JPH0467191B2 - - Google Patents
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- JPH0467191B2 JPH0467191B2 JP57021092A JP2109282A JPH0467191B2 JP H0467191 B2 JPH0467191 B2 JP H0467191B2 JP 57021092 A JP57021092 A JP 57021092A JP 2109282 A JP2109282 A JP 2109282A JP H0467191 B2 JPH0467191 B2 JP H0467191B2
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- liquid crystal
- ram
- crystal display
- circuit
- semiconductor integrated
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、表示用半導体集積回路に関し、特
にドツトマトリツクス構成の液晶表示用半導体集
積回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor integrated circuit for display, and more particularly to a semiconductor integrated circuit for liquid crystal display having a dot matrix structure.
この発明の目的は、表示自由度の高い液晶表示
用半導体集積回路を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit for liquid crystal display with a high degree of display freedom.
この発明の他の目的は、汎用性の高い液晶表示
用半導体集積回路を提供することにある。 Another object of the invention is to provide a highly versatile semiconductor integrated circuit for liquid crystal display.
この発明の更に他の目的は、以下の説明及び図
面から明らかになるであろう。 Further objects of the invention will become apparent from the following description and drawings.
以下、この発明を実施例とともに詳細に説明す
る。 Hereinafter, this invention will be explained in detail together with examples.
第1図には、この発明の一実施例のブロツク図
が示されている。同図において、点線で囲まれた
部分は、公知のMOS(金属絶縁物半導体)集積回
路技術によつて、1つの半導体基板上な形成され
ている。 FIG. 1 shows a block diagram of one embodiment of the invention. In the figure, a portion surrounded by a dotted line is formed on one semiconductor substrate using a known MOS (metal-insulator-semiconductor) integrated circuit technology.
この実施例では、特に制限されないが、ドツト
マトリツクス構成の液晶表示装置の走査(コモ
ン)線に対してマトリツクス状とされた信号(セ
グメント)線用の表示信号を形成する回路が、一
つの半導体集積回路によつて構成されている。し
たがつて、上記液晶表示装置の走査線用のタイミ
ング信号は、他の回路によつて形成されるもので
ある。 In this embodiment, although not particularly limited, a circuit for forming display signals for signal (segment) lines arranged in a matrix with respect to scanning (common) lines of a liquid crystal display device having a dot matrix structure is formed of a single semiconductor. It is composed of integrated circuits. Therefore, the timing signal for the scanning line of the liquid crystal display device is generated by another circuit.
この実施例の液晶表示用半導体集積回路Y−
ICは、次の各回路ブロツクにより構成されてい
る。 Semiconductor integrated circuit for liquid crystal display of this example Y-
The IC is composed of the following circuit blocks.
RAMは、ランダム・アクセス・メモリであ
り、液晶表示装置のドツトに対応した画素データ
を保持する。この実施例では、特に制限されない
が、RAMは、4つのメモリアレイRAM1ないし
RAM4に分割され、それぞれが縦方向に8ビツ
ト、横方向に50ビツトのメモリセルが配置されて
いる。 RAM is a random access memory that holds pixel data corresponding to dots on a liquid crystal display device. In this embodiment, although not particularly limited, the RAM includes four memory arrays RAM 1 to
The RAM is divided into 4 parts, each of which has 8 bits in the vertical direction and 50 bits in the horizontal direction.
したがつて、全体としては、32×50ビツトの画
素データを保持することができる。 Therefore, 32×50 bits of pixel data can be held as a whole.
アドレスカウンタCTR1は、マイクロプロセ
ツサ等の信号源と上記RAMとの画素データの授
受を行なうためのアドレス選択を行なうものであ
り、アドレスデコーダ回路を含んでいる。このア
ドレスカウンタCTR1では、1つのアドレス設
定により、8ビツト(1バイト)のメモリセルが
同時に選択され、並列的な8ビツトのデータの書
込み/読出しが行なわれる。 The address counter CTR1 selects an address for exchanging pixel data between a signal source such as a microprocessor and the RAM, and includes an address decoder circuit. In this address counter CTR1, 8 bits (1 byte) of memory cells are simultaneously selected by one address setting, and 8 bits of data are written/read in parallel.
したがつて、このアドレスカウンタCTR1で
は、縦方向に1/4選択(RAM1ないしRAM4の選
択)を行なうXアドレス信号X1ないしX4と、横
方向に1/50選択を行なうYアドレス信号Y1ない
しY50とが形成される。上記アドレス信号のう
ち、アドレス信号Y1ないしY50は、そのアツプ又
はダウンカウント動作によつて、上記8ビツトの
画素データの入出力毎に順次自動的に歩進され
る。 Therefore, this address counter CTR1 has X address signals X 1 to X 4 that perform 1/4 selection in the vertical direction (selection of RAM 1 to RAM 4 ), and a Y address signal that performs 1/50 selection in the horizontal direction. Y 1 to Y 50 are formed. Among the address signals, address signals Y1 to Y50 are automatically incremented sequentially each time the 8-bit pixel data is input/output by their up or down count operation.
フリツプフロツプFF1は、上記カウンタ動作の
制御信号U/Dを保持するものであり、例えば制
御信号U/Dが“1”ならばアツプカウント動作
を行なわせ、“0”ならばダウンカウント動作を
行なわせるものである。 The flip-flop FF1 holds the control signal U/D for the counter operation. For example, if the control signal U/D is "1", it performs an up-count operation, and if it is "0", it performs a down-count operation. It is something that can be done.
