JPH0468624B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は新規なフオトレジストストリツピング
（除去又は剥離）用組成物と、このストリツピン
グ用組成物を使用してレジストを除去する方法と
に関する。更に詳しくは、本発明は２−ピロリジ
ノン化合物、テトラヒドロチオフエン−１，１−
ジオキシド化合物、ポリエチレングリコール、ジ
エチレングリコールモノアルキルエーテル、及び
アミン又はアミン誘導体類の混合物からなる新規
なフオトレジストストリツピング用組成物と、こ
のストリツピング用組成物でレジストを除去する
（はぎ取る）ことに関する。 ［従来の技術］ 近代技術はポジ型のレジスト材料を用いてリト
グラフで基質上にパターンを描き、続いて基質材
料上でエツチングしてこのパターンにするか、又
はパターンを他の方法で基質材料上につけること
ができる。レジスト材料はフイルムとして付着さ
れ、望んでいるパターンはレジストをエネルギー
照射に当てることによつて決められる。そのあと
露出部分を適当な定着液によつて溶解させる。パ
ターンがこうして基質上につけられたら、その後
の操作や加工段階への悪影響や妨害を避けるため
に、レジスト材料を基質から完全に除去しなけれ
ばならない。 このようなフオトリソグラフイ法では、パター
ンを描いた後、更にリソグラフイ操作ができるよ
うに、フオトレジスト材料はすべての未露出部分
から均等かつ完全に除去される必要がある。なお
もパターンを描くべき区域にレジストが部分的に
でも残つているのは望ましくない。また、パター
ンを描いた線の間に、望んでいないレジスト残留
物があると、金属被覆のようなその後の操作に悪
影響を与えたり、望ましくない表面状態や荷電を
生じたりすることもある。 これまでレジスト材料は、以下のものの一つな
いしそれ以上を含有するストリツピング剤によつ
て除去されていた。すなわち、ハロゲン化炭化水
素、例えばメチレンやテトラクロロエチレン；ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ジエタノールアミン及びトリエタノールアミ
ンのようなアミン類とその誘導体類；エチレング
リコールモノエチルエーテル、２−ブトキシエタ
ノール、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノー
ル及びそれらのアセテートのようなグリコールエ
ーテル類；メチルエチルケトン、アセトン、メチ
ルイソブチルケトン及びシクロヘキサノンのよう
なケトン類；並びにジオキサン、ナトリウムフエ
ノラート、イソプロピルアルコール、硫酸／硝酸
混合物のような材料、カロ酸と硫酸／過硫酸アン
モニウムのような過硫酸混合物；及び苛性及びフ
エノール誘導体類混合物やその他種々の材料。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、これらの種々の材料には、さまざまな
欠点が多数ある。このような各ストリツピング剤
の使用において、次のような欠点を一つ以上挙げ
ることができる。望ましくない可燃性、揮発性、
悪臭及び毒性；全レジストフイルムの不完全な除
去；ある種のレジストフイルムに対してしかない
有効性；ストリツピング剤による金属基質の攻撃
といつた、レジスト材料以外の成分の攻撃；スト
リツピング剤の取り扱いと処分に際しての安全
性；及び選ばれたレジストをストリツピングする
時に特定された高温で使用せねばならない望まれ
ない必要性。更に、ストリツピング剤の限られた
ストリツピング性能が非常に決定的な欠点であ
る。そのほか、苛酷なポストベーキング操作にか
けるレジスト材料に対して、多くのこのようなス
トリツピング剤は十分に有効ではなく、そのため
有用性が限定される。ストリツピング剤によつて
は、水分の存在が極めて有害である。そのうえ、
金属基質に対してストリツピング剤の不活性を要
するストリツピング用には、取り扱い中の毒性と
廃棄の困難が第一の欠点となつている。 もつと最近になつて、２−ピロリジノン化合物
とテトラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシド
化合物との混合物から、大幅に改良されたストリ
