JPH046609A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は高密度の記録再生に好適な薄膜磁気ヘッドに関
する。

（ロ）従来の技術 従来、この種の薄膜磁気へｌドとしては、例えば特開昭
６２−４６４１６号公報）Ｇ１１Ｂ５／３１〕等に開示
されているものがある。

第８図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図、第９図は
薄膜磁気ヘッドを媒体摺接面から観た図である。

図中、（１）はフェライト等の磁性材料、或いは結晶化
ガラス等の非磁性材料よりなる基板であり、該基板（１
）上にはセンダスト、パーマロイ、アモルファス磁性金
属等の強磁性金属薄膜よりなる下部磁性層（２）、Ｓｉ
ｎ、、ＡＪ！、Ｑ、、Ｔ　１０　ｒ等の非磁性金属酸化
物材料よりなる磁気ギャップ形成用のギャップスペーサ
（３）、Ｃｕ、Ａｊ！等の導電材料よりなるスパイラル
状の第１、第２導体コイル層（４ａ）（４ｂ）、該導体
コイル層（４ａ）（４ｂ）を覆うＳｉｎ、、八で２０１
、Ｔ１０７等の非磁性の金属酸化物材料よりなる層間絶
縁層（５）及び前述の強磁性金属材料よりなる上部磁性
層（６）とて構成さノするヘッド素子二が夫々、スバ、
・タリング等の薄膜形成技術、フォトリングラフィ技術
等による積層、工・ｌチングを繰り返すことにより形成
されている。前記上部磁性層（６）上にはＳｉｎ、、Ａ
！、００、Ｔｉｅ、等の非磁性の金属酸化物材料よりな
る保護層（８）が被着形成されており、該保護層（８）
上にはＢ　ａ　Ｔ　ＩＯｓ等の非磁性材料よりなる保護
板（９）が低融点のガラス層（１０）によりガラス接合
されている。

一方、一般に磁気ヘッドのギャップ長は、記録時には記
録効率の面から大きい方が良いが、再生時には短波長の
信号を十分に再生できるように小さいようがよい。

従って、上記従来の薄膜磁気ヘッドを記録再生兼用とし
て用いた場合、その磁気ギャップのギャップ長は最適記
録ギャップ長と最適再生ギャップ長との中間値に設定さ
れるため、記録、再生例れの場合においても記録、再生
専用の磁気ヘッドに比べて特性が劣るという欠点があっ
た。

特開昭６０−６６３１０号公報（Ｇ１］Ｂ５／２３、）
等に；＝、上述の欠点を解決するものとにて、ギー１７
部にコア本体よりも飽和時速密度の小さい物質を付加す
ることによン２、記録時には前記物質を飽和させ実効的
に大きいギヤ・２・プ長を構成し、再生時には前記物質
を飽和させず小さいギャップ長を構成する可変ギャップ
型の記録再生兼用磁気ヘッドが提案されている。

しかし′［ら、この記録再生兼用磁気ヘッドでは、記録
時と再生時の走査トラック幅が同一幅であるため、記録
トラックに対する再生トランクの位置ズレの量により再
生信号の強さが変動する。

また、上述のような再生トラックの位置ズレが生じた場
合、再生ギャップが記録トラックのエツジ部での磁壁の
乱れによる高周波雑音を拾い、信頼性の高いデータの記
録再生を行うことができない。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為”４ｈたものであり
、記録、再生例れの場合においても記録。

再生専用の磁気ヘッドと同様に優れた記録、再生をｉテ
うことが出来、且つ、記録トラックに対する再生トラッ
クの位置ズレにより再生信号の強さが変動したり、高周
波雑音を再生したりするのを防止した記録再生兼用ギャ
ップを有する薄膜磁気へノドを提供することを目的とす
るものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明の薄膜磁気へノドは、基板上に下部磁性層を被着
形成し、該下部磁性層上にギヤラスペーサ、導体コイル
層及び該導体コイル層を覆う絶縁層を被着形成し、前記
ギャップスペーサ上に該ギャップスペーサよりも厚く、
且つ幅広であり、前記下部磁性層よりも飽和磁束密度が
小さいガーネフト等の磁性材料よりなる低飽和磁性層を
被着形成し、該低飽和磁性層上及び前記絶縁層上に前記
低飽和磁性層よりも飽和磁束密度が大きい磁性材料より
なる上部磁性層を被着形成したことを特徴とする。

