JPH0468766B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0468766B2 JPH0468766B2 JP57227086A JP22708682A JPH0468766B2 JP H0468766 B2 JPH0468766 B2 JP H0468766B2 JP 57227086 A JP57227086 A JP 57227086A JP 22708682 A JP22708682 A JP 22708682A JP H0468766 B2 JPH0468766 B2 JP H0468766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- alignment
- linear
- image signal
- alignment mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路用のウエハ等の基板
と、これに対応するマスクとの相対的位置関係の
整合するマスクアライメント方法において、マス
ク、ウエハに設けられた両位置合せマークが重な
り、または接近しても、その画像信号から両者の
相対位置を識別して両者を相対的に位置合わせで
きるようにしたアライメント方法に関するもので
ある。
と、これに対応するマスクとの相対的位置関係の
整合するマスクアライメント方法において、マス
ク、ウエハに設けられた両位置合せマークが重な
り、または接近しても、その画像信号から両者の
相対位置を識別して両者を相対的に位置合わせで
きるようにしたアライメント方法に関するもので
ある。
一般的なマスクアライメント装置の光学系構成
図は第１図に示すようになつており、マスク１、
ウエハ２に設けられた位置合せマーク３，４に検
出光５をハーフミラー６を介して照射し、その反
射光を対物レンズ７で拡大して当該光学像９を得
て、これをイメージセンサ等の光電検出器１０で
走査・検出して画像信号に変換する。
図は第１図に示すようになつており、マスク１、
ウエハ２に設けられた位置合せマーク３，４に検
出光５をハーフミラー６を介して照射し、その反
射光を対物レンズ７で拡大して当該光学像９を得
て、これをイメージセンサ等の光電検出器１０で
走査・検出して画像信号に変換する。
ここで、例えば、マスク１の２本の位置合せマ
ーク像３Ａ，３Ｂの中央にウエハ２の位置合せマ
ーク像４Ａが来るようにテーブル８を移動し、マ
スク１、ウエハ２間の相対位置の整合を行うよう
にする。
ーク像３Ａ，３Ｂの中央にウエハ２の位置合せマ
ーク像４Ａが来るようにテーブル８を移動し、マ
スク１、ウエハ２間の相対位置の整合を行うよう
にする。
この場合、マスク１の位置合せマーク３（同像
３Ａ，３Ｂ）とウエハ２の位置合せマーク４（同
像４Ａ）との重なり状態または接近状態に対して
は、従来、次のような処理方法がとられていた。
３Ａ，３Ｂ）とウエハ２の位置合せマーク４（同
像４Ａ）との重なり状態または接近状態に対して
は、従来、次のような処理方法がとられていた。
まず、マスク１、ウエハ２の位置合せマーク
３，４の像９を光電検出器１０によつて走査する
と、通常第２図に示すような位置合せマークの画
像信号波形が検出される。この画像信号PSに対
して所定の閾値Vtを設定し、それによつて２値
化信号BPを得て、その各エツジの位置情報e1〜
e6により、各位置合せマークの中心位置情報p1，
p2，p3を次の各式から求める。
３，４の像９を光電検出器１０によつて走査する
と、通常第２図に示すような位置合せマークの画
像信号波形が検出される。この画像信号PSに対
して所定の閾値Vtを設定し、それによつて２値
化信号BPを得て、その各エツジの位置情報e1〜
e6により、各位置合せマークの中心位置情報p1，
p2，p3を次の各式から求める。
p1＝（e1＋e2）／２、p2＝（e3＋e4）／２、
p3＝（e5＋e6）／２ ……(1)
続いて、これらの中心位置情報のうちマスク１
に関する２個の位置合せマークの判別は、従来方
式においては、その間隔ｌが既知であることか
ら、それらの間隔が上記間隔ｌに相当する中心位
置情報p1，p3を選び出すことによつて行つてい
た。なお、ウエハ２の位置合せマークは、残りの
中心位置情報p2（中間のもの）であると判別して
いた。
