JPH0468352A

JPH0468352A - 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0468352A
Application number: JP2181795A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Takahashi; 洋一高橋
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1990-07-10
Filing date: 1990-07-10
Publication date: 1992-03-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回路の製造
に用いられるフォトマスク及びその製造方法に係り、特
に、微細なパターンを高精度に形成する際の位相シフト
層を有するフォトマスク及びその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積回路は、Ｓｉウ
ェハー等の被加工基板上にレジストを塗布し、ステッパ
ー等により所望のパターンを露光した後、現像、エツチ
ングを行う、いわゆるリソグラフィー工程を繰り返すこ
とにより製造されている。

このようなリソグラフィー工程に使用されるレチクルと
呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路の高性能化、
高集積化に伴ってますます高精度か要求される傾向にあ
り、例えば、代表的なＬＳＩであるＤＲＡＭを例にとる
と、ＩＭビットＤＲＡＭ用の５倍レチクル、すなわち、
露光するパターンの５倍のサイズを有するレチクルにお
ける寸法のずれは、平均値±３σ（σは標準偏差）をと
った場合においても、０．１５μｍの精度か要求され、
同ように、４ＭビットＤＲＡＭ用の５倍レチクルは０．
１〜０．１５μｍの寸法精度が、１６ＭヒツトＤＲＡＭ
用５倍レチクルは０．０５〜０．１μｍの寸法精度か要
求されている。

さらに、これらのレチクルを使用して形成されるデバイ
スパターンの線幅は、ＩＭピットＤＲＡＭで１．２ａｍ
、４ビットＤＲＡＭては０．８μｍ、１６ＭビットＤＲ
ＡＭでは０．６μｍと、ますます微細化が要求されてお
り、このような要求に応えるために、様々な露光方法か
研究されている。

ところか、例えば６４ＭＤＲＡＭクラスの次々世代のデ
バイスパターンになると、これまでのレチクルを用いた
ステッパー露光方式ではレジストパターンの解像限界と
なり、この限界を乗り越えるものとして、例えば、特開
昭５８−１７３７４４号公報、特公昭６２−５９２９６
号公報等に示されているような、位相シフトマスクとい
う新しい考え方のレチクルか提案されてきている。位相
シフトレチクルを用いる位相シフトリソグラフィーは、
レチクルを透過する光の位相を操作することによって、
投影像の分解能及びコントラストを向上させる技術であ
る。

位相シフトリソグラフィーを図面に従って簡単に説明す
る。第２図は位相シフト法の原理を示す図、第３図は従
来法を示す図であり、第２図（ａ）及び第３図（ａ）は
レチクルの断面図、第２図（ｂ）及び第３図（ｂ）はレ
チクル上の光の振幅、第２図（Ｃ）及び第３図（Ｃ）は
ウェハー上の光の振幅、第２図（ｄ）及び第３図（ｄ）
はウェハー上の光強度をそれぞれ示し、ｌは基板、２は
遮光膜、３は位相シフター、４は入射光を示す。

従来法においては、第３図（ａ）に示すように、ガラス
等からなる基板１にクロム等からなる遮光膜２が形成さ
れて、所定のパターンの光透過部か形成されているだけ
であるが、位相シフトリソグラフィーでは、第２図（ａ
）に示すように、レチクル上の隣接する光透過部の一方
に位相を反転（位相差１８０°）させるための透過膜か
らなる位相シフター３が設けられている。したがって、
従来法においては、レチクル上の光の振幅は第３図（ｂ
）に示すように同相となり、ウェハー上の光の振幅も第
３図（Ｃ）に示すように同相となるのて、その結果、第
３図（ｄ）のようにウェハー上のパターンを分離するこ
とかできないのに対して、位相シフトリソグラフィーに
おいては、位相シフターを透過した光は、第２図（ｂ）
に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相になさ
れるため、パターンの境界部で光強度が零になり、第２
図（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭に分離す
ることができる。このように、位相シフトリソグラフィ
ーにおいては、従来は分離できなかったパターンも分離
可能となり、解像度を向上させることができるものであ
る。

