JPH0466052B2 - - Google Patents
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- JPH0466052B2 JPH0466052B2 JP58171131A JP17113183A JPH0466052B2 JP H0466052 B2 JPH0466052 B2 JP H0466052B2 JP 58171131 A JP58171131 A JP 58171131A JP 17113183 A JP17113183 A JP 17113183A JP H0466052 B2 JPH0466052 B2 JP H0466052B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- level
- disk
- output
- pickup
- signal
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/10527—Audio or video recording; Data buffering arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
- G11B21/02—Driving or moving of heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/36—Monitoring, i.e. supervising the progress of recording or reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/10—Indicating arrangements; Warning arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はデイジタルオーデイオデイスク
（DAD）プレーヤ、ビデオデイスクプレーヤに係
り、特にデイスクの欠陥、傷を検出し欠陥等によ
るトラツクジヤンプを補償するデイスク再生装置
に関する。
（DAD）プレーヤ、ビデオデイスクプレーヤに係
り、特にデイスクの欠陥、傷を検出し欠陥等によ
るトラツクジヤンプを補償するデイスク再生装置
に関する。
光学式DADプレーヤのピツクアツプのトラツ
キングサーボの一つに３スポツト方式がある。
キングサーボの一つに３スポツト方式がある。
第１図は３スポツト方式を示した図で、１はフ
オーカスおよびPCM信号検出用スポツト、２お
よび３はトラツキング用のスポツト、４1，４2，
４3はデイスクのトラツク上の信号ピツトを示す。
オーカスおよびPCM信号検出用スポツト、２お
よび３はトラツキング用のスポツト、４1，４2，
４3はデイスクのトラツク上の信号ピツトを示す。
スポツト２，３はそれぞれ一部がトラツク上に
掛かり残りの部分は鏡面上に掛かるように配置さ
れている。第２図はトラツクのサーボループを示
した図で、５および６は光検出素子、７および８
は電流−電圧変換器、９は差動増幅器、１０は位
相補償回路、１１はピツクアツプをトラツクに沿
つて動かすためのアクチユエータを示す。光検出
素子５および６はそれぞれ第１図のスポツト２お
よび３の反射光を受光し、光の強さに応じた電流
を出力する。そしてこれらの電流出力はそれぞれ
電流−電圧変換器７および８で電圧値に変換さ
れ、差動増幅器９で両者の差が検出される。
掛かり残りの部分は鏡面上に掛かるように配置さ
れている。第２図はトラツクのサーボループを示
した図で、５および６は光検出素子、７および８
は電流−電圧変換器、９は差動増幅器、１０は位
相補償回路、１１はピツクアツプをトラツクに沿
つて動かすためのアクチユエータを示す。光検出
素子５および６はそれぞれ第１図のスポツト２お
よび３の反射光を受光し、光の強さに応じた電流
を出力する。そしてこれらの電流出力はそれぞれ
電流−電圧変換器７および８で電圧値に変換さ
れ、差動増幅器９で両者の差が検出される。
今、光スポツト１乃至３は１体で動くように構
成されているので第１図においてこれらのスポツ
トがトラツク上から右方向に動いたとすれば、ス
ポツト２は鏡面に当たる部分が多くなり、逆にス
ポツト３はトラツク面に当る部分が多くなる。こ
の結果、光検出素子５の電流が増加し、光検出素
子６の電流が減少することになり差動増幅器９の
出力には正電圧が発生する。逆にスポツト１乃至
３がトラツク上から左に動いた場合には上記とは
逆の動作により差動増幅器９の出力には負の電圧
を発生する。差動増幅器９の出力は位相補償回路
１０を介してピツクアツプアクチユエータ１１に
加えられるためスポツト１乃至３がトラツク上か