に関する２個の位置合せマークの判別は、従来方
式においては、その間隔ｌが既知であることか
ら、それらの間隔が上記間隔ｌに相当する中心位
置情報p1，p3を選び出すことによつて行つてい
た。なお、ウエハ２の位置合せマークは、残りの
中心位置情報p2（中間のもの）であると判別して
いた。
これにより、マスク１、ウエハ２の相対位置偏
差量Ｅは次式から求めていた。
差量Ｅは次式から求めていた。
Ｅ＝（p1＋p3）／２−p2 ……(2)
しかしながら、マスク１の位置合せマーク３と
ウエハ２の位置合せマーク４とが少しでも重なつ
た場合、第３図に示すような画像信号PSが検出
され、この画像信号PSを所定の閾値Vtで２値化
することにより２値化信号BPが得られる。該２
値化信号BPは、２個の検出信号（中心位置情報
p1およびp2，p3に対応するもの）のみとなる。
ウエハ２の位置合せマーク４とが少しでも重なつ
た場合、第３図に示すような画像信号PSが検出
され、この画像信号PSを所定の閾値Vtで２値化
することにより２値化信号BPが得られる。該２
値化信号BPは、２個の検出信号（中心位置情報
p1およびp2，p3に対応するもの）のみとなる。
従来、このような場合は、マスク１、ウエハ２
の位置合せマークが重なり状態となつているもの
と判断して、両位置合せマーク画像信号波形パタ
ーンを分離・検出するために、ウエハ２を強制的
に一定量だけ移動するステツプ送り処理を行つて
いた。以後、上記に示した方法によりマスク１、
ウエハ２の位置合せマークを認識していた。
の位置合せマークが重なり状態となつているもの
と判断して、両位置合せマーク画像信号波形パタ
ーンを分離・検出するために、ウエハ２を強制的
に一定量だけ移動するステツプ送り処理を行つて
いた。以後、上記に示した方法によりマスク１、
ウエハ２の位置合せマークを認識していた。
また、ウエハ２の位置合せマーク（中心位置情
報p3）がマスク１の位置合せマーク（中心位置情
報p1，p2）のいずれか一方に接近している場合、
第４図に示す画像信号PSが検出される。この画
像信号PSに対して閾値Vtを低めに設定すると、
検出信号の先端付近では分離しているものの、２
値化信号BPは、上記した重なり状態の場合と同
様の結果となる。すなわち、マスク１、ウエハ２
の位置合せマークを認識するには、ここでも上記
と同様にステツプ送り処理を施さざるを得なかつ
た。
報p3）がマスク１の位置合せマーク（中心位置情
報p1，p2）のいずれか一方に接近している場合、
第４図に示す画像信号PSが検出される。この画
像信号PSに対して閾値Vtを低めに設定すると、
検出信号の先端付近では分離しているものの、２
値化信号BPは、上記した重なり状態の場合と同
様の結果となる。すなわち、マスク１、ウエハ２
の位置合せマークを認識するには、ここでも上記
と同様にステツプ送り処理を施さざるを得なかつ
た。
このような位置合せマーク画像信号微細パター
ンの重なり状態、接近状態は、プリアライメント
の精度上、発生頻度が高く、その都度ステツプ送
り処理を行なわなければならないため、装置のス
ループツトに悪影響を与えていた。
ンの重なり状態、接近状態は、プリアライメント
の精度上、発生頻度が高く、その都度ステツプ送
り処理を行なわなければならないため、装置のス
ループツトに悪影響を与えていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、基板上に形成された１本の直線状基板位置
合せマークとマスク上に形成された２本の直線状
マスク位置合せマークとが重なりまたは接近して
少なくとも１次元の画像信号として重なり状態で
検出される場合においても、ステツプ送り処理を
行うことなく、ずれの方向も含めて基板とマスク
との相対的位置を算出することによつてアライメ
ント時間を短縮してスループプツトの向上をはか
るようにしたアライメント方法を提供することに
ある。
くし、基板上に形成された１本の直線状基板位置
合せマークとマスク上に形成された２本の直線状
マスク位置合せマークとが重なりまたは接近して
少なくとも１次元の画像信号として重なり状態で
検出される場合においても、ステツプ送り処理を
行うことなく、ずれの方向も含めて基板とマスク
との相対的位置を算出することによつてアライメ
ント時間を短縮してスループプツトの向上をはか
るようにしたアライメント方法を提供することに