このように、アドレス信号が自動的に歩進され
るようにしたことにより、画素データを書き込む
際、いちいちアドレス信号を入力しなくてもよく
なる。従つて、書込み操作が容易になる。 By automatically incrementing the address signal in this way, it is no longer necessary to input the address signal each time when writing pixel data. Therefore, writing operations are facilitated.
また、上記RAMのメモリセルには、それぞれ
読出専用出力回路が設けられている。この出力回
路からの出力データは、上記表示用のデータとし
て用いられる。 Further, each memory cell of the RAM is provided with a read-only output circuit. The output data from this output circuit is used as the above-mentioned display data.
アドレスカウンタCTR2は、上記表示用の画
素データの読出し動作を行うためのアドレス選択
を行なうものであり、アドレスデコーダ回路
DECとカウンタ回路CUTとを含んでいる。この
アドレスカウンタCTR2では、縦方向に1/32の
選択を行なうアドレス信号Z1ないしZ32が形成さ
れる。したがつて、1つのアドレス設定により、
横方向に配置された50ビツトのメモリセルが同時
に選択されることになる。 The address counter CTR2 selects an address for reading out the pixel data for display, and serves as an address decoder circuit.
It includes a DEC and a counter circuit CUT. This address counter CTR2 generates address signals Z1 to Z32 that select 1/32 in the vertical direction. Therefore, with one address setting,
50-bit memory cells arranged horizontally are selected at the same time.
そして、これらの同時に読出された50ビツトの
画素データは、ラツチ回路FF3によつてそれぞれ
一時的に保持される。 These 50 bits of pixel data read out at the same time are each temporarily held by the latch circuit FF3 .
上記カウンタ回路CUTは、5ビツトの2進カ
ウンタであり、そのうち上位2ビツトは、ラツチ
回路FF2で保持された任意の先頭アドレスがプリ
セツトされるようになつている。 The counter circuit CUT is a 5-bit binary counter, the upper two bits of which are preset to an arbitrary starting address held by the latch circuit FF2 .
例えば、上位2ビツトガ“0”“0”ならば、
先頭アドレスがZ1(RAM1)とされ、“0”“1”
ならば先頭ガドレスがZ9(RAM2)とされ、“1”
“0”ならば先頭アドレスがZ17(RAM3)とされ、
“1”“1”ならば先頭アドレスがZ25(RAM4)と
される。 For example, if the top two bits are “0” and “0”,
The first address is Z 1 (RAM 1 ), and “0” and “1”
Then, the first gaddress is Z 9 (RAM 2 ) and “1”
If it is “0”, the first address is Z 17 (RAM 3 ),
If it is "1" or "1", the first address is set to Z 25 (RAM 4 ).
上記アドレスデコーダ回路DECは、上記5ビ
ツトの2進カウンタCUTからの出力を受けて、
この2進カウンタの状態に対応したZアドレス信
号を出力する。例えば、上述したように2進カウ
ンタの状態が“00000”のときは、アドレス信号
Z1を出力し、それが“01000”のときには、アド
レス信号9を出力し、それが“10000”のときに
は、アドレス信号Z17を出力し、またそれが
“11000”のときには、アドレス信号Z25を出力す
る。更に、2進カウンタが“11111”のときに、
上記アドレスデコーダ回路DECはアドレス信号
Z32を出力する。 The address decoder circuit DEC receives the output from the 5-bit binary counter CUT, and
A Z address signal corresponding to the state of this binary counter is output. For example, as mentioned above, when the state of the binary counter is "00000", the address signal
When it is " 01000 " it outputs address signal 9 , when it is "10000" it outputs address signal Z 17 , and when it is "11000" it outputs address signal Z 25 . Output. Furthermore, when the binary counter is “11111”,
The above address decoder circuit DEC is an address signal
Output Z 32 .
このアドレスカウンタCTR2は、、走査系のタ
イミング信号M、FRMを受けて動作する。タイ
ミング信号Mは、第2図に示すように、N本の走
査線選択タイミング信号であり、この信号Mを受
けてアドレスカウンタCTR2はカウンタ動作を
行なう。タイング信号FRMは、フレーム信号で
あり、上記最初の走査線選択タイミング信号M1
に同期して形成される。このフレーム信号FRM
を受けて、上記カウンタ回路CUTは、下位3ビ
ツトがクリアされ、上位2ビツトにラツチ回路
FF2の保持アドレスがプリセツトされる。 This address counter CTR2 operates in response to scanning timing signals M and FRM. As shown in FIG. 2, the timing signal M is a timing signal for selecting N scanning lines, and upon receiving this signal M, the address counter CTR2 performs a counter operation. The timing signal FRM is a frame signal, and is the first scanning line selection timing signal M1 mentioned above.
formed in synchronization with This frame signal FRM
In response, the lower 3 bits of the counter circuit CUT are cleared and the upper 2 bits are set to the latch circuit.
The holding address of FF 2 is preset.
例えば、ラツチ回路FF2に“0”、“0”がセツ
トされていた場合、フレーム信号FRMを受ける
ことにより、上記カウンタCUTの上位2ビツト
には“0”、“0”がプリセツトされ、その下位3
ビツトはクリアされる。従つて、このときアドレ
スカウンタCTR2は、上記2進カウンタCUTに設
定された状態“00000”に対応した先頭アドレス
Z1を出力する。 For example, if "0" and "0" are set in the latch circuit FF2 , by receiving the frame signal FRM, the upper two bits of the counter CUT are preset to "0" and "0". bottom 3
The bit is cleared. Therefore, at this time, the address counter CTR 2 is the first address corresponding to the state "00000" set in the binary counter CUT.
Output Z 1 .
