JPH0467720A - Ｉｇｂｔ過電流保護回路 - Google Patents
Ｉｇｂｔ過電流保護回路Info
- Publication number
- JPH0467720A JPH0467720A JP17826990A JP17826990A JPH0467720A JP H0467720 A JPH0467720 A JP H0467720A JP 17826990 A JP17826990 A JP 17826990A JP 17826990 A JP17826990 A JP 17826990A JP H0467720 A JPH0467720 A JP H0467720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- igbt
- capacitor
- gate
- turned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はＤＣ−ＡＣインバータ、ＤＣ−ＤＣコンバー
タなどに電力用スインチング素子として使用されるＩ
Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐ
ｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁バイポーラトラン
ジスタ）を過電流から保護するＩＧＢＴ過電流保護回路
に関する。
タなどに電力用スインチング素子として使用されるＩ
Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐ
ｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁バイポーラトラン
ジスタ）を過電流から保護するＩＧＢＴ過電流保護回路
に関する。
「従来の技術」
Ｉ ＧＢＴは過電流に弱く、過電流となると短時間で電
流を遮断する必要がある。このため従来においては第３
図に示す保護回路が用いられていた。
流を遮断する必要がある。このため従来においては第３
図に示す保護回路が用いられていた。
つまり、被駆動ＩＧＢＴＩＩのコレクタは端子１２を通
じて正の電源側に接続され、エミッタは端子１３を通し
て負の電源側に接続され、ベース・エミッタ間にゲート
駆動回路Ｉ４の出力側が接続され、この例はホトカプラ
１５を通してゲート駆動回路１４の入力側にオンオフ制
御信号を人力するようにした場合で、ホトカプラ１５の
ホトダイオード駆動トランジスタ１６のベースに、ゲー
ト１７を介して端子１８からオンオフ制御信号が与えら
れる。ＩＧＢＴＩＩのエミッタと端子１３との間に直流
力レントトランスホーマ（ＤＣＣＴ）１９が結合され、
そのＤＣＣＴ１９の出力は増幅器２１で増幅されて過電
流検出器２２へ供給され、過電流検出器２２はＤＣＣＴ
１９で検出した電流が所定値を越えると、これを検出し
てゲート１７を閉しる。このようにしてＩＧＢＴＩＩの
過電流を遮断していた。
じて正の電源側に接続され、エミッタは端子１３を通し
て負の電源側に接続され、ベース・エミッタ間にゲート
駆動回路Ｉ４の出力側が接続され、この例はホトカプラ
１５を通してゲート駆動回路１４の入力側にオンオフ制
御信号を人力するようにした場合で、ホトカプラ１５の
ホトダイオード駆動トランジスタ１６のベースに、ゲー
ト１７を介して端子１８からオンオフ制御信号が与えら
れる。ＩＧＢＴＩＩのエミッタと端子１３との間に直流
力レントトランスホーマ（ＤＣＣＴ）１９が結合され、
そのＤＣＣＴ１９の出力は増幅器２１で増幅されて過電
流検出器２２へ供給され、過電流検出器２２はＤＣＣＴ
１９で検出した電流が所定値を越えると、これを検出し
てゲート１７を閉しる。このようにしてＩＧＢＴＩＩの
過電流を遮断していた。
「発明が解決しようとする課題」
ＩＧＢＴＩＩに流れる電流は直流であり、第３図に示し
た従来の過電流保護回路においては、この直流電流を直
接検出するためＤＣＣＴ１９を用いており、ＤＣＣＴは
一般に高価であり、この保護回路が高価になる欠点があ
った。また過電流を検出すると、ホトカプラ１５の前段
を制御しているため、過電流を検出してからＩＧＢＴＩ
Ｉのゲート電圧をオフとするまでに２０ＩＩＳ以上の時
間を要していた。［；ＢＴＩＩは通常のバイポーラトラ