ツピング用組成物が提供されることがわかつた。
好ましくは、この混合物はポリエチレングリコー
ル及び１又はジエチレングリコールモノアルキル
エーテルをも包含している。このようなストリツ
ピング用組成物は、例えば1983年７月26日にア
イ・ウオードらに発行されジエイ・テイー・ベー
カー社に譲渡された合衆国特許第4395479号に明
らかにされている。このようなストリツピング用
組成物はこの技術での相当な進歩を表わしてお
り、これまで使用された組成物のもつ欠点の多く
を排除し、又は実質的に減少させはしたが、いつ
そう有効なストリツピング用組成物に対する大き
な必要がまだある。しかもウオードらの特許のス
トリツピング用組成物は、150℃で１時間までの
ポストベーキングにかけた基質からレジスト組成
物を除くには一般に有効であるが、より高温のポ
ストベーキング温度、例えば180ないし200℃で１
時間のポストベーキングにかけた基質からフオト
レジストを容易に除去できるようなストリツピン
グ用組成物を提供することは、非常に望ましく、
また必要でもある。 更に、材料の異なる新しいフオトレジスト組成
物の導入に伴つて、別の古いフオトレジストを除
くのに有効なストリツピング用組成物が、新しい
フオトレジスト組成物を基質から除くには必ずし
も有効ではなく、全く有効でない場合もあること
がわかつた。 従つて、より有効な改良されたフオトレジスト
ストリツピング用組成物、特に新しい改良された
フオトレジスト組成物や150℃、180℃、200℃の
ポストベーキング温度にかけたフオトレジスト組
成物をも有効迅速に除去するような、ストリツピ
ング用組成物が必要とされている。 ［問題点を解決する手段］ これまで述べた欠点をなくすか、又は実質的に
減らし、ストリツピング用組成物の有用性範囲を
大幅に拡大した、適切な改良フオトレジストスト
リツピング用組成物が、本発明の教示に従つて得
られる。また新規なストリツピング用組成物は、
相乗的に強化されたストリツピング作用をも示
し、個々の成分をフオトレジストストリツピング
剤として単独使用しても得られないレジストスト
リツピング性能を提供している。本発明の新規な
ストリツピング用組成物は、２−ピロリジノン化
合物約30ないし約76重量％、テトラヒドロチオフ
エン−１、１−ジオキシド化合物約10ないし約56
重量％、ポリエチレングリコール約３ないし約20
重量％、ジエチレングリコールモノアルキルエー
テル約10ないし約30重量％、及びあるアミン類又
はアミン誘導体類、好ましくはヒドロキシル化ア
ミン化合物類約１ないし約15重量％の混合物から
なる。本発明のストリツピング用組成物中の水の
存在は有害ではなく、不要な逆効果を生じること
なく約０〜約10重量％の量で存在できる。 本発明は又フオトレジスト材料を基質から除く
為のこのようなストリツピング用組成物の使用法
にも関する。 本発明のストリツピング用組成物は、 式 ［式中Ｒは水素、１−３個の炭素原子のアルキ
ル、及び１−３個の炭素原子のヒドロキシアルキ
ルからなる群から選ばれる］の２−ピロリジノン
化合物約30ないし約76重量％、好ましくは約45な
いし約70重量％、及び更に好ましくは約45ないし
約60重量％； 式 ［式中R¹は水素、メチル又はエチル］のテト
ラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシド化合物
約10ないし約56重量％、好ましくは約10ないし約
40重量％、及びより好ましくは約15ないし約30重
量％；ポリエチレングリコール約３ないし約20重
量％、好ましくは約５ないし約12重量％、及び最
も好ましくは約７ないし約12重量％；ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル約10ないし約30
重量％、好ましくは約12ないし約20重量％、及び
最も好ましくは約15ないし約20重量％；及びイミ
ダゾール、３−アミノ−１−プロパノール、エタ
ノールアミン、２（２−アミノエチルアミノ）エ
タノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパ
ノール、イソプロパノールアミン、２−アミノ−
３−ピコリン、２−アミノ−４−ニトロフエノー