この位相シフト層を有するフェトマスク（レチクル）の
具体的なパターン例を説明すると、第４図のレチクルパ
ターンの平面図に示したように、ラインｌとスペースＳ
が交互に並んでいるパターンの場合には（図（ａ））、
１つおきのスペースＳ部分にそのスペース部Ｓを完全に
覆うようにシフター層３を設ける。また、コンタクトホ
ールのような孤立した穴パターンｈは（図（ｂ））　、
その周辺部に補助パターンと呼ばれる解像されないスリ
ット状のスペース部Ｓ′を付加的に作り、その補助パタ
ーンを覆うようにシフター層３を設けなければならない
。

ところが、このような位相シフト法は、第４図のような
単純なパターンの場合は目的を十分に達成するが、通常
のデバイスパターンのような複雑なパターンでは、シフ
ターパターンの設計か困難であったり、パターンの配置
によってはシフターを設計できない場合がある。

そこで、最近、自己整合型（セルフアライメント型）の
位相シフトマスクが考案されてきた（ｒＮＩＫＫＥＩ　
ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ　Ｊ　１９９０年１月号　ｐ
ｐ、　７８−７９）。この自己整合型の位相シフトマス
クは、第５図（ｄ）に断面を示すように、それぞれのパ
ターン１２の周囲に所定幅だけひさし状に突き出ている
位相シフト層１５を設けることによって、位相シフト法
と同様な原理により、パターンエツジ部分のコントラス
トを強調して解像性を向上させようとするものである。

次に、このような自己整合型の位相シフトレチクルの製
造工程を図面を参照にして説明する。第５図は、自己整
合型の位相シフトレチクルの製造工程を示す断面図であ
り、図中、１１は基板、１２はクロム膜、１３はＰＭＭ
Ａ等のレジスト膜、１４はバック露光用の光、１５は位
相シフトパターンを示す。

まず、光学研磨された基板】１上にクロム膜パターンＩ
２か形成されたレチクル（第５図（ａ））上に、ＰＭＭ
Ａ　（ポリメチルメタクリレート）等の電離放射線レジ
ストを、スピンコーティング等の常法により均一に塗布
し、加熱乾燥処理を施し、厚さ４０６ｎｍのレジスト層
１３を形成する（第６図（ｂ））。加熱乾燥処理は、使
用するレジストの種類にもよるか、通常、８０〜２００
℃で２０〜６０分間程度行う。。

次に、この基板１１の裏面から遠紫外光等Ｉ４てバック
露光する。露光後、エステル等の育機溶剤を主成分とす
る現像液で現像後、アルコールでリンスし、同図（Ｃ）
に示すようなりロムパターンの上にレジストパターン１
５の重なった形状のパターンの形成する。

続いて、この基板を硝酸第二セリウムアンモニウムを主
成分とするクロムエツチング液を用いてクロムパターン
をサイドエツチングし、同図（ｄ）に示すようなレジス
ト層から構成されたシフター１５かひさし状に突出する
ように形成された自己整合型の位相シフトレチクルか完
成する。

〔発明か解決しようとする課題〕

しかしながら、上述した従来の自己整合型位相シフトレ
チクルは、シフターがひさし状に突出して形成されてい
るため、高精度なマスクは作成できず、また、シフター
が破損しやすいという問題かあった。さらに、欠陥検査
かしにくく、修正はほとんど不可能で、研究用にはとも
かく、実用的には使用できないという問題かあった。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたちのてあり、
その目的は、相対的に輻か広い位相シフトパターンかレ
チクルパターンの下側に位置すること１こなるような配
置のフォトマスクブランクスを用いて構成された位相シ
フトフォトマスク及びその製造方法を提供することであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の問題に鑑み、実用性の高い高精度の位
相シフトレチクルを安定して製造する方法を開発すべく
研究の結果、位相ソフトレチクル用基板として、基板上
にエツチングストッパー層と透明膜層と遮光性薄膜をこ
の順序に形成した構造のフォトマスクブランクスを用い
ることにより、高精度の位相ソフトレチクルを安定して
製造できることを見出し、かかる知見に基づいて本発明
を完成したものである。

以下、本発明のフォトマスク及びその製造方法の１実施
例を図面を参照して説明する。第１図は、本発明に係わ
る位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法の工程
を示す断面図であり、図中、３０は基板、３１はエツチ
ングストッパー層、３２は透明膜層、３３は遮光性薄膜
、３４はレジスト層、３５はレジストパターン、３６は
電離放射線を示す。

まず、第１図（ａ）に示すように、光学研磨された基板
３０上に、Ｉｌ−１００ｎ厚の均一なエツチングストッ
パー層３１と１００〜１１０００ｎ厚の透明膜層３２と
５０〜２００ｎｍの遮光層３３を順次形成して、フォト
マスクブランクスを構成する。