ら右、又は左方向にずれると、差動増幅器９の
正、又は負の出力電圧によつてアクチユエータが
このずれを矯正するようにすなわちスポツト２お
よび３の均衡がとれてトラツク上を追尾し差動増
幅器９の出力が零となるようにサーボが掛つてい
る。
成されているので第１図においてこれらのスポツ
トがトラツク上から右方向に動いたとすれば、ス
ポツト２は鏡面に当たる部分が多くなり、逆にス
ポツト３はトラツク面に当る部分が多くなる。こ
の結果、光検出素子５の電流が増加し、光検出素
子６の電流が減少することになり差動増幅器９の
出力には正電圧が発生する。逆にスポツト１乃至
３がトラツク上から左に動いた場合には上記とは
逆の動作により差動増幅器９の出力には負の電圧
を発生する。差動増幅器９の出力は位相補償回路
１０を介してピツクアツプアクチユエータ１１に
加えられるためスポツト１乃至３がトラツク上か
ら右、又は左方向にずれると、差動増幅器９の
正、又は負の出力電圧によつてアクチユエータが
このずれを矯正するようにすなわちスポツト２お
よび３の均衡がとれてトラツク上を追尾し差動増
幅器９の出力が零となるようにサーボが掛つてい
る。
ところで、上記のような光学式サーボ回路では
デイスクに欠陥があつたり、デイスク表面に傷な
どがある場合、スポツトからの反射光が欠落して
しまう。このためトラツキングの誤差信号を検出
できなくなりサーボ不能となつてトラツクジヤン
プを起こすという問題があるため、その補償が不
可欠なものとなる。
デイスクに欠陥があつたり、デイスク表面に傷な
どがある場合、スポツトからの反射光が欠落して
しまう。このためトラツキングの誤差信号を検出
できなくなりサーボ不能となつてトラツクジヤン
プを起こすという問題があるため、その補償が不
可欠なものとなる。
このトラツクジヤンプを補償する方法として、
本願発明者等は先に特願昭57−149311号の回路を
提案した。第３図はその一実施例を示す図で、同
図において１２はデイスクの傷検出回路、１３は
トラツキング誤差信号をサンプル・ホールドする
サンプル・ホールド回路、１４はスイツチ１５お
よび１６より構成される切り換え装置を示し、そ
の他第２図と同一符号を付した部分は同一もしく
は同等な部分を指す。
本願発明者等は先に特願昭57−149311号の回路を
提案した。第３図はその一実施例を示す図で、同
図において１２はデイスクの傷検出回路、１３は
トラツキング誤差信号をサンプル・ホールドする
サンプル・ホールド回路、１４はスイツチ１５お
よび１６より構成される切り換え装置を示し、そ
の他第２図と同一符号を付した部分は同一もしく
は同等な部分を指す。
本回路は、第４図ａのようにデイスクに傷があ
つた場合、傷のタイミングＢでPCM信号検出用
スポツトからの反射光が減少してPCM信号の最
大値レベルが低下することに着目し、PCM信号
の最大値レベル検出器と最大値の変化を検出する
検出器およびこれらの検出器のレベル比較を行な
う比較器より構成した傷検出回路１２で第４図Ｃ
のような傷検出回路Esを得、Esでサンプル・ホ
ールド回路を動作させると同時に切り換え装置１
４のスイツチ１５をOFF、スイツチ１６をONさ
せてトラツクアクチユエータ１１の駆動電圧を傷
の期間前値ホールドすることによりトラツクジヤ
ンプを防止するものである。
つた場合、傷のタイミングＢでPCM信号検出用
スポツトからの反射光が減少してPCM信号の最
大値レベルが低下することに着目し、PCM信号
の最大値レベル検出器と最大値の変化を検出する
検出器およびこれらの検出器のレベル比較を行な
う比較器より構成した傷検出回路１２で第４図Ｃ
のような傷検出回路Esを得、Esでサンプル・ホ
ールド回路を動作させると同時に切り換え装置１
４のスイツチ１５をOFF、スイツチ１６をONさ
せてトラツクアクチユエータ１１の駆動電圧を傷
の期間前値ホールドすることによりトラツクジヤ
ンプを防止するものである。
第３図回路によれば、デイスクの汚れ、製造上
の黒点、ピンホールなどのPCM信号が凹状に欠
落する欠陥に対しては補償の効果は大きく、実用
上全く問題ないレベルにトラツクジヤンプを防止
することができる。
の黒点、ピンホールなどのPCM信号が凹状に欠
落する欠陥に対しては補償の効果は大きく、実用
上全く問題ないレベルにトラツクジヤンプを防止
することができる。
しかしながら、デイスクの欠陥には色々なもの
があり、第３図の回路とて万能ではない。例えば
デイスク信号面のピツトの欠除、デイスク透明膜
中に生じた気泡などの欠陥に対しては、第５図に
示したようにピツト面レベルが持ち上り、PCM
信号は凸状に欠落する様相を呈する。
があり、第３図の回路とて万能ではない。例えば
デイスク信号面のピツトの欠除、デイスク透明膜