以後、タイミング信号Mが印加されるたびに、
上記カウンタCUTはカウントアツプしていく。
これに伴つて、アドレスカウンタCTR2からは、
順次カウントアツプされたアドレス信号が出力さ
れる。 From then on, each time the timing signal M is applied,
The above counter CUT continues to count up.
Along with this, from address counter CTR2,
Address signals that are sequentially counted up are output.
走査線の数を32本とした場合には、上記アドレ
スカウンタCTR2からアドレス信号Z32が出力さ
れた後で、フレーム信号FRMが上記カウンタ
CUT及びラツチ回路FF2に印加される。このた
め、アドレスカウンタCTR2から、アドレス信
号Z32が出力された後、上記カウンタCUTは、再
び上記先頭アドレスに対応した状態に設定され、
以後上記と同様の動作がくり返される。 When the number of scanning lines is 32, after the address signal Z32 is output from the address counter CTR2, the frame signal FRM is output to the counter CTR2.
Applied to CUT and latch circuit FF2 . Therefore, after the address signal Z32 is output from the address counter CTR2, the counter CUT is again set to the state corresponding to the first address,
Thereafter, the same operation as above is repeated.
上記カウンタCUTは、タイミング信号Mをカ
ウントしていつて、その状態が“11111”になつ
た後も、まだ、フレーム信号FRMが印加されず
に、タイミング信号Mが印加された場合、上記カ
ウンタCUTは、“00000”の状態に戻り、タイミ
ング信号Mのカウントを続けるようにされてい
る。 The counter CUT is counting the timing signal M, and even after the state becomes "11111", if the timing signal M is applied without the frame signal FRM being applied, the counter CUT is , returns to the state of "00000" and continues counting the timing signal M.
このため、例えば、カウンタ回路CUTを先頭
アドレスZ16に対応した状態“10000”に設定した
場合、アドレスカウンタCTR2は、タイミング
信号Mに従つて、時系列的にアドレス信号Z16か
らZ18までを出力する。すなわち、アドレスカウ
ンタCTR2は、まずZ16からZ32までのアドレス
信号を順次出力し、次いでZ1からZ18までのアド
レス信号を順次出力する。 Therefore, for example, when the counter circuit CUT is set to the state "10000" corresponding to the start address Z 16 , the address counter CTR2 chronologically reads the address signals Z 16 to Z 18 in accordance with the timing signal M. Output. That is, the address counter CTR2 first sequentially outputs address signals from Z16 to Z32 , and then sequentially outputs address signals from Z1 to Z18 .
また、後で第5図を用いて説明するように、走
査線の数が16本に設定された場合には、設定され
た先頭アドレスからその走査線の数に対応した数
のアドレスだけ後のアドレス信号がアドレスカウ
ンタCTR2から出力された後で、フレーム信号
FRMが上記カウンタCUT及びラツチ回路FF2に
印加される。 Also, as will be explained later using FIG. 5, if the number of scanning lines is set to 16, then the number of addresses after the set start address corresponding to the number of scanning lines will be After the address signal is output from address counter CTR2, the frame signal
FRM is applied to the counter CUT and the latch circuit FF2 .
例えば、ラツチ回路FF2に“0”、“1”がセツ
トされた場合、先頭アドレスは、上述したように
Z9に設定される。このため、アドレスカウンタ
CTR2は、タイミング信号Mに従つて、時系列
的にアドレス信号Z9からアドレス信号Z24までを
出力する。このあとで、フレーム信号FRMが、
上記カウンタCUT及びラツチ回路FF2に印加さ
れる。これにより、再び、カウンタCUTが先頭
アドレスに対応した状態にプリセツトされる。 For example, when latch circuit FF 2 is set to “0” or “1”, the start address is as described above.
Set to Z 9 . For this reason, the address counter
The CTR 2 outputs address signals Z 9 to Z 24 in chronological order according to the timing signal M. After this, the frame signal FRM is
Applied to the counter CUT and latch circuit FF2 . As a result, the counter CUT is again preset to a state corresponding to the first address.
この先頭アドレスが、上記と同様にZ9に設定さ
れている場合には、上記と同様な動作によりアド
レスカウンタCTR2は、時系列的にアドレス信
号Z9からZ24までを出力する。これに対して、上
記先頭アドレスが異なるアドレス、例えばZ17に
設定された場合、すなわち、ラツチ回路FF2に
“1”、“0”がセツトされた場合、フレーム信号
FRMによつて、カウンタCUTはアドレス信号
Z17に対応した状態“10000”にプリセツトされ
る。このため、アドレスカウンタCTR2は、タ
イミング信号Mに従つて、時系列的にアドレス信
号Z17からZ32までを出力する。このあと再びフレ
ーム信号FRMが印加され、以後上記と同様な動
作がくり返される。 When this start address is set to Z9 as described above, the address counter CTR2 outputs address signals Z9 to Z24 in time series by the same operation as described above. On the other hand, if the start address is set to a different address, for example Z17 , that is, if the latch circuit FF2 is set to "1" or "0", the frame signal
By FRM, counter CUT is address signal
Preset to state “10000” corresponding to Z 17 . Therefore, the address counter CTR2 outputs address signals Z17 to Z32 in time series according to the timing signal M. After this, the frame signal FRM is applied again, and the same operation as described above is repeated.
なお、ラツチ回路FF2に“1”、“1”がセツト
された場合、すなわち先頭アドレスがZ25に設定
された場合、アドレスカウンタCTR2は、タイ
ミング信号Mに従つて、時系列的にアドレス信号
Z25からZ8までを出力する。すなわち、この場合、
アドレスカウンタCTR2は、まずアドレス信号
Z25から順次Z32まで出力し、次いでアドレス信号
Z1から順次Z8まで出力する。 Note that when the latch circuit FF2 is set to "1" or "1", that is, when the first address is set to Z25 , the address counter CTR2 receives the address signal in chronological order according to the timing signal M.