次いて、このフォトマスクブランクス上にクロロメチル
化ポリスチレン等の電離放射線レジストをスピンコーテ
ィング等の常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施
し、厚さ０．１〜２０μｍ程度のレジスト層３４を形成
する。

ここで、基板３０としては、本発明の位相シフトマスク
か、通常ｉ線やエキシマレーザ等の短波長用のものであ
ることを考慮すると、石英、高純度石英、ＭｇＦｚ、Ｃ
ａＦｚ等を使用することか好ましい。しかし、それより
長波長の場合には、低膨脹ガラス、白板ガラス、青板ガ
ラス等を用いテモヨい。また、エツチングストッパー層
３１は、タンタル、モリブデン、タングステン、窒化シ
リコン等の薄膜か好ましい。また、透明膜層３２は、高
純度なＳ　ｓ　０２膜か好ましいか、窒化シリコン膜や
ＭｇＦ２、ＣａＦ２等も使用可能である。これらの膜の
コーティング法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、ある
いは、スピンオングラスによるコーティング（例えば、
シロキサンをスピンコーティングし、加熱して５１０２
膜を形成）か採用される。さらに、遮光層３３は、クロ
ム、窒化クロム、酸化クロム、タングステン、モリブデ
ン、モリブデンシリサイド等の薄膜を単層あるいは多層
に形成することにより形成することかできる。

また、レジストの加熱乾燥処理は、レジストの種類にも
よるか、通常、８０〜２００℃で、２０〜６０分間程度
行う。

次に、第１図（ｂ）に示すように、レジスト層３４に、
常法に従って電子線描画装置等の電離放射線３６による
露光装置で所定のパターンを描画し、エチルセロソルブ
やエステル等の育機溶剤を主成分とする現像液で現像後
、アルコールでリンスすると、同図（Ｃ）に示すような
レジストパターン３５か形成される。

次に、必要に応して加熱処理及びデスカム処理を行って
、レジストパターン３５のエツジ部分等に残存したレジ
スト層、ヒゲ等不要なレジストを除去した後、同図（Ｃ
）に示すように、レジストパターン３５の開口部より露
出する被加工部分、すなわち、連光層３３をエツチング
ガスプラズマ３７によりドライエツチングし、遮光パタ
ーン３８を形成する（図（ｄ））。なお、この遮光パタ
ーン３８の形成は、エツチングガスプラズマ３７による
ドライエツチングに代え、ウェットエツチングにより行
ってもよいことは当業者に明らかである。

このようにしてエツチングした後、同図（ｄ）に示すよ
うに、残存するレジスト３５を、酸素プラズマ３９によ
り灰化除去し、同図（ｅ）に示すような、基板３０の上
にエツチングストッパー層３１が形成され、その上にシ
フター層３２が形成され、さらに、その上に所定の遮光
パターン３８か形成されたフォトマスクか作成される。

なお、残存するレジスト３５の除去処理は、酸素プラズ
マ３９による灰化処理に代えて、溶剤剥離により行うこ
とも可能である。

続いて、このフォトマスクを検査し、必要によってはパ
ターンに修正を加え、洗浄した後、同図（ｆ）に示すよ
うに、遮光パターン３８の上に０ＦＰＲ−８００等のフ
ォトレジストをスピンコーティング等の常法により均一
に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ１〜２μｍ程度の
レジスト層４０を形成する。

続いて、ガラス基板３０側より上記レジスト層４０をバ
ック露光４１し、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドを主成分とするアルカリ水溶液て現像し、純水
でリンスして、遮光パターン３８の上にレジストパター
ンの乗ったパターンを形成する。

次に、第１図（ｇ）に示すように、このレジストパター
ンの開口部より露出する被加工部分、すなわち、シフタ
ー層３２をエツチングガスプラズマ４２によりドライエ
ツチングし、シフターパターン４３を形成する（同図く
ｈ））。

続いて、この基板を硝酸第二セリウムアンモニウムを主
成分とするエツチング液で処理して、シフター４３とレ
ジスト４０とに挟まれた遮光膜３８をサイドエツチング
する。このサイドエツチング量は、パターンの種類や大
きさにもよるか、通常０１〜０，５μｍ位である。

