JPH0468801A - 高周波透過窓構体及びその製造方法 - Google Patents
高周波透過窓構体及びその製造方法Info
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- JPH0468801A JPH0468801A JP2177319A JP17731990A JPH0468801A JP H0468801 A JPH0468801 A JP H0468801A JP 2177319 A JP2177319 A JP 2177319A JP 17731990 A JP17731990 A JP 17731990A JP H0468801 A JPH0468801 A JP H0468801A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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- Microwave Tubes (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、高周波透過窓構体及びその製造方法に関す
る。
る。
（従来の技術）
一般にクライストロンや進行波管、あるいはジャイロト
ロンのようなマイクロ波管の出力部には、多くの場合、
矩形又は円形の導波管を横切って誘電体セラミックス板
からなる透過窓が気密に接合された高周波透過窓構体が
一体的に用いられる。
ロンのようなマイクロ波管の出力部には、多くの場合、
矩形又は円形の導波管を横切って誘電体セラミックス板
からなる透過窓が気密に接合された高周波透過窓構体が
一体的に用いられる。
特に、大電力を増幅するクライストロンは、大形加速器
の高周波電力源や核融合炉のプラズマ加熱用高周波源と
して用いられているが、その透過窓として真空気密が容
易で誘電体損失が小さいアルミナのセラミックスが主に
使用されている。しかし、大電力の高周波をアルミナ透
過窓に透過させると、アルミナの局部的な温度上昇によ
り、しばしばアルミナにクラックや溶融によるピンホー
ルが発生する場合がある。アルミナの温度上昇は、マル
チパクタ放電、主ビームからのホッピング電子、吸着ガ
ス、電子の帯電などで生じるものと考えられている。そ
こで、アルミナの温度上昇を防止するために、アルミナ
表面に窒化チタンを塗布することが一般的に行なわれて
いる。
の高周波電力源や核融合炉のプラズマ加熱用高周波源と
して用いられているが、その透過窓として真空気密が容
易で誘電体損失が小さいアルミナのセラミックスが主に
使用されている。しかし、大電力の高周波をアルミナ透
過窓に透過させると、アルミナの局部的な温度上昇によ
り、しばしばアルミナにクラックや溶融によるピンホー
ルが発生する場合がある。アルミナの温度上昇は、マル
チパクタ放電、主ビームからのホッピング電子、吸着ガ
ス、電子の帯電などで生じるものと考えられている。そ
こで、アルミナの温度上昇を防止するために、アルミナ
表面に窒化チタンを塗布することが一般的に行なわれて
いる。
即ち、第２図は従来の高周波透過窓構体を示したもので
、円形導波管部１の内側にアルミナセラミックス板から
なる透過窓２が設けられ、この透過窓２の表面に窒化チ
タン膜３が付着されている。
、円形導波管部１の内側にアルミナセラミックス板から
なる透過窓２が設けられ、この透過窓２の表面に窒化チ
タン膜３が付着されている。
図中の符号４はフランジ部、５は矩形導波管部、６は透
過窓２を冷却するための通水管である。又、この第２図
において、透過窓２の左側がクライストロンの真空側を
示し、右側が真空もしくは絶縁ガスが封入されている外
部導波管側である。このような高周波透過窓構体では、
動作時に透過窓２はクライストロンの電子銃からの散乱
電子や散乱電子の衝突により透過窓２で生成される２次
電子の繰返し衝突で発熱する。この発熱で透過窓２が破
壊するのを防ぐため、透過窓２の表面に窒化チタン膜３
を形成し、且つ透過窓構体全体を水冷している。
過窓２を冷却するための通水管である。又、この第２図
において、透過窓２の左側がクライストロンの真空側を
示し、右側が真空もしくは絶縁ガスが封入されている外
部導波管側である。このような高周波透過窓構体では、