ンジスタやＦＥＴに比べて半導体チップ面積が小さいた
め過電流を高速に検出してから１０μｓ程度以内にＩＧ
ＢＴＩＩのゲート電圧をオフにすることが必要である。
た従来の過電流保護回路においては、この直流電流を直
接検出するためＤＣＣＴ１９を用いており、ＤＣＣＴは
一般に高価であり、この保護回路が高価になる欠点があ
った。また過電流を検出すると、ホトカプラ１５の前段
を制御しているため、過電流を検出してからＩＧＢＴＩ
Ｉのゲート電圧をオフとするまでに２０ＩＩＳ以上の時
間を要していた。［；ＢＴＩＩは通常のバイポーラトラ
ンジスタやＦＥＴに比べて半導体チップ面積が小さいた
め過電流を高速に検出してから１０μｓ程度以内にＩＧ
ＢＴＩＩのゲート電圧をオフにすることが必要である。
「課題を解決するための手段Ｊ
この発明によれば被駆動Ｉ ＧＢＴのゲートに抵抗器の
一端が接続され、エミッタにコンデンサの一端が接続さ
れ、これら抵抗器及びコンデンサの各他端は互いに接続
され、その接続点はダイオードを通じて被駆動ＩＧＢＴ
のコレクタに接続され、そのダイオードはＩＧＢＴのコ
レクタに印加される電圧と逆極性とされる。このコンデ
ンサの電圧はオンとなった被駆動ＩＧＢＴのコレクタ・
エミッタ間の電圧とほぼ等しくなり、被駆動Ｉ ＧＢＴ
に過電流が流れるとこれに応して被駆動Ｉ ＧＢＴのコ
レクタ・エミッタ間電圧が高くなる。従ってこのコンデ
ンサの電圧により被駆動Ｉ ＧＢＴの過電流を検出する
ことができる。このためコンデンサの電圧は基準電圧と
比較器で比較され、被駆動ＩＧＢＴが過電流になると、
コンデンサの電圧が基準電圧より大となり、比較器の出
力がゼロレベルとなり、被駆動ＩＧＢＴのゲート駆動回
路の入力信号が比較器の出力側に引かれ、被駆動ＩＧＢ
Ｔがオフとされる。これと共に比較器の出力によりｐｎ
ｐ）ｉンジスタがオンとされ、このｐｎｐトランジスタ
を通して正電源端子がコンデンサに接続されて、過電流
検出状態が保持される。
一端が接続され、エミッタにコンデンサの一端が接続さ
れ、これら抵抗器及びコンデンサの各他端は互いに接続
され、その接続点はダイオードを通じて被駆動ＩＧＢＴ
のコレクタに接続され、そのダイオードはＩＧＢＴのコ
レクタに印加される電圧と逆極性とされる。このコンデ
ンサの電圧はオンとなった被駆動ＩＧＢＴのコレクタ・
エミッタ間の電圧とほぼ等しくなり、被駆動Ｉ ＧＢＴ
に過電流が流れるとこれに応して被駆動Ｉ ＧＢＴのコ
レクタ・エミッタ間電圧が高くなる。従ってこのコンデ
ンサの電圧により被駆動Ｉ ＧＢＴの過電流を検出する
ことができる。このためコンデンサの電圧は基準電圧と
比較器で比較され、被駆動ＩＧＢＴが過電流になると、
コンデンサの電圧が基準電圧より大となり、比較器の出
力がゼロレベルとなり、被駆動ＩＧＢＴのゲート駆動回
路の入力信号が比較器の出力側に引かれ、被駆動ＩＧＢ
Ｔがオフとされる。これと共に比較器の出力によりｐｎ
ｐ）ｉンジスタがオンとされ、このｐｎｐトランジスタ
を通して正電源端子がコンデンサに接続されて、過電流
検出状態が保持される。
「実施例Ｊ
第１図にこの発明の実施例を示す。ゲート駆動回路１４
は例えばホトカプラ１５のホトトランジスタ１５ａのコ
レクタが抵抗器２３を通して電源２４の正側に接続され
、エミッタが電源２５の負側に接続され、電源２４の負
側と電源２５の正側とが互いに接続され、この接続点２
６が被駆動■ＧＢＴＩＩのエミッタに接続され、ホトト
ランジスタ１５ａのコレクタがｎｐｎ ）ランジスタ２
７のベースに接続され、トランジスタ２７のエミッタが
電源２５の負側に接続され、コレクタがｎｐｎトランジ
スタ２８のベース及びｐｎｐ ）ランジスタ２９のベー
スにそれぞれ接続されると共に抵抗器３１を通して電源
２４の正側に接続され、トランジスタ２８のコレクタが
抵抗器３２を１して電源２４の正側に接続され、エミッ
タがトランジスタ２９のエミッタに接続され、この接続
点３３が抵抗器３４を通して被駆動ＩＣ；ＢＴＩＩのゲ
ートに接続され、トランジスタ２９のコレクタが電源２
５の負側に接続される。
は例えばホトカプラ１５のホトトランジスタ１５ａのコ
レクタが抵抗器２３を通して電源２４の正側に接続され
、エミッタが電源２５の負側に接続され、電源２４の負
側と電源２５の正側とが互いに接続され、この接続点２
６が被駆動■ＧＢＴＩＩのエミッタに接続され、ホトト