ある。
本発明は、上記目的を達成するために、基板上
に形成された１本の直線状基板位置合せマークと
該基板に対応するマスク上に形成された２本の直
線状マスク位置合せマークであつて夫々が上記直
線状基板位置合せマークより細いマークとの光像
を走査して検出される少なくとも１次元の画像信
号について所望の閾値で２値化して少なくとも１
次元の２値画像信号に変換し、該変換された少な
くとも１次元の２値画像信号に基づいて上記２本
の直線状マスク位置合せマークと上記１本の直線
状基板位置合せマークとの距離の関係から基板と
マスクとの相対的位置ずれ量を算出し、該位置ず
れ量に基づいて基板とマスクとを相対的に位置合
せするアライメント方法において、上記少なくと
も１次元の２値画像信号から直線状位置合せマー
クの本数を調べて２本しか得られないとき上記直
線状基板位置合せマークが直線状マスク位置合せ
マークの一方に重なつていると認識し、該認識し
た際、上記少なくとも１次元の２値画像信号から
各々のマーク幅を算出して大きい側に上記直線状
基板位置合せマークが上記直線状マスク位置合せ
マークに重なつていると判別すると共に上記少な
くとも１次元の２値画像信号の２つの信号の間の
距離を算出して上記直線状基板位置合せマークと
直線状マスク位置合せマークとの位置偏差量を算
出し、上記判別された側と該算出された位置偏差
量とに基づいて上記基板とマスクとを相対的に位
置合せすることを特徴とするアライメント方法で
ある。
に形成された１本の直線状基板位置合せマークと
該基板に対応するマスク上に形成された２本の直
線状マスク位置合せマークであつて夫々が上記直
線状基板位置合せマークより細いマークとの光像
を走査して検出される少なくとも１次元の画像信
号について所望の閾値で２値化して少なくとも１
次元の２値画像信号に変換し、該変換された少な
くとも１次元の２値画像信号に基づいて上記２本
の直線状マスク位置合せマークと上記１本の直線
状基板位置合せマークとの距離の関係から基板と
マスクとの相対的位置ずれ量を算出し、該位置ず
れ量に基づいて基板とマスクとを相対的に位置合
せするアライメント方法において、上記少なくと
も１次元の２値画像信号から直線状位置合せマー
クの本数を調べて２本しか得られないとき上記直
線状基板位置合せマークが直線状マスク位置合せ
マークの一方に重なつていると認識し、該認識し
た際、上記少なくとも１次元の２値画像信号から
各々のマーク幅を算出して大きい側に上記直線状
基板位置合せマークが上記直線状マスク位置合せ
マークに重なつていると判別すると共に上記少な
くとも１次元の２値画像信号の２つの信号の間の
距離を算出して上記直線状基板位置合せマークと
直線状マスク位置合せマークとの位置偏差量を算
出し、上記判別された側と該算出された位置偏差
量とに基づいて上記基板とマスクとを相対的に位
置合せすることを特徴とするアライメント方法で
ある。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。
る。
第５図は本発明に係るアライメント方法を実施
するためのアライメント装置におけるマーク判定
部の一実施例を示すブロツク図、第６図はマスク
の位置合せマークとウエハの位置合せマークとが
重なり状態または接近状態において検出される位
置合せマークの画像信号における重なり検出につ
いて説明するための図である。なお、第１図、第
２図についても必要に応じて引用・説明する。
するためのアライメント装置におけるマーク判定
部の一実施例を示すブロツク図、第６図はマスク
の位置合せマークとウエハの位置合せマークとが
重なり状態または接近状態において検出される位
置合せマークの画像信号における重なり検出につ
いて説明するための図である。なお、第１図、第
２図についても必要に応じて引用・説明する。
ここで、１０はイメージセンサ、１１はクロツ
ク発生器、１２はＡ／Ｄ変換器、１３は記憶回
路、１４は２値化回路、１５は演算回路である。
ク発生器、１２はＡ／Ｄ変換器、１３は記憶回
路、１４は２値化回路、１５は演算回路である。
まず、イメージセンサ１０は、クロツク発生器
１１からのクロツクを受け、マスク１、ウエハ２
の位置合せマークの像９を走査し、画素ごとの画
像情報を直列に送出する。
１１からのクロツクを受け、マスク１、ウエハ２
の位置合せマークの像９を走査し、画素ごとの画
