JPH0467204B2 - - Google Patents
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- JPH0467204B2 JPH0467204B2 JP57142223A JP14222382A JPH0467204B2 JP H0467204 B2 JPH0467204 B2 JP H0467204B2 JP 57142223 A JP57142223 A JP 57142223A JP 14222382 A JP14222382 A JP 14222382A JP H0467204 B2 JPH0467204 B2 JP H0467204B2
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- control device
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- electronic circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
- H01H47/22—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil
- H01H47/32—Energising current supplied by semiconductor device
- H01H47/325—Energising current supplied by semiconductor device by switching regulator
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D41/00—Electrical control of supply of combustible mixture or its constituents
- F02D41/20—Output circuits, e.g. for controlling currents in command coils
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6877—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the control circuit comprising active elements different from those used in the output circuit
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は自動車の制御装置用電子回路、特に誘
導性の電気負荷とこの負荷に電流を供給するスイ
ツチング手段を備えた自動車の制御装置用電子回
路に関する。
導性の電気負荷とこの負荷に電流を供給するスイ
ツチング手段を備えた自動車の制御装置用電子回
路に関する。
外部点火式の内燃機関では、間欠的に作動する
噴射装置を装備することが多くなつている。この
場合、燃料の供給は電磁作動する噴射弁の開放時
間を制御することによつて行なわれている。噴射
される燃料を正確に制量するためには、噴射弁を
極めて速く切り替えるようにすることが必要であ
る。これは、少なくとも電磁弁をONさせる瞬間
に大きな切り替え電流を流すことによつて行なわ
れている。電力消費を少なくするために、電磁噴
射弁が開放し始める時には電磁石の巻線に大きな
電流を流し、続いてこの電流をいわゆる電磁噴射
弁を開放位置に保持するに必要な保持電流にまで
減少させ、噴射パルスの終了時にはこの保持電流
も遮断するような構成が知られている。保持電流
をできるだけ小さくするために、この電流を制御
する必要がある。そのために、電磁弁の励磁巻線
ならびに電流制御手段（通常トランジスタ）と直
列に電流を測定する抵抗を設け、この測定用抵抗
の電圧降下を介して電磁巻線に流れる電流を所定
の値に制御する方法が知られている。従つて、従
来のこのような電子回路では、電源電圧端子間に
噴射弁の励磁巻線、電流制御手段及び測定用抵抗
の３つの素子が接続されることになる。しかし、
装置全体を簡単なものにするという観点から、測
定用の抵抗は好ましくないものとなる。というの
は、通常、抵抗値が低い場合に電力が大きくなる
ように設計されており、回路計算の場合に少なか
らず重要なこととなるからである。
噴射装置を装備することが多くなつている。この
場合、燃料の供給は電磁作動する噴射弁の開放時
間を制御することによつて行なわれている。噴射
される燃料を正確に制量するためには、噴射弁を
極めて速く切り替えるようにすることが必要であ
る。これは、少なくとも電磁弁をONさせる瞬間
に大きな切り替え電流を流すことによつて行なわ
れている。電力消費を少なくするために、電磁噴
射弁が開放し始める時には電磁石の巻線に大きな
電流を流し、続いてこの電流をいわゆる電磁噴射
弁を開放位置に保持するに必要な保持電流にまで
減少させ、噴射パルスの終了時にはこの保持電流
も遮断するような構成が知られている。保持電流
をできるだけ小さくするために、この電流を制御
する必要がある。そのために、電磁弁の励磁巻線
ならびに電流制御手段（通常トランジスタ）と直
列に電流を測定する抵抗を設け、この測定用抵抗
の電圧降下を介して電磁巻線に流れる電流を所定
の値に制御する方法が知られている。従つて、従
来のこのような電子回路では、電源電圧端子間に
噴射弁の励磁巻線、電流制御手段及び測定用抵抗
の３つの素子が接続されることになる。しかし、
装置全体を簡単なものにするという観点から、測
定用の抵抗は好ましくないものとなる。というの
は、通常、抵抗値が低い場合に電力が大きくなる
ように設計されており、回路計算の場合に少なか
らず重要なこととなるからである。
従つて本発明は、このような従来の欠点を解決
するもので、何ら測定精度を落とすことなく測定
用の抵抗を省くことができる自動車の制御装置用
電子回路を提供することを目的とする。
