JPH0467332A - 光ディスクとその製造方法 - Google Patents
光ディスクとその製造方法Info
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- JPH0467332A JPH0467332A JP2173788A JP17378890A JPH0467332A JP H0467332 A JPH0467332 A JP H0467332A JP 2173788 A JP2173788 A JP 2173788A JP 17378890 A JP17378890 A JP 17378890A JP H0467332 A JPH0467332 A JP H0467332A
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- Japan
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- film
- stress
- recording medium
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明は、光ディスクの反りの防止に関し、特に基板
の両面に設けた紫外線硬化樹脂等の合成樹脂膜に応力を
持たせて、反りを防止することに関する。
の両面に設けた紫外線硬化樹脂等の合成樹脂膜に応力を
持たせて、反りを防止することに関する。
［従来技術］
基板上に光記録媒体の膜を設けた光ディスクは、大容量
の次世代記録素子として注目されている。
の次世代記録素子として注目されている。
光記録媒体には、ＧｄＤｙＦｅ等の材料を用い、レーザ
光による局所加熱下で磁場を加えて書き込み、カー効果
を用いて読み出すものや、レーザ光での局所加熱による
相転移を利用するもの等が有る。
光による局所加熱下で磁場を加えて書き込み、カー効果
を用いて読み出すものや、レーザ光での局所加熱による
相転移を利用するもの等が有る。
ガラス基板では量産性やコストに問題が生じるため、光
ディスクの基板には一般にポリカーボネートやアクリル
等の透明合成樹脂基板が用いられる。しかしながら、合
成樹脂基板では、光記録媒体膜の応力による反りが生じ
る。そしてこの反りは、光ディスクのトラッキングやフ
ォーカシングを困難にする。
ディスクの基板には一般にポリカーボネートやアクリル
等の透明合成樹脂基板が用いられる。しかしながら、合
成樹脂基板では、光記録媒体膜の応力による反りが生じ
る。そしてこの反りは、光ディスクのトラッキングやフ
ォーカシングを困難にする。
基板の反りを解消するため、以下の手法が提案されてい
る。
る。
（１） 光記録媒体膜による反りを相殺するように、
予め反った基板を製造する。
予め反った基板を製造する。
（２）光記録媒体膜の成膜条件を選び、反りを防止する
。
。
（３）基板の裏面に、光記録媒体膜と同種の膜を形成し
、応力を相殺する（特開昭６４−５７．４４１号）。
、応力を相殺する（特開昭６４−５７．４４１号）。
第１の手法は基板の製造が困難で非現実的である。第２
の手法は、光記録媒体膜の応力が特性と密接な関係を持
つため、限界がある。第３の手法も、反りの解消のため
に、複雑な真空プロセスを用いて成膜を行わねばならず
、好ましいものではない。
の手法は、光記録媒体膜の応力が特性と密接な関係を持
つため、限界がある。第３の手法も、反りの解消のため
に、複雑な真空プロセスを用いて成膜を行わねばならず
、好ましいものではない。
（発明の課題］
この発明の課題は、光ディスクの反りの防止に関する新
たな手法を提供し、基板の表裏両面に形成する合成樹脂
膜の応力を利用して、反りを防止することを課題とする
。
たな手法を提供し、基板の表裏両面に形成する合成樹脂
膜の応力を利用して、反りを防止することを課題とする
。
［発明の構成と作用］
この発明の光ディスクは、透明合成樹脂基板の１面に光
記録媒体膜とこの膜の保護用の合成樹脂膜とを設けると
共に、基板の裏面には基板保護用の合成樹脂膜を設けた
光ディスクにおいて、基板保護用の合成樹脂膜の応力を
、光記録媒体膜の保護用の合成樹脂膜の応力よりも小さ
くし、２つの膜の応力の差で、光記録媒体膜の応力を相
殺したことを特徴とする。
記録媒体膜とこの膜の保護用の合成樹脂膜とを設けると
共に、基板の裏面には基板保護用の合成樹脂膜を設けた
光ディスクにおいて、基板保護用の合成樹脂膜の応力を
、光記録媒体膜の保護用の合成樹脂膜の応力よりも小さ
くし、２つの膜の応力の差で、光記録媒体膜の応力を相
殺したことを特徴とする。
このような光ディスクの製造には、例えば表裏両面の合