このようにしてエツチングした後、同図（ｉ）に示すよ
うに、残存するレジスト４０を、酸素プラズマ４４によ
り灰化除去し、同図（Ｄに示すような自己整合型の位相
シフトマスクか完成する。

なお、位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造
方法としては、必ずしも上記のものに限らず種々の変形
が可能である。

すなわち、本発明の位相シフト層を有するフォトマスク
は、フォトマスク用被加工基板として、基板上にエツチ
ングストッパー層と透明膜層と遮光性薄膜とかこの順序
で形成された構造のフォトマスクブランクスを用いて構
成されていることを特徴とするものである。

この場合、前記基板としては、高純度合成石英ガラス、
低膨脹ガラス、白板ガラス、青板ガラス、Ｍ　ｇ　Ｆ　
２又は（：ａＦ２等であることが望ましく、前記エツチ
ングストッパー層としては、タンタル膜、モリブデン膜
、タングステン膜又は窒化シリコン膜等であることか望
ましく、また、前記透明膜層としては、ＳｉＯ２薄膜、
窒化シリコン薄膜、Ｍ　ｇ　Ｆ　２薄膜又はＣａＦ２薄
膜等であることか望ましく、さらに、前記遮光性薄膜と
しては、クロム薄膜、窒化クロム薄膜、酸化クロム薄膜
、タングステン薄膜、モリブデン薄膜、モリブデンシリ
サイド薄膜及びこれらの多層膜等であることか望ましい
。

そして、このフォトマスクの具体的構造としては、基板
上のエツチングストッパー層上に形成された所定の膜厚
を有する透明膜層をパターニングして得られた位相シフ
ト層と、透明膜層上に形成された遮光性薄膜をパターニ
ングして得られたレチクルとからなり、位相シフト層の
パターンはレチクルと位置が整合していて、レチクルの
各エツジから外側へ所定幅突き出ている、自己整合型の
位相シフトマスクであることが、フォトマスクの分解能
、コントラストの上から望ましく、かっ、欠陥検査、修
正の点からも好ましい。

また、上記のような位相シフト層を有するフォトマスク
の製造方法は、基板上にエツチングストッパー層と透明
膜層と遮光性薄膜とがこの順序で形成された構造の被加
基板上に、電離放射線レジスト薄膜を形成する工程と、
この電離放射線レジスト薄膜に電離放射線をパターン照
射し、現像して、パターンを形成する工程と、この電離
放射線レジストパターンをマスクとして露出した遮光性
薄膜をエツチングする工程と、残存した電離放射線レジ
スト薄膜を除去する工程と、このバタ、−ニングされた
遮光性薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成する工程と、
このフォトレジスト薄膜をガラス基板側からバック露光
し、現像して、パターンを形成する工程と、このフォト
レジスト薄膜層と透明膜層とに挟まれた遮光性薄膜層を
サイドエツチングする工程と、エツチング終了後、フォ
トレジストを除去する工程とからなることを特徴とする
方法である。

この場合、前記基板としては、高純度合成石英ガラス、
低膨脹ガラス、白板ガラス、青板ガラス、Ｍ　ｇ　Ｆ　
２又はＣａ　Ｆ　２等であることが望ましく、前記エツ
チングストッパー層としては、タンタル膜、モリブデン
膜、タングステン膜又は窒化シリコン膜等であることが
望ましく、また、前記透明膜層としては、５ｉＯｚ薄膜
、窒化シリコン薄膜、ＭｇＦ、薄膜又はＣａＦ２薄膜等
であることが望ましく、さらに、前記遮光性薄膜として
は、クロム薄膜、窒化クロム薄膜、酸化クロム薄膜、タ
ングステン薄膜、モリブデン薄膜、モリブデンシリサイ
ド薄膜及びこれらの多層膜等であることが望ましい。

〔作用〕

位相シフトマスクは、理論的には高解像パターンが得ら
れ、今後のＬＳ　Ｉ、超ＬＳＩの高集積化に大変有用で
あるとされているが、この位相シフトマスクの実用に供
するものを実際に製造しようとする場合、高精度のパタ
ーニングや検査、修正といった点か問題となっている。