中に生じた気泡などの欠陥に対しては、第５図に
示したようにピツト面レベルが持ち上り、PCM
信号は凸状に欠落する様相を呈する。
これらの欠陥に対しては第３図の回路では補償
動作は全く果たされず、傷の領域で正規なトラツ
キング誤差信号が得られなくなりサーボ不能とな
つてトラツクジヤンプを起こしてしまう。
動作は全く果たされず、傷の領域で正規なトラツ
キング誤差信号が得られなくなりサーボ不能とな
つてトラツクジヤンプを起こしてしまう。
本発明の目的は上述の欠点をなくし、デイスク
の傷などの検出及びトラツクジヤンプを補償する
デイスク再生装置を提供することにある。
の傷などの検出及びトラツクジヤンプを補償する
デイスク再生装置を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明は、デイスクの
気泡などの欠陥に対してPCM検出信号が凸状に
欠落することに着目し、PCM読み取り信号の最
小値を検出する検出器と最小値の変化を検出する
検出器とを設け、両者のレベルの大小関係を比較
器によつて判別することにより傷を検出すること
にある。
気泡などの欠陥に対してPCM検出信号が凸状に
欠落することに着目し、PCM読み取り信号の最
小値を検出する検出器と最小値の変化を検出する
検出器とを設け、両者のレベルの大小関係を比較
器によつて判別することにより傷を検出すること
にある。
また、本発明は上記の傷検出回路、トラツクル
ープ誤差電圧を検出するサンプル・ホールド回路
およびピツクアツプアクチユエータの駆動信号を
制御する切り換え装置を設け、デイスクに傷があ
る場合は傷検出回路出力によつてサンプル・ホー
ルド回路を動作させると同時に切り換え装置を制
御し、ピツクアツプアクチユエータをトラツクル
ープから切り離してサンプル・ホールド回路に接
続しアクチユエータ印加電圧を一定値にホールド
することにある。
ープ誤差電圧を検出するサンプル・ホールド回路
およびピツクアツプアクチユエータの駆動信号を
制御する切り換え装置を設け、デイスクに傷があ
る場合は傷検出回路出力によつてサンプル・ホー
ルド回路を動作させると同時に切り換え装置を制
御し、ピツクアツプアクチユエータをトラツクル
ープから切り離してサンプル・ホールド回路に接
続しアクチユエータ印加電圧を一定値にホールド
することにある。
第６図は本発明による一実施例を示す図であ
る。同図において１７は情報記録デイスク、１８
はデイスク駆動用のモータ、１９は信号読み取り
装置である光学式ピツクアツプ、２０は電流−電
圧変換器、２１はピツクアツプ検出信号、すなわ
ち第１図で示したスポツト１の反射光を電流−電
圧変換したPCM信号の最小値レベルの変化を検
出する検出器、２２はPCM信号の最小値レベル
を検出する検出器、２３は電圧比較器、３４は電
圧比較器２３の出力端子である。
る。同図において１７は情報記録デイスク、１８
はデイスク駆動用のモータ、１９は信号読み取り
装置である光学式ピツクアツプ、２０は電流−電
圧変換器、２１はピツクアツプ検出信号、すなわ
ち第１図で示したスポツト１の反射光を電流−電
圧変換したPCM信号の最小値レベルの変化を検
出する検出器、２２はPCM信号の最小値レベル
を検出する検出器、２３は電圧比較器、３４は電
圧比較器２３の出力端子である。
第７図に示した各部波形図を参照し、以下第６
図回路の動作を説明する。
図回路の動作を説明する。
デイスクモータが回転し、トラツキングサーボ
が掛つている状態では、第１図で示したスポツト
１の反射光はピツクアツプ１９で受光され電流−
電圧変換器２０を介して第７図ａに示すeiなる信
号として検出され、レベル検出器２１および２２
に入力される。信号eiのレベルはスポツト１がデ
イスクのトラツク上にあつて信号ピツトを追尾す
るためその振幅は傷がない場合は領域Ａに示すよ
うに一定なものとなる。つまり、スポツトが信号
ピツトに当つた場合は最低レベル、信号ピツトを
抜け出し鏡面に当つた場合は最高レベルの信号が
出力される。
が掛つている状態では、第１図で示したスポツト
１の反射光はピツクアツプ１９で受光され電流−
電圧変換器２０を介して第７図ａに示すeiなる信
号として検出され、レベル検出器２１および２２
に入力される。信号eiのレベルはスポツト１がデ
イスクのトラツク上にあつて信号ピツトを追尾す
るためその振幅は傷がない場合は領域Ａに示すよ
うに一定なものとなる。つまり、スポツトが信号
ピツトに当つた場合は最低レベル、信号ピツトを
抜け出し鏡面に当つた場合は最高レベルの信号が
出力される。
しかし、デイスクの信号ピツトが欠除したよう
な欠陥に対しては鏡面の最高レベルの信号が出力
され、この時には領域Ｂに示すように信号レベル