するもので、何ら測定精度を落とすことなく測定
用の抵抗を省くことができる自動車の制御装置用
電子回路を提供することを目的とする。
本発明によれば、この目的を達成するために、
誘導性電気負荷と前記負荷に電流を供給するスイ
ツチング手段を備えた自動車の制御装置用電子回
路において、前記スイツチング手段が電界効果ト
ランジスタにより構成され、前記電界効果トラン
ジスタのドレイン・ソース間の電圧により負荷に
流れる電流が測定され、測定された電流に従つて
負荷に流れる電流が制御される構成を採用した。
誘導性電気負荷と前記負荷に電流を供給するスイ
ツチング手段を備えた自動車の制御装置用電子回
路において、前記スイツチング手段が電界効果ト
ランジスタにより構成され、前記電界効果トラン
ジスタのドレイン・ソース間の電圧により負荷に
流れる電流が測定され、測定された電流に従つて
負荷に流れる電流が制御される構成を採用した。
このような構成では、電界効果トランジスタを
用いて負荷に電流を供給するスイツチング機能を
働かせるとともに、負荷に流れる電流を測定する
電流測定用の抵抗としての機能も受け持たせるこ
とができる。従つて、負荷に流れる電流を測定す
る抵抗を別個に設ける必要がなくなり、全体の構
成を安価にすることができるという効果が得られ
る。
用いて負荷に電流を供給するスイツチング機能を
働かせるとともに、負荷に流れる電流を測定する
電流測定用の抵抗としての機能も受け持たせるこ
とができる。従つて、負荷に流れる電流を測定す
る抵抗を別個に設ける必要がなくなり、全体の構
成を安価にすることができるという効果が得られ
る。
電界効果トランジスタが導通している場合に
は、コンデンサ間の電圧により負荷に流れる電流
を形成し、また電界効果トランジスタが遮断して
いる場合にはコンデンサの放電を介して還流回路
に流れる電流の大きさをシミユレーシヨンするよ
うにしている。
は、コンデンサ間の電圧により負荷に流れる電流
を形成し、また電界効果トランジスタが遮断して
いる場合にはコンデンサの放電を介して還流回路
に流れる電流の大きさをシミユレーシヨンするよ
うにしている。
このようにして、本発明による電子回路では、
何ら精度を落とすことなく、これまで必要であつ
た測定用抵抗を省略することができる。とりわ
け、避けがたい電力損失のために発生する熱を考
え合わせれば、本発明は個々の素子を高密度で実
装しようとしたとき、とりわけ有利なものとな
る。
何ら精度を落とすことなく、これまで必要であつ
た測定用抵抗を省略することができる。とりわ
け、避けがたい電力損失のために発生する熱を考
え合わせれば、本発明は個々の素子を高密度で実
装しようとしたとき、とりわけ有利なものとな
る。
以下、図面に示す実施例に基づき、本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明では一実施例として、外部点火式内燃機
関の電磁制御噴射装置における信号の最終段部分
を例にあげて説明する。このような信号の最終段
は、また「電流制御された最終段」としても知ら
れている。
関の電磁制御噴射装置における信号の最終段部分
を例にあげて説明する。このような信号の最終段
は、また「電流制御された最終段」としても知ら
れている。
第１図において符号１０で示すものは、負荷、
即ち本実施例では、電磁噴射弁の電磁巻線であ
り、これと直列に電界効果トランジスタ（以下
FETという）１１が接続されている。この直列
回路は電源電圧端子（詳細に図示せず）間に接続
されている。電界効果トランジスタは、負荷に電
流を供給するスイツチング手段となる。電磁巻線
１０と並列に、さらに還流ダイオード１２が接続
される。入力端子１３は抵抗１４を介して演算増
幅器１５のプラス入力に接続され、この演算増幅
器の出力はFET１１のゲート端子と接続される。
演算増幅器１５は抵抗１６を介してフイードバツ
クされている。また、マイナス入力端子はコンデ
ンサ１７を介してアースと接続され、さらにリー
ド線１８を介して切り替えスイツチ１９に接続さ
れている。切り替えスイツチ１９が図示した位置
にあると、コンデンサ１７はFET１１のドレイ
ンソース回路と並列に接続される。この場合、
FETの近傍には温度補償回路２０が接続される。
切り替えスイツチ１９が他方の切り替え位置にあ
ると、演算増幅器１５は抵抗２１を介して負帰還
される。図において点線はスイツチ１９がFET
１１のドレイン信号か、あるいは演算増幅器１５
の出力信号によつて切り替えられることを示して
いる。
即ち本実施例では、電磁噴射弁の電磁巻線であ
り、これと直列に電界効果トランジスタ（以下
FETという）１１が接続されている。この直列
回路は電源電圧端子（詳細に図示せず）間に接続
されている。電界効果トランジスタは、負荷に電
流を供給するスイツチング手段となる。電磁巻線
１０と並列に、さらに還流ダイオード１２が接続
される。入力端子１３は抵抗１４を介して演算増
幅器１５のプラス入力に接続され、この演算増幅
器の出力はFET１１のゲート端子と接続される。
演算増幅器１５は抵抗１６を介してフイードバツ
クされている。また、マイナス入力端子はコンデ
ンサ１７を介してアースと接続され、さらにリー
ド線１８を介して切り替えスイツチ１９に接続さ
れている。切り替えスイツチ１９が図示した位置
にあると、コンデンサ１７はFET１１のドレイ
ンソース回路と並列に接続される。この場合、
FETの近傍には温度補償回路２０が接続される。
切り替えスイツチ１９が他方の切り替え位置にあ
ると、演算増幅器１５は抵抗２１を介して負帰還
される。図において点線はスイツチ１９がFET
１１のドレイン信号か、あるいは演算増幅器１５
の出力信号によつて切り替えられることを示して
いる。
次に、第１図に図示した回路の動作を、第２図
を用いて説明する。その場合、第２ａ図はコンデ
ンサ１７間の信号を示し、また第２ｂ図はFET
１１のドレインソース回路間の電圧降下を示して
いる。
を用いて説明する。その場合、第２ａ図はコンデ
ンサ１７間の信号を示し、また第２ｂ図はFET