ル、２−アミノ−６−ピコリン、モルホリン、２
−アミノエチルピペラジン及び２−アミノ−４，
６−ジメチルピリミジンからなる群から選ばれる
アミン又はアミン誘導体類約１ないし約15重量
％、好ましくは約２ないし約10重量％、及び最も
好ましくは約３ないし約10重量％を含有するスト
リツピング用組成物からなる。 本発明組成物中に使用できるジエチレングリコ
ールモノアルキルエーテル類は、式HOCH₂CH₂
−Ｏ−CH₂CH₂−Ｏ−R²［式中R²は１−４個の炭
素原子のアルキル］のものである。本発明の組成
物類に使用されるこのような化合物の例は、例え
ばジエチレングリコールのモノメチル−モノエチ
ル−、及びモノブチルエーテル類である。２−
（２−エトキシエトキシ）エタノールが特に好ま
しい。 本発明のストリツピング用組成物中に任意適当
なポリエチレングリコールを使用できるが、分子
量約200のポリエチレングリコールが好ましい。 本発明のストリツピング用組成物は水を含まな
いものでありうるが、これは本質的ではなく、水
は約10重量％までの量で存在しうる。 本発明の好ましい組成物は、ピロリジノン化合
物約45ないし60重量％、テトラヒドロチオフエン
−１、１−ジオキシド化合物約15ないし30重量
％、ポリエチレングリコール約６ないし12重量
％、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル
化合物約15ないし20重量％、及びアミン又はアミ
ン誘導体類約３ないし10重量％を含有するもので
ある。 本発明の例示的なストリツピング用組成物とし
て、第１表の以下の組成物類を挙げることができ
る。

【表】

【表】 本発明のストリツピング用組成物は広範囲の多
種多様なポジ型フオトレジストのストリツピング
に有効である。ほとんどのポジ型フオトレジスト
は、ノボラツク、レゾール、ポリアクリルアミド
又はアクリル共重合型結合剤又は樹脂を伴つたオ
ルトナフトキノンジアジドスルホン酸エステル又
はアミド増感剤又は光活性成分からなる。このよ
うなポジ型フオトレジストは、この技術で周知で
ある。このようなレジストや増感剤は、例えば、
合衆国特許第3046118号；第3046121号；第
3106465号；第3201239号；第3538137号；第
3666473号；第3934057号；第3984582号及び第
4007047号に記述されている。本発明のストリツ
ピング用組成物を使用できるこのようなポジ型フ
オトレジスト組成物の例として、イーストマン・
コダツク社のフオトレジストコダツク809；ジエ
イ・テイー・ベーカー・ケミカル社のフオトレジ
スト1PR−21，1PR−５，1PR25及び1PR−95；
フイリツプス・Ａ・ハント・ケミカル・コーポレ
ーシヨンのウエイコートHPR 104，HPR 106，
HPR 204及びHPR 206フオトレジスト；アメリ
カン・ヘキスト・コーポレーシヨンのフオトレジ
ストAZ−1350，AZ−1350B，AZ−1350H，AZ
−1350J，AZ−1370，AZ−1450B，AZ−1450J，
AZ−1470，AZ−2400，AZ−111，AZ−1375，
AZ−1350B−SF，AZ−1350J−SF，及びAZ−
1370−SF；ポリクローム・コーポレーシヨンの
フオトレジストPC−129，PC−129SF及びPC−
138；フジ・ケミカル・インダストリアル・カン
パニーのフオトレジストFPR−200；ダイナケ
ム・コーポレーシヨンのフオトレジストOFPR−
800；及びマツク・ダーミツド社のフオトレジス
トウルトラマツクUM−74，PR 913，PR 914及
びPR 915を挙げることができる。 ［発明の効果］ 本発明のストリツピング用組成物は、約150℃、
180℃又は200℃のポストベーク温度に約１時間か
けた時でも、フオトレジスト材料を基質から完全
に除去するのに有効である。 本発明のストリツピング用組成物は、次に述べ
る多くの理由から特に有利である。ストリツピン
グ用組成物は、基質を攻撃せずに金属その他の基
質からポジ型フオトレジスト材料を除去する。組
成物は本質的に無毒であり、水と混ざる。ストリ
ツピング操作中の水の存在は、ストリツピング組
成物の操作に有害ではない。フエノール基盤のス