本発明では、被加工基板として、ガラス等の基板上にエ
ツチングストッパー層と透明膜層と遮光性薄膜とかこの
順序に形成された構造のフォトマスクブランクスを使用
することにより、高分解能、高コントラスト、高精度で
かつ検査や修正のしやすい位相シフトマスクか安定して
容易に製造できるものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例１）第１図（ａ）に示すように、光学研磨された高純度合成
石英ガラス３０上に、エツチングストッパー層３１とし
てのタンタル薄膜を１００人、シフター用の３ｉ０＊透
明膜３２を４０６ｎｍ、遮光性薄膜３３として表面か低
反射膜になっているクロム膜１２０ｎｍか、この順序で
形成されてなるフェトマスクブランクス上に、クロロメ
チル化ポリスチレンからなるレジスト溶液をスピンコー
ティング法により塗布し、１２０°Ｃで３０分間プリベ
ークし、厚さ０．５μｍの均一なレジスト膜３４を得た
。

次に、第１図（ｂ）に示すように、レジスト膜３４に電
子線描画装置にて２μＣ／ａＩｒでパターン描画し、エ
チルセロソルブと酢酸イソアミルとの混合液で６０秒間
現像し、イソプロピルアルコールで３０秒間リンスして
、レジストパターン３５を形成した。

続いて、レジストパターン３５の開口部より露出した遮
光膜３３を硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とす
る水溶液でエツチングし、次に、第１図（ｄ）に示すよ
うに、残存したレジスト３５を、２　Ｔｏｒｒ、４００
Ｗの酸素プラズマ３９で灰化除去して、同図（ｅ）に示
すようなフォトマスクパターン３８を得た。

こうして製造したフォトマスクの遮光膜パターン３８を
通常のマスク検査装置（例えば、日本レーザチック社製
７ＭＤやＫＡＬ社製のもの）にて品質検査を行い、場合
によっては遮光膜パターン３８の修正を施した後、この
マスク基板の上に０ＦＰＲ−８００のフェトレジスト溶
液をスピンコーティング法により塗布し、９０°Ｃて３
０分間プリベークし、第１図（ｆ）に示すような厚さ１
μｍの均一なレジスト膜４０を得た。続いて、この基板
をｇ線アライナ−を用いてレジスト面と反対側のガラス
面からバック露光４１［、、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイトを主成分とするアルカリ水溶液て現
像し、純水てリンスして、同図（ｇ）に示すような遮光
膜３８とレジスト４０の二層から成るパターンを得た。

次に、第１図（ｇ）に示すように、このレジストパター
ンをマスクとして露出したシフター用５ｉＯ７層３２を
ＲＩＥドライエツチング装置により出力２５０Ｗ、ＣＦ
、と０２の混合ガスからなるプラズマ４２中で１５分間
ドライエツチングして、同図（ｈ）に示すようなシフタ
ーパターン４３を得た。この時、ドライエツチングは、
エツチングストッパー層であるタンタル薄膜層３１て停
止し、均一なエツチングを行うことができた。

シフター層エンチング終了後の基板を、硝酸第二セリウ
ムアンモニウムを主成分とする水溶液でスプレー処理し
、レジスト層４ｏとＳｉＯ２シフター層４３との間に挟
まれたクロム膜層３８を０゜３μｍサイドエツチングし
く同図（ｉ））、純水洗浄した。

最後に、残存したレジスト４ｏを、第１図（１）に示す
ように、２　Ｔｏｒｒ、４００Ｗの酸素プラズマ４４て
灰化除去して、自己整合型の位相シフトマスク（同図（
ｊ））を得た。

こうして製造した位相シフトマスクは、精度が高く、か
つ検査や欠陥修正かしやすい実用的なものであった。

〔発明の効果〕

本発明の位相シフト層を有するフォトマスク及びその製
造方法においては、被加工基板として、ガラス等の基板
上にエツチングストッパー層と透明膜層と遮光性薄膜と
かこの順序に形成された構造のフォトマスクブランクス
を使用することにより、高分解能、高コントラスト、高
精度でかつ検査や修正のしやすい位相シフトマスクが安
定して容易に製造できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の位相シフト層を有するフォトマスクの
製造方法の１実施例の工程断面図、第２図は位相シフト
法の原理を示す図、第３図は従来法を示す図、第４図は
レチクルパターンの平面図、第５図は従来の自己整合型
位相シフトマスクの作製工程を示す断面図である。３０・・・基板、３１・・・エツチングストッパー層、
３２・・・透明膜層、３３・・・遮光性薄膜、３４・・
・レジスト層、３５・・・レジストパターン、３６・・
・電離放射線、３７・・・エツチングガスプラズマ、３
８’−・遮光パターン、３９・・・酸素プラズマ、４０
・・・フォトレジスト層、４１・・・バック露光、４２
・・・エツチングガスプラズマ、４３・・・シフターパ
ターン、４４・・・酸素プラズマ第１図（１）出　　願　　人　大日本印刷株式会社代理人　弁理士　韮　　澤　　　弘（外７名）第図（２）第４図（ａ）（ｂ）第２図第３図（ｄ　）ｆＶ入（ｄ）／ヘー＼