成樹脂膜を紫外線硬化樹脂のスピンコートで形成し、光
記録媒体膜側の紫外線硬化樹脂の硬化収縮率を反対面側
の紫外線硬化樹脂の硬化収縮率よりも大きくすれば良い
。
成樹脂膜を紫外線硬化樹脂のスピンコートで形成し、光
記録媒体膜側の紫外線硬化樹脂の硬化収縮率を反対面側
の紫外線硬化樹脂の硬化収縮率よりも大きくすれば良い
。
合成樹脂基板に設けた光記録媒体膜は、圧縮応力を持つ
。この結果基板は、第１図に示すように、光記録媒体膜
側を凸面として反ろうとする。図において、２は透明合
成樹脂の基板、４は光記録媒体膜である。ここで基板２
の表裏に、紫外線硬化樹脂等の保護膜６，８を設ける。
。この結果基板は、第１図に示すように、光記録媒体膜
側を凸面として反ろうとする。図において、２は透明合
成樹脂の基板、４は光記録媒体膜である。ここで基板２
の表裏に、紫外線硬化樹脂等の保護膜６，８を設ける。
保護膜６は光記録媒体膜４の保護用、保護膜８は基板２
の裏面の保護用である。保護膜６．８はスピンコート等
で製造し、硬化時の収縮を利用して、引張応力を持たせ
る。引張応力は保護膜６で大きく、保護膜８で小さくし
、光記録媒体膜４の応力を保護膜６゜８の応力の差で相
殺する。保護膜６．８に応力の差を持たせるには、例え
ば保護膜６に用いる樹脂の硬化収縮率を大きくし、保護
膜８に用いる樹脂の硬化収縮率を小さくすれば良い。
の裏面の保護用である。保護膜６．８はスピンコート等
で製造し、硬化時の収縮を利用して、引張応力を持たせ
る。引張応力は保護膜６で大きく、保護膜８で小さくし
、光記録媒体膜４の応力を保護膜６゜８の応力の差で相
殺する。保護膜６．８に応力の差を持たせるには、例え
ば保護膜６に用いる樹脂の硬化収縮率を大きくし、保護
膜８に用いる樹脂の硬化収縮率を小さくすれば良い。
［実施例］
第１図に、実施例の基本的概念を示す。図において、２
はポリカーボネート樹脂等の合成樹脂の透明基板で、エ
ポキシ樹脂やポリエステル樹脂、あるいはアクリル樹脂
等でも良い。４は光記録媒体膜で、ＧｄＤｙＦｅ等の光
磁気記録媒体膜を２つの誘電体膜でサンドイッチし、そ
の上部に金属反射膜を積層したもの等を用いる。６は紫
外線硬化樹脂の保護膜で、光記録媒体膜４の保護に用い
る。
はポリカーボネート樹脂等の合成樹脂の透明基板で、エ
ポキシ樹脂やポリエステル樹脂、あるいはアクリル樹脂
等でも良い。４は光記録媒体膜で、ＧｄＤｙＦｅ等の光
磁気記録媒体膜を２つの誘電体膜でサンドイッチし、そ
の上部に金属反射膜を積層したもの等を用いる。６は紫
外線硬化樹脂の保護膜で、光記録媒体膜４の保護に用い
る。
８は、基板２の裏面を保護するための、紫外線硬化樹脂
の保護膜である。
の保護膜である。
光記録媒体膜４には、図の黒抜き矢印の向きの圧縮応力
が有り、基板２を図のように反らせようとする。圧縮応
力が有るのは、（１） 光記録媒体膜４の成膜時に圧
縮応力が発生することと、（２）光記録媒体膜４の特性
と圧縮応力とが関連し、圧縮応力の無い膜では記録特性
が低下すること、による。
が有り、基板２を図のように反らせようとする。圧縮応
力が有るのは、（１） 光記録媒体膜４の成膜時に圧
縮応力が発生することと、（２）光記録媒体膜４の特性
と圧縮応力とが関連し、圧縮応力の無い膜では記録特性
が低下すること、による。
光記録媒体膜４の圧縮応力を、保護膜６，８の応力の差
で相殺する。即ち、保護膜の硬化時の収縮を利用し、保
護膜６，８に図の白抜き矢印の向きの応力を発生させる
。ここで保護膜６の硬化収縮率を大きくし、応力を大き
くする。−刃保護膜８の硬化収縮率を小さくし、応力を
小さくする。
で相殺する。即ち、保護膜の硬化時の収縮を利用し、保
護膜６，８に図の白抜き矢印の向きの応力を発生させる
。ここで保護膜６の硬化収縮率を大きくし、応力を大き
くする。−刃保護膜８の硬化収縮率を小さくし、応力を
小さくする。
そして２つの応力の差で光記録媒体膜４の応力を打ち消
し、基板の反りを防止する。なお保護膜６゜８の応力は
、硬化収縮率の他に膜厚の影響を受け、応力は膜厚に比
例する。そこで保護膜６，８の膜厚を調整して、応力の
差を制御することもできる。
し、基板の反りを防止する。なお保護膜６゜８の応力は
、硬化収縮率の他に膜厚の影響を受け、応力は膜厚に比
例する。そこで保護膜６，８の膜厚を調整して、応力の
差を制御することもできる。
熱翳珂
直径１３０市のポリカーボネート樹脂基板２を。
用い、第２図に示す光ディスクを製造した。光記録媒体
膜４は、４室のマグネトロン・スパッタリング装置で成
膜した。最初に、非晶質イツトリウム・サイアロン膜１
０を９２０Ａ厚に形成し、次いでＧｄＤｙＦｅ系光磁気