ランジスタ１５ａのコレクタがｎｐｎ ）ランジスタ２
７のベースに接続され、トランジスタ２７のエミッタが
電源２５の負側に接続され、コレクタがｎｐｎトランジ
スタ２８のベース及びｐｎｐ ）ランジスタ２９のベー
スにそれぞれ接続されると共に抵抗器３１を通して電源
２４の正側に接続され、トランジスタ２８のコレクタが
抵抗器３２を１して電源２４の正側に接続され、エミッ
タがトランジスタ２９のエミッタに接続され、この接続
点３３が抵抗器３４を通して被駆動ＩＣ；ＢＴＩＩのゲ
ートに接続され、トランジスタ２９のコレクタが電源２
５の負側に接続される。
ホトカプラ１５のホトダイオード１５ｂがその人力オン
オフ制御信号により発光されると、ホトトランジスタ１
５ａがオンとなり、トランジスタ２７がオフ、トランジ
スタ２８がオンとなり、被駆動ＩＧＢＴＩＩのゲートに
電源２４の正電圧、例えば＋１５Ｖが印加され、被駆動
ＩＧＢＴＩＩがオンになる。オンオフ制御信号ムこより
ホトダイオード１５ｂがオフにされると、トランジスタ
２７がオン、トランジスタ２９がオンとなり、電源２５
の負電圧、例えば−１５Ｖが被駆動ＩＧＢＴＩ １のゲ
ートに印加され、被駆動ＩＧＢＴＩＩはオフとなる。接
続点２６はこの例ではゼロボルトであこの発明において
は被駆動ＩＧＢＴＩＩのゲートに抵抗器３４を通して抵
抗器３５の一端が接続され、コンデンサ３６の一端が被
駆動ＩＧＢＴＩＩのエミッタに接続され、抵抗器３５及
びコンデンサ３６の各他端は互いに接続され、その接続
点３７はダイオード３８を通して被駆動ＩＧＢＴＩＩの
コレクタに接続される。ダイオード３８のカソードがＩ
ＧＢＴＩＩのコレクタ側とされる。接続点３７は抵抗器
３９を通して比較器４１の反転入力端に接続され、比較
器４１の非反転入力端とＩＧＢＴＩＩのエミッタとの間
に基準電源４２が接続され、この例では正の基準電圧Ｖ
ｒが比較器４１の非反転入力端に印加される。
オフ制御信号により発光されると、ホトトランジスタ１
５ａがオンとなり、トランジスタ２７がオフ、トランジ
スタ２８がオンとなり、被駆動ＩＧＢＴＩＩのゲートに
電源２４の正電圧、例えば＋１５Ｖが印加され、被駆動
ＩＧＢＴＩＩがオンになる。オンオフ制御信号ムこより
ホトダイオード１５ｂがオフにされると、トランジスタ
２７がオン、トランジスタ２９がオンとなり、電源２５
の負電圧、例えば−１５Ｖが被駆動ＩＧＢＴＩ １のゲ
ートに印加され、被駆動ＩＧＢＴＩＩはオフとなる。接
続点２６はこの例ではゼロボルトであこの発明において
は被駆動ＩＧＢＴＩＩのゲートに抵抗器３４を通して抵
抗器３５の一端が接続され、コンデンサ３６の一端が被
駆動ＩＧＢＴＩＩのエミッタに接続され、抵抗器３５及
びコンデンサ３６の各他端は互いに接続され、その接続
点３７はダイオード３８を通して被駆動ＩＧＢＴＩＩの
コレクタに接続される。ダイオード３８のカソードがＩ
ＧＢＴＩＩのコレクタ側とされる。接続点３７は抵抗器
３９を通して比較器４１の反転入力端に接続され、比較
器４１の非反転入力端とＩＧＢＴＩＩのエミッタとの間
に基準電源４２が接続され、この例では正の基準電圧Ｖ
ｒが比較器４１の非反転入力端に印加される。
比較器４１の出力端はダイオード４３を通して、ゲート
駆動回路１４の入力側、この例ではトランジスタ２８．
２９のベースに接続される。ダイオード４３のカソード
が比較器４１の出力端側とされる。また比較器４１の出
力端は抵抗器４４を通してｐｎｐ ）ランジスタ４５の
ベースに接続され、トランジスタ４５のエミッタは電源
２４の正側に接続され、トランジスタ４５のコレクタは
抵抗器４６を通して接続点３７に接続される。コンデン
サ３６と並列にダイオード４７が接続され、ダイオード
４７のカソードが接続点３７側とされる。
駆動回路１４の入力側、この例ではトランジスタ２８．
２９のベースに接続される。ダイオード４３のカソード
が比較器４１の出力端側とされる。また比較器４１の出
力端は抵抗器４４を通してｐｎｐ ）ランジスタ４５の
ベースに接続され、トランジスタ４５のエミッタは電源
２４の正側に接続され、トランジスタ４５のコレクタは
抵抗器４６を通して接続点３７に接続される。コンデン
サ３６と並列にダイオード４７が接続され、ダイオード
４７のカソードが接続点３７側とされる。
この構成において、入力オンオフ制御信号によリホトダ
