信号波形をメモリ上に取り込む。
このとき領域VPAxは第28図中の右側に最初の部分
と一部重複するようにシフトする。右側にシフトした領
域VPAxから得られるビデオ信号の加算平均した波形
は第29図(B)のようになる。この第29図で領域V
PAxのX方向の重複範囲はDBAであり、この長さは
ステージSTの干渉計IFXによって正確に設定され得
るか、範囲DBAはマークWGAのX方向の幅(約b+
C)よりも少し大きくなるように定めるとよい。
次に、プロセッサーは、1回目に取り込んだビデオ信号
波形の重複範囲DBAのコントラスト値CVaと、2回
目に取り込んたビデオ信号波形の重複範囲DBAのコン
トラスト値CVbとを比較する。
一般にCCDカメラでは、画面内の平均輝度か変化する
とAGC(オートゲインコントロール)が働き、そのた
め重複範囲DBAでは2つの波形部分のコントラスト値
CVa、CVbが変化することもある。
そこで2つのコントラスト値CVaとCVbか大きく異
なるときは、それらがほぼ等しくなるように、1回目と
2回目のビデオ信号波形のうちいずれか一方のゲインを
演算により補償した後、2つのビデオ信号波形を重複範
囲DBAでは平均化して継ぎ合わせる。この動作はメモ
リ上のデータをプロセッサーが演算することで行われる
このように領域VPAxを相対的にX方向にシフトさせ
てビデオ信号波形の継ぎ合わせを行っていけば、CCD
カメラの1画面よりもはるかに広い領域からの連続した
ビデオ信号波形データがメモリ上に記憶される。このた
め、ストリートラインSAL内のグローバルマークWG
Mをデザインルール(間隔a、  b、  c、d)に
基づいて捜し出すことができる。
以上グローバルマークWGMのサーチは、3本のマーク
が認識されればそれで終了し、引き続いてグローバルフ
ァインアライメントに移行する。
このグローバルファインにはいくつかの変形例があり、
大別すると本実施例で用いたCCDカメラによるウェハ
アライメントセンサーをそのまま利用する方式と、ファ
インアライメント用に別設されたアライメントセンサー
を利用する方式とがある。
CCDカメラによるウェハアライメントセンサーを利用
する場合は、ウェハステージSTを移動させて、指標板
18中の領域VPBx (第25図)内にグローバルマ
ークWGMを配置してビデオ信号波形を取り込む。そし
て指標マークTLAとTRAとの挟み込み、或いはマー
クWGMの2本目(シングルマーク)を指標マークTR
AとTRBに挟み込むことによって精密にアライメント
を行う。
また、別設したファイングローバルセンサーを使う場合
は、マークWGMの2本目のみをただちに検出し、その
センサーの検出中心と2本目のマーク中心とが一致する
ステージSTの座標値を計測すればよい。
次に第4の実施例について説明する。ここでは第1図に
示したオフ・アクシス方式のウェハアライメントセンサ
ーをE、 G、 A (エンハンスト・グローバル・ア
ライメントンに利用する場合について説明する。
E、 G、 Aについては、詳しくは特開昭61−44
429号公報、又は、特開昭62−84516号公報に
開示されているので、ここでは詳細な演算方法について
の説明は省略する。
第30図はウェハ上のショット配列のうち、E。
G、 A方式でサンプルアライメントされるショッ)S
L−88のみを示したものである。従来、E。
G、 A方式は前提としてウェハのX、 Y、  θ方
向のグローバルアライメントが完了した後にジョブ)S
l−38のサンプルアライメントが完了した後にショッ
ト5l−38のサンプルアライメントを実行していた。
本実施例では、θ方向のグローバルアライメント機能を
E、G、Aのシーケンス中に取り込むようにして、スル
ーブツトの向上を計るようにした。
通常のE、 G、 Aでは、ショット5l−88の順に
次々に、各ショットのX方向マークとX方向マークとを
検出して、各ショットの中心座標値を計測しているが、
本実施例では、最初の2シヨツトについては、ウェハ上
でほぼ点対称の関係にあるもの同志をサンプルアライメ
ントする。具体的には第30図中でX方向に並んだショ
ットS3と87の2つ、あるいはX方向に並んだショッ
トS l。
と85の2つである。
そして2つのショットについてサンプルアライメントが
完了した時点で、ウェハ(ショット配列)全体のXY座
標系に対する回転量Δθを算出する。そしてこの回転量
Δθが、E、 G、 A方式での総合アライメント、精
度を低下させる程に大きいときは、ウェハステージST
上のウェハホルダーをΔθだけ逆方向に微小回転させる
その後、再び2つのショットをサンプルアライメントし
て、回転量Δθが十分小さくなったことを確認したら、
残りのショットをサンプルアライメントしてE、G、A
の演算に入る。
以上のサンプルアライメントにはミ第1図等に示したウ
ェハアライメントセンサーが使われ、広帯域照明光のも
とてマルチマークを撮像するため、レジスト層による干
渉現象がなく、安定したマーク位置計測が可能となる。
マーク位置計測にあたっては、指標マークTL、TRの
中心Ctとウェハマークの中心CIとのずれ量ΔX、Δ
yを求めるとともに、そのときのステ、−ジSTの停止
座標値を干渉計IFX、IFYから読み取って記憶すれ
ばよい。
以上、本発明の各実施例では、ウェハ上のレジスト層の
影響を考えて、広帯域照明光を用いたマーク像検出のア
ライメントセンサーを利用することに主眼をおいて説明
してきた。ところが近年、ウェハのマーク部分のレジス
