JPH046831A - 基体の引き上げ乾操方法 - Google Patents
基体の引き上げ乾操方法Info
- Publication number
- JPH046831A JPH046831A JP2108036A JP10803690A JPH046831A JP H046831 A JPH046831 A JP H046831A JP 2108036 A JP2108036 A JP 2108036A JP 10803690 A JP10803690 A JP 10803690A JP H046831 A JPH046831 A JP H046831A
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- JP
- Japan
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- substrate
- water
- pure water
- mixed
- silicon wafer
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体のシリコン基板、フォトマスク、液晶
パネルのガラス基板、光学のレンズ、プリント基板等の
洗浄後の乾燥工程に用いる引き上げ乾燥方法に関する。
パネルのガラス基板、光学のレンズ、プリント基板等の
洗浄後の乾燥工程に用いる引き上げ乾燥方法に関する。
［従来の技術］
従来、純水から基板を微低速で引き上げていくことによ
り、純水の表面張力を利用して基板に付着する水滴を極
力排去し、残った水分を基板の熱容量、あるいは熱風、
ヒーター等の補助手段による乾燥方式が提案され、実施
されている。
り、純水の表面張力を利用して基板に付着する水滴を極
力排去し、残った水分を基板の熱容量、あるいは熱風、
ヒーター等の補助手段による乾燥方式が提案され、実施
されている。
（特開昭５６−１６１４ｓ１）、（特開昭６０２２ｓ１
３ｏ）、（特開昭６ｌ−２７０３９９）、（特開昭６５
−６７７ｓｓ） ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前述の従来技術では、表面張力の大きい
純水を用いて引き上げ乾燥を行なうため、表面形状の複
雑な基体には純水が回り込みにく（、又、基体上の微少
部に侵入した水滴、治具接触部に付着した水滴を除去し
に（いという問題点を有して（また。
３ｏ）、（特開昭６ｌ−２７０３９９）、（特開昭６５
−６７７ｓｓ） ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前述の従来技術では、表面張力の大きい
純水を用いて引き上げ乾燥を行なうため、表面形状の複
雑な基体には純水が回り込みにく（、又、基体上の微少
部に侵入した水滴、治具接触部に付着した水滴を除去し
に（いという問題点を有して（また。
更に疎水面を有する基体を純水中から引き上げ乾燥する
と、基体上に水滴が残り易（なり、じみが残ったりして
、乾燥品質が落ちてしまう。
と、基体上に水滴が残り易（なり、じみが残ったりして
、乾燥品質が落ちてしまう。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、純水中に純
度の高い界面活性剤を混合させ、その混合水の表面張力
を調整し、それぞれの基体の表面状態に合った引き上げ
乾燥を行ない、乾燥品質を向上させることを目的とする
。
度の高い界面活性剤を混合させ、その混合水の表面張力
を調整し、それぞれの基体の表面状態に合った引き上げ
乾燥を行ない、乾燥品質を向上させることを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
本発明の基体の引き上げ乾燥方法は、純水から基体を微
低速で引き上げていくことにより、純水の表面張力を利
用して基体に付着する水滴を極力排去し、残った水分を
基体の熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段に
より完全に乾燥させるという純水乾燥方式において純水
中に界面活性剤を混合させたことを特徴とする。
低速で引き上げていくことにより、純水の表面張力を利
用して基体に付着する水滴を極力排去し、残った水分を
基体の熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段に
より完全に乾燥させるという純水乾燥方式において純水
中に界面活性剤を混合させたことを特徴とする。
界面活性剤は、混合して使用する純水と相容性のあるも
のであれば、非イオン性、カチオン性、アニオン性、両
性のいずれでもよい。文、沈澱、分散等が起こらなけれ
ば、混合して使用することも可能である。
のであれば、非イオン性、カチオン性、アニオン性、両
性のいずれでもよい。文、沈澱、分散等が起こらなけれ
ば、混合して使用することも可能である。
界面活性剤の混合比としては重量比で３％もあれば充分
であり、それ以上の濃度では、界面活性剤によるシミ、
ムラが発生してしまう。
であり、それ以上の濃度では、界面活性剤によるシミ、
ムラが発生してしまう。
［作用コ
純水中に水溶性の界面活性剤を混合させると、表面張力
が減少する。表面形状が複雑な基体（表面上に微細な凹
凸が多い基体）及び基体表面の疎水性が強い場合は、表
面張力を下げることにより、細部まで混合水が回り込み
、又混合水の除去が可能となる。
が減少する。表面形状が複雑な基体（表面上に微細な凹
凸が多い基体）及び基体表面の疎水性が強い場合は、表
面張力を下げることにより、細部まで混合水が回り込み
、又混合水の除去が可能となる。
界面活性剤は汚れを取り込み、分離する能力もあるため
、清浄性も向上し、じみの発生がなくなる［実施例コ 以下本発明について、実施例に基づき詳細に説明する。
、清浄性も向上し、じみの発生がなくなる［実施例コ 以下本発明について、実施例に基づき詳細に説明する。
（実施例１）
Ｐ形Ｂドープ（比抵抗１．６〜１．８ ＭΩｃｒｎ）、
直径５インチ（１，０，０面）のシリコンウェハーを、