１１のドレインソース回路間の電圧降下を示して
いる。
本発明の実施例では、噴射パルスが発生してい
る間、噴射弁の電磁巻線１０に流れる電流はON
−OFF制御される。従つて電磁巻線と直列に接
続されたFETは、噴射パルスのパルス期間では
クロツク的にON−OFF制御される。FETが導通
している間は電流測定用の抵抗とみなすことがで
き、一方遮断期間ではFETに電流が流れず、そ
の間の電圧降下は発生しないので、遮断期間の間
では電磁弁に流れる電流を測定する抵抗としての
機能は行なわず、従つて電磁弁に流れる電流を表
わす量を求めなければならない。このために、
FET１１が遮断している間、電磁弁１０に流れ
る電流の量をシミユレーシヨンするようにしてお
り、これはRC素子によつて行なわれる。すなわ
ち、FETが導通している間は、コンデンサ１７
が充電され、続く遮断期間では放電される。これ
は、抵抗２１を介して行なわれる。第２図にはコ
ンデンサ１７が充放電される様子が図示されてお
り、その場合演算増幅器１５に従つて用いられる
個々の抵抗の大きさに従つてヒステリシスが発生
する。FET１１に電流が流れる部分は、電圧値
が上昇する信号部分に対応し、一方シミユレーシ
ヨン期間は電圧値が下がる部分に対応する。この
ようにして第１図に図示した回路により第２図に
図示したような特性で噴射パルスがある間、スイ
ツチングトランジスタがON，OFFされ、それに
対応して電流値は最大の値とシミユレーシヨンさ
れる最小値との間で流れることになる。
る間、噴射弁の電磁巻線１０に流れる電流はON
−OFF制御される。従つて電磁巻線と直列に接
続されたFETは、噴射パルスのパルス期間では
クロツク的にON−OFF制御される。FETが導通
している間は電流測定用の抵抗とみなすことがで
き、一方遮断期間ではFETに電流が流れず、そ
の間の電圧降下は発生しないので、遮断期間の間
では電磁弁に流れる電流を測定する抵抗としての
機能は行なわず、従つて電磁弁に流れる電流を表
わす量を求めなければならない。このために、
FET１１が遮断している間、電磁弁１０に流れ
る電流の量をシミユレーシヨンするようにしてお
り、これはRC素子によつて行なわれる。すなわ
ち、FETが導通している間は、コンデンサ１７
が充電され、続く遮断期間では放電される。これ
は、抵抗２１を介して行なわれる。第２図にはコ
ンデンサ１７が充放電される様子が図示されてお
り、その場合演算増幅器１５に従つて用いられる
個々の抵抗の大きさに従つてヒステリシスが発生
する。FET１１に電流が流れる部分は、電圧値
が上昇する信号部分に対応し、一方シミユレーシ
ヨン期間は電圧値が下がる部分に対応する。この
ようにして第１図に図示した回路により第２図に
図示したような特性で噴射パルスがある間、スイ
ツチングトランジスタがON，OFFされ、それに
対応して電流値は最大の値とシミユレーシヨンさ
れる最小値との間で流れることになる。
噴射パルスの開放期間の開始時には、出力を大
きくしなければならないので、全体の電力損失を
できるだけわずかなものにするために、初めに電
磁弁に大きな電流を流すことによつて必要な電力
を大きくするようにすることが好ましい。続く噴
射パルスの残りの期間に対しては、エネルギーを
減少させ、例えば電磁弁を開放位置に保持させる
だけの大きさにする。このような特性を実現する
回路が、詳細に第３図に図示されている。同図に
おいて第１図と同様な部分には、同一の参照番号
が付されている。
きくしなければならないので、全体の電力損失を
できるだけわずかなものにするために、初めに電
磁弁に大きな電流を流すことによつて必要な電力
を大きくするようにすることが好ましい。続く噴
射パルスの残りの期間に対しては、エネルギーを
減少させ、例えば電磁弁を開放位置に保持させる
だけの大きさにする。このような特性を実現する
回路が、詳細に第３図に図示されている。同図に
おいて第１図と同様な部分には、同一の参照番号
が付されている。
第３図において、第１図のスイツチ１９はダイ
オードの組み合わせによつて実現される。第３図
においてリード線１８は２つのダイオード２５，
２６を介してFET１１のドレイン端子と接続さ
れ、さらにダイオード２７と抵抗２８の並列回路
を介して接続線２９と接続される。この接続線２
９はダイオード３０を介して演算増幅器１５の出
力と接続されるとともに、抵抗３１を介してプラ
ス線３２と接続される。演算増幅器１５の出力
は、さらに抵抗３３を介してプラス線３２と接続
されている。
オードの組み合わせによつて実現される。第３図
においてリード線１８は２つのダイオード２５，
２６を介してFET１１のドレイン端子と接続さ
れ、さらにダイオード２７と抵抗２８の並列回路
を介して接続線２９と接続される。この接続線２
９はダイオード３０を介して演算増幅器１５の出
力と接続されるとともに、抵抗３１を介してプラ
ス線３２と接続される。演算増幅器１５の出力
は、さらに抵抗３３を介してプラス線３２と接続
されている。
初めの電流を大きくし、それによつて電磁巻線
１０に流れる吸引電流を十分なものとするため
に、抵抗１４と並列にRC素子が用いられる。こ
のRC素子はコンデンサ３５とダイオード３６の
直列回路から成り、この両素子の接続点は抵抗３
７を介してアースと接続される。さらに、電磁巻
線１０と並列に抵抗３８が点線で図示されてお
り、その抵抗は電磁巻線１１のオーム抵抗を示し
ている。
１０に流れる吸引電流を十分なものとするため
に、抵抗１４と並列にRC素子が用いられる。こ
のRC素子はコンデンサ３５とダイオード３６の
直列回路から成り、この両素子の接続点は抵抗３
７を介してアースと接続される。さらに、電磁巻
線１０と並列に抵抗３８が点線で図示されてお
り、その抵抗は電磁巻線１１のオーム抵抗を示し
ている。
以下、第３図の回路の動作を説明する。
入力端子の電位（UE）が正の値になると、演
算増幅器１５が導通し、その出力値は同様に大き
くなり、FET１１は導通状態となる。そのチヤ
ンネル抵抗（Rpo）により電圧が降下し、その値