像情報を直列に送出する。
Ａ／Ｄ変換器１２は、クロツク発生器１１から
のクロツクに同期し、画素ごとの画像信号をデジ
タル値Ｖ(t)に変換する。
のクロツクに同期し、画素ごとの画像信号をデジ
タル値Ｖ(t)に変換する。
このデジタル値Ｖ(t)は、次に記憶回路１３に入
力され、Ａ／Ｄ変換器１２からの変換終了信号の
タイミングで記憶される。
力され、Ａ／Ｄ変換器１２からの変換終了信号の
タイミングで記憶される。
１走査ライン分の画素の画像情報Ｖ(t)（１ライ
ン当りの画素数をＮとするとｉ＝１，２……Ｎ）
の記憶回路１３への書込みが終了すると、２値化
回路１４は、記憶回路１３からデジタル値Ｖ(t)を
順次に読み出し、閾値Vtとの交点d1，u1，d2，
u2，d3，u3（第２図においてエツジ位置情報e1〜
e6に対応する画素番号）を次のようにして求め
る。つまり、走査方向にＶ(t)から順次に閾値Vt
との大小関係を判別してゆき、大小関係が逆とな
る時点の画素ｉを交点とする。
ン当りの画素数をＮとするとｉ＝１，２……Ｎ）
の記憶回路１３への書込みが終了すると、２値化
回路１４は、記憶回路１３からデジタル値Ｖ(t)を
順次に読み出し、閾値Vtとの交点d1，u1，d2，
u2，d3，u3（第２図においてエツジ位置情報e1〜
e6に対応する画素番号）を次のようにして求め
る。つまり、走査方向にＶ(t)から順次に閾値Vt
との大小関係を判別してゆき、大小関係が逆とな
る時点の画素ｉを交点とする。
このような処理を進めて行くことにより、第２
図に示す画像信号波形パターンのエツジ位置情報
e1〜e6に対応する上記画素が検出される。このよ
うにして得られた交点の情報d1〜d3、u1〜u3は、
後段の演算回路１５に送られる。
図に示す画像信号波形パターンのエツジ位置情報
e1〜e6に対応する上記画素が検出される。このよ
うにして得られた交点の情報d1〜d3、u1〜u3は、
後段の演算回路１５に送られる。
演算回路１５は、これらのパターンの交点d1，
u1・d2，u2・d3.u3からマスク１の位置合せマーク
画像信号波形パターンの位置を認識するため、閾
値Vtを上昇して横切る画素u1〜u3を基準として、
次式を満たすマスク１の位置合せマーク画像信号
波形パターンの２個のエツジ情報uj、ukを探索す
る。
u1・d2，u2・d3.u3からマスク１の位置合せマーク
画像信号波形パターンの位置を認識するため、閾
値Vtを上昇して横切る画素u1〜u3を基準として、
次式を満たすマスク１の位置合せマーク画像信号
波形パターンの２個のエツジ情報uj、ukを探索す
る。
｜（uj〜uk）×Ｃ−ln｜≦ε ……(3)
（ｊ≠ｋでｊ、ｋは１，２，３のいずれか）
ここで、（uj〜uk）は、上記パターンの間隔を画
素数で示すものであり、検出光学系の倍率と画素
のピツチで決定される定数Ｃを乗ずることによ
り、上記パターンの間隔を実際の距離に換算する
ことができる。また、定数lnはマスク１の２本の
位置合せマークの既知の間隔であり、εは倍率誤
差等を考慮した判定の許容誤差である。
素数で示すものであり、検出光学系の倍率と画素
のピツチで決定される定数Ｃを乗ずることによ
り、上記パターンの間隔を実際の距離に換算する
ことができる。また、定数lnはマスク１の２本の
位置合せマークの既知の間隔であり、εは倍率誤
差等を考慮した判定の許容誤差である。
第２図においてエツジ情報u1，u3およびd1，d3
は、明らかにマスク１の位置合せマークに関する
ものを示し、残りのエツジ情報u2およびd2がウエ
ハ２の位置合せマークに関するものを示すことに
なる。
は、明らかにマスク１の位置合せマークに関する
ものを示し、残りのエツジ情報u2およびd2がウエ
ハ２の位置合せマークに関するものを示すことに
なる。
しかし、先に述べたように、マスク１、ウエハ
２の位置合せマークが重なり状態または接近状態
となつた場合は、上記(3)式による判定のみではウ
エハ位置の認識が不可能である。
２の位置合せマークが重なり状態または接近状態
となつた場合は、上記(3)式による判定のみではウ
エハ位置の認識が不可能である。
したがつて、従来は上記パターンの分離検出を
するため、テーブル８を強制的に動かして、再
度、画像信号を検出して上記の方法で位置判別を
行なう必要があつた。
するため、テーブル８を強制的に動かして、再
度、画像信号を検出して上記の方法で位置判別を