Claims

【特許請求の範囲】

（１）フォトマスク用被加工基板として、基板上にエッ
チングストッパー層と透明膜層と遮光性薄膜とがこの順
序で形成された構造のフォトマスクブランクスを用いて
構成されていることを特徴とする位相シフト層を有する
フォトマスク。
（２）前記基板は、高純度合成石英ガラス、低膨脹ガラ
ス、白板ガラス、青板ガラス、ＭｇＦ＿２又はＣａＦ＿
２等であることを特徴とする請求項１記載の位相シフト
層を有するフォトマスク。
（３）前記エッチングストッパー層は、タンタル膜、モ
リブデン膜、タングステン膜又は窒化シリコン膜等であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフト層
を有するフォトマスク。
（４）前記透明膜層は、ＳｉＯ＿２薄膜、窒化シリコン
薄膜、ＭｇＦ＿２薄膜又はＣａＦ＿２薄膜等であること
を特徴とする請求項１から３の何れか１項記載の位相シ
フト層を有するフォトマスク。
（５）前記遮光性薄膜は、クロム薄膜、窒化クロム薄膜
、酸化クロム薄膜、タングステン薄膜、モリブデン薄膜
、モリブデンシリサイド薄膜及びこれらの多層膜等であ
ることを特徴とする請求項１から４の何れか１項記載の
位相シフト層を有するフォトマスク。
（６）基板上のエッチングストッパー層上に形成された
所定の膜厚を有する透明膜層をパターニングして得られ
た位相シフト層と、透明膜層上に形成された遮光性薄膜
をパターニングして得られたレチクルとからなり、位相
シフト層のパターンはレチクルと位置が整合していて、
レチクルの各エッジから外側へ所定幅突き出ていること
を特徴とする請求項１から５の何れか１項記載の位相シ
フト層を有するフォトマスク。
（７）基板上にエッチングストッパー層と透明膜層と遮
光性薄膜とがこの順序で形成された構造の被加基板上に
、電離放射線レジスト薄膜を形成する工程と、この電離
放射線レジスト薄膜に電離放射線をパターン照射し、現
像して、パターンを形成する工程と、この電離放射線レ
ジストパターンをマスクとして露出した遮光性薄膜をエ
ッチングする工程と、残存した電離放射線レジスト薄膜
を除去する工程と、このパターニングされた遮光性薄膜
上にフォトレジスト薄膜を形成する工程と、このフォト
レジスト薄膜をガラス基板側からバック露光し、現像し
て、パターンを形成する工程と、このフォトレジスト薄
膜層と透明膜層とに挟まれた遮光性薄膜層をサイドエッ
チングする工程と、エッチング終了後、フォトレジスト
を除去する工程とからなることを特徴とする位相シフト
層を有するフォトマスクの製造法。
（８）前記基板は、高純度合成石英ガラス、低膨脹ガラ
ス、白板ガラス、青板ガラス、ＭｇＦ＿２又はＣａＦ＿
２等であることを特徴とする請求項７記載の位相シフト
層を有するフォトマスクの製造方法。
（９）前記エッチングストッパー層は、タンタル膜、モ
リブデン膜、タングステン膜又は窒化シリコン膜等であ
ることを特徴とする請求項７又は８記載の位相シフト層
を有するフォトマスクの製造方法。
（１０）前記透明膜層は、ＳｉＯ＿２薄膜、窒化シリコ
ン薄膜、ＭｇＦ＿２薄膜又はＣａＦ＿２薄膜等であるこ
とを特徴とする請求項７から９の何れか１項記載の位相
シフト層を有するフォトマスクの製造方法。
（１１）前記遮光性薄膜は、クロム薄膜、窒化クロム薄
膜、酸化クロム薄膜、タングステン薄膜、モリブデン薄
膜、モリブデンシリサイド薄膜及びこれらの多層膜等で
あることを特徴とする請求項７から１０の何れか１項記
載の位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法。