は電磁巻線１０に流れる電流に比例する。抵抗３
１及びダイオード２７を介してダイオード２５，
２６が低抵抗にバイアスされる。これは、ダイオ
ード２５のアノードでは、ドレインソース電圧が
両ダイオード２５，２６の順方向電圧の２倍だけ
大きくなり、コンデンサ１７の電圧はその電圧に
従うことを意味する。これは、第１図及び第２図
に関連した説明における電流測定期間に対応す
る。コンデンサ１７間の電圧がコンパレータとし
て接続された演算増幅器１５のしきい値に達する
と、その出力は低い電位となり、それによつて
FET１１は遮断し、電磁巻線１０に流れる電流
は還流ダイオード１２を介して指数関数的に減少
する。同時に、両ダイオード２５，２６は遮断方
向の極性となる。最初のしきい値電圧Upは、両
抵抗１４，１６により低い値Up′となり、それに
より第２図に図示されたようなヒステリシスが発
生する。コンデンサ１７は抵抗２８、ダイオード
３０ならびに演算増幅器１５の出力を介して放電
される。この場合、抵抗２８の抵抗値を変えるこ
とにより放電時間を変化させることができ、それ
によつて電磁巻線１０に流れる電流の大きさを適
合させることができる（シミユレーシヨン期間）。
算増幅器１５が導通し、その出力値は同様に大き
くなり、FET１１は導通状態となる。そのチヤ
ンネル抵抗（Rpo）により電圧が降下し、その値
は電磁巻線１０に流れる電流に比例する。抵抗３
１及びダイオード２７を介してダイオード２５，
２６が低抵抗にバイアスされる。これは、ダイオ
ード２５のアノードでは、ドレインソース電圧が
両ダイオード２５，２６の順方向電圧の２倍だけ
大きくなり、コンデンサ１７の電圧はその電圧に
従うことを意味する。これは、第１図及び第２図
に関連した説明における電流測定期間に対応す
る。コンデンサ１７間の電圧がコンパレータとし
て接続された演算増幅器１５のしきい値に達する
と、その出力は低い電位となり、それによつて
FET１１は遮断し、電磁巻線１０に流れる電流
は還流ダイオード１２を介して指数関数的に減少
する。同時に、両ダイオード２５，２６は遮断方
向の極性となる。最初のしきい値電圧Upは、両
抵抗１４，１６により低い値Up′となり、それに
より第２図に図示されたようなヒステリシスが発
生する。コンデンサ１７は抵抗２８、ダイオード
３０ならびに演算増幅器１５の出力を介して放電
される。この場合、抵抗２８の抵抗値を変えるこ
とにより放電時間を変化させることができ、それ
によつて電磁巻線１０に流れる電流の大きさを適
合させることができる（シミユレーシヨン期間）。
一方、コンデンサの値がしきい値Up′に達する
と、演算増幅器１５は再び切り替わり、続いて
FET１１に電流が流れる次の測定期間となる。
と、演算増幅器１５は再び切り替わり、続いて
FET１１に電流が流れる次の測定期間となる。
続く保持電流よりも大きな初期の吸引電流を得
るために、コンデンサ３５及び抵抗３７から成る
ハイパスフイルタが用いられる。それにより演算
増幅器１５の初期しきい値は、それに対応して大
きくなる。
るために、コンデンサ３５及び抵抗３７から成る
ハイパスフイルタが用いられる。それにより演算
増幅器１５の初期しきい値は、それに対応して大
きくなる。
短絡時には抵抗３８が電磁巻線１０と並列に接
続される。その抵抗値が比較的小さいため、コン
デンサ１７間の電圧は急速に上昇し、短時間のう
ちに演算増幅器１５のしきい値電圧に達し、それ
によりFET１１が導通している期間はごく短か
くなる。次の切り替えは電磁弁が正しく接続され
るシミユレーシヨン期間に入り、コンデンサ１７
の電圧が再び減少した時に行なわれる。それによ
り、短絡時にもFETにおける平均電力損失は最
小値に減少する。
続される。その抵抗値が比較的小さいため、コン
デンサ１７間の電圧は急速に上昇し、短時間のう
ちに演算増幅器１５のしきい値電圧に達し、それ
によりFET１１が導通している期間はごく短か
くなる。次の切り替えは電磁弁が正しく接続され
るシミユレーシヨン期間に入り、コンデンサ１７
の電圧が再び減少した時に行なわれる。それによ
り、短絡時にもFETにおける平均電力損失は最
小値に減少する。
MOSトランジスタ、特にSip−MOSトランジ
スタの場合、導通した状態で所定の抵抗値を持つ
ようになる。この抵抗値は個々のトランジスタ間
でごくわずかしかばらつきがない。温度係数は正
である。また、温度係数が負であるダイオード２
５，２６が熱的に結合されることにより温度補償
が得られ、それによつてコンデンサ１７間の信号
特性は温度に無関係となる。従つて、全体の回路
と共にMOSチツプ上に両ダイオード２５，２６
を集積化する場合、このような組み合わせが最適
となる。また、場合によつては１つのダイオード
でも十分な場合もある。
スタの場合、導通した状態で所定の抵抗値を持つ
ようになる。この抵抗値は個々のトランジスタ間
でごくわずかしかばらつきがない。温度係数は正
である。また、温度係数が負であるダイオード２
５，２６が熱的に結合されることにより温度補償
が得られ、それによつてコンデンサ１７間の信号
特性は温度に無関係となる。従つて、全体の回路
と共にMOSチツプ上に両ダイオード２５，２６
を集積化する場合、このような組み合わせが最適
となる。また、場合によつては１つのダイオード
でも十分な場合もある。
電磁弁１０の短絡だけしか識別しないような場
合か、制御回路を組み合わせることによつて駆動
電圧によりドリフトを補償できるような場合には
FET１１の温度特性の補償を省略することもで
きる。
合か、制御回路を組み合わせることによつて駆動
電圧によりドリフトを補償できるような場合には
FET１１の温度特性の補償を省略することもで
きる。
第４図には、第３図の回路の変形例が図示され
ており、同図の場合コンデンサ１７とダイオード
２５，２６間にトランジスタ４０のコレクタ・エ
ミツタ回路が接続される。トランジスタ４０のベ
ースは抵抗４１を介して演算増幅器１５の出力と
接続される。また、コンデンサ１７と並列に抵抗
４２が接続され、それによつてコンデンサ１７の