動作時に透過窓２はクライストロンの電子銃からの散乱
電子や散乱電子の衝突により透過窓２で生成される２次
電子の繰返し衝突で発熱する。この発熱で透過窓２が破
壊するのを防ぐため、透過窓２の表面に窒化チタン膜３
を形成し、且つ透過窓構体全体を水冷している。
（発明が解決しようとする課１ｉ）
上記のように従来の高周波透過窓構体においては、透過
窓２の表面に窒化チタン膜３を形成し、透過窓２からの
２次電子の放出を防止している。
窓２の表面に窒化チタン膜３を形成し、透過窓２からの
２次電子の放出を防止している。
しかし、チタンはよく知られているようにゲッタとして
作用するので、透過窓２の表面に窒化チタン膜３を形成
した後に、大気に露出した場合・、酸素を吸収もしくは
内部拡散により膜中に取り込んでしまう。そして、酸化
物は一般的に金属単体に比べ２次電子放出係数が大きい
ので、窒化チタン膜３の本来の２次電子放出抑制効果が
低減する。
作用するので、透過窓２の表面に窒化チタン膜３を形成
した後に、大気に露出した場合・、酸素を吸収もしくは
内部拡散により膜中に取り込んでしまう。そして、酸化
物は一般的に金属単体に比べ２次電子放出係数が大きい
ので、窒化チタン膜３の本来の２次電子放出抑制効果が
低減する。
この発明は、透過窓の温度上昇による破壊を未然に防止
した高周波透過窓構体及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
した高周波透過窓構体及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明は、透過窓の表面に窒化チタンと酸化チタンと
の固溶体膜が形成されてなる高周波透過窓構体である。
の固溶体膜が形成されてなる高周波透過窓構体である。
又、他の発明は、透過窓の表面に窒化チタンと酸化チタ
ンとの固溶体膜を、Ａｒ％Ｎ、Ｏ２の放電ガス中でスパ
ッタリングにより形成する高周波透過窓構体の製造方法
である。
ンとの固溶体膜を、Ａｒ％Ｎ、Ｏ２の放電ガス中でスパ
ッタリングにより形成する高周波透過窓構体の製造方法
である。
（作 用）
この発明によれば、透過窓の表面に窒化チタンより高抵
抗の同溶体膜が形成されているので、２次電子放出係数
が小さく、マルチパクタ放電が抑制され、誘電体損失に
よる透過窓上での発熱を低減することが出来る。その結
果、透過窓のクラックや濱融を防ぐことが出来る。
抗の同溶体膜が形成されているので、２次電子放出係数
が小さく、マルチパクタ放電が抑制され、誘電体損失に
よる透過窓上での発熱を低減することが出来る。その結
果、透過窓のクラックや濱融を防ぐことが出来る。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
この発明における高周波透過窓構体は第１図に示すよう
に構成され、円形導波管部１１の内側にはアルミナのよ
うな誘電体セラミックス板からなる一過窓１２が設けら
れ、この透過窓１２の表面には窒化チタンと酸化チタン
との固溶体膜１３が６０乃至１２０人の厚さに形成され
ている。尚、図中の符号１４は円形フランジ、１５は矩
形導波管部、１６は透過窓１２を冷却するための通水管
であり、透過窓１２の左側がクライストロンの真空側を
示し、右側が真空もしくは絶縁ガスが封入されている外
部導波管側である。
に構成され、円形導波管部１１の内側にはアルミナのよ
うな誘電体セラミックス板からなる一過窓１２が設けら
れ、この透過窓１２の表面には窒化チタンと酸化チタン
との固溶体膜１３が６０乃至１２０人の厚さに形成され
ている。尚、図中の符号１４は円形フランジ、１５は矩
形導波管部、１６は透過窓１２を冷却するための通水管
であり、透過窓１２の左側がクライストロンの真空側を
示し、右側が真空もしくは絶縁ガスが封入されている外
部導波管側である。
透過窓１２の表面に窒化チタンと酸化チタンとの固溶体
膜１３を形成するに当たっては、アルゴン（Ａｒ）、窒
素（Ｎ）、酸素（０□）の混合放電ガス中でスパッタリ
ングにより６０乃至１２０人の厚さに形成する。この時
、酸素分圧が全圧の０．１乃至１．０％の範囲に設定さ
れている。この場合、固溶体膜１３は導電体の窒化チタ
ンと絶縁体の酸化チタンの組成を連続的に変えることが
出来るので、膜厚と組成比で決定される抵抗値を任意に