Outputs Z 25 to Z 8 . That is, in this case,
Address counter CTR2 first receives an address signal.
Output sequentially from Z 25 to Z 32 , then address signal
Output sequentially from Z 1 to Z 8 .
DV1ないしDV50は、液晶駆動回路であり、ラ
ツチ回路FF3からの画素データを受けて、セグメ
ント駆動信号S1ないしS50をそれぞれ形成する。
これらの駆動回路DV1ないしDV50は、特に制限
されないが、4値の電源電圧V1ないしV4と、上
記タイミング信号Mと、上記ラツチ回路FF3から
の画素データとを受けて、例えば1/5バイアス法
によるセグメント駆動信号S1ないしS50をそれぞ
れ形成する。 DV 1 to DV 50 are liquid crystal driving circuits that receive pixel data from the latch circuit FF 3 and form segment driving signals S 1 to S 50 , respectively.
These drive circuits DV 1 to DV 50 receive the four-value power supply voltages V 1 to V 4 , the timing signal M, and the pixel data from the latch circuit FF 3 , for example, 1 Segment drive signals S 1 to S 50 are respectively formed by the /5 bias method.
I/Oは、入出力インターフエイスであり、マ
イクロプロセツサ等の信号源に対するデータD、
制御信号Cの授受を行なう。この制御信号Cに
は、チツプセレクト(システムアドレス)信号、
RAMへの読出/書込信号R/W、データ/命令
信号D/I、タイング信号Eを含んでいる。デー
タ/命令信号D/Iは、“1”ならば8ビツトの
データDが表示用画素データであることを示し、
“0”ならばそれが命令コードであることを示し
ている。 I/O is an input/output interface, and data D,
A control signal C is sent and received. This control signal C includes a chip select (system address) signal,
It includes a read/write signal R/W to RAM, a data/command signal D/I, and a timing signal E. If the data/command signal D/I is "1", it indicates that the 8-bit data D is pixel data for display.
If it is "0", it indicates that it is an instruction code.
この命令コードによつて、フリツプフロツプ
FF1の状態、ラツチ回路FF2の状態、あるいはア
ドレスカウンタCTR1へのXアドレス、Yアド
レスの状態が設定される。例えば、上記ラツチ回
路FF2は、命令コードに従つて、上述した4種の
状態のいずれかに設定される。なお、Yアドレス
は、前述のように自動的に進歩させることもでき
るものである。また、制御回路CONTは、命令
コードに従つて表示開始、停止等の制御を行な
う。すなわち、制御回路CONTは、命令コード
に従つて表示を停止させるとき、ラツチ回路FF3
をリセツトするような信号を形成する。 This instruction code allows flip-flop
The state of FF1 , the state of latch circuit FF2 , or the state of X address and Y address to address counter CTR1 are set. For example, the latch circuit FF2 is set to one of the four states mentioned above according to the instruction code. Note that the Y address can also be automatically advanced as described above. Further, the control circuit CONT performs control such as starting and stopping display according to the instruction code. That is, when the control circuit CONT stops the display according to the instruction code, the control circuit CONT activates the latch circuit FF3.
generate a signal that resets the
第3図には、上記RAMを構成するメモリセル
M−CELの一実施例の回路図が示されている。 FIG. 3 shows a circuit diagram of an embodiment of the memory cell M-CEL constituting the RAM.
メモリセルM−CELは、インバータIV1,IV2
で構成されたフリツプフロツプと、その一対の入
出力に設けられた伝送ゲートMOSFETQY1,QY2
とにより構成されている。そして、上記メモリセ
ルの一対の入出力線D′,′は、横方向に配置さ
れた50個のメモリセルに対して共通化されてい
る。 Memory cell M-CEL includes inverters IV 1 and IV 2
A flip -flop consisting of
It is composed of. The pair of input/output lines D', ' of the memory cells are shared by 50 memory cells arranged in the horizontal direction.
上記入出力線D′,′は、伝送ゲート
MOSFETQX1,QX2を介して、共通データ線D1,
D1に接続されている。 The above input/output lines D′,′ are transmission gates
Common data line D 1 , through MOSFETQ X1 , Q X2
Connected to D1 .
上記伝送ゲートMOSFETQY1,QY2のゲートに
は、Yアドレス選択信号Y1が印加されている。
このYアドレス選択信号Y1は、縦方向に配置さ
れた32個のメモリセルの同様な伝送ゲート
MOSFETに共通に印加されている。 A Y address selection signal Y 1 is applied to the gates of the transmission gate MOSFETs Q Y1 and Q Y2 .
This Y address selection signal Y1 is applied to similar transmission gates of 32 memory cells arranged vertically.
Commonly applied to MOSFETs.
上記伝送ゲートMOSFETQX1,QX2のゲートに
は、Xアドレス選択信号X1が印加されている。
このXアドレス選択信号X1は、縦方向に配置さ
れた8対の同様な伝送ゲートMOSFETに共通印
加されている。すなわち、このXアドレス信号
X1は、前記4分割されたメモリアレイRAM1に
対して与えられる。したがつて他のメモリアレイ
RAM2ないしRAM4には、それぞれXアドレス選
択信号X2ないしX4が同様に与えられるものであ
る。 An X address selection signal X1 is applied to the gates of the transmission gate MOSFETs QX1 and QX2 .
This X address selection signal X1 is commonly applied to eight pairs of similar transmission gate MOSFETs arranged in the vertical direction. In other words, this X address signal
X 1 is given to the memory array RAM 1 divided into four. Therefore other memory arrays
RAM 2 to RAM 4 are similarly supplied with X address selection signals X 2 to X 4 , respectively.