は大きく凸状に欠ける。
な欠陥に対しては鏡面の最高レベルの信号が出力
され、この時には領域Ｂに示すように信号レベル
は大きく凸状に欠ける。
レベル検出器２１はトランジスタ２４、抵抗２
６、コンデンサ２８より成る周知のエミツタホロ
ア検波器と、トランジスタ２４のベース・エミツ
タ間しきい値電圧を補正するレベルシフト用トラ
ンジスタ２５で構成され、入力信号eiの最小値レ
ベルの変化、を検波する働きをする。つまり抵抗
２６とコンデンサ２８の放電時定数を第７図のデ
イスクの欠陥による信号eiの変化に追随するよう
小さく設定すれば、その検波出力e02は第７図ｂ
に示す如くeiの最小値レベルのエンベロープが得
られる。
６、コンデンサ２８より成る周知のエミツタホロ
ア検波器と、トランジスタ２４のベース・エミツ
タ間しきい値電圧を補正するレベルシフト用トラ
ンジスタ２５で構成され、入力信号eiの最小値レ
ベルの変化、を検波する働きをする。つまり抵抗
２６とコンデンサ２８の放電時定数を第７図のデ
イスクの欠陥による信号eiの変化に追随するよう
小さく設定すれば、その検波出力e02は第７図ｂ
に示す如くeiの最小値レベルのエンベロープが得
られる。
又、レベル検出器２２はレベル検出器２２と同
様入力信号の最小値を検波する回路である。こち
らは抵抗３１とコンデンサ３３の放電時定数が第
７図ａのデイスクの欠陥幅Ｂに相当する時間に対
して充分大きく設定されており、その検波出力
e01は第７図ｂのように信号eiの最小値に等しい
ものとなる。
様入力信号の最小値を検波する回路である。こち
らは抵抗３１とコンデンサ３３の放電時定数が第
７図ａのデイスクの欠陥幅Ｂに相当する時間に対
して充分大きく設定されており、その検波出力
e01は第７図ｂのように信号eiの最小値に等しい
ものとなる。
係る構成にあつて、レベル検出器２１および２
２の出力e02とe01を電圧比較器２３でレベル比較
を行なえば電圧比較器出力３４にはe02＞e01の時
に第７図ｃに示すe03なるパルス波が得られデイ
スクの欠陥を検出することができる。
２の出力e02とe01を電圧比較器２３でレベル比較
を行なえば電圧比較器出力３４にはe02＞e01の時
に第７図ｃに示すe03なるパルス波が得られデイ
スクの欠陥を検出することができる。
ところで、第６図の回路ではレベル検出器２１
の抵抗２６とコンデンサ２８の時定数を小さくし
てエンベロープの検波を敏感にし過ぎた場合、或
いは信号eiの最小値レベルに揺らぎがある場合に
はe02のリツプル電圧によつてe01出力との大小関
係が反転してデイスクの欠陥以外の領域で第７図
ｃの破線に示すようにパルスを発生することがあ
る。
の抵抗２６とコンデンサ２８の時定数を小さくし
てエンベロープの検波を敏感にし過ぎた場合、或
いは信号eiの最小値レベルに揺らぎがある場合に
はe02のリツプル電圧によつてe01出力との大小関
係が反転してデイスクの欠陥以外の領域で第７図
ｃの破線に示すようにパルスを発生することがあ
る。
第８図は上記の欠点を解消した本発明による他
の実施例を示したものである。同図において３５
はダイオードを示し、その他第６図と同一符号を
付した部分は同一もしくは同等な部分を指す。
の実施例を示したものである。同図において３５
はダイオードを示し、その他第６図と同一符号を
付した部分は同一もしくは同等な部分を指す。
本実施例は、信号eiのエンベロープ検波出力
e02をダイオード３５によつてそのしきい値電圧
VFだけレベルシフトし、レベルシフトした後の
出力e02′とレベル検出器２２の最小値検波出力
e01とのレベルを比較器２３で比較しようとする
ものであり、第９図ｂに示すようにe01とe02′の
比較レベルにはVFのオフセツトがあるためe02′中
に含まれるリツプル電圧によつて不要なパルスが
発生することなく正確な傷検出を行なうことがで
きる。尚、第８図の実施例ではダイオード３５の
挿入によつてレベル検出器２１の出力e02をレベ
ルダウンする場合を示したが、これは特に限定さ
れるものではなく、例えば検出器２２のトランジ
スタ３０を取り除いてコンデンサ３３から直接比
較器に入力するなどしてe01をレベルアツプして
も良く、又は電圧比較器２３の正、負入力端子に
直接オフセツトを持たせることによつても同様の
効果を得ることができる。
e02をダイオード３５によつてそのしきい値電圧
VFだけレベルシフトし、レベルシフトした後の
出力e02′とレベル検出器２２の最小値検波出力
e01とのレベルを比較器２３で比較しようとする
ものであり、第９図ｂに示すようにe01とe02′の
比較レベルにはVFのオフセツトがあるためe02′中
に含まれるリツプル電圧によつて不要なパルスが
発生することなく正確な傷検出を行なうことがで