選べる。又、既述のように、スパッタリングにより固溶
体膜１３を形成するが、アルゴン、窒素、酸素の分圧を
制御して窒化チタンと酸化チタンの組成比を変え、スパ
ッタリング時間で膜厚を変え、所望の固溶体膜１３を得
ている。
膜１３を形成するに当たっては、アルゴン（Ａｒ）、窒
素（Ｎ）、酸素（０□）の混合放電ガス中でスパッタリ
ングにより６０乃至１２０人の厚さに形成する。この時
、酸素分圧が全圧の０．１乃至１．０％の範囲に設定さ
れている。この場合、固溶体膜１３は導電体の窒化チタ
ンと絶縁体の酸化チタンの組成を連続的に変えることが
出来るので、膜厚と組成比で決定される抵抗値を任意に
選べる。又、既述のように、スパッタリングにより固溶
体膜１３を形成するが、アルゴン、窒素、酸素の分圧を
制御して窒化チタンと酸化チタンの組成比を変え、スパ
ッタリング時間で膜厚を変え、所望の固溶体膜１３を得
ている。
次に、各種条件における従来及びこの発明における透過
窓の温度上昇測定結果について説明する。
窓の温度上昇測定結果について説明する。
尚、測定に当たっては、透過窓を導波管部の途中に設け
、導波管部内を高真空にした後、パルスのマイクロ波を
導波管部内に導き、透過窓に透過させる。そして、パル
ス電力に対する透過窓の温度上昇は、冷却水の通水管に
熱電対を圧着して測定・する。
、導波管部内を高真空にした後、パルスのマイクロ波を
導波管部内に導き、透過窓に透過させる。そして、パル
ス電力に対する透過窓の温度上昇は、冷却水の通水管に
熱電対を圧着して測定・する。
先ず第３図は、従来の透過窓２に窒化チタン膜３を、Ｏ
人の厚さ形成した場合の温度上昇を示している。この図
から明らかなように、パルス電力が１５ＭＷ付近で６℃
と急激な温度上昇があった。
人の厚さ形成した場合の温度上昇を示している。この図
から明らかなように、パルス電力が１５ＭＷ付近で６℃
と急激な温度上昇があった。
又、第４図は、透過窓２に窒化チタン１１３を６０人の
厚さ形成した場合の温度上昇を示している。この図から
明らかなように、パルス電力が１５ＭＷ付近での急激な
温度上昇はないが、パルス電力が５０ＭＷ以上での温度
の上昇が、窒化チタン１！Ｉ３を、Ｏ人の厚さ形成した
場合に比べて大きく、パルス電力が２００ＭＷ付近で９
℃上昇した。これは、窒化チタン膜３の抵抗損失による
ものと理解される。窒化チタン膜３はいずれもアルゴン
（Ａｒ）分圧１．３Ｘ、Ｏ−２Ｔｏ ｒ ｒ、窒素分圧
５．２Ｘ、Ｏ−”Ｔｏｒｒとし全圧６．５×１Ｏ−２Ｔ
ｏｒｒでスパッタリングにより塗布し、膜厚はスパッタ
時間を制御して作成したものである。
厚さ形成した場合の温度上昇を示している。この図から
明らかなように、パルス電力が１５ＭＷ付近での急激な
温度上昇はないが、パルス電力が５０ＭＷ以上での温度
の上昇が、窒化チタン１！Ｉ３を、Ｏ人の厚さ形成した
場合に比べて大きく、パルス電力が２００ＭＷ付近で９
℃上昇した。これは、窒化チタン膜３の抵抗損失による
ものと理解される。窒化チタン膜３はいずれもアルゴン
（Ａｒ）分圧１．３Ｘ、Ｏ−２Ｔｏ ｒ ｒ、窒素分圧
５．２Ｘ、Ｏ−”Ｔｏｒｒとし全圧６．５×１Ｏ−２Ｔ
ｏｒｒでスパッタリングにより塗布し、膜厚はスパッタ
時間を制御して作成したものである。
それに対して、第５図はこの発明の実施例によるもので
、全圧６．５Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ、アルゴン（Ａ「）分
圧１．３Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ、窒素分圧５． １９ｘ
、Ｏ−”Ｔｏ ｒ ｒ、酸素分圧６．５×、Ｏ−’Ｔｏ
ｒｒのスパッタリング条件で作成した窒化チタンと酸化
チタンとの固溶体膜１３を、透過窓１２の表面に６０人
の厚さ形成した場合の温度上昇を示している。この図か
ら明らかなように、パルス電力が１５ＭＷ付近での急激
な温度上昇もなく、又、パルス電力が２１２ＭＷで温度
上昇２．７℃と上記従来の窒化チタン膜３を形成した場
合に比べて低い。
、全圧６．５Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ、アルゴン（Ａ「）分
圧１．３Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ、窒素分圧５． １９ｘ