また、メモリセルM−CELには、読出し専用
のクロツクドインバータIV3が設けられている。 Further, the memory cell M-CEL is provided with a read-only clocked inverter IV3 .
このクロツクドインバータIV3の出力端子は、
縦方向に配置された残りの31個のメモリセルの出
力端子と共通化されて、ワイヤードオア構成の出
力線R1とされている。また、上記インバータIV3
のクロツク端子は、横方向に配置された50個のメ
モリセル間で共通化され、Zアドレス選択信号Z1
が共通印加される。 The output terminal of this clocked inverter IV 3 is
It is shared with the output terminals of the remaining 31 memory cells arranged in the vertical direction, and is used as an output line R1 having a wired-OR configuration. Also, the above inverter IV 3
The clock terminal of 50 memory cells arranged horizontally is shared by the Z address selection signal Z1.
is commonly applied.
また、共通データ線D,は、上記分割された
メモリアレイRAM1ないしRAM4における対応す
る入出力線間で共通化されている。 Further, the common data line D is shared between the corresponding input/output lines in the divided memory arrays RAM 1 to RAM 4 .
これにより、Xアドレスの設定により、メモリ
アレイRAM1ないしRAM4のいずれかが指定さ
れ、Yアドレスの設定により、そのうちの縦方向
の8個のメモリセルが選択できるので、8ビツト
のデータの授受を並列的に行なうことができる。 As a result, either memory array RAM 1 to RAM 4 can be specified by setting the X address, and 8 memory cells in the vertical direction can be selected by setting the Y address, so 8-bit data can be exchanged. can be performed in parallel.
また、Zアドレスの設定により、横方向に配置
された50個のメモリセルの画素データを、上記8
ビツトのデータ授受とは独立に並列に読み出すこ
とができる。 Also, by setting the Z address, the pixel data of 50 memory cells arranged horizontally can be transferred to the above 8
Bits can be read in parallel independently of data exchange.
第4図には、この発明に係る液晶用表示用半導
体集積回路を用いた液晶表示システムの一実施例
のブロツク図が示されている。 FIG. 4 shows a block diagram of an embodiment of a liquid crystal display system using the semiconductor integrated circuit for liquid crystal display according to the present invention.
この実施例では、上記RAMの画素データ保持
能力に見合つた液晶表示装置LCDを用いる場合
の一実施例が示されている。したがつて、縦方向
に32ドツト、横方向に50Xnドツトの液晶表示装
置LCDが用いられている。 This embodiment shows an example in which a liquid crystal display device LCD suitable for the pixel data holding capacity of the RAM is used. Therefore, a liquid crystal display device LCD with 32 dots in the vertical direction and 50Xn dots in the horizontal direction is used.
また、この実施例では、上記32本の横方向に配
置された走査線の選択タイミングを形成するため
に、別の半導体集積回路X−IC1,X−IC2が用意
されている。 Further, in this embodiment, other semiconductor integrated circuits X-IC 1 and X-IC 2 are prepared in order to form the selection timing of the 32 horizontally arranged scanning lines.
この半導体集積回路X−IC1は、最大20本の走
査線駆動能力を持つものであるので、上記32本の
場合には、同様な半導体集積回路X−IC2が追加
される。 Since this semiconductor integrated circuit X-IC 1 has the ability to drive a maximum of 20 scanning lines, in the above case of 32 scanning lines, a similar semiconductor integrated circuit X-IC 2 is added.
この半導体集積回路X−IC1は、外付抵抗とコ
ンデンサにより、走査タイミングを規定するため
の基準周波数信号を形成し、これに基づいて、走
査線タイミング信号を形成する。 This semiconductor integrated circuit X-IC 1 forms a reference frequency signal for defining scanning timing using an external resistor and a capacitor, and forms a scanning line timing signal based on this.
上記半導体集積回路X−IC2のように拡張用と
して用いる場合には、抵抗とコンデンサが省略さ
れて接地電位を与えること、及び半導体集積回路
X−IC1からのタイミング信号を受けて、上記基
準周波数信号に同期して、残り12本の走査線選択
タイミング信号を形成する。 When used as an expansion device like the above semiconductor integrated circuit The remaining 12 scanning line selection timing signals are formed in synchronization with the frequency signal.
また、この半導体集積回路X−IC1(X−IC2)
は、上記した基準周波数信号にもとづいて上記フ
レーム信号FRM及びタイミング信号Mをも形成
する。 Moreover, this semiconductor integrated circuit X-IC 1 (X-IC 2 )
also forms the frame signal FRM and timing signal M based on the reference frequency signal described above.
この実施例では、半導体集積回路X−IC1から
n個の半導体集積回路Y−ICに上記フレーム信
号FRMとタイミング信号Mが印加される。 In this embodiment, the frame signal FRM and timing signal M are applied to n semiconductor integrated circuits Y-IC from semiconductor integrated circuit X- IC1 .
また、この半導体集積回路X−IC1(X−IC2)
には、表示デユーテイ切り換機能が付加されてお
り、1/8、1/12、1/18、1/24及び1/32の5つの表
示デユーテイを選択的に切り換えることができ
る。 Moreover, this semiconductor integrated circuit X-IC 1 (X-IC 2 )
is equipped with a display duty switching function, allowing you to selectively switch between five display duties: 1/8, 1/12, 1/18, 1/24, and 1/32.