記録膜１２を２００Ａ厚に形成した。更にイツトリウム
・サイアロン膜１４を３００Ａ厚に設け、金属Ａ１反射
膜１６を８０ＯＡ厚に積層した。イツトリウム・サイア
ロンはＳｉｎｇ 、Ｓｉ○、Ｃｅ０ｚ 、ＺｒＯ２、Ｔ
ｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ２、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３，５１３Ｎ４
等の材料に変えることができ、ＧｄＤｙＦｅは、ＧｄＤ
ｙＦｅＣｏ。
膜４は、４室のマグネトロン・スパッタリング装置で成
膜した。最初に、非晶質イツトリウム・サイアロン膜１
０を９２０Ａ厚に形成し、次いでＧｄＤｙＦｅ系光磁気
記録膜１２を２００Ａ厚に形成した。更にイツトリウム
・サイアロン膜１４を３００Ａ厚に設け、金属Ａ１反射
膜１６を８０ＯＡ厚に積層した。イツトリウム・サイア
ロンはＳｉｎｇ 、Ｓｉ○、Ｃｅ０ｚ 、ＺｒＯ２、Ｔ
ｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ２、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３，５１３Ｎ４
等の材料に変えることができ、ＧｄＤｙＦｅは、ＧｄＤ
ｙＦｅＣｏ。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＤｙＦｅ。
ＤｙＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＤｙＦ
ｅ。
ｅ。
ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＤｙＦｅＣｏ等の材料に変
えることができる。金属反射層１６には、ＡＩに変えて
Ｔ１やＣｒ等も用い得る。
えることができる。金属反射層１６には、ＡＩに変えて
Ｔ１やＣｒ等も用い得る。
基板２の表裏両面にスピンコートで、保護膜６゜８を設
けた。保護膜６，８の材料には紫外線硬化樹脂を用い、
保護膜６には硬化収縮率が１１．４％の樹脂（輿脂Ａ、
アクリル酸エステルポリマー系、大日本インキ化学工業
製の５ＤＩ７”５Ｄ１７は商品名）を用いた。保護膜８
には硬化収縮率が７．６％の樹脂（櫃脂Ｂ、ウレタンア
クリレートとアクリル酸エステルポリマーとの共重合体
、大日本インキ化学工業製の“５Ｄ３０１″５Ｄ３０１
は商品名）を用いた。保護膜６．８の材料にはこれ以外
に、エポキシ系や、ポリエステル系、アクリル系等の紫
外線硬化樹脂等を用いることができる。また硬化収縮率
の小さな樹脂Ｂには、これ以外に例えば、大日本インキ
化学工業製のアクリル酸エステルポリマー系の“５ＤＩ
ＯＩ” （ＳＤＩＯＩは商品名）や、同じくアクリル酸
エステルポリマー系の“ＥＸ−３” （ＥＸ−３は商品
名）等が有る。
けた。保護膜６，８の材料には紫外線硬化樹脂を用い、
保護膜６には硬化収縮率が１１．４％の樹脂（輿脂Ａ、
アクリル酸エステルポリマー系、大日本インキ化学工業
製の５ＤＩ７”５Ｄ１７は商品名）を用いた。保護膜８
には硬化収縮率が７．６％の樹脂（櫃脂Ｂ、ウレタンア
クリレートとアクリル酸エステルポリマーとの共重合体
、大日本インキ化学工業製の“５Ｄ３０１″５Ｄ３０１
は商品名）を用いた。保護膜６．８の材料にはこれ以外
に、エポキシ系や、ポリエステル系、アクリル系等の紫
外線硬化樹脂等を用いることができる。また硬化収縮率
の小さな樹脂Ｂには、これ以外に例えば、大日本インキ
化学工業製のアクリル酸エステルポリマー系の“５ＤＩ
ＯＩ” （ＳＤＩＯＩは商品名）や、同じくアクリル酸
エステルポリマー系の“ＥＸ−３” （ＥＸ−３は商品
名）等が有る。
得られた光ディスクの種類と反り角を表１に示す。
表 ｌ
熱！ 保護膜６ 保護膜８ 反り角（ｍＲａｄ）
ｌ ＡＸ９μｍ Ｂｘ５μｍ ２．５２
ＡＸ５μｍ Ｂｘ５μｍ ３．２３
ＢＸ５μｍ Ｂｘ５μｍ ４．８４ ＢＸ
５μｍ ＡＸ５μｍ ７−５５ ・・・ ０
μｍ ・・・ ０μｍ ４．５＊ Ａは収縮率１１
．４（％ｃｍ／ｃ＋ｉ）の樹脂を。
ｌ ＡＸ９μｍ Ｂｘ５μｍ ２．５２
ＡＸ５μｍ Ｂｘ５μｍ ３．２３
ＢＸ５μｍ Ｂｘ５μｍ ４．８４ ＢＸ
５μｍ ＡＸ５μｍ ７−５５ ・・・ ０
μｍ ・・・ ０μｍ ４．５＊ Ａは収縮率１１
．４（％ｃｍ／ｃ＋ｉ）の樹脂を。
Ｂは収縮率７．６（％ａｍ／Ｃｍ）の樹脂を示す。
表１から明らかなように、保護膜６の収縮率を大きく、
保護膜８の収縮率を小さくすると、光ディスクの反りを
小さくすることができる。これは保護膜６，８の応力の
差で、光記録媒体膜４の圧縮応力を相殺したことによる