きる。尚、第８図の実施例ではダイオード３５の
挿入によつてレベル検出器２１の出力e02をレベ
ルダウンする場合を示したが、これは特に限定さ
れるものではなく、例えば検出器２２のトランジ
スタ３０を取り除いてコンデンサ３３から直接比
較器に入力するなどしてe01をレベルアツプして
も良く、又は電圧比較器２３の正、負入力端子に
直接オフセツトを持たせることによつても同様の
効果を得ることができる。
第１０図は本発明によるさらに他の実施例を示
したものである。同図において３６はインバー
タ、３７乃至３９は電子スイツチとしての接合型
電界効果トランジスタ（以下FETと称す）、４０
乃至４２はダイオード、４３乃至４７は抵抗、４
８はコンデンサ、４９はバツフアアンプ、５０は
インバータ３６の出力端子を示し、その他第３
図、第６図と同一符号を付した部分は同一もしく
は同等な部分を指す。
したものである。同図において３６はインバー
タ、３７乃至３９は電子スイツチとしての接合型
電界効果トランジスタ（以下FETと称す）、４０
乃至４２はダイオード、４３乃至４７は抵抗、４
８はコンデンサ、４９はバツフアアンプ、５０は
インバータ３６の出力端子を示し、その他第３
図、第６図と同一符号を付した部分は同一もしく
は同等な部分を指す。
本実施例はデイスクトラツク上のピツトの欠除
などによるPCM信号の凸状の欠落の有無を傷検
出装置１２で検出し、傷がない場合には傷検出装
置の制御信号によつてスイツチ３９を開放すると
共にスイツチ３８を短絡してアクチユエータ１１
の駆動電圧を差動増幅器９から供給して通常のサ
ーボ動作を行なわせ、傷がある場合には傷検出装
置１２の制御信号によりサンプル・ホールド回路
１３を動作させると同時にスイツチ３９を短絡、
３８を開放してアクチユエータ１１の駆動電圧を
サンプルホールド回路出力である傷に突入した瞬
間のトラツク誤差電圧にホールドするものであ
る。
などによるPCM信号の凸状の欠落の有無を傷検
出装置１２で検出し、傷がない場合には傷検出装
置の制御信号によつてスイツチ３９を開放すると
共にスイツチ３８を短絡してアクチユエータ１１
の駆動電圧を差動増幅器９から供給して通常のサ
ーボ動作を行なわせ、傷がある場合には傷検出装
置１２の制御信号によりサンプル・ホールド回路
１３を動作させると同時にスイツチ３９を短絡、
３８を開放してアクチユエータ１１の駆動電圧を
サンプルホールド回路出力である傷に突入した瞬
間のトラツク誤差電圧にホールドするものであ
る。
FET３７乃至３９はそれぞれ入力電極とゲー
ト電極間に負のバイアスが印加されるとOFFし、
バイアス電圧が零となるとONするものである。
すなわち、傷検出装置１２の制御信号が負になる
と、例えばFET３７では入力電極から抵抗３４
とダイオード４０を介してI0なる直流電流が流
れ、入力電極に対してゲート電極は抵抗４３によ
る電圧降下分だけ負に直流バイアスされるため
OFFし、傷検出装置１２の制御信号が正になる
とダイオード４０の整流作用によりI0が遮断され
入力電極とゲート電極間のバイアス電圧が零とな
つてONするよう動作する。
ト電極間に負のバイアスが印加されるとOFFし、
バイアス電圧が零となるとONするものである。
すなわち、傷検出装置１２の制御信号が負になる
と、例えばFET３７では入力電極から抵抗３４
とダイオード４０を介してI0なる直流電流が流
れ、入力電極に対してゲート電極は抵抗４３によ
る電圧降下分だけ負に直流バイアスされるため
OFFし、傷検出装置１２の制御信号が正になる
とダイオード４０の整流作用によりI0が遮断され
入力電極とゲート電極間のバイアス電圧が零とな
つてONするよう動作する。
又、抵抗４６とコンデンサ４８はローパスフイ
ルターを構成するものでその時定数は差動増幅器
９の出力eRに追随する値に設定されている。
ルターを構成するものでその時定数は差動増幅器
９の出力eRに追随する値に設定されている。
又、傷検出装置１２は第１１図ａに示す如くデ
イスクに傷の無いＡおよびＣの領域では正、傷の
有るＢの領域では負の制御電圧esと、インバータ
３６を通すことによりesと相補なｂに示すes′な
る制御電圧を出力するよう構成されている。
イスクに傷の無いＡおよびＣの領域では正、傷の
有るＢの領域では負の制御電圧esと、インバータ
３６を通すことによりesと相補なｂに示すes′な
る制御電圧を出力するよう構成されている。
以上の構成にあつて、デイスクトラツク上に傷
の無い第１１図のＡの領域ではFET３８がON
し、FET３９がOFFするためピツクアツプアク
チユエータ１１には差動増幅器９の出力が接続さ
れて通常のサーボ動作が行なわれる。又、この時
FET３７もON状態にあるためローパスフイルタ