行なう必要があつた。
このような場合、本実施例において、演算回路
１５は、前記したとおり、第３図および第４図に
示すように２値化信号BPの信号の個数が２ケで
あることにより、ウエハ２の位置合せマーク４が
マスク１の位置合せマーク３に重なり状態または
近接状態として認識し、その後マスク１の２本の
位置合せマーク３が同じ線幅で形成されているこ
とに基づいてウエハ２の位置合せマーク４やマス
ク１の２本の位置合せマーク３のいずれの側に重
なり状態または近接状態であるかを判別すると共
にウエハ２の概略的な位置偏差量△ｌを算出す
る。
１５は、前記したとおり、第３図および第４図に
示すように２値化信号BPの信号の個数が２ケで
あることにより、ウエハ２の位置合せマーク４が
マスク１の位置合せマーク３に重なり状態または
近接状態として認識し、その後マスク１の２本の
位置合せマーク３が同じ線幅で形成されているこ
とに基づいてウエハ２の位置合せマーク４やマス
ク１の２本の位置合せマーク３のいずれの側に重
なり状態または近接状態であるかを判別すると共
にウエハ２の概略的な位置偏差量△ｌを算出す
る。
すなわち、第６図に示すように、上記(3)式から
求められているマスク１の位置合せマーク画像信
号波形パターンのエツジ情報d1，d2と、これとペ
アをなすエツジ情報u1，u2とにより、それぞれの
パターン幅D1＝｜u1−d1｜、D2＝｜u2−d2｜を
求め、上記パターン幅D1，D2のうち大きい方に
ウエハ２の位置合せマークが接近し、または重な
つているものと認識する。
求められているマスク１の位置合せマーク画像信
号波形パターンのエツジ情報d1，d2と、これとペ
アをなすエツジ情報u1，u2とにより、それぞれの
パターン幅D1＝｜u1−d1｜、D2＝｜u2−d2｜を
求め、上記パターン幅D1，D2のうち大きい方に
ウエハ２の位置合せマークが接近し、または重な
つているものと認識する。
例えば、D1＞D2ならばウエハ２の位置合せマ
ーク画像信号波形パターンは第６図のようにマス
ク１の左側の同パターンに重なつていることにな
る。この結果ウエハ２の位置合せマーク４がマス
ク１の２本の位置合せマーク３のいずれの側と重
なつているかを判別することができ、その結果た
とえばウエハ２を載置したテーブル８をいずれの
方向に移動すればよいか決定することができる。
ーク画像信号波形パターンは第６図のようにマス
ク１の左側の同パターンに重なつていることにな
る。この結果ウエハ２の位置合せマーク４がマス
ク１の２本の位置合せマーク３のいずれの側と重
なつているかを判別することができ、その結果た
とえばウエハ２を載置したテーブル８をいずれの
方向に移動すればよいか決定することができる。
次に、マスク１に対するウエハ２の概略的な位
置偏差量△ｌ、即ち位置ずれ量を算出する必要が
ある。この位置偏差量△ｌは、マスク１の２本の
パターンの中心からウエハのパターンまでの距離
（画像信号上の画素数）となり、次式で求めるこ
とができる。
置偏差量△ｌ、即ち位置ずれ量を算出する必要が
ある。この位置偏差量△ｌは、マスク１の２本の
パターンの中心からウエハのパターンまでの距離
（画像信号上の画素数）となり、次式で求めるこ
とができる。
Δl＝（c1−c2）／２＝｛（u1＋d1）／２
−（u2＋d2）／２｝／２ ……(4)
ところで第６図に示すように、必ず画像信号
PSのエツジ情報u1，d1，u2，d2を検出すること
ができるので、上記(4)式に基づいてウエハの概略
的な位置偏差量△ｌを算出することができる。こ
のようにしてウエハの位置ずれ方向とウエハの概
略的な位置偏差量△ｌとが算出される。
PSのエツジ情報u1，d1，u2，d2を検出すること
ができるので、上記(4)式に基づいてウエハの概略
的な位置偏差量△ｌを算出することができる。こ
のようにしてウエハの位置ずれ方向とウエハの概
略的な位置偏差量△ｌとが算出される。
したがつて、ウエハ、マスクのパターンが重な
り、または接近している場合でも、１回目の検出
信号で概略的な整合位置（マスクパターンの中心
位置）にウエハを送り込むことができる。以後、
設定誤差に達するまで上記認識を繰り返せば、正
確な位置整合をすることができる。
り、または接近している場合でも、１回目の検出
信号で概略的な整合位置（マスクパターンの中心
位置）にウエハを送り込むことができる。以後、