トリツピング剤と異なり、本発明の組成物は特別
な取り扱いを要せず、通常の汚水処理施設で容易
に処分できる。そのうえ、組成物の浴寿命とスト
リツピング有効性は、大部分、温度と無関係であ
る。本発明のストリツピング用組成物を使用する
と、その後脱イオン水でリンスするだけでよい
が、先行技術の多くのストリツピング剤では更に
有機溶剤を使う必要がある。本発明のストリツピ
ング用組成物は、除去しにくいポジ型フオトレジ
ストを約75ないし95℃以下で完全に除去する一
方、幾つかの先行技術のストリツピング剤は約95
℃ないし約100℃以上の浴温を必要とする。また、
ほとんどのポジ型フオトレジストは約５分以内に
完全に除去されるが、市販の多くのストリツピン
グ用組成物では20分までのストリツピング時間が
推薦されている。 アミン又はアミン誘導体成分を含有する本発明
のストリツピング用組成物は、先行の合衆国特許
第4395479号の組成物類では有効かつ完全にフオ
トレジストが除去されない基質から、ポジ型フオ
トレジスト材料を有効かつ完全に除去することが
予想外に見い出された。 ［実施例］ 本発明のストリツピング用組成物のストリツピ
ング作用の有効性と予想外の性質は、以下の実施
例中に提示されたデータに示されている。 ウエハー基質３″を、この技術で認められた手
順に従つて、ポジ型フオトレジスト材料の1μ被
覆で覆い、約150℃で約１時間ポストベークした。
ストリツピング浴を水浴と同じ恒温に保持し、ポ
ストベークし被覆したウエハーを、恒温ストリツ
ピング用組成物含有の600mlビーカーに浸けて、
同一期間時々かきまぜた。このあと、ウエハーを
取り出し、脱イオン水の流水でリンスし、窒素流
中で乾燥した。レジストの除去を確かめるために
ウエハーを検査することによつて、ストリツピン
グ性を判定した。 下の第２表の実施例１−12で指定された本発明
の組成物類を、対照Ａで指定される前記合衆国特
許第4395479号の好ましい組成物について得られ
たストリツピング結果と比較した。対照Ａの組成
物は次のとおりである。１−メチル−２−ピロリ
ジノン51重量％、テトラヒドロチオフエン−１，
１−ジオキシド26重量％、２−（エトキシエトキ
シ）エタノール17重量％、及びポリエチレングリ
コール６重量％、実施例１−12は対照A97重量％
プラス指定されたアミン又はアミン誘導体３重量
％を含有する。ストリツピング用組成物は、一般
的に除去しにくいフオトレジスト、すなわちアメ
リカン・ヘキスト・コーポレーシヨン製のAZ−
2400及びAZ−1450Jフオトレジスト、ジエイ・テ
イー・ベーカー・ケミカル社の1PR−21フオトレ
ジスト、ダイナケム製のOFPR−800フオトレジ
スト、及びマツク・ダーミツド製のUM−74フオ
トレジストを除くために使用された。 第２表 実施例番号 成分 １ 対照Ａ＋イミダゾール ２ 対照Ａ＋３−アミノ−１−プロパノール ３ 対照Ａ＋エタノールアミン ４ 対照Ａ＋２（２−アミノエチルアミノ）エ
タノール ５ 対照Ａ＋２−アミノ−２−メチル−１−プ
ロパノール ６ 対照Ａ＋DL−１−アミノ−２−プロパノ
ール ７ 対照Ａ＋２−アミノ−６−ピコリン ８ 対照Ａ＋モルホリン ９ 対照Ａ＋２−アミノエチルピペラジン 10 対照Ａ＋２−アミノ−４，６−ジメチルピ
リジン 11 対照Ａ＋２−アミノ−２−ピコリン 12 対照Ａ＋２−アミノ−４−ニトロフエノー
ル 本発明の組成物類、すなわち実施例１−12の
各々は、合衆国特許第4395479号の比較組成物で
ある対照Ａのみよりフオトレジストの効果的な除
去をもたらした。 本発明組成物類は、更に試験すると、上記の合
衆国特許第4395479号の組成物すなわち対照Ａに
比べ、特に150℃と同様180℃や200℃のポストベ
ーキング温度にかけた被覆基質からフオトレジス
トを除去するのに、大幅に改良されたフオトレジ
ストストリツピング性を実証した。基質からのフ
オトレジストのこのような改良された除去の例
は、下の実施例13−15に示すものである。実施例
13−15で使用された組成物類は、第３表に記載の