放電が決められる。また、トランジスタ４０のエ
ミツタは抵抗４３を介してプラス線３２と接続さ
れている。
ており、同図の場合コンデンサ１７とダイオード
２５，２６間にトランジスタ４０のコレクタ・エ
ミツタ回路が接続される。トランジスタ４０のベ
ースは抵抗４１を介して演算増幅器１５の出力と
接続される。また、コンデンサ１７と並列に抵抗
４２が接続され、それによつてコンデンサ１７の
放電が決められる。また、トランジスタ４０のエ
ミツタは抵抗４３を介してプラス線３２と接続さ
れている。
原理的には、第４図に示した回路は第１図及び
第３図のものと対応する。異なるところは第１図
のスイツチ１９の部分である。その場合、コンデ
ンサ１７が放電する間、それと並列に接続された
抵抗４２が有効になるようになる。
第３図のものと対応する。異なるところは第１図
のスイツチ１９の部分である。その場合、コンデ
ンサ１７が放電する間、それと並列に接続された
抵抗４２が有効になるようになる。
第５図には、電磁弁を複数個設ける例が図示さ
れている。FET１１には端子５１から抵抗５０
を介して信号が入力され、噴射パルスを示す全体
の期間が定められる。他の回路は噴射パルスが現
われている全体の期間にわたつてFET１１を
ON，OFFし、それによつて励磁巻線１０に流れ
る電流を絞るようにしている。さらに、コンデン
サ１７ならびにそれと並列に接続された抵抗４２
を備えた演算増幅器１５が接続されている。ま
た、電磁巻線１０と並列にダイオード２５，２６
ならびに抵抗３１から成る直列回路が接続されて
いる。ダイオード２５と抵抗３１の接続点はスイ
ツチ５３ならびにダイオード５４を介して演算増
幅器１５のマイナス入力と接続され、そのマイナ
ス入力には前述したRC素子１７，４２も接続さ
れている。演算増幅器１５のプラス入力には抵抗
５５を介してしきい値制御信号（US）が入力さ
れ、その演算増幅器の出力はダイオード５６を介
してFET１１のゲート端子と接続される。スイ
ツチ５３も同様にこのゲート信号により駆動され
る。第５図の実施例において重要なことは、素子
１０〜１２，２５，２６，３１及び５０〜５６か
ら成る部分が２個設けられており、さらに任意に
複数個設けることができることである。その場
合、個々の端子５１，５１′を介して電磁巻線１
０，１０′を備えた噴射弁を互いに独立して制御
することができる。電磁巻線１０，１０′に対す
る切り替え信号を重複させない場合には、RC素
子１４，４２及び演算増幅器１５から成る測定及
びシミユレーシヨンユニツトを１つ用いるだけで
良い。
れている。FET１１には端子５１から抵抗５０
を介して信号が入力され、噴射パルスを示す全体
の期間が定められる。他の回路は噴射パルスが現
われている全体の期間にわたつてFET１１を
ON，OFFし、それによつて励磁巻線１０に流れ
る電流を絞るようにしている。さらに、コンデン
サ１７ならびにそれと並列に接続された抵抗４２
を備えた演算増幅器１５が接続されている。ま
た、電磁巻線１０と並列にダイオード２５，２６
ならびに抵抗３１から成る直列回路が接続されて
いる。ダイオード２５と抵抗３１の接続点はスイ
ツチ５３ならびにダイオード５４を介して演算増
幅器１５のマイナス入力と接続され、そのマイナ
ス入力には前述したRC素子１７，４２も接続さ
れている。演算増幅器１５のプラス入力には抵抗
５５を介してしきい値制御信号（US）が入力さ
れ、その演算増幅器の出力はダイオード５６を介
してFET１１のゲート端子と接続される。スイ
ツチ５３も同様にこのゲート信号により駆動され
る。第５図の実施例において重要なことは、素子
１０〜１２，２５，２６，３１及び５０〜５６か
ら成る部分が２個設けられており、さらに任意に
複数個設けることができることである。その場
合、個々の端子５１，５１′を介して電磁巻線１
０，１０′を備えた噴射弁を互いに独立して制御
することができる。電磁巻線１０，１０′に対す
る切り替え信号を重複させない場合には、RC素
子１４，４２及び演算増幅器１５から成る測定及
びシミユレーシヨンユニツトを１つ用いるだけで
良い。
以上説明したいずれの実施例の場合も、電磁弁
に流れる電流を測定する抵抗を別個に設ける必要
はなく、それによつて安価なものとなるという有
利な効果が得られる。さらに、構成が簡単なため
に、制御装置で消費される電力が少なく、とりわ
け回路装置を完全に集積化した場合、温度補償が
簡単になるという利点が得られる。さらに、本発
明による回路は短絡に強いという効果がある。
に流れる電流を測定する抵抗を別個に設ける必要
はなく、それによつて安価なものとなるという有
利な効果が得られる。さらに、構成が簡単なため
に、制御装置で消費される電力が少なく、とりわ
け回路装置を完全に集積化した場合、温度補償が
簡単になるという利点が得られる。さらに、本発
明による回路は短絡に強いという効果がある。
本発明を内燃機関の噴射装置に関連して説明し
たが、本発明はこれに限定されることなく、誘導
性の負荷を速くしかも確実に動作させ、同時に安
価な構成とするような場合に利用することができ
る。特に、パルス長さが変調された信号によつて
動作するデイーゼル機関の噴射装置に用いられる
燃料供給量を定める電磁調節装置にも応用するこ
とができる。さらに、油圧あるいは液圧装置用の
電磁弁に対しても応用することができる。高周波
のパルス信号でパワーインダクタンスとキヤパシ
タンスが有効となり、回路が短絡防止として機能
するとき、本発明を抵抗性の負荷ならびに容量性
の負荷にも応用することができることがわかつ
た。
たが、本発明はこれに限定されることなく、誘導
性の負荷を速くしかも確実に動作させ、同時に安
価な構成とするような場合に利用することができ
る。特に、パルス長さが変調された信号によつて
動作するデイーゼル機関の噴射装置に用いられる
燃料供給量を定める電磁調節装置にも応用するこ
とができる。さらに、油圧あるいは液圧装置用の
電磁弁に対しても応用することができる。高周波
のパルス信号でパワーインダクタンスとキヤパシ
タンスが有効となり、回路が短絡防止として機能
