JPH0468388B2 - - Google Patents

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JPH0468388B2
JPH0468388B2 JP58094744A JP9474483A JPH0468388B2 JP H0468388 B2 JPH0468388 B2 JP H0468388B2 JP 58094744 A JP58094744 A JP 58094744A JP 9474483 A JP9474483 A JP 9474483A JP H0468388 B2 JPH0468388 B2 JP H0468388B2
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JP
Japan
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film
frequency power
cutting tool
coating
torr
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58094744A
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English (en)
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JPS59219463A (ja
Inventor
Minoru Nakano
Akira Doi
Masaaki Tobioka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP9474483A priority Critical patent/JPS59219463A/ja
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Publication of JPH0468388B2 publication Critical patent/JPH0468388B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野 本発明は、耐熱性に優れた被覆硬質部材の製造
法に関するものである。 (ロ) 従来の背景 超硬合金の表面に耐摩耗性に優れたTiC,
TiN,Al2O3などの硬質物質の一種又は二種以上
を、一層又は二層以上被覆した被覆超硬合金部材
は、従来の超硬合金に比べて、より優れた切削工
具材料として広く実用に供している。そのなかで
もAl2O3をもちいた二重被覆超硬合金部材は、
Al2O3のもつ優れた耐熱性、耐酸化性等のため、
特に優れた切削工具材料として知られている。近
年切削工具材料に要求される切削条件は、年々苛
酷になつてきており切削速度も300m/minを越
える場合も多くなつてきており、より耐摩耗性に
富む切削工具材料が要求されてきている。これ等
の要求に対し、Al2O3被覆層の膜厚を厚くする方
向が知られている。しかしながらAl2O3の被覆法
として知られているCVD法(化学蒸着法。以下
CVD法と称す。)においては、Al2O3の成長速度
がTiC,TiNと比べ1/10〜1/5と極めて遅く、厚
膜化を図ることが工業生産上著しく困難であるこ
と。又Al2O3の成長速度が極めて遅いため、その
反応雰囲気は通常10Torr以上、好ましくは
20Torr〜60Torrで行ねわれ、それ以下にする
と、工業上十分な成長速度が得られない。CVD
法において、膜厚のバラツキは、反応雰囲気が高
真空である程均一になることが知られているのが
Al2O3の場合、その成長速度の関係から、十分な
高真空で被覆が行なえないため、膜厚のバラツキ
が大きく、工業生産上歩留りの低下が著しく好ま
しくなかつた。 (ハ) 発明の開示 本発明は膜厚Al2O3被覆膜を、工業生産上好ま
しい、改善された成長速度でかつ、歩留りの著し
く改善された製造法を提供するものである。従来
のCVD法で、改善された成長速度をもつAl2O3被
覆膜を得る方法として、特開昭54−10314号に、
CVD法の反応ガス(Al2O3,CO2および/又は
CO,H2)にTi,Zrおよび/又はHfイオンを0.08
〜0.5容量%添加する方法が開示されている。し
かしながらこの方法は、たしかにAl2O3被覆膜の
成長速度に関しては、改善されるものの、膜厚の
バラツキには何の改善ももたらすものではなかつ
た。 本発明の特徴を要約すると下記の通りである。 (1) プラズマによつて活性化された、いわゆるプ
ラズマCVD法でAl2O3膜を生成する。 (2) AlCl3とTiCl4を容量で0.2〜30の比率で反応
ガスとして用いる。 プラズマによつて活性化されたプラズマCVD
法では、その反応速度が母材の温度に依存すると
いうよりは、プラズマの電子温度(通常数千度と
いわれる。)に依存するといわれ、従来のCVD法
に比べ、同一母材温度では、著しくその成長速度
が改善されることが知られている。さらに加えて
Tiのイオンを反応ガスに添加すると、生成した
Al2O3中にTiの酸化物が固溶し、Alイオンの表面
拡散速度を向上させるため、さらに成長速度が改
善される。又本発明では、Al2O3の成長速度が十
分に改善されているため、反応雰囲気を高真空に
しても、工業生産上、適した成長速度が得られる
ため、膜厚のバラツキについても著しく改善しう
る。Al2O3の原料ガスとしては、H2,COと/又
はCO2及びAlCl3,TiCl4チタンの混合ガスで四塩
化チタン/三塩化アルミニウムの比率は0.2〜30
であるが、好ましくは0.2〜20である。0.2以下で
は成長速度の向上に余り効果なく30を越えると
Tiの酸化物の析出物を生じTiの酸化物はAl2O3に
比し耐摩耗性で劣るため好ましくない。(反応炉
内の圧力は、0.1〜10Torr好ましくは、0.1〜
2Torrである。)0.1Torr未満ではプラズマ発生が
不安定で、10Torrを越えると膜厚均一性に効果
がなくなる。プラズマを発生させるには、13,
56MHzの高周波電力のほかマイクロ波を用いたも
のでも当然のことながら効果は同じである。プラ
ズマCVD法を用いるもう1つの特徴は、Al2O3の
膜質を制御することにある。即ち、従来技術で
は、α,κ型の結晶質のものしか生成し得ない
が、本発明によれば、温度、高周波電力の大きさ
を制御て、アモルフアス、非晶質のものを調整す
ることができる。13、56MHzの高周波電力を用い
る場合、500〜800℃では100W〜3KW,800〜
1000℃間では200〜1000W,1000℃〜1200℃では
500W以下の電力が好ましい。析出するAl2O3膜
の特性は反応温度が低く高周波電力が低いほど、
アモルフアスあるいは、結晶質との混合相のもの
が得られ、又高電力、高温度になるにつれ、アモ
ルフアス、κ−,α−のAl2O3が得られる。
Al2O3の混合相は、若干、耐摩耗性が劣るが靫性