組成物Ａ−Ｆである。 第２表組成物 成分 Ａ 対照A97％＋エタノールアミン３％ Ｂ 対照A90％＋エタノールアミン10％ Ｃ 対照A97％＋２（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール３％ Ｄ 対照A90％＋２（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール10％ Ｅ 対照A97％＋DL−１−アミノ−２−プ
ロパノール３％ Ｆ 対照A90％＋DL−１−アミノ−２−プ
ロパノール10％ 実施例１−12で使用された除去しにくいフオト
レジストAZ−1450J，1PR−21，OFPR−800及
びUM−74を除くために、ストリツピング用組成
物の組成物Ａ−Ｆ並びに単独の対照Ａを使用し
た。実施例１−12で用いた同じ一般手順を実施例
13−15に使用したが、但しポストベーク処理温
度、ストリツピング浴温及び浸漬時間は実施例に
示すとおりであつた。実施例13−15で、フオトレ
ジストの受入れられる除去（removal）をＲで示
し、フオトレジストの非除去（non−removal）
をNRで示す。 実施例 13 フオトレジストの被覆ウエハーを150℃で１時
間ポストベークした。ストリツピング浴温は75℃
であり、ストリツピング浴へのウエハーの浸漬時
間は５分であつた。

【表】 実施例 14 フオトレジストの被覆ウエハーを180℃で１時
間ポストベークした。ストリツピング浴温は75℃
又は95℃であり（指示のとおり）、ストリツピン
グ浴へのウエハーの浸漬時間は５分であつた。

【表】

【表】 実施例 15 フオトレジストの被覆ウエハーを200℃で１時
間ポストベークした。ストリツピング浴温は75℃
又は95℃であり（指示のとおり）、ストリツピン
グ浴へのウエハー浸漬時間は５分であつた。

【表】 実施例13−15は、本発明の改良されたストリツ
ピング用組成物が、150℃、180℃、及び200℃で
ポストベークされた基質からフオトレジストを除
去するが、先行技術の合衆国特許第4395479号の
組成物（対照Ａ）はそうしないことを例証してい
る。更に、多くの場合、本発明の改良されたスト
ツピリング用組成物類は、より低温で基質からフ
オトレジストを除去でき、このため改良されたス
トリツピング効率を可能としている。 本発明の改良されたストリツピング用組成物類
で得られるストリツピングの結果は予想外であつ
た。というのは、他の同様な多くのアミン類やア
ミン誘導体類が、合衆国特許第4395479号の対照
Ａ組成物に添加されたとき、このような改良され
たフオトレジスト除去を生じないからである。例
えば、次に挙げるアミン類やアミン誘導体類約３
ないし６重量％を対照Ａに添加し、実施例１−12
に関連して記述されたものと同じ方法で試験した
とき、対照Ａのみに比べて、まつたく改善され
ず、ある場合には、ストリツピング能力が低下し
悪くなつた。４−メチルモルホリン−Ｎ−オキシ
ド、３，４−キシリデン、Ｎ−（３−アミノプロ
ピル）ジエタノールアミン、トリエチレンテトラ
ミン、アミノメチル−３，５，５−トリメチルシ
クロヘキサン、１，８−ジアミノ−ｐ−メンタ
ン、ドデシルアミン、４−ブチルアニリン、４−
アミノフエニルスルホン、ジイソプロパノールア
ミン、２−（第三ブチルアミノ）エタノール、２
−（ジイソプロピルアミノ）エタノール、水酸化
ベンジルトリメチルアンモニウム及びポリエチレ
ンイミン（分子量50000）。 種々の手段、例えばストリツピング浴に浸す
か、未露出フオトレジスト表面にストリツピング
用組成物を噴霧するなど、基質上の未露出フオト
レジストをストリツピング用組成物と接触させる
ことにより、本発明のストリツピング用組成物を
ポジ型フオトレジスト用ストリツピング剤として
使用できることが期待される。 フオトレジスト材料を基質から除去するための
上の組成物の使用法のみを例示したが、当業者に
明白な他の用途、例えば反応容器や硬化器等から
重合体残留物を除去するため、又は例えばペン
キ、ワニス等の塗料を表面から除去するために
も、本発明のストリツピング用組成物が適してい
ることが期待されている。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式 ［式中Ｒは水素、１−３個の炭素原子のアルキ
   ル、及び１−３個の炭素原子のヒドロキシアルキ
   ルからなる群から選ばれる］の２−ピロリジノン