この表示デユーテイの切り換えに応じて上記フ
レーム信号FRM等のタイミングも上記半導体集
積回路X−IC1内で切り換えられる。すなわち、
例えば、表示デユーテイが1/32に設定された場合
には、タイミング信号Mが32回発生されたとき
に、フレーム信号FRMが1回発生されるように
設定される。同様に、例えば、表示デユーテイが
1/16に設定された場合には、タイミング信号Mが
16回発生されたときに、フレーム信号FRMが1
回発生されるように設定される。 In accordance with this switching of the display duty, the timing of the frame signal FRM etc. is also switched within the semiconductor integrated circuit X- IC1 . That is,
For example, when the display duty is set to 1/32, the frame signal FRM is set to be generated once when the timing signal M is generated 32 times. Similarly, for example, if the display duty is set to 1/16, the timing signal M
When the frame signal FRM is generated 16 times, the frame signal FRM is 1
It is set to occur twice.
上述のように、32本の走査線を有する液晶表示
装置LDCでは、これに合せて表示デユーテイが
1/32に設定される。 As described above, in the liquid crystal display device LDC having 32 scanning lines, the display duty is set to 1/32 accordingly.
したがつて、走査線が24又は32本の場合には、
2個の半導体集積回路X−IC1,X−IC2によつて
その走査線選択タイミング信号が形成され、走査
線が8、12又は16本の場合には、1個の半導体集
積回路X−IC1によつてその走査タイミング信号
が形成される。また、これに合せて表示デユーテ
イも設定されるものである。 Therefore, if there are 24 or 32 scanning lines,
The scanning line selection timing signal is formed by two semiconductor integrated circuits X-IC 1 and X-IC 2 , and when there are 8, 12 or 16 scanning lines, one semiconductor integrated circuit IC 1 forms the scan timing signal. Furthermore, the display duty is also set accordingly.
一方、上記液晶表示装置LCDの縦方向に配置
された信号線には、前記半導体集積回路Y−IC
で形成された画素データに従つた表示信号が供給
される。上記半導体集積回路Y−ICでは、50本
の信号線駆動能力を持つことにより、n個の同様
な半導体集積回路Y−IC1ないしY−ICoを用いて
50×n本の信号線の表示信号を形成することがで
きる。また、MPUは、信号源としてのマイクロ
プロセツサである。この実施例では、上記構成の
表示システムにより、走査線選択タイミング(1/
32)に対応して、50×n個の画素を表示させるの
で、全体として32×50×nドツトで構成された表
示画面に任意の図形を表示させることができる。 On the other hand, the signal lines arranged in the vertical direction of the liquid crystal display device LCD include the semiconductor integrated circuit Y-IC.
A display signal is supplied according to the pixel data formed by the pixel data. The above-mentioned semiconductor integrated circuit Y-IC has the ability to drive 50 signal lines, so that n similar semiconductor integrated circuits Y-IC 1 to Y-IC o can be used.
Display signals of 50×n signal lines can be formed. Furthermore, the MPU is a microprocessor that serves as a signal source. In this embodiment, the display system configured as described above uses the scanning line selection timing (1/
Corresponding to 32), since 50×n pixels are displayed, any figure can be displayed on the display screen which is composed of 32×50×n dots as a whole.
また、数字、及びアルフアベツトの場合には、
1文字を5×7ドツトで構成すれば、1行が10×
n文字で4行分を表示することができる。なお、
行間として1ドツトが用いられている。 In addition, in the case of numbers and alpha bets,
If one character is composed of 5 x 7 dots, one line is 10 x
Four lines can be displayed with n characters. In addition,
One dot is used as the line spacing.
第5図には、この実施例の半導体集積回路を用
いて、16×50ドツトの液晶表示装置LCDを駆動
する場合の概略ブロツク図が示されている。 FIG. 5 shows a schematic block diagram when a 16.times.50 dot liquid crystal display device LCD is driven using the semiconductor integrated circuit of this embodiment.
この実施例では、16×50ドツト構成のLCDに
対して、上記1個の半導体集積回路X−IC1と、
1個の半導体集積回路Y−IC1が用いられている。
また、前記第4図に示した実施例と同様に、上記
Y−IC1の制御等はマイクロプロセツサMPUによ
つて行なわれる。なお、同図では、基準周波数信
号を形成するために用いられる上記外付抵抗とコ
ンデンサが省略されている。この実施例では、走
査線数が16本であるので表示デユーテイは、1/16
に設定される。 In this embodiment, for an LCD with a 16×50 dot configuration, one semiconductor integrated circuit X-IC 1 and
One semiconductor integrated circuit Y-IC 1 is used.
Further, as in the embodiment shown in FIG. 4, the control of the Y-IC 1 and the like is performed by the microprocessor MPU. Note that the external resistor and capacitor used for forming the reference frequency signal are omitted in this figure. In this example, the number of scanning lines is 16, so the display duty is 1/16.
is set to
したがつて、半導体集積回路Y−IC1のRAM
は、その1/2の画素データしか表示のために用い
られない。しかし、この実施例では、上述したよ
うに、アドレスカウンタCTR2内の2進カウン
タの上位2ビツトを自由に変更できるため、アド
レスカウンタCTR2から出力される先頭アドレ
スを簡単に変更することができる。このため、
RAM1とRAM2,RAM2とRAM3,RAM3と
RAM4及びRAM4とRAM1の画素データを選択的
に切り換えて表示させることができる。 Therefore, the RAM of semiconductor integrated circuit Y-IC 1
, only 1/2 of the pixel data is used for display. However, in this embodiment, as described above, since the upper two bits of the binary counter in the address counter CTR2 can be changed freely, the start address output from the address counter CTR2 can be easily changed. For this reason,
RAM 1 and RAM 2 , RAM 2 and RAM 3 , RAM 3 and
The pixel data of RAM 4 and RAM 4 and RAM 1 can be selectively switched and displayed.