ト層のみを予め剥離しておく手法が提案されている。こ
の場合は、マーク照明光が広帯域である必要性はなく、
レーザ光のような単一波長の照明光を用いたアライメン
トセンサーでもよいことになる。本発明は、そのような
単一波長の照明光を使ったアライメントセンサーから得
られたビデオ信号や光電信号の波形を解析する場合にも
全(同様に適用できる。その際、マーク部分のレジスト
層が除去されているなら、信号波形は各実施例で示した
ように、マークエツジでボトム(又はピーク)となるよ
うなシンプルな波形となり、マークの非対称性の影響に
ついても同様に対応することができる。
〔発明の効果〕
以上本発明によるアライメント方法によれば、マーク信
号波形中のボトム部分のアップスロープ位置とダウンス
ロープ位置とを使い分けるようにしたため、マーク中心
位置の計測精度を実際のデバイス製造時の重ね合わせ精
度に近似させることができる。さらにマーク波形中のボ
トム波形の非対称性をチエツクすることができるので、
ウェハプロセスによってマークの変形を受は易い層(ア
ルミ層等)の重合わせ精度をより向上させることができ
る。
また本発明は近年開発が進められている5ORX線露光
装置用のアライメント方式としても同様に利用できるが
、X線露光ではマスクとウェハとが所定のギャップで近
接するため、マスクのマークとウェハのマークとを同時
に検出できるように2焦点化素子を加えた対物レンズ系
等を用意するとよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による方法を実施するのに好適
なステッパーの構成を示す斜視図、第2図(A)、(B
)、(C)は本発明の詳細な説明するためのマーク断面
と信号波形を示す図、第3図はCCDカメラの信号処理
系の構成を示すブロック図、第4図はウェハ上のショッ
ト配列とマーク配置を示す平面図、第5図は指標板上の
マーク配置を示す平面図、第6図(A)、(B)はウェ
ハマークの形状と断面構造とを示す図、第7図(A)、
(B)は指標マークとウェハマークとのアライメント時
の配置とCCDカメラからのビデオ信号の波形とを示す
図、第8図は本発明の実施例による方法に従ったアライ
メント処理の手順を示すフローチャート図、第9図(A
)、(B)、(C)、(D)、第10図(A)、(B)
、第11図(A)、(B)、第12図(A)、(B)は
、第8図の処理の過程で演算される信号波形データの様
子を示す波形図、第13図(A)、(B)、(C)は非
対称なマークの構造とその信号波形とを示す図、第14
図、第15図はそれぞれバーニア形状の違いを説明する
図、第16図はバーニアの読み方を説明する図、第17
図は周辺のショットで非対称になるマークの様子を示す
ウェハ平面図、第18図はTTRアライメントセンサー
の一例を説明する図、第19図(A)、(B)は干渉ア
ライメント方式に使用される格子マークの断面構造とそ
の信号波形とを示す図、第20図(A)、(B)、(C
)はそれぞれウェハマーク形状の変形を示す図、第2I
図はウェハマーク本数とエツジボトム波形の数とを自動
的に照合して最適なモードを選択する手順を示すフロー
チャート図、第22図は第21図の工程における信号波
形処理の一例を示す波形図、第23図(A)、(B)は
エラボトム波の山割れ現象を説明するマーク構造と信号
波形とを示す図、第24図は第1図に示したウェハアラ
イメントセンサーの他の実施例による構成を示す斜視図
、第25図は第24図の系に好適な共役指標板上のマー
ク配置を示す平面図、第26図、第27図はそれぞれ第
25図中の指標マークの使い方と信号処理の方法とを示
す図、第28図はウェハ上のグローバルアライメントマ
ーク配置とサーチアライメント時の撮像範囲との関係を
示す平面図、第29図(A)、(B)は第28図に示し
たウェハを撮像したときのビデオ信号波形の一例を示す
図、第30図はE、 G、 A方式でサンプルアライメ
ントされるショット配置例を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板上に幾何学的、又は光学的な差異を伴って形成され
    たアライメントマークから生じる光情報を電気光学的走
    査装置によって光電検出し、該アライメントマークの相
    対走査方向に関して強度変化する時系列的な光電信号を
    処理することによって前記アライメントマークの相対走
    査方向の位置を決定する方法において、 前記アライメントマークの相対走査方向の幅を規定する
    一対のマークエッジ部の夫々の位置で極値となる前記光
    電信号を前記電気光学的走査装置から得る工程と; 該2つの極値波形の内側に存在する一対のスロープ波形
    部分に基づいて前記アライメントマークの位置を決定す
    る第1決定工程と; 前記2つ極値波形の外側に存在する一対のスロープ波形
    部分に基づいて前記アライメントマークの位置を決定す
    る第2決定工程と、 前記2つ極値波形の内側と外側の両方に存在するスロー
    プ波形部分に基づいて前記アライメントマークの位置を
    決定する第3決定工程と、 前記第1決定工程、第2決定工程、及び第3決定工程の
    うちいずれか1つの工程を、前記基板の目標とするアラ
    イメント精度に応じて選択する工程 とを含むことを特徴とする基板のアライメント方法。
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