JPH0467619A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0467619A JPH0467619A JP18101790A JP18101790A JPH0467619A JP H0467619 A JPH0467619 A JP H0467619A JP 18101790 A JP18101790 A JP 18101790A JP 18101790 A JP18101790 A JP 18101790A JP H0467619 A JPH0467619 A JP H0467619A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- treatment chamber
- fork
- processing chamber
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に高温減圧下にて薄
膜の生成を行なう減圧式気相成長装置や、高温中にて不
純物を半導体基板中へ拡散させる拡散炉装置等の半導体
製造装置に関する。
膜の生成を行なう減圧式気相成長装置や、高温中にて不
純物を半導体基板中へ拡散させる拡散炉装置等の半導体
製造装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置では、半導体基板を支持
治具に搭載して処理室内に導入し、そのまま処理室内部
で静止させるか、もしくは縦型式のヒーターを持つ装置
では支持治具を縦軸まわりに回転運動させ、処理室内に
反応ガスを導入して半導体基板の熱処理を行なっていた
。
治具に搭載して処理室内に導入し、そのまま処理室内部
で静止させるか、もしくは縦型式のヒーターを持つ装置
では支持治具を縦軸まわりに回転運動させ、処理室内に
反応ガスを導入して半導体基板の熱処理を行なっていた
。
上述した従来の半導体製造装置は、半導体基板は処理室
内で静止もしくは回転するだけなのて、熱の受は方やガ
スの流れにむらが起き、半導体基板上への薄膜の形成や
不純物の拡散が均一にでき難く、製品のばらつき発生の
要因となっていた。
内で静止もしくは回転するだけなのて、熱の受は方やガ
スの流れにむらが起き、半導体基板上への薄膜の形成や
不純物の拡散が均一にでき難く、製品のばらつき発生の
要因となっていた。
本発明の半導体製造装置は、処理室内に支持された半導
体基板を、均熱長方向に揺動させる機構を有している。
体基板を、均熱長方向に揺動させる機構を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１の断面図である。半導体基板
１はフォーク２上に置かれた半導体基板支持治具３に立
替後、ボートローダ４によりヒータ５にて高温に加熱さ
れた処理室６に入れられる。
１はフォーク２上に置かれた半導体基板支持治具３に立
替後、ボートローダ４によりヒータ５にて高温に加熱さ
れた処理室６に入れられる。
ハツチ７にて炉芯管８とシール後、真空排気部って処理
室６内を真空引きする。所定の真空圧力に到達後、反応
ガス導入口１０より反応ガスａを処理室６内に導き、半
導体基板１に薄膜を形成する。この時、フォーク揺動部
１１で半導体基板１を載せたフォーク２を往復方向ｂｃ
に揺動運動させる。揺動運動はリンク機構またはカム機
構により行なう。成膜完了後、処理室６内を大気圧に戻
し、ボートローダ４により半導体基板１を処理室６外に
取りだし、一連のプロセスを終える。
室６内を真空引きする。所定の真空圧力に到達後、反応
ガス導入口１０より反応ガスａを処理室６内に導き、半
導体基板１に薄膜を形成する。この時、フォーク揺動部
１１で半導体基板１を載せたフォーク２を往復方向ｂｃ
に揺動運動させる。揺動運動はリンク機構またはカム機
構により行なう。成膜完了後、処理室６内を大気圧に戻
し、ボートローダ４により半導体基板１を処理室６外に
取りだし、一連のプロセスを終える。
第２図は本発明の実施例２の断面図である。本例でも前
述の実施例１と同様に、半導体基板１を処理室６内に入
れた後成膜を行なうが、本例では、半導体基板回転用モ
ータ１２による半導体基板の回転運動に付加して、支持
治具３の回転軸に取り付けた端面カム１３が倣いローラ
１４と接触回転する事により、半導体基板を往復方向ｂ
ｃに揺動運動させる。本例では、半導体基板の回転と揺
動とを組み合せる事により、より均一性の良好な膜を得
る事ができる。
述の実施例１と同様に、半導体基板１を処理室６内に入
れた後成膜を行なうが、本例では、半導体基板回転用モ
ータ１２による半導体基板の回転運動に付加して、支持
治具３の回転軸に取り付けた端面カム１３が倣いローラ
１４と接触回転する事により、半導体基板を往復方向ｂ
ｃに揺動運動させる。本例では、半導体基板の回転と揺
動とを組み合せる事により、より均一性の良好な膜を得
る事ができる。
以上説明したように本発明は、処理室で半導体基板の揺
動を行なう事により熱の受は方やガスの流れのむらが無
くなり、均一性のよい膜成長や不純物の拡散ができ、ば
らつきの少ない製品を得ることが可能となる。
動を行なう事により熱の受は方やガスの流れのむらが無
くなり、均一性のよい膜成長や不純物の拡散ができ、ば
らつきの少ない製品を得ることが可能となる。
第１図は本発明の”実施例１の断面図、第２図は実施例
２を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・フォーク、３・・・半導
体基板支持治具、４・・・ボートローダ、５・・・ヒー
タ、６・・・処理室、７・・・ハツチ、８・・・炉芯管
、９・・・真空排気部、１０・・・ガス導入口、１１・
・・フォーク揺動部、１２・・・半導体基板回転用モー
タ、１３・・・端面カム、１４・・・倣いローラ、ａ・
・・反応ガス、ｂ、ｃ・・・往復方向。
２を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・フォーク、３・・・半導
体基板支持治具、４・・・ボートローダ、５・・・ヒー
タ、６・・・処理室、７・・・ハツチ、８・・・炉芯管
、９・・・真空排気部、１０・・・ガス導入口、１１・
・・フォーク揺動部、１２・・・半導体基板回転用モー
タ、１３・・・端面カム、１４・・・倣いローラ、ａ・
・・反応ガス、ｂ、ｃ・・・往復方向。
Claims (1)
- 高温真空中にて薄膜の生成を行なう減圧式気相成長装置
や、高温中にて不純物の半導体基板中への拡散を行なう
拡散炉装置等の半導体製造装置において、半導体基板を
搭載した支持治具を処理室内にて均熱長と同一方向に揺
動させる手段を有することを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18101790A JPH0467619A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18101790A JPH0467619A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467619A true JPH0467619A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16093300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18101790A Pending JPH0467619A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138112A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Jeong Min Kim | 眼鏡の縁用のノーズパッド脚 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588323A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6025144B2 (ja) * | 1981-12-08 | 1985-06-17 | 株式会社新飯田製作所 | ハンドミシン |
| JPS62235724A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | Ｍｏｃｖｄ装置 |
| JPH0258825A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
| JPH03157922A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP18101790A patent/JPH0467619A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588323A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6025144B2 (ja) * | 1981-12-08 | 1985-06-17 | 株式会社新飯田製作所 | ハンドミシン |
| JPS62235724A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | Ｍｏｃｖｄ装置 |
| JPH0258825A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
| JPH03157922A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138112A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Jeong Min Kim | 眼鏡の縁用のノーズパッド脚 |
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