このことは、例えば、次のような表示方法を実
現することができる。 This can be achieved, for example, by the following display method.
例えば、メツセージを、2行以上にわたつて表
示させるとき、RAM1,RAM2により2行からな
るメツセージをまず表示させておき、次に、
RAM2,RAM3に切り換えて、2行目と3行目を
表示させるように順次表示行を移動させることが
できる。 For example, when displaying a message over two or more lines, first display the message consisting of two lines using RAM 1 and RAM 2 , and then:
By switching to RAM 2 and RAM 3 , the display lines can be sequentially moved so that the second and third lines are displayed.
この表示切り換えと、、新たな表示データの更
新を順次行なえば、多行にわたるメツセージを極
めて自然な形で表示させることができる。 By sequentially performing this display switching and updating new display data, a message spanning multiple lines can be displayed in an extremely natural manner.
また、RAM1,RAM2の画素データに対して、
白黒を反転させた画素データをRAM3,RAM4に
用意しておいて、交互に切り換えて表示させれ
ば、白黒反転フラツシング表示を行なうこともで
きる。 Also, for the pixel data of RAM 1 and RAM 2 ,
By preparing pixel data in which black and white are inverted in RAM 3 and RAM 4 and displaying them by switching them alternately, a black and white inverted flashing display can also be performed.
また、動画を描く場合にも、上記したような表
示切り換えと、表示データの更新とを順次行なう
ことにより、自然な形で表示させることができ
る。 Furthermore, even when drawing a moving image, by sequentially performing the above-described display switching and updating of display data, it is possible to display the moving image in a natural manner.
このように、この実施例に係る半導体集積回路
Y−ICでは、そのRAMの記憶容量が、それより
も少ないドツト構成の液晶に用いる場合にも、無
駄なく有効に利用できるので、その結果、表示自
由度を高くすることができる。 In this way, in the semiconductor integrated circuit Y-IC according to this embodiment, even when the storage capacity of the RAM is used for a liquid crystal with a smaller number of dots, it can be used effectively without waste, and as a result, the display The degree of freedom can be increased.
また、このような機能の付加によつて、半導体
集積回路内にRAMを構成するものとしても、そ
れが無駄になることがなく、各種のドツト構成の
液晶表示装置に利用できるので、汎用性を高める
ことができる。 In addition, by adding such functions, even if RAM is configured in a semiconductor integrated circuit, it will not be wasted, and it can be used in various dot-structured liquid crystal display devices, increasing versatility. can be increased.
また、RAMに読出し専用出力端子を設けた場
合には、その画素データに従つて表示させながら
画素データの変更を行なうことができるので、使
い易い表示システムと、高い表示品質を得ること
ができる。 Further, when the RAM is provided with a read-only output terminal, pixel data can be changed while displaying according to the pixel data, so an easy-to-use display system and high display quality can be obtained.
また、この実施例のように、走査系と信号系の
表示回路をそれぞれ分割して半導体集積回路とし
た場合には、種々のドツト構成の液晶表示装置に
対して適用させることができるので、半導体集積
回路の量産化を図ることができ、結果として生産
者側としては、低コスト化につながり、使用者側
としてはシステムの変更が容易となる。 Furthermore, as in this embodiment, when the display circuits for the scanning system and the signal system are each divided into a semiconductor integrated circuit, it can be applied to liquid crystal display devices with various dot configurations. It is possible to mass-produce integrated circuits, resulting in lower costs for producers and easier system changes for users.
この発明は、前記実施例に限定されない。 The invention is not limited to the above embodiments.
上記2進カウンタ(Zレジスタ)の先頭アドレ
スは、全ビツトに対してプリセツトを行なうよう
にするものであつてもよい。またRAMの構成、
及びその容量又はその分割方法は、種々変更でき
るものである。 The start address of the binary counter (Z register) may be such that all bits are preset. Also, the configuration of RAM,
And its capacity or its dividing method can be changed in various ways.
また、RAMに対するデータ授受のためのアド
レス設定は、縦方向に順次自動的に進歩させるよ
うにしてもよい。 Further, the address setting for data transfer to and from the RAM may be automatically advanced sequentially in the vertical direction.
第1図は、この発明の一実施例を示す半導体集
積回路のブロツク図、第2図は、そのタイミング
信号の一例を示す波形図、第3図は、RAMを構
成するメモリセルの一実施例の回路図、第4図は
この発明の一実施例を示す表示システムのブロツ
ク図、第5図は、他の一実施例の表示システムの
概略ブロツク図である。
Fig. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram showing an example of its timing signal, and Fig. 3 is an embodiment of a memory cell constituting a RAM. 4 is a block diagram of a display system showing one embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a schematic block diagram of a display system according to another embodiment.