加工液としてコロイダルシリカ（１００〜２００Ｘ、Ｓ
ｉ０，５０重量％、ＰＨ１１）の液でメカノケミカルボ
リジングして、片面から約２０μｍ研磨した。この加工
時の加工面圧は１００１／−ボリッシャ回転数は、４０
ｒ ｐｍであったこの加工直後のシリフンウェハーを
次の工程にて洗浄した。
直径５インチ（１，０，０面）のシリコンウェハーを、
加工液としてコロイダルシリカ（１００〜２００Ｘ、Ｓ
ｉ０，５０重量％、ＰＨ１１）の液でメカノケミカルボ
リジングして、片面から約２０μｍ研磨した。この加工
時の加工面圧は１００１／−ボリッシャ回転数は、４０
ｒ ｐｍであったこの加工直後のシリフンウェハーを
次の工程にて洗浄した。
（１）純水浸漬 １分 常温
（２）Ｈ２ＢＯ３：ＨｔＯｔ （容積比４：１）浸漬
１分 ８０℃ （６）純水浸漬 １分 常温 （４）ＮＨ４０Ｈ：Ｈ，Ｏ，：Ｈ，Ｏ（容積比１ ：１
：５）浸漬 ５分 ７０℃ （５）純水浸漬 １分 常温 （６）ａｙ：ｎ、ｏ（容積比１：１０）浸漬１分 常温 （７）純水の流水浸漬 ５分 常温 このシリコンウェハーを、水溶性の非イオン界面活性剤
、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ｐ
ｏＥ（２ｏ）ノニルフェノールエーテルと、液中の０２
μｍ以上の粒子数がＩｃｃ当たり１個以下の脱イオン超
純水の混合液（重量比１：１０００）中に１分間浸漬し
、５ ｍｎ ７秒の等速で引き上げた。得られたシリコ
ンウェハーには、水滴は付着していなかった。又、シミ
、ムラ等の外観不良も見られなかった。
１分 ８０℃ （６）純水浸漬 １分 常温 （４）ＮＨ４０Ｈ：Ｈ，Ｏ，：Ｈ，Ｏ（容積比１ ：１
：５）浸漬 ５分 ７０℃ （５）純水浸漬 １分 常温 （６）ａｙ：ｎ、ｏ（容積比１：１０）浸漬１分 常温 （７）純水の流水浸漬 ５分 常温 このシリコンウェハーを、水溶性の非イオン界面活性剤
、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ｐ
ｏＥ（２ｏ）ノニルフェノールエーテルと、液中の０２
μｍ以上の粒子数がＩｃｃ当たり１個以下の脱イオン超
純水の混合液（重量比１：１０００）中に１分間浸漬し
、５ ｍｎ ７秒の等速で引き上げた。得られたシリコ
ンウェハーには、水滴は付着していなかった。又、シミ
、ムラ等の外観不良も見られなかった。
（実施例２）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを水溶性のアニオン界面活性剤、
ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル（
第一工業製薬（株）社製、商品名プライサーフＡ２１５
０）と、液中の０２μｍ以上の粒子数が１ｃｃ当たり１
個以下の脱イオン超純水の混合液（重量比１：１００）
中に１分間浸漬し、５ ｗ ７秒の等速で引き上げた。
ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル（
第一工業製薬（株）社製、商品名プライサーフＡ２１５
０）と、液中の０２μｍ以上の粒子数が１ｃｃ当たり１
個以下の脱イオン超純水の混合液（重量比１：１００）
中に１分間浸漬し、５ ｗ ７秒の等速で引き上げた。
得られたシリコンウェハーには水滴は付着していなかっ
た。
た。
又、シミ、ムラ等の外観不良も見られなかった。
（実施例５）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを水溶性のカチオン界面活性剤ポ
リオキシアルキレン脂環式アミン（第一工業製薬社製、
商品名ラミブルー）Ｃ−２）と液中の０２μｍ以上の粒
子数が１ｃｃ当たり１個以下の脱イオン超純水の混合ｇ
（重量比１：５．ＱＯ）中に１分間浸漬し、５ ｗ ７
秒の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハーには
水滴は付着していなかった。又、シミ、ムラ等の外観不
良も見られなかった。
リオキシアルキレン脂環式アミン（第一工業製薬社製、
商品名ラミブルー）Ｃ−２）と液中の０２μｍ以上の粒
子数が１ｃｃ当たり１個以下の脱イオン超純水の混合ｇ
（重量比１：５．ＱＯ）中に１分間浸漬し、５ ｗ ７
秒の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハーには
水滴は付着していなかった。又、シミ、ムラ等の外観不
良も見られなかった。
（実施例４）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを水溶性の両性界面活性剤、アミ
ドベタイン型、（日本油脂社製、商品名ニアサン７ ／
＞ Ｅ Ｄ ＩＦ −Ｒ）と、液中００．２ ｐ ｍ
以上の粒子数が１ＣＣ当たり１個以下の脱イオン超純水
の混合液（重量比、１ｚｏｏｏ）中に１分間浸漬し、５
ｆｉ／秒の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハ
ーには水滴は付着していなかった。又、シミ、ムラ等の
外観不良も見られなかった。
ドベタイン型、（日本油脂社製、商品名ニアサン７ ／
＞ Ｅ Ｄ ＩＦ −Ｒ）と、液中００．２ ｐ ｍ
以上の粒子数が１ＣＣ当たり１個以下の脱イオン超純水
の混合液（重量比、１ｚｏｏｏ）中に１分間浸漬し、５
ｆｉ／秒の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハ
ーには水滴は付着していなかった。又、シミ、ムラ等の
外観不良も見られなかった。
（比較例１）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、実施例１と同一の界面活性剤
と脱イオン超純水の、混合液（但し重量比はＸ：１Ｏ）
に１分間浸漬し、５諺／秒の等速で引き上げた。得られ
たシリコンウェハーには、水滴は付着していなかったが
、シミ、ムラ等の外観不良が確認された。
と脱イオン超純水の、混合液（但し重量比はＸ：１Ｏ）
に１分間浸漬し、５諺／秒の等速で引き上げた。得られ
たシリコンウェハーには、水滴は付着していなかったが