するとき、本発明を抵抗性の負荷ならびに容量性
の負荷にも応用することができることがわかつ
た。
第１図は本発明に係る電子回路の駆動原理を説
明する回路図、第２ａ図及び第２ｂ図はそれぞれ
第１図の動作を説明する信号波形図、第３図、第
４図、第５図はそれぞれ本発明の異なる実施例の
構成を示した回路図である。 １０……電磁巻線、１１……電界効果トランジ
スタ、１２……還流ダイオード、１３……入力端
子、１５……演算増幅器、１９……切り替えスイ
ツチ、２０……温度補償回路。
明する回路図、第２ａ図及び第２ｂ図はそれぞれ
第１図の動作を説明する信号波形図、第３図、第
４図、第５図はそれぞれ本発明の異なる実施例の
構成を示した回路図である。 １０……電磁巻線、１１……電界効果トランジ
スタ、１２……還流ダイオード、１３……入力端
子、１５……演算増幅器、１９……切り替えスイ
ツチ、２０……温度補償回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘導性電気負荷１０と前記負荷に電流を供給
するスイツチング手段１１を備えた自動車の制御
装置用電子回路において、 前記スイツチング手段が電界効果トランジスタ
FETにより構成され、 前記電界効果トランジスタのドレイン・ソース
間の電圧により負荷に流れる電流が測定され、 測定された電流に従つて負荷に流れる電流が制
御されることを特徴とする自動車の制御装置用電
子回路。 ２ 前記負荷として燃料供給手段が用いられるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の自
動車の制御装置用電子回路。 ３ 前記燃料供給手段は電磁弁であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項に記載の自動車の制
御装置用電子回路。 ４ RC素子１７，２１，２８，４２を用いて負
荷に流れる電流が測定及びシミユレーシヨンされ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の自動車の制御装置用電子回路。 ５ 電界効果トランジスタに電流が流れる間にコ
ンデンサ１７を充電し、一方電界効果トランジス
タの遮断期間で前記コンデンサを放電することを
特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の自動車
の制御装置用電子回路。 ６ 電界効果トランジスタの前段にコンパレータ
として構成された演算増幅器１５を接続し、その
演算増幅器をコンデンサ１７間の信号に応じて切
り替えることを特徴とする特許請求の範囲第４項
又は第５項に記載の自動車の制御装置用電子回
路。 ７ 電界効果トランジスタ１１に流れる電流の最
初の切替えしきい値を続く切替えしきい値よりも
大きくすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項から第６項までのいずれか１項に記載の自動車
の制御装置用電子回路。 ８ 電界効果トランジスタに流れる電流信号を電
界効果トランジスタに接続されたダイオードを介
して得ることを特徴とする特許請求の範囲第１項
から第７項までのいずれか１項に記載の自動車の
制御装置用電子回路。 ９ 負荷１０及び電界効果トランジスタ１１を複
数個設け、それに関連するRC素子１７，４２及
び演算増幅器１５を共通にすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項から第８項までのいずれか
１項に記載の自動車の制御装置用電子回路。 １０ 前記燃料供給手段はデイーゼルエンジンの
燃料噴射装置の燃料供給量を定める部材の調節装
置であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
に記載の自動車の制御装置用電子回路。 １１ 前記負荷として油圧あるいは液圧装置用の
電磁弁が用いられることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の自動車の制御装置用電子回
路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3135805.5 | 1981-09-10 | ||
| DE19813135805 DE3135805A1 (de) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | Elektrische schaltungsanordnung in verbindung mit einem kfz-steuergeraet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874848A JPS5874848A (ja) | 1983-05-06 |
| JPH0467204B2 true JPH0467204B2 (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=6141270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57142223A Granted JPS5874848A (ja) | 1981-09-10 | 1982-08-18 | 自動車の制御装置用電子回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4492913A (ja) |
| EP (1) | EP0074536B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5874848A (ja) |