   化合物約30ないし約76重量％；式 ［式中R¹は水素、メチル又はエチルからなる
   群から選ばれる］のテトラヒドロチオフエン−
   １，１−ジオキシド化合物約10ないし約56重量
   ％；ポリエチレングリコール約３ないし約20重量
   ％；式HOCH₂CH₂−Ｏ−CH₂CH₂−Ｏ−R₂［式
   中R₂は１−４個の炭素原子のアルキル］のジエ
   チレングリコールモノアルキルエーテル約10ない
   し約30重量％；及びイミダゾール、３−アミノ−
   １−プロパノール、エタノールアミン、２（２−
   アミノエチルアミノ）エタノール、２−アミノ−
   ２−メチル−１−プロパノール、イソプロパノー
   ルアミン、２−アミノ−３−ピコリン、２−アミ
   ノ−４−ニトロフエノール、２−アミノ−６−ピ
   リコン、モルホリン、２−アミノエチルピペラジ
   ン及び２−アミノ−４，６−ジメチルピリミジン
   からなる群から選ばれるアミン又はアミン誘導体
   類約１ないし約15重量％を含有するストリツピン
   グ用組成物。 ２ ２−ピロリジノン化合物約45ないし約70重量
   ％、テトラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシ
   ド化合物約10ないし約40重量％、ポリエチレング
   リコール約５ないし約12重量％、ジエチレングリ
   コールモノアルキルエーテル化合物約12ないし約
   20重量％、及びアミン又はアミン誘導体類約２な
   いし約10重量％を含有する特許請求の範囲第１項
   の組成物。 ３ ２−ピロリジノン化合物約45ないし約60重量
   ％、テトラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシ
   ド化合物約15ないし約30重量％、ポリエチレング
   リコール約６ないし約12重量％、ジエチレングリ
   コールモノアルキルエーテル化合物約15ないし約
   20重量％、及びアミン又はアミン誘導体類約３な
   いし約10重量％を含有する特許請求の範囲第１項
   の組成物。 ４ ２−ピロリジノン化合物が１−メチル−２−
   ピロリジノンであり、テトラヒドロチオフエン−
   １，１−ジオキシド化合物がテトラヒドロチオフ
   エン−１，１−ジオキシドであり、ジエチレング
   リコールモノアルキルエーテル化合物が２−（２
   −エトキシエトキシ）エタノールであり、アミン
   又はアミン誘導体類が１−アミノ−２−プロパノ
   ール、エタノールアミン及び２−（２−アミノエ
   チルアミノ）エタノールからなる群から選ばれ
   る、特許請求の範囲第１項の組成物。 ５ ２−ピロリジノン化合物が１−メチル−２−
   ピロリジノンであり、テトラヒドロチオフエン−
   １，１−ジオキシド化合物がテトラヒドロチオフ
   エン−１，１−ジオキシドであり、ジエチレング
   リコールモノアルキルエーテル化合物が２−（２
   −エトキシエトキシ）エタノールであり、アミン
   又はアミン誘導体類が１−アミノ−２−プロパノ
   ール、エタノールアミン及び２−（２−アミノエ
   チルアミノ）エタノールからなる群から選ばれ
   る、特許請求の範囲第２項の組成物。 ６ ２−ピロリジノン化合物が１−メチル−２ピ
   ロリジノンであり、テトラヒドロチオフエン−
   １，１−ジオキシド化合物がテトラヒドロチオフ
   エン−１，１−ジオキシドであり、ジエチレング
   リコールモノアルキルエーテル化合物が２−（２
   −エトキシエトキシ）エタノールであり、アミン
   又はアミン誘導体類が１−アミノ−２−プロパノ
   ール、エタノールアミン及び２−（２−アミノエ
   チルアミノ）エタノールからなる群から選ばれ
   る、特許請求の範囲第３項の組成物。 ７ ポリエチレングリコールが分子量約200のポ
   リエチレングリコールである、特許請求の範囲第
   ４項の組成物。 ８ ポリエチレングリコールが分子量約200のポ
   リエチレングリコールである、特許請求の範囲第
   ５項の組成物。 ９ ポリエチレングリコールが分子量約200のポ
   リエチレングリコールである、特許請求の範囲第
   ６項の組成物。