、シミ、ムラ等の外観不良が確認された。
（比較例２）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、実施例２と同一の界面活性剤
と脱イオン超純水の、混合液（但し重量比は７：１００
）に１分間浸漬し、５■／秒の等速で引き上げた。得ら
れたシリコンウェハーには水滴は付着していなかったが
、シミ、ムラ等の外観不良が確認された。
と脱イオン超純水の、混合液（但し重量比は７：１００
）に１分間浸漬し、５■／秒の等速で引き上げた。得ら
れたシリコンウェハーには水滴は付着していなかったが
、シミ、ムラ等の外観不良が確認された。
（比較例３）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、０２μｍ以上の粒子数が１０
Ｃ当たり１個以下の脱イオン超純水中に１分間浸漬し、
３ｗｘ＋ ７秒の等速で引き上げた。
Ｃ当たり１個以下の脱イオン超純水中に１分間浸漬し、
３ｗｘ＋ ７秒の等速で引き上げた。
得られたシリコンウェハーには水滴が残留した。
（比較例４°）
実施例１と同様のシリコンウェハーを同一工程にて加工
して洗浄をおこなった。
して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、０．２μｍ以上の粒子数が１
０Ｃ当たり１個以下の脱イオン超純水中に１分間浸漬し
、５ｍｌ／秒の等速で引き上げた。
０Ｃ当たり１個以下の脱イオン超純水中に１分間浸漬し
、５ｍｌ／秒の等速で引き上げた。
得られた７リコンクエハーには水滴が残留した。
この様に脱イオン超純水と適量の水溶性界面活性剤の混
合液中から引き上げを行なうことにより、水滴の除去が
容易になり、かつシミ、ムラ等の外観不良がなかった。
合液中から引き上げを行なうことにより、水滴の除去が
容易になり、かつシミ、ムラ等の外観不良がなかった。
［発明の効果コ
以上のことから明らかなように、本発明による純水中に
水溶性の界面活性剤を混合した液からの引き上げ乾燥法
では、水滴の除去が容易であり、更に清浄度の高い乾燥
が可能である。
水溶性の界面活性剤を混合した液からの引き上げ乾燥法
では、水滴の除去が容易であり、更に清浄度の高い乾燥
が可能である。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 純水から基体を微低速で引き上げていくことにより、
純水の表面張力を利用して基体に付着する水滴を極力排
去し、残った水分を基体の熱容量、あるいは熱風、ヒー
ター等の補助手段により完全に乾燥させるという純水乾
燥方式において、純水中に界面活性剤を混合させたこと
を特徴とする基体の引き上げ乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108036A JPH046831A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 基体の引き上げ乾操方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2108036A JPH046831A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 基体の引き上げ乾操方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046831A true JPH046831A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14474326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2108036A Pending JPH046831A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 基体の引き上げ乾操方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100472732B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2005-05-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192497A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-27 | 三菱電機株式会社 | プリント基板用打抜き装置 |
| JPS6334099A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-13 | 株式会社不二越 | 振動仕上抜き機 |
| JPS6357100U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP2108036A patent/JPH046831A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192497A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-27 | 三菱電機株式会社 | プリント基板用打抜き装置 |
| JPS6334099A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-13 | 株式会社不二越 | 振動仕上抜き機 |
| JPS6357100U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100472732B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2005-05-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치제조방법 |
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