| DE (2) | DE3135805A1 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3324819A1 (de) * | 1983-07-09 | 1985-01-24 | Westfälische Metall Industrie KG Hueck & Co, 4780 Lippstadt | Schaltungsanordnung mit einem eine last schaltenden, steuerbaren elektronischen bauelement |
| GB2143696B (en) * | 1983-07-18 | 1987-05-28 | Pt Components Inc | Operating coil control system |
| DE3338764A1 (de) * | 1983-10-26 | 1985-05-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schaltungsanordnung zum ein- und ausschalten und ueberwachen elektrischer verbraucher |
| US4535879A (en) * | 1984-02-29 | 1985-08-20 | Borg-Warner Corporation | Control system for controlling the engagement of a pressure-operated actuator |
| GB8406331D0 (en) * | 1984-03-10 | 1984-04-11 | Lucas Ind Plc | Control system |
| DE3436456A1 (de) * | 1984-10-05 | 1986-04-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schaltungsanordnung zur steuerung des stroms durch einen elektrischen, insbesondere elektromagnetischen verbraucher |
| DE3423769A1 (de) * | 1984-06-28 | 1986-01-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schaltendstufe, insbesondere eines schaltreglers fuer ventilmagnete |
| DE3442764A1 (de) * | 1984-11-23 | 1986-05-28 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schalteinrichtung zum schnellen schalten elektromagnetischer verbraucher |
| DE3508187A1 (de) * | 1985-03-05 | 1986-09-11 | Oelsch KG, 1000 Berlin | Ventilsteuerschaltung |
| DE3509961A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schaltungsanordnung zur steuerung des stromes durch einen elektrischen, insbesondere elektromagnetischen verbraucher |
| US4604675A (en) * | 1985-07-16 | 1986-08-05 | Caterpillar Tractor Co. | Fuel injection solenoid driver circuit |
| US4636620A (en) * | 1985-09-13 | 1987-01-13 | Allied Corporation | Temperature compensation injector control system |
| JPH07118938B2 (ja) * | 1986-05-22 | 1995-12-18 | 松下電器産業株式会社 | モ−タの速度制御装置 |
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| US5267545A (en) * | 1989-05-19 | 1993-12-07 | Orbital Engine Company (Australia) Pty. Limited | Method and apparatus for controlling the operation of a solenoid |
| JP2786332B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1998-08-13 | オービタル、エンジン、カンパニー、（オーストラリア）、プロプライエタリ、リミテッド | ソレノイドの作動制御方法及びその装置 |
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| DE4140043A1 (de) * | 1991-12-05 | 1993-06-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | System zur ansteuerung eines induktiven verbrauchers |
| US5608632A (en) * | 1993-10-19 | 1997-03-04 | White; Robert M. | Self-contained sequential-throttle-body-injection engine control system |
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| US5687050A (en) * | 1995-07-25 | 1997-11-11 | Ficht Gmbh | Electronic control circuit for an internal combustion engine |