Claims (1)
と、上記RAMの画素データを書き込み及び読み
出しを行うためのアドレス指定回路と、上記
RAMの画素データを書き込み及び読み出しを行
う内部バスと、上記RAMの画素データをドツト
マトリツクス構成の液晶表示装置の走査電極に対
応した画素列データをその選択タイミングに同期
して順次読出す回路と、上記RAMを同数列の複
数メモリアレイに分割し各メモリアレイの画素列
データの先頭アドレスを上記内部バスを介して指
定することができる先頭アドレス指定回路と、上
記読み出された画素列データを並列に入力し保持
するラツチ回路と、上記ラツチ回路からの画素列
データを並列に受けて液晶駆動信号を形成する液
晶駆動回路と、上記内部バスを介して入力される
命令コードに従つて表示開始又は表示停止の制御
を行う制御回路と、外部からの上記画素データを
上記内部バスに授受しあるいは上記命令コードを
内部バスに入力する入出力インタフエースとを単
一の半導体基板上に含むことを特徴とする液晶表
示用半導体集積回路。 2 上記先頭アドレス指定回路は、アドレスカウ
ンタ回路を備え、該アドレスカウンタ回路の特定
ビツトは外部からの信号に基づいてプリセツトさ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の液晶表示用半導体集積回路。 3 上記RAMは、上記RAMの書き込み及び読
み出しのため第1群の選択線及び第2群の選択線
と、上記画素列データを並列に読み出すための第
3群の選択線を有し、上記第1群の選択線の数と
上記メモリアレイの数が等しく、上記第2群の選
択線の数と上記並列に読み出される画素列のビツ
ト数とが等しく、上記各メモリアレイの第3群の
選択線の数と上記内部バスのビツト幅が等しくさ
れてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の液晶表示用半導体集積回路。 4 上記RAMの記憶容量が上記ドツトマトリツ
クス構成の液晶表示装置のドツト数よりも大きく
されてなることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の液晶表示用半導体集積回路。 5 特許請求の範囲第1項ないし第4項記載の液
晶表示用半導体集積回路と、走査電極のタイミン
グを形成する半導体集積回路と、ドツトマトリツ
クス構成の液晶表示装置とを含むことを特徴とす
る液晶表示システム。 6 複数の特許請求の範囲第1項ないし第3項記
載の液晶表示用半導体集積回路と、走査電極のタ
イミングを形成する半導体集積回路と、ドツトマ
トリツクス構成の液晶表示装置とを含む液晶表示
装置であつて、上記走査電極のタイミングを形成
する半導体集積回路で形成されたタイミング信号
が上記複数の液晶表示用半導体集積回路に共通に
入力されてなることを特徴とする液晶表示システ
ム。[Claims] 1. RAM that holds pixel data in a dot configuration
and an addressing circuit for writing and reading pixel data in the RAM;
An internal bus for writing and reading pixel data in the RAM, and a circuit for sequentially reading out pixel column data corresponding to the scanning electrodes of a liquid crystal display device with a dot matrix configuration in synchronization with the selection timing of the pixel data in the RAM. , a start address designation circuit that divides the RAM into a plurality of memory arrays with the same number of columns and can specify the start address of the pixel column data of each memory array via the internal bus; A latch circuit that inputs and holds data in parallel, a liquid crystal drive circuit that receives pixel column data from the latch circuit in parallel and forms a liquid crystal drive signal, and starts display according to an instruction code that is input via the internal bus. Alternatively, a control circuit for controlling display stop and an input/output interface for transmitting and receiving the pixel data from the outside to the internal bus or inputting the instruction code to the internal bus are included on a single semiconductor substrate. Characteristics of semiconductor integrated circuits for liquid crystal displays. 2. The liquid crystal display semiconductor according to claim 1, wherein the head address designation circuit includes an address counter circuit, and a specific bit of the address counter circuit is preset based on an external signal. integrated circuit. 3 The RAM has a first group of selection lines and a second group of selection lines for writing and reading from the RAM, and a third group of selection lines for reading out the pixel column data in parallel, and The number of selection lines in one group is equal to the number of the memory arrays, the number of selection lines in the second group is equal to the number of bits in the pixel column read out in parallel, and the number of selection lines in the third group of each memory array is equal. 2. A semiconductor integrated circuit for liquid crystal display according to claim 1, wherein the number of lines and the bit width of said internal bus are equal. 4. Claim 1, wherein the storage capacity of the RAM is larger than the number of dots in the dot matrix liquid crystal display device.
A semiconductor integrated circuit for liquid crystal display as described in . 5. A semiconductor integrated circuit for liquid crystal display according to claims 1 to 4, a semiconductor integrated circuit that forms the timing of scanning electrodes, and a liquid crystal display device having a dot matrix structure. LCD display system. 6. A liquid crystal display device comprising a semiconductor integrated circuit for liquid crystal display according to a plurality of claims 1 to 3, a semiconductor integrated circuit that forms the timing of scanning electrodes, and a liquid crystal display device having a dot matrix structure. A liquid crystal display system, characterized in that a timing signal formed by a semiconductor integrated circuit that forms the timing of the scanning electrode is commonly input to the plurality of liquid crystal display semiconductor integrated circuits.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109282A JPS58140792A (en) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | Semiconductor integration circuit for liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109282A JPS58140792A (en) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | Semiconductor integration circuit for liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140792A JPS58140792A (en) | 1983-08-20 |
| JPH0467191B2 true JPH0467191B2 (en) | 1992-10-27 |
Family
ID=12045221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2109282A Granted JPS58140792A (en) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | Semiconductor integration circuit for liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140792A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050592A (en) * | 1983-08-30 | 1985-03-20 | シャープ株式会社 | Driving circuit for dot matrix liquid crystal display unit |
| JPS6053993A (en) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | シャープ株式会社 | Display body driving circuit |
| JP2562557Y2 (en) * | 1989-06-29 | 1998-02-10 | カシオ計算機株式会社 | Display control device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54140834A (en) * | 1978-04-24 | 1979-11-01 | Seiko Epson Corp | Portable electronic device |
| JPS54157040A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Liquid crystal element driving system |
| JPS6044667B2 (en) * | 1978-12-18 | 1985-10-04 | 富士通株式会社 | Output control method of data processing system |
| JPS5643687A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Nippon Electric Co | Pattern display system |
| JPS5652794A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-12 | Hitachi Ltd | Crt display unit |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2109282A patent/JPS58140792A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58140792A (en) | 1983-08-20 |
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