イオード１５ｂが発光されて接続点３３の電圧が＋１５
Ｖになると、この電圧によりコンデンサ３６が充電され
ると共に、ＩＧＢＴＩＩがオンとなる。オンとなったＩ
Ｃ；ＢＴＩＩのコレクタ・エミッタ間電圧は２〜３■程
度であるから、コンデンサ３６の電荷はダイオード３８
を通し、更にＩＧＢＴＩＩを通して放電し、コンデンサ
３６の電圧はＩＧＢＴＩＩのコレクタ・エミッタ間電圧
とほぼ等しくなる。ＩＧＢＴｌ、１の電流が所定値以下
ではコンデンサ３６の電圧は基準電圧Ｖｒより小さく、
比較器４１の出力は高レベルで、ダイオード４３及びト
ランジスタ４５は共にオフである。
イオード１５ｂが発光されて接続点３３の電圧が＋１５
Ｖになると、この電圧によりコンデンサ３６が充電され
ると共に、ＩＧＢＴＩＩがオンとなる。オンとなったＩ
Ｃ；ＢＴＩＩのコレクタ・エミッタ間電圧は２〜３■程
度であるから、コンデンサ３６の電荷はダイオード３８
を通し、更にＩＧＢＴＩＩを通して放電し、コンデンサ
３６の電圧はＩＧＢＴＩＩのコレクタ・エミッタ間電圧
とほぼ等しくなる。ＩＧＢＴｌ、１の電流が所定値以下
ではコンデンサ３６の電圧は基準電圧Ｖｒより小さく、
比較器４１の出力は高レベルで、ダイオード４３及びト
ランジスタ４５は共にオフである。
ＩＧＢＴＩＩに過電流が流れるとＩＧＢＴＩＩのコレク
タ・エミッタ間の電圧が大きくなり、これにともなって
コンデンサ３６の電圧も大きくなり、この電圧が基準電
圧Ｖｒよりも大きくなり、比較器４１の出力は低レベル
（はぼゼロボルト）になり、ダイオード４３がオンとな
って、トランジスタ２８．２９の各ベースがほぼゼロボ
ルトになり、ＩＧＢＴＩＩのゲートがゼロボルトに近す
き、ＩＣ，ＢＴＩＩはオフになる。またトランジスタ４
５がオンとなり、このトランジスタ４５を通して電源２
４の正電圧が接続点３７へ供給され、コンデンサ３６の
電圧が基準電圧Ｖｒよりも大きい状態に保持され、ＩＧ
ＢＴＩＩはオフに保持される。ＩＧＢＴＩＩの入力容量
の蓄積電荷は抵抗器３４を通して約２■まで徐々に放電
するため、ＩＧＢＴＩ Ｉがオフに変化する時に、過大
なサージ電圧が発生しにくい。
タ・エミッタ間の電圧が大きくなり、これにともなって
コンデンサ３６の電圧も大きくなり、この電圧が基準電
圧Ｖｒよりも大きくなり、比較器４１の出力は低レベル
（はぼゼロボルト）になり、ダイオード４３がオンとな
って、トランジスタ２８．２９の各ベースがほぼゼロボ
ルトになり、ＩＧＢＴＩＩのゲートがゼロボルトに近す
き、ＩＣ，ＢＴＩＩはオフになる。またトランジスタ４
５がオンとなり、このトランジスタ４５を通して電源２
４の正電圧が接続点３７へ供給され、コンデンサ３６の
電圧が基準電圧Ｖｒよりも大きい状態に保持され、ＩＧ
ＢＴＩＩはオフに保持される。ＩＧＢＴＩＩの入力容量
の蓄積電荷は抵抗器３４を通して約２■まで徐々に放電
するため、ＩＧＢＴＩ Ｉがオフに変化する時に、過大
なサージ電圧が発生しにくい。
入力オンオフ制御信号によりホトダイオード１５ｂがオ
フにされると、トランジスタ２７．２９が共にオンとな
り、接続点３３はほぼ一１５Ｖになり、ＩＧＢＴＩＩの
ゲート・エミッタ間は逆バイアスされ、かつコンデンサ
３６の電荷が放電し、その電圧はダイオード４７のオン
電圧とほぼ等しくなる。この結果、比較器４１の出力は
高レベルになり、トランジスタ４５はオフとなる。この
時、トランジスタ２８．２９のベースの一１５Ｖが比較
器４１の出力側、トランジスタ４５のベースに印加され
るのをダイオード４３で阻止している。
フにされると、トランジスタ２７．２９が共にオンとな
り、接続点３３はほぼ一１５Ｖになり、ＩＧＢＴＩＩの
ゲート・エミッタ間は逆バイアスされ、かつコンデンサ
３６の電荷が放電し、その電圧はダイオード４７のオン
電圧とほぼ等しくなる。この結果、比較器４１の出力は
高レベルになり、トランジスタ４５はオフとなる。この
時、トランジスタ２８．２９のベースの一１５Ｖが比較
器４１の出力側、トランジスタ４５のベースに印加され
るのをダイオード４３で阻止している。
第２図は第１図中の比較器４１及び基準電圧源４２が１
個の半導体集積回路からなるンヤントレギュレーク４８
として構成されたものを使用した場合で、シャントレギ
ュレータ４８はテキサスインスツルメーント社製のＴＬ
４３１を使用することができる。コンデンサ３６の両端