（ホ）作　用 上記構成に依れば、記録時には低飽和磁性層が飽和する
ため、磁気ギャップは広ギャップ長、広トラツク幅とな
り、再生時には低飽和磁性層は飽和せず磁気ギャップは
狭ギヤツプ長、狭トラツク幅となる。

（へ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。

第１図は本実施例の薄膜磁気へノドを媒体摺接面側から
観た図、第２図は薄膜磁気へノドの要部断面図である。

図中、（］）はフェライト等の磁性材料、或いは結晶化
ガラス等の非磁性材料よりなる厚さＩＭの基板であり、
該基板（１）上にはセンダスト、パーマロイ、アモルフ
ァス磁性金属等の強磁性金属薄膜よりなる厚さ５μｍの
下部磁性層（２）が被着形成されている。前記下部磁性
層（２）のフロントギャップ形吸面上にはＳｉｎ、等の
非磁性材料よりなる厚さ０．２５μｍのギャップスペー
サ（３）が被着形成されており、該ギャップスペーサ（
３）上にはガーネット等よりなる厚さｌＩＩｍの低飽和
磁性薄膜（１１）が被着形成されている。前記ギャップ
スペーサ（３）及び低飽和磁性薄膜（１１）の幅Ｔ〜〜
、は記録ギヤ・ノブｇｒのトランク幅に等しく、その値
は１８ばである。また、前記下部磁性層（２）上には層
間絶縁層（５）により絶縁被覆されている第１、第２導
体コイル層（４ａ）（４ｂ）及び絶縁層（１３）が被着
形成されている。前記低飽和磁性層（１１）土にはＴ】
、Ｃｒ等よりなる厚さ０．０５μｍの反応防止層（１２
）が被着形成されており、該反応防止層（１２）上から
前記層間絶縁層（５）上及び前記下部磁性層（２）上の
パックギャップ形成部上にかけてセンダスト等の高飽和
磁性材料よりなる厚さ１０μｍの上部磁性層（６）が被
着形成されている。前記上部磁性層（６）の幅７ｗ、は
再生ギャップ部ｇｐのトラック幅に等しく、その値は２
０μｍである。前記上部磁性層（６）上には５１０１等
よりなる保護層（８）が被着形成されており、該保護層
（８）上には融点４００℃の低融点ガラス（１０）によ
りＢａＴｉ０゜等よりなる厚さＩＭの保護板（９）が融
着接合されている。

次に、上記実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。

先ず、第３図に示すように基板（１）−ヒに強磁性金属
材料よりなる厚さ５ばの下部磁性層（２）、８１０２等
よりなるギャップスペーサ（３）となる厚さ０．２５β
ｍの非磁性薄膜（３′）及びガーネント等よりなる厚さ
１ｔｌｆｆｌの低飽和磁性層（１１）をスパンタノング
等により被着形成する。

次に、前記非磁性薄膜（３゛）及び低飽和磁性層（］１
）のうち余分な部分をイオンビームエ／チング等により
除去することにより第４図に示すようにギャップスペー
サ（３）及び低飽和磁性層（１１）の幅１隻、を１８μ
ｍに規定する。

次に、前記下部磁性層（２）上のうち前記低飽和磁性層
（１１）よりも後方（パックギャップ方向）に位置する
領域に層間絶縁層により絶縁被覆されている第１、第２
導体コイル層を形成した後、第５図に示すように前記層
間絶縁層形成時に前記低飽和磁性層（１１）の周りに被
着した絶縁層（１３）を平坦化して該絶縁層（１３）の
上面と前記低飽和磁性層（１１）の上面とを略同−平面
とし、その後前記低飽和磁性層（１１）上にＴ】、Ｃｒ
等よりなる反応防止層（１２）を被着形成する。尚、第
５図には前記第１、第２導体コイル層及び層間絶縁層は
図示していない。