。保護膜６の膜厚を太きくじ引張応力を大きくした試料
ｌでは、反り角は特に小さい。次に保護膜６．８の収縮
率を同じにした試料３では、反り角は保護膜６．８を設
けなかった試料４とほぼ等しい。また収縮率の関係を逆
にした試料３では、反り角は増大する。
保護膜８の収縮率を小さくすると、光ディスクの反りを
小さくすることができる。これは保護膜６，８の応力の
差で、光記録媒体膜４の圧縮応力を相殺したことによる
。保護膜６の膜厚を太きくじ引張応力を大きくした試料
ｌでは、反り角は特に小さい。次に保護膜６．８の収縮
率を同じにした試料３では、反り角は保護膜６．８を設
けなかった試料４とほぼ等しい。また収縮率の関係を逆
にした試料３では、反り角は増大する。
第２図の光ディスクを２枚、光記録媒体膜４が向き合う
ように、ホットメルト接着剤１８をロールコートして貼
り合わせ、第３図の光ディスクを得た。この光ディスク
の場合、ホットメルト接着剤１８のなめ、反り角の初期
値は小さいが苛酷な環境にさらすと反りが戻ってしまう
。表２に、８０℃、相対湿度８５％の雰囲気で、１００
０時間の耐久テストを行った際の結果を示す。
ように、ホットメルト接着剤１８をロールコートして貼
り合わせ、第３図の光ディスクを得た。この光ディスク
の場合、ホットメルト接着剤１８のなめ、反り角の初期
値は小さいが苛酷な環境にさらすと反りが戻ってしまう
。表２に、８０℃、相対湿度８５％の雰囲気で、１００
０時間の耐久テストを行った際の結果を示す。
表２
１ １．５ ２．０ 発生せず２
１．３ ２．１ 発生せず３ １．４
４．０ 外周部に２個発生４ １．５
６．２ 外周部に８個発生本試料番号は、表
１の試料番号と同じ。
１．３ ２．１ 発生せず３ １．４
４．０ 外周部に２個発生４ １．５
６．２ 外周部に８個発生本試料番号は、表
１の試料番号と同じ。
第３図の試料では、ホットメルト接着剤１８のため、反
り角の初期値は小さい。しかし耐久テストを行うと反り
角は元の傾向に戻り、保護膜６゜８の応力差で光記録媒
体膜４の応力を相殺していない試料３．４では、大きな
反りが発生する。これらの試料の場合、反りの発生は光
記録媒体膜４の耐久性にも影響し、試料３．４では耐久
テストの過程で腐食が発生している。
り角の初期値は小さい。しかし耐久テストを行うと反り
角は元の傾向に戻り、保護膜６゜８の応力差で光記録媒
体膜４の応力を相殺していない試料３．４では、大きな
反りが発生する。これらの試料の場合、反りの発生は光
記録媒体膜４の耐久性にも影響し、試料３．４では耐久
テストの過程で腐食が発生している。
ここでは特定の実施例を説明したがこれに限るものでは
なく、例えば光記録媒体膜４には相転移型のもの等も用
い得る。また保護膜６，８には導電性セラミックの微粒
子等を混入し、保護ＩＩ６゜８へのほこり等の付着を防
止するようにしても良い。
なく、例えば光記録媒体膜４には相転移型のもの等も用
い得る。また保護膜６，８には導電性セラミックの微粒
子等を混入し、保護ＩＩ６゜８へのほこり等の付着を防
止するようにしても良い。
［発明の効果コ
この発明では、光ディスクの反りを、基板の両面に設け
た保護膜の応力の差で防止する。また貼り合わせ型の光
ディスクの場合、反りを防止すると共に、光記録媒体膜
の腐食を防止し、光ディスクの耐久性を高める。
た保護膜の応力の差で防止する。また貼り合わせ型の光
ディスクの場合、反りを防止すると共に、光記録媒体膜
の腐食を防止し、光ディスクの耐久性を高める。
第１図は実施例の光ディスクの断面図、第２図はその要
部拡大断面図、 第３図は変形例の断面図である。
部拡大断面図、 第３図は変形例の断面図である。
図において、
２ 基板、 ４ 光記録媒体膜６ 光記録媒
体膜用の紫外線硬化樹脂保護膜８ 基板裏面の保護用の
紫外線効果樹脂保護膜。
体膜用の紫外線硬化樹脂保護膜８ 基板裏面の保護用の
紫外線効果樹脂保護膜。
Claims (2)
- （１）透明合成樹脂基板の１面に光記録媒体膜とこの膜
の保護用の合成樹脂膜とを設けると共に、基板の裏面に
は基板保護用の合成樹脂膜を設けた光ディスクにおいて
、 基板保護用の合成樹脂膜の応力を、光記録媒体膜の保護
用の合成樹脂膜の応力よりも小さくし、２つの膜の応力
の差で、光記録媒体膜の応力を相殺したことを特徴とす
る、光ディスク。 - （２）透明合成樹脂基板の１面に光記録媒体膜を設ける
と共に、基板の表裏両面に紫外線硬化樹脂膜をスピンコ
ートする光ディスクの製造方法において、 光記録媒体膜側の紫外線硬化樹脂の硬化収縮率を、反対
面側の紫外線硬化樹脂の硬化収縮率よりも大きくしたこ
とを特徴とする、光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173788A JPH0467332A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 光ディスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173788A JPH0467332A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 光ディスクとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467332A true JPH0467332A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=15967163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173788A Pending JPH0467332A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 光ディスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467332A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918323A3 (en) * | 1997-11-19 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
| EP1031972A3 (en) * | 1999-02-24 | 2002-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| WO2003017266A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP2003059097A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| KR100444711B1 (ko) * | 2000-11-15 | 2004-08-16 | 샤프 가부시키가이샤 | 광정보 기록 매체 |
| KR100858597B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2008-09-17 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 광 정보 기록매체의 제조방법 |
-
1990
- 1990-06-30 JP JP2173788A patent/JPH0467332A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918323A3 (en) * | 1997-11-19 | 2000-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
| US6128274A (en) * | 1997-11-19 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording disk capable of suppressing bimetallic effects caused by thermal expansion |
| EP1031972A3 (en) * | 1999-02-24 | 2002-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| US6657948B1 (en) * | 1999-02-24 | 2003-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| KR100444711B1 (ko) * | 2000-11-15 | 2004-08-16 | 샤프 가부시키가이샤 | 광정보 기록 매체 |
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| WO2003017266A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP2003059097A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
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