設定誤差に達するまで上記認識を繰り返せば、正
確な位置整合をすることができる。
このように、ウエハ、マスクのパターンの重な
り状態または接近状態の場合でも、ステツプ送り
処理を行なうことなく、ウエハ、マスクの概略位
置を認識することができるので、アライメント時
間の短縮となり、装置のスループツトも向上され
る。
り状態または接近状態の場合でも、ステツプ送り
処理を行なうことなく、ウエハ、マスクの概略位
置を認識することができるので、アライメント時
間の短縮となり、装置のスループツトも向上され
る。
なお、完全な重なり状態の場合に、上述のパタ
ーン幅D1，D2が等しくならないようにするには、
ウエハ２の１本の位置合せマークをマスク１のも
のよりも幅を広くしておけばよい。
ーン幅D1，D2が等しくならないようにするには、
ウエハ２の１本の位置合せマークをマスク１のも
のよりも幅を広くしておけばよい。
以上、詳細に説明したように、本発明によれ
ば、アライメント方法において、マスク、ウエハ
の位置合せマークの重なり状態または接近状態の
場合においても、ステツプ送り処理を必要とせず
にマスク、ウエハの概略位置を認識し、アライン
メント時間を短縮してスループツトを向上させる
ことができるので、半導体集積回路等の露光工程
における効率向上、信頼性向上、原価低減化に顕
著な効果が得られる。
ば、アライメント方法において、マスク、ウエハ
の位置合せマークの重なり状態または接近状態の
場合においても、ステツプ送り処理を必要とせず
にマスク、ウエハの概略位置を認識し、アライン
メント時間を短縮してスループツトを向上させる
ことができるので、半導体集積回路等の露光工程
における効率向上、信頼性向上、原価低減化に顕
著な効果が得られる。
第１図は、一般的なマスクアラインメント装置
の光学系構成図、第２図は、一般的な位置合せマ
ーク画像信号波形図、第３図は、位置合せマーク
重なり状態画像信号波形図、第４図は、位置合せ
マーク接近状態画像信号波形図、第５図は、本発
明に係る位置合せマーク検出方式によるマスクア
ラインメント装置のマーク判定部の一実施例のブ
ロツク図、第６図は、その位置合せマーク画像信
号重なり検出の説明図である。 １０……イメージセンサ、１１……クロツク発
生器、１２……Ａ／Ｄ変換器、１３……記憶回
路、１４……２値化回路、１５……演算回路。
の光学系構成図、第２図は、一般的な位置合せマ
ーク画像信号波形図、第３図は、位置合せマーク
重なり状態画像信号波形図、第４図は、位置合せ
マーク接近状態画像信号波形図、第５図は、本発
明に係る位置合せマーク検出方式によるマスクア
ラインメント装置のマーク判定部の一実施例のブ
ロツク図、第６図は、その位置合せマーク画像信
号重なり検出の説明図である。 １０……イメージセンサ、１１……クロツク発
生器、１２……Ａ／Ｄ変換器、１３……記憶回
路、１４……２値化回路、１５……演算回路。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された１本の直線状基板位置合
せマークと該基板に対応するマスク上に形成され
た２本の直線状マスク位置合せマークであつて
夫々が上記直線状基板位置合せマークより細いマ
ークとの光像を走査して検出される少なくとも１
次元の画像信号について所望の閾値で２値化して
少なくとも１次元の２値画像信号に変換し、該変
換された少なくとも１次元の２値画像信号に基づ
いて上記２本の直線状マスク位置合せマークと上
記１本の直線状基板位置合せマークとの距離の関
係から基板とマスクとの相対的位置ずれ量を算出
し、該位置ずれ量に基づいて基板とマスクとを相
対的に位置合せするアライメント方法において、
上記少なくとも１次元の２値画像信号から直線状
位置合せマークの本数を調べて２本しか得られな
いとき上記直線状基板位置合せマークが直線状マ
スク位置合せマークの一方に重なつていると認識
し、該認識した際、上記少なくとも１次元の２値
画像信号から各々のマーク幅を算出して大きい側
に上記直線状基板位置合せマークが上記直線状マ
スク位置合せマークに重なつていると判別すると
共に上記少なくとも１次元の２値画像信号の２つ
の信号の間の距離を算出して上記直線状基板位置
合せマークと直線状マスク位置合せマークとの位
置偏差量を算出し、上記判別された側と該算出さ
れた位置偏差量とに基づいて上記基板とマスクと