次に、第６図に示すように前記反応防止層（１２）上か
ら前記層間絶縁層上にかけて上部磁性＠（６）をスパｌ
タリング等により被着形成する。前記上部磁性層（６）
の輻Ｔｗ、は２０μｍである。

以後は、周知の如く第７図に示すように前記上部磁性層
（６）上にＳｉｎ、等よりなる保護層を被着形成した後
、該保護層上にＢａＴｉ０＋等よりなる保護板（９）を
融点４００℃の低融点ガラス（１０）を溶融固化するこ
とにより接合固定し、所定の外形加工を行うことにより
本実施例の薄膜磁気ヘッドが完成する。上述のような本
実施例の薄膜磁気−・ラドを用いて記録再生を行う場合
、記録時には大きい記録磁束により低飽和磁性層（１１
）が飽和し、非磁性層と同様の層となるため、下部磁性
層（２）と上部磁性層（６）（６）との間の部分が記録
ギャップｇｒ、ｇｒとなる。即ち、前記記録ギャップｇ
ｒ、ｇｒのギヤノブ長ｊシ前記ギャッ７スペーサ−（３
）及び前記低飽和磁性層（１１）の厚みの和に略等しく
役１．２３５ｍとなり、トラック幅ｊ！前記上部磁性層
（６）の幅Ｔｗ、に等しく２０！Ｉｉとなる。また、再
生時には再生磁束が小さいため、ｍｊ記低飽和磁性層（
１１）は飽和せず磁性層として作用するため、下部磁性
層（２）と低飽和磁性層（１１）との間の部分、即ち、
ギヤノブスペーサ（３）が再生ギャップｇｐ、ｇｐとな
る。即ち、前記再生ギャップｇｐ、ｇｐのギヤ・ンプ長
は前記ギヤ、ノブスペーサ（３）の厚みに等しく０２５
μｍとなり、トラｌり幅は前記ギャップスペーサ（３）
の幅Ｔ　１１に等しく１８μｍとなる。

即ち、上記実施例の薄膜磁気ヘッドを用いて記録再生を
行った場合、ギャップ長が大きい記録ギャップｇｒ、ｇ
ｒにより記録が行われるため記録効率が向−ヒし、ギャ
ップ長が小さい再生ギヤ／プｇｐ、ｇｐにより再生が行
われるため短波長信号を十分に再生することが出来る。

しかも、再生ギャップｇｐ、ｇｐの方が記録ギヤ・ノブ
ｇｒ、ｇｒよりもトラック幅が小さいため、再生トラッ
クに多少の位置ズレが生じても記録トラックのトラック
エツジでの磁壁の乱れによる再生特性の劣化は起きない
。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、記録効率を低下させることなく短波長
信号を十分に再生する二とが出来、しかも再生トラック
の位置ズレによる再生特性の劣化を防止した薄膜磁気ヘ
ッドを提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図は本発明に係り、第１図は薄膜磁気ヘ
ッドを媒体摺接面側から観た図、第２図は薄膜磁気ヘッ
ドの要部断面図、第３図、第４図、第５図、第６図及び
第７図は夫々薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図で
ある。第８図及び第９図は従来例に係り、第８図は薄膜
磁気ヘッドの要部断面図、第９図は薄膜磁気ヘッドを媒
体摺接面側から観た図である。 （１）・・・基板、（２）・・・下部磁性層、（３）・
・・ギャップスペーサ、（４ａ）（・Ｌｂ）・・・導体
コイル層、（５）・・層間絶縁層、（６）・上部磁性層
、（１１）・低飽和磁性層、（１３）・絶縁層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に下部磁性層を被着形成し、該下部磁性層
   上にギャップスペーサ、導体コイル層及び該導体コイル
   層を覆う絶縁層を被着形成し、前記ギャップスペーサ上
   に該ギャップスペーサよりも厚く、且つ幅広であり、前
   記下部磁性層よりも飽和磁束密度が小さい磁性材料より
   なる低飽和磁性層を被着形成し、該低飽和磁性層上及び
   前記絶縁層上に前記低飽和磁性層よりも飽和磁束密度が
   大きい磁性材料よりなる上部磁性層を被着形成したこと
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. （２）前記低飽和磁性層がガーネットにより構成されて
   いることを特徴とする請求項（１）記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。