間電圧を抵抗器４９．５１で分圧してシャントレギュレ
ータ４８へ供給し、この分圧点を抵抗器４６を介してト
ランジスタ４５のコレクタに接続している。その他は第
１図と同しである。
個の半導体集積回路からなるンヤントレギュレーク４８
として構成されたものを使用した場合で、シャントレギ
ュレータ４８はテキサスインスツルメーント社製のＴＬ
４３１を使用することができる。コンデンサ３６の両端
間電圧を抵抗器４９．５１で分圧してシャントレギュレ
ータ４８へ供給し、この分圧点を抵抗器４６を介してト
ランジスタ４５のコレクタに接続している。その他は第
１図と同しである。
「発明の効果」
以上述べたようにこの発明によれば被駆動ＩＧＢＴＩＩ
のコレクタ・エミッタ間電圧の増大により過電流を検出
し、その検出出力により、ゲート駆動回路１４の入力側
を制御してＩＧＢＴＩＩのゲート電圧を減少させるため
、過電流の検出、その過電流の減少制御を高速度に行う
ことができ、ＩＧＢＴｌｌを破壊するおそれはない。過
電流が検出されると、トランジスタ４５がオンとなって
コンデンサ３６に保持電流が供給され、過電流検出状態
が保持され、ＩＧＢＴＩＩのゲート電圧のオンオフを繰
返すチャタリングが防止される。また高価な直流力レン
トトランスホーマを用いないので、安価ムこ構成するこ
とができる。ＩＧＢＴＩＩのゲート電圧の遮断は逆バイ
アスを掛けず、抵抗器３４を通して約２ｖまで徐りに低
下させるため、ＩＧＢＴＩＩがオフする時にサージ電圧
が発生し難い。
のコレクタ・エミッタ間電圧の増大により過電流を検出
し、その検出出力により、ゲート駆動回路１４の入力側
を制御してＩＧＢＴＩＩのゲート電圧を減少させるため
、過電流の検出、その過電流の減少制御を高速度に行う
ことができ、ＩＧＢＴｌｌを破壊するおそれはない。過
電流が検出されると、トランジスタ４５がオンとなって
コンデンサ３６に保持電流が供給され、過電流検出状態
が保持され、ＩＧＢＴＩＩのゲート電圧のオンオフを繰
返すチャタリングが防止される。また高価な直流力レン
トトランスホーマを用いないので、安価ムこ構成するこ
とができる。ＩＧＢＴＩＩのゲート電圧の遮断は逆バイ
アスを掛けず、抵抗器３４を通して約２ｖまで徐りに低
下させるため、ＩＧＢＴＩＩがオフする時にサージ電圧
が発生し難い。
第１図はこの発明の実施例を示す接続図、第２図はその
他側を示す接続図、第３図は従来のＩＧＢＴ過電流保護
回路を示すブロック図である。
他側を示す接続図、第３図は従来のＩＧＢＴ過電流保護
回路を示すブロック図である。
Claims (1)
- （１）被駆動ＩＧＢＴ（絶縁バイポーラトランジスタ）
のゲートに抵抗器の一端が接続され、上記被駆動ＩＧＢ
Ｔのエミッタにコンデンサの一端が接続され、 上記抵抗器の他端及び上記コンデンサの他端が互いに接
続され、 その接続点と上記被駆動ＩＧＢＴのコレクタとの間に、
そのコレクタに印加される電圧と逆方向にダイオードが
接続され、 上記コンデンサの電圧と基準電圧とを比較する比較器が
設けられ、 その比較器の出力側は上記被駆動ＩＧＢＴのゲート駆動
回路の入力側に接続されると共に、ｐｎｐトランジスタ
のベースに接続され、 そのｐｎｐトランジスタのエミッタは正電源端子に接続
され、コレクタは上記抵抗器及びコンデンサの接続点に
接続されているＩＧＢＴ過電流保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17826990A JPH0467720A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | Ｉｇｂｔ過電流保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17826990A JPH0467720A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | Ｉｇｂｔ過電流保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467720A true JPH0467720A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16045532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17826990A Pending JPH0467720A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | Ｉｇｂｔ過電流保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05292656A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイスの過電流保護装置 |