出力には第１１図Ｃに示す差動増幅器９の出力eR
と等しいトラツク誤差電圧eR′が得られる。次い
で時刻T1にて傷検出装置１２でデイスクの傷が
検出されると制御信号esは正から負に、又es′は
負から正に反転する。これによりFET３７およ
び３８はONからOFFに、FET３９はOFFから
ONに反転するためローパスフイルタの出力eR′は
Ｃの如くピツクアツプがデイスクの傷に突入した
瞬間T1の値eHにホールドされると同時にこの電
圧eHがｄに示す如くバツフアアンプ４９、FET
３９を介して出力される。すなわちアクチユエー
タ１１に加わる電圧eAはｅに示すようにトラツク
の誤差電圧eRからFET３９の系路を介した一定
値eHにホールドされる。
の無い第１１図のＡの領域ではFET３８がON
し、FET３９がOFFするためピツクアツプアク
チユエータ１１には差動増幅器９の出力が接続さ
れて通常のサーボ動作が行なわれる。又、この時
FET３７もON状態にあるためローパスフイルタ
出力には第１１図Ｃに示す差動増幅器９の出力eR
と等しいトラツク誤差電圧eR′が得られる。次い
で時刻T1にて傷検出装置１２でデイスクの傷が
検出されると制御信号esは正から負に、又es′は
負から正に反転する。これによりFET３７およ
び３８はONからOFFに、FET３９はOFFから
ONに反転するためローパスフイルタの出力eR′は
Ｃの如くピツクアツプがデイスクの傷に突入した
瞬間T1の値eHにホールドされると同時にこの電
圧eHがｄに示す如くバツフアアンプ４９、FET
３９を介して出力される。すなわちアクチユエー
タ１１に加わる電圧eAはｅに示すようにトラツク
の誤差電圧eRからFET３９の系路を介した一定
値eHにホールドされる。
そしてピツクアツプがデイスクの傷を抜け出し
た時刻T2では再び傷検出装置１２の制御信号の
反転によつてFET３７および３８がOFFからON
に、又FET３９がONからOFF状態となるためア
クチユエータ１１の駆動信号eAはホールド電圧eH
からトラツクの誤差電圧eRに切り換り通常のサー
ボ動作に復帰する。
た時刻T2では再び傷検出装置１２の制御信号の
反転によつてFET３７および３８がOFFからON
に、又FET３９がONからOFF状態となるためア
クチユエータ１１の駆動信号eAはホールド電圧eH
からトラツクの誤差電圧eRに切り換り通常のサー
ボ動作に復帰する。
ところで、PCM信号の最小レベルが持ち上り
信号が凸状に欠落するケースとしては上述したデ
イスクの傷の領域だけではなく、トラツクサーボ
の引き込み過程においても起る。第１２図はこの
様子を示したものであるがトラツキングサーボを
閉じる過程においてデイスクは必らず偏心を持つ
ために第１図で示した信号読み取りスポツト１が
トラツクを横断するのに伴つてａの如くピツト面
レベルが変化し、トラツク誤差信号もこれに応じ
ｂのような変化を呈する。従つて上述した実施例
をそのまま適用すると傷検出回路の作動によつて
トラツクループ引き込み時に不必要なサンプルホ
ールドの作用が働き、サーボループが閉じないと
いう事態が起こる。
信号が凸状に欠落するケースとしては上述したデ
イスクの傷の領域だけではなく、トラツクサーボ
の引き込み過程においても起る。第１２図はこの
様子を示したものであるがトラツキングサーボを
閉じる過程においてデイスクは必らず偏心を持つ
ために第１図で示した信号読み取りスポツト１が
トラツクを横断するのに伴つてａの如くピツト面
レベルが変化し、トラツク誤差信号もこれに応じ
ｂのような変化を呈する。従つて上述した実施例
をそのまま適用すると傷検出回路の作動によつて
トラツクループ引き込み時に不必要なサンプルホ
ールドの作用が働き、サーボループが閉じないと
いう事態が起こる。
この問題を解消した本発明によるさらに他の実
施例を第１３図に示す。同図において５１は論理
積（AND）回路、５２は状態判別器を示し、そ
の他方１０図と同一符号を付した部分は同一もし
くは同等な部分を指す。本回路で状態判別器５２
は例えば再生装置のシステム制御を行なうマイク
ロコンピユータなどで構成されるものでトラツキ
ングサーボの引き込み動作時には“Low”、トラ
ツキングサーボの引き込みが完了した後のデイス
ク演奏（信号読み出し）時には“High”の信号
を出力する。係る構成にあつて、トラツクサーボ
の引き込み時には状態判別器５２の出力が
“Low”で、AND回路５１の出力も負（“Low”）
となるためFET３９がOFFし、トラツク引き込
み時にアクチユエータ１１の駆動電圧がサンプ
ル・ホールド回路の出力に接続されることはな
い。又、トラツクの引き込みが完了した後のデイ
スク再生中では状態判別器５２の制御信号が
“Low”から“High”に反転するためサンプル・