は良いので高周波電力と反応温度を選定すること
で結晶質単体かあるいは混合相にするかによつて
任意の膜質が得られる。本条件外では温度、高周
波電力が高い値のところで粗粒化し、低い値のと
ころでは、充分な成長速度が得られない。 上記したように、本発明では従来のAl2O3単体
よりも靫性の高い膜質が得られるため、基体とし
ては、超硬合金のほかIVa,Va,VIa族元素の炭
化物、窒化物、炭窒化物等の硬質相からなるサー
メツト及びAl2O3を主成分とするセラミツクある
いはSiC,Si3N4のセラミツク等の靫性の低い基
体にも応用できる。又当然のことながら高速度鋼
のような靭性の高い母材にも応用できる。以下実
施例にて説明する。 実施例 1 市販のTiCコーテイングチツプ(商品名
AC720)型番SNMN432に酸化アルミニウムを被
覆した。なお酸化アルミニウムの被覆条件は以下
の通りであつた。 反応気体組成 H2 90容量% Al2Cl3 3 〃 CO2 6 〃 TiCl4 0.5 〃 CO 0.5 〃 反応気体流速 2m/秒 反応気体圧力 2Torr 温 度 900,1000℃ 反応時間 5〜10時間 又、この条件にて13、56MHzの高周波電力
500WでAl2O3をコーテイングした。これらの結
果から単位時間当りの成長速度を第1図に示し
た。従来の方法での活性化エネルギーは、
32kcal/mol、本発明では7kcol/molであり、
温度変化による膜厚分布のバラツキが少なくなつ
ている。本条件においての0.1Torrではプラズマ
が不安定で10Torrをこえると膜厚分布が大きく
なつた。 実施例 2 市販のTiCコーテイングチツプ、型番
SNMN432にて以下の条件にてAl2O3の被覆を行
つた。なお反応ガスの組成以外は実施例1の条件
(高周波電力500W)と同じである。(反応時間
3Hr)
【表】 上記の切削チツプと比較のために、市販の
6μTiCに5μAl2O3をコーテイングしたもので(No.
5)下記の条件で切削テストを行つた。 被削材 SCM435 切削条件 V=400m/min f=0.3mm/rev d=1.5mm 3分間切削したところ、No.1〜No.3はフランク
摩耗が、0.25〜0.28mmで切削可能であつた。No.
4、No.5は、0.39mm、0,31mmであつた。 実施例 3 10容量%の結合相(Co,Ni)で硬質相が60%
TiC、8%TiN、2%Mo2C、残WCの組成から
なるサーメツト及び95%Al2O3−5%TiCセラミ
ツクを基体として、実施例1と同様の反応ガス組
成で表2の条件でAl2O3を5μコーテイングした。
【表】 比較のために従来のCVD法で5μAl2O3コーテイ
ングしたサーメツト(No.12)、セラミツク(No.13)
を実施例2の切削条件で切削テストを行つた(切
削時間5分)フランク摩耗を測定したところ第3
表の結果が得られた。
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は、Al2O3被覆速度への反応温度の効果
を示しており、Aは本発明、Bは従来のドーピン
ブのみによる効果を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 超硬合金、高速度鋼、セラミツク、サーメツ
    トを母材として該母材上に水素、三塩化アルミニ
    ウム、一酸化炭素と/又は二酸化炭素及び四塩化
    チタンの混合ガスであつて、かつ四塩化チタンと
    三塩化アルミニウムの比率(容積)が、0.2〜30
    である該混合ガスを流し、該雰囲気中でプラズマ
    CVD法でAl2O3膜を被覆することを特徴とする
    Al2O3コーテイング膜を有する切削工具の製造
    法。 2 特許請求の範囲第1項において、雰囲気中の
    圧力が、0.1〜10torrであることを特徴とする
    Al2O3コーテイング膜を有する切削工具の製造
    法。 3 特許請求の範囲第1又は第2項において、プ
    ラズマCVD法を、13.56MHzの高周波電力によつ
    て行い、かかる電力が反応温度500〜800℃未満に
    おいては、100W〜3KW、800〜1000℃未満では、
    200W〜1000W、1000℃〜1200℃では、高周波電
    力が、500W以下の条件下で、Al2O3膜を被覆す
    ることを特徴とするAl2O3コーテイング膜を有す
    る切削工具の製造法。
JP9474483A 1983-05-27 1983-05-27 Al2O3コーティング膜を有する切削工具の製造法 Granted JPS59219463A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9474483A JPS59219463A (ja) 1983-05-27 1983-05-27 Al2O3コーティング膜を有する切削工具の製造法

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JP9474483A JPS59219463A (ja) 1983-05-27 1983-05-27 Al2O3コーティング膜を有する切削工具の製造法

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JPS59219463A JPS59219463A (ja) 1984-12-10
JPH0468388B2 true JPH0468388B2 (ja) 1992-11-02

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ID=14118630

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JP9474483A Granted JPS59219463A (ja) 1983-05-27 1983-05-27 Al2O3コーティング膜を有する切削工具の製造法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5011360A (ja) * 1973-05-30 1975-02-05
JPS5128600A (ja) * 1974-09-05 1976-03-10 Kitasato Gakuen Kayoseipurushianburuunoseizohoho
SE406090B (sv) * 1977-06-09 1979-01-22 Sandvik Ab Belagd hardmetallkropp samt sett att framstalla en dylik kropp

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JPS59219463A (ja) 1984-12-10

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