| JPH11113163A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | インバータの保護装置 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17826990A patent/JPH0467720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05292656A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイスの過電流保護装置 |
| JPH11113163A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | インバータの保護装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0190925B1 (en) | A protection circuit for an insulated gate bipolar transistor | |
| JP2674355B2 (ja) | パワー素子の過電流保護装置 | |
| KR0171713B1 (ko) | 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로 | |
| EP0369448A2 (en) | Drive circuit for use with voltage-driven semiconductor device | |
| US4954917A (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
| JPH06244693A (ja) | Ｍｏｓ電界効果トランジスタスイッチ回路 | |
| JP2777307B2 (ja) | 短絡保護回路 | |
| JPH1032476A (ja) | 過電流保護回路 | |
| JPH05218836A (ja) | 絶縁ゲート素子の駆動回路 | |
| JPH0467720A (ja) | Ｉｇｂｔ過電流保護回路 | |
| JPS62128307A (ja) | 熱保護回路 | |
| US5834964A (en) | Lateral PNP fast turn-on circuit | |
| JP3649154B2 (ja) | 過電流保護装置 | |
| JP3309039B2 (ja) | インバータ制御装置の過電流保護回路 | |
| JPH07147726A (ja) | 半導体装置の過電圧制限回路 | |
| US5315165A (en) | Output circuit for outputting control signal to controlled apparatus | |
| JP3282378B2 (ja) | パワー素子駆動保護回路及びｍｏｓｆｅｔ駆動保護回路 | |
| JPH0237828A (ja) | Ｉｇｂｔの過電流保護回路 | |
| JPH0729739Y2 (ja) | Ｆｅｔ駆動回路 | |
| EP0614278A1 (en) | Drive circuit for use with voltage-driven semiconductor device | |
| JP2520765B2 (ja) | ドライブ回路 | |
| JP3094653B2 (ja) | 過電流防止回路 | |
| KR200176401Y1 (ko) | 캐패시터 돌입 전류방지 회로 | |
| JP3039092B2 (ja) | 短絡保護回路 | |
| JPH0669136B2 (ja) | 過電流保護機能を備えたスイッチ装置 |