ホールド経路が動作状態になり、デイスクの傷の
検知に応じ第１０図回路と同様な補償制御が果た
される。
施例を第１３図に示す。同図において５１は論理
積（AND）回路、５２は状態判別器を示し、そ
の他方１０図と同一符号を付した部分は同一もし
くは同等な部分を指す。本回路で状態判別器５２
は例えば再生装置のシステム制御を行なうマイク
ロコンピユータなどで構成されるものでトラツキ
ングサーボの引き込み動作時には“Low”、トラ
ツキングサーボの引き込みが完了した後のデイス
ク演奏（信号読み出し）時には“High”の信号
を出力する。係る構成にあつて、トラツクサーボ
の引き込み時には状態判別器５２の出力が
“Low”で、AND回路５１の出力も負（“Low”）
となるためFET３９がOFFし、トラツク引き込
み時にアクチユエータ１１の駆動電圧がサンプ
ル・ホールド回路の出力に接続されることはな
い。又、トラツクの引き込みが完了した後のデイ
スク再生中では状態判別器５２の制御信号が
“Low”から“High”に反転するためサンプル・
ホールド経路が動作状態になり、デイスクの傷の
検知に応じ第１０図回路と同様な補償制御が果た
される。
尚、第１３図の回路ではAND回路５１の設置
によりトラツクサーボ引き込み時のサンプル・ホ
ールド動作を停止しているが、特にこれに限定さ
れるものではなく例えばトラツクサーボ引き込み
時には状態判別器５２の制御信号により電圧比較
器２３の正相入力端子を強制的に正にバイアスし
たり、或いは逆相入力端子を強制的に負にバイア
スしてesに正電圧を発生させてes′を負電圧に放
電時定数し、FETスイツチ３９を遮断しておく
等の手段を用いても良い。
によりトラツクサーボ引き込み時のサンプル・ホ
ールド動作を停止しているが、特にこれに限定さ
れるものではなく例えばトラツクサーボ引き込み
時には状態判別器５２の制御信号により電圧比較
器２３の正相入力端子を強制的に正にバイアスし
たり、或いは逆相入力端子を強制的に負にバイア
スしてesに正電圧を発生させてes′を負電圧に放
電時定数し、FETスイツチ３９を遮断しておく
等の手段を用いても良い。
以上述べたように本発明によれば、きわめて簡
単な回路構成にてデイスク信号トラツク上のピツ
トの欠除などの欠陥を検出する検出装置を実現す
ることができる。
単な回路構成にてデイスク信号トラツク上のピツ
トの欠除などの欠陥を検出する検出装置を実現す
ることができる。
また、本発明によればデイスク欠陥によつてト
ラツキング誤差信号を検出できなくなつた場合で
も、ピツクアツプアクチユエータの駆動信号をピ
ツクアツプが傷に突入した瞬間のトラツク誤差信
号の一定値にホルドするようにしたため、傷に対
しても模擬的なサーボループを構成することがで
き、トラツクジヤンプの少ないサーボ回路を実現
することができる。
ラツキング誤差信号を検出できなくなつた場合で
も、ピツクアツプアクチユエータの駆動信号をピ
ツクアツプが傷に突入した瞬間のトラツク誤差信
号の一定値にホルドするようにしたため、傷に対
しても模擬的なサーボループを構成することがで
き、トラツクジヤンプの少ないサーボ回路を実現
することができる。
第１図はデイスクトラツク上の信号ピツトと３
スポツトの位置関係を示す図、第２図は従来のト
ラツキングサーボ回路を示す図、第３図は傷によ
るトラツクジヤンプを補償する先に出願済の回路
図、第４図は第３図の動作説明用波形図、第５図
はデイスクの欠陥に対するピツクアツプ検出信号
波形図、第６図は本発明の一実施例を示す図、第
７図は第６図の動作説明用波形図、第８図は本発
明の他実施例を示す図、第９図は第８図の動作説
明用波形図、第１０図は本発明のさらに他の実施
例を示す図、第１１図は第１０図の動作説明用波
形図、第１２図はトラツク横断時のピツクアツプ
検出信号を示す図、第１３図は本発明の別の実施
例を示す図である。 １９……ピツクアツプ、２１，２２……レベル
検出器、２３……電圧比較器、１２……傷検出回
路、１３……サンプルホールド回路、１４……切
り換え装置。
スポツトの位置関係を示す図、第２図は従来のト
ラツキングサーボ回路を示す図、第３図は傷によ
るトラツクジヤンプを補償する先に出願済の回路
図、第４図は第３図の動作説明用波形図、第５図
はデイスクの欠陥に対するピツクアツプ検出信号
波形図、第６図は本発明の一実施例を示す図、第
７図は第６図の動作説明用波形図、第８図は本発
明の他実施例を示す図、第９図は第８図の動作説
明用波形図、第１０図は本発明のさらに他の実施
例を示す図、第１１図は第１０図の動作説明用波
形図、第１２図はトラツク横断時のピツクアツプ
検出信号を示す図、第１３図は本発明の別の実施
例を示す図である。 １９……ピツクアツプ、２１，２２……レベル