、Ｏ−”Ｔｏ ｒ ｒ、酸素分圧６．５×、Ｏ−’Ｔｏ
ｒｒのスパッタリング条件で作成した窒化チタンと酸化
チタンとの固溶体膜１３を、透過窓１２の表面に６０人
の厚さ形成した場合の温度上昇を示している。この図か
ら明らかなように、パルス電力が１５ＭＷ付近での急激
な温度上昇もなく、又、パルス電力が２１２ＭＷで温度
上昇２．７℃と上記従来の窒化チタン膜３を形成した場
合に比べて低い。
又、第６図は、スパッタリング条件がアルゴン（Ａｒ）
分圧１．３Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ、窒素分圧５．１６Ｘ、
Ｏ−２Ｔｏｒｒ、酸素分圧３．２５Ｘ、Ｏ−’Ｔｏｒｒ
、全圧６．５Ｘ、Ｏ−’Ｔｏｒｒで作成した窒化チタン
と酸化チタンとの固溶体膜１３を、透過窓１２の表面に
６０人の厚さ形成した場合の温度上昇を示している。窒
化チタン膜３を形成した場合に比べて、温度上昇が小さ
く、パルス電力が２１２ＭＷで温度上昇は２．２℃であ
った。
分圧１．３Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ、窒素分圧５．１６Ｘ、
Ｏ−２Ｔｏｒｒ、酸素分圧３．２５Ｘ、Ｏ−’Ｔｏｒｒ
、全圧６．５Ｘ、Ｏ−’Ｔｏｒｒで作成した窒化チタン
と酸化チタンとの固溶体膜１３を、透過窓１２の表面に
６０人の厚さ形成した場合の温度上昇を示している。窒
化チタン膜３を形成した場合に比べて、温度上昇が小さ
く、パルス電力が２１２ＭＷで温度上昇は２．２℃であ
った。
最後の第７図は、上記の全圧６．５Ｘ、Ｏ−２Ｔｏｒｒ
に対し酸素分圧が０．５％のスバッ９１Ｊング条件で作
成した窒化チタンと酸化チタンとの固溶体膜１３を、透
過窓１２の表面に１２０人の厚さ形成した場合の温度上
昇を示している。低パルス電力での急激な温度上昇もな
く、又、パルス電力が２０７ＭＷで温度上昇は２．６℃
である。
に対し酸素分圧が０．５％のスバッ９１Ｊング条件で作
成した窒化チタンと酸化チタンとの固溶体膜１３を、透
過窓１２の表面に１２０人の厚さ形成した場合の温度上
昇を示している。低パルス電力での急激な温度上昇もな
く、又、パルス電力が２０７ＭＷで温度上昇は２．６℃
である。
このように、窒化チタンをベースに酸化チタンを同時に
塗布すれば、高パルス電力での抵抗損失を小さく出来る
ばかりでなく、マルチパクタ放電による温度上昇と考え
られている低パルス電力での急激な温度上昇も低減する
ことが出来る。
塗布すれば、高パルス電力での抵抗損失を小さく出来る
ばかりでなく、マルチパクタ放電による温度上昇と考え
られている低パルス電力での急激な温度上昇も低減する
ことが出来る。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、透過窓の表面に
、窒化チタンと酸化チタンとの固溶体膜を、Ａ ｒ ％
Ｎ ｓ ０２の放電ガス中でスパッタリングにより付
着させることにより、窒化チタンよりも高抵抗の膜を形
成することが出来る。従って、２次電子放出係数が小さ
く、マルチパクタ放電が抑制され、且つ誘電体損失によ
る透過窓上での発熱を低減することが出来る。その結果
、透過窓のクラックや溶融を防ぐことが出来る。
、窒化チタンと酸化チタンとの固溶体膜を、Ａ ｒ ％
Ｎ ｓ ０２の放電ガス中でスパッタリングにより付
着させることにより、窒化チタンよりも高抵抗の膜を形
成することが出来る。従って、２次電子放出係数が小さ
く、マルチパクタ放電が抑制され、且つ誘電体損失によ
る透過窓上での発熱を低減することが出来る。その結果
、透過窓のクラックや溶融を防ぐことが出来る。
第１図はこの発明の一実施例に係る高周波透過窓構体を
示す縦断面図、第２図は従来の高周波透過窓構体を示す
縦断面図、−３図乃至第７図は各種条件における透過窓
の温度上昇とパルス電力との関係を示す特性曲線図であ
る。 １１・・・導波管、１２・・・透過窓、１３・・・固溶
体膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
示す縦断面図、第２図は従来の高周波透過窓構体を示す
縦断面図、−３図乃至第７図は各種条件における透過窓
の温度上昇とパルス電力との関係を示す特性曲線図であ