を相対的に位置合せすることを特徴とするアライ
メント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227086A JPS59119836A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227086A JPS59119836A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119836A JPS59119836A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH0468766B2 true JPH0468766B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=16855279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57227086A Granted JPS59119836A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119836A (ja) |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57227086A patent/JPS59119836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119836A (ja) | 1984-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080304734A1 (en) | Alignment correction prio to image sampling in inspection systems | |
| JPH01191005A (ja) | マーク検知装置及び方法 | |
| JP2985323B2 (ja) | パターン検査方法及びその装置 | |
| JP2657505B2 (ja) | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 | |
| US4504148A (en) | System for detecting a signal for aligning two bodies and signal _processing method | |
| US4515481A (en) | Apparatus for processing a signal for aligning | |
| US4553845A (en) | Device for and method of aligning two bodies | |
| US4545684A (en) | Alignment mark detecting apparatus and method | |
| JPS6121671A (ja) | 原稿読み取り装置 | |
| JPH0468766B2 (ja) | ||
| JPH04295748A (ja) | パターン検査装置 | |
| JPH03201454A (ja) | 半導体装置の位置合わせ方法 | |
| JPS63168708A (ja) | 回転位置決め装置 | |
| JPH0160766B2 (ja) | ||
| JPS6356702B2 (ja) | ||
| JPH09115815A (ja) | 位置検出方法および装置 | |
| JP2986130B2 (ja) | マークの検出処理方法 | |
| JPH04316346A (ja) | パターン認識方法 | |
| JPS6037731A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2926118B2 (ja) | 欠陥検出方法 | |
| JPS62137988A (ja) | ２値化画像処理方法 | |
| JPS5984523A (ja) | 位置合せマ−ク判別方式 | |
| JPS61237424A (ja) | 位置合せ装置 | |
| JPH0574211B2 (ja) | ||
| JP2903584B2 (ja) | レジストレーション測定用マークの検出処理方法 |