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| DE29715925U1 (de) * | 1997-09-05 | 1997-10-23 | Festo AG & Co, 73734 Esslingen | Schaltungsvorrichtung |
| FR2772972B1 (fr) * | 1997-12-19 | 2000-01-28 | Renault | Dispositif de commande d'un electroaimant |
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| JP6266933B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-01-24 | 本田技研工業株式会社 | 制動装置のバルブシステム |
| US9778149B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-10-03 | Swagelok Company | Fluid sample system and method |
| US9935553B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-04-03 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Control scheme for hysteretic buck controller with inductor coil current estimation |
| DE102017116379A1 (de) * | 2017-07-20 | 2019-01-24 | Liebherr-Components Deggendorf Gmbh | Vorrichtung zur Zustandserfassung eines Injektors |
| DE102018209680B4 (de) * | 2018-06-15 | 2023-08-10 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Schaltungsanordnung zum Betreiben eines Verbrauchers |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3724430A (en) * | 1969-10-15 | 1973-04-03 | Bosch Gmbh Robert | Fuel injection regulator for internal combustion engines |
| US3916220A (en) * | 1974-04-02 | 1975-10-28 | Denes Roveti | Current control electronic switch |
| EP0009370A1 (en) * | 1978-09-21 | 1980-04-02 | WARD & GOLDSTONE LIMITED | An electronic switch and method of operating it |
| GB2048596B (en) * | 1979-04-27 | 1983-11-02 | Ch Polt I | Device for switching dc circuits |
| FR2458106A1 (fr) * | 1979-05-31 | 1980-12-26 | Thomson Csf | Circuit electronique de commande pour electrovanne |
| JPS5675956A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-23 | Nippon Denso Co Ltd | Injector driving circuit |
| US4429339A (en) * | 1982-06-21 | 1984-01-31 | Eaton Corporation | AC Transistor switch with overcurrent protection |
-
1981
- 1981-09-10 DE DE19813135805 patent/DE3135805A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57142223A patent/JPS5874848A/ja active Granted
- 1982-08-25 US US06/411,713 patent/US4492913A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-08-26 EP EP82107852A patent/EP0074536B1/de not_active Expired
- 1982-08-26 DE DE8282107852T patent/DE3276678D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0074536B1 (de) | 1987-07-01 |
| DE3276678D1 (en) | 1987-08-06 |
| EP0074536A2 (de) | 1983-03-23 |
| EP0074536A3 (en) | 1983-08-03 |
| US4492913A (en) | 1985-01-08 |
| JPS5874848A (ja) | 1983-05-06 |
| DE3135805A1 (de) | 1983-03-24 |
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