検出器、２３……電圧比較器、１２……傷検出回
路、１３……サンプルホールド回路、１４……切
り換え装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学式などのピツクアツプを用いたデイスク
の再生装置において、放電時定数がデイスクの傷
に相当する時間に対して大きく設定され従つてデ
イスクの傷に影響されないで前記ピツクアツプ出
力の記録情報信号の最小値レベルを検出する第１
のレベル検出器と、放電時定数がデイスクの傷に
よる前記ピツクアツプ出力の記録情報信号の変化
に追随するよう小さく設定され従つてデイスクの
傷に応答した前記記録情報信号の最小値レベルの
変化を検出する第２のレベル検出器と、前記第１
および前記第２のレベル検出器の出力を比較する
比較器を備え、デイスクの傷を検出することを特
徴とするデイスク再生装置。 ２ 前記第１若しくは前記第２のレベル検出器の
出力をレベルシフト回路を介した後に前記比較器
で比較する特許請求の範囲第１項記載のデイスク
再生装置。 ３ 光学式などのピツクアツプを用いたデイスク
の再生装置において、放電時定数がデイスクの傷
に相当する時間に対して大きく設定され従つてデ
イスクの傷に影響されないで前記ピツクアツプ出
力の記録情報信号の最小値レベルを検出する第１
のレベル検出器と、放電時定数がデイスクの傷に
よる前記ピツクアツプ出力の記録情報信号の変化
に追随するよう小さく設定され従つてデイスクの
傷に応答した前記記録情報信号の最小値レベルの
変化を検出する第２のレベル検出器と、前記第１
および前記第２のレベル検出器の出力を比較する
比較器とを含む傷検出回路と、前記ピツクアツプ
により検出したトラツキング誤差信号をサンプ
ル・ホールドするサンプル・ホールド回路と、前
記ピツクアツプの駆動装置の入力信号を切り換え
る切り換え装置を備え、前記デイスクに傷がある
場合は前記傷検出回路出力により前記サンプル・
ホールド回路を作動させると共に前記切り換え装
置を制御して前記ピツクアツプ駆動装置の駆動信
号を前記サンプル・ホールド回路出力に切り換え
ることを特徴とするデイスク再生装置。 ４ 前記ピツクアツプのトラツキングサーボ状態
を識別する状態判別器を備え、前記傷検出回路に
よる前記サンプル・ホールド回路および前記切り
換え装置の制御を前記状態判別器の状態に応じて
制御する特許請求の範囲第３項記載のデイスク再
生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113183A JPS6063742A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | デイスク再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113183A JPS6063742A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | デイスク再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063742A JPS6063742A (ja) | 1985-04-12 |
| JPH0466052B2 true JPH0466052B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=15917552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17113183A Granted JPS6063742A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | デイスク再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063742A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746357A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tracking servo circuit |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17113183A patent/JPS6063742A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6063742A (ja) | 1985-04-12 |
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