る。 １１・・・導波管、１２・・・透過窓、１３・・・固溶
体膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (2)
- （１）導波管内に誘電体セラミックス板からなる透過窓
が設けられてなる高周波透過窓構体において、 上記透過窓の表面に窒化チタンと酸化チタンとの固溶体
膜が形成されてなることを特徴とする高周波透過窓構体
。 - （２）導波管内に設けられる誘電体セラミックス板から
なる透過窓の表面に、窒化チタンと酸化チタンとの固溶
体膜を、Ａｒ、Ｎ、Ｏ＿２の放電ガス中でスパッタリン
グにより形成することを特徴とする高周波透過窓構体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177319A JP3028834B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 高周波透過窓構体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177319A JP3028834B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 高周波透過窓構体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468801A true JPH0468801A (ja) | 1992-03-04 |
| JP3028834B2 JP3028834B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=16028906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2177319A Expired - Lifetime JP3028834B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 高周波透過窓構体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028834B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143325A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-06-08 | Ishida Co Ltd | 製袋包装システム |
| CN102859633A (zh) * | 2010-05-18 | 2013-01-02 | E2V技术（英国）有限公司 | 电子管 |
| JP2017183467A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置、静電チャック装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2177319A patent/JP3028834B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143325A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-06-08 | Ishida Co Ltd | 製袋包装システム |
| CN102859633A (zh) * | 2010-05-18 | 2013-01-02 | E2V技术（英国）有限公司 | 电子管 |
| JP2017183467A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置、静電チャック装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3028834B2 (ja) | 2000-04-04 |
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Legal Events
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|
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