JPH046889B2 - - Google Patents

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JPH046889B2
JPH046889B2 JP56503341A JP50334181A JPH046889B2 JP H046889 B2 JPH046889 B2 JP H046889B2 JP 56503341 A JP56503341 A JP 56503341A JP 50334181 A JP50334181 A JP 50334181A JP H046889 B2 JPH046889 B2 JP H046889B2
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JP
Japan
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diaphragm means
housing
sensor housing
diaphragm
central
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JPS57501494A (ja
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Rojaa Eru Furitsuku
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Rosemount Inc
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Publication date
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Publication of JPH046889B2 publication Critical patent/JPH046889B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L13/00Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
    • G01L13/02Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
    • G01L13/025Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 (1) 発明の分野 本発明は、容量型圧力変換器のセンサハウジン
グ、及びダイヤフラムの取付構造の改良に関す
る。
(2) 従来技術 本発明と同じ譲受人によつて所有されている米
国特許第3618390号は、遮断ダイヤフラムを保護
するために、過度の圧力で底部に接触する感知ダ
イヤフラムの使用を教示している。
前記特許の発明は、相当な商業的利用と成功に
よつて示されたように、容量型圧力測定技術に大
きな刺激を与えた。本発明は、この明細書中に示
されるように、米国特許第3618390号で請求され
た構造と統合して使用されることができる。
発明の要約 本発明は、センサハウジングの中央室内に配置
された感知ダイヤフラムと好ましくは隔室とを有
する容量型圧力感知器を含み、プロセス流体圧あ
るいは他の圧力は隔室に加えられ、その圧力は、
通路手段を介して、非圧縮性の流体によつて中央
室および感知器へ伝えられる。
感知ダイヤフラムは、そのとき、非圧縮性の流
体によつて、ある位置まで強制的に動かされる。
前記感知ダイヤフラムは、中央室の内部表面部に
配置された電気伝導面と共に可変コンデンサを形
成するとともに、適当な電気回路によつて駆動さ
れると、圧力に応じて電気信号を生じる。
本発明は、特にライン静圧(または静圧)およ
び温度の影響によつてセンサハウジングが反つた
り、曲がつたりし、その結果、測定対象の圧力や
圧力差は変化しないのに、感知ダイヤフラム手段
の両側に形成される1対の可変コンデンサの容量
が変化して測定誤差を生ずるという問題を減少さ
せるような材料の選択と配置(構成)を意図して
いる。有害な影響は実質的に減少され、ライン静
圧や温度の変動にかかわらず正しい圧力を表わす
改良された容量信号を得ることができた。
好ましい実施例の詳細 好ましくは、圧力差、ケージ圧、流れ、レベル
あるいは他の圧力測定に用いられる変換器が、符
号10で示されている。変換器は、センサハウジ
ング14と、一対の隔室ハウジング16aおよび
16bとを支持する変換器ハウジングあるいはフ
レーム12を含む。各ハウジング14,16a及
び16bは、ハウジング12内に含まれるか、あ
るいは間隔をおいて設けられる。
感知されるべき圧力は、変換器入力ポート付近
の矢印18,20によつて示される。圧力18,
20は、それぞれ遮断ダイヤフラム22,24に
作用する。これらのダイヤフラム22,24は、
好ましくは非常に柔軟であり、従来の方法で形成
される。ダイヤフラム22,24の波形のしわ
(コルゲーシヨン)26は、望まれるように、複
数の回旋を有する好ましい遮断ダイヤフラム構造
を示す。
隔室27,29はそれぞれハウジング16a,
16bと協働する遮断ダイヤフラム22,24に
よつて境界をきめられる。隔室27,29は通路
28,30に接続される。通路28,30は、好
ましくは、ステンレススチール管によつて形成さ
れるが、他の適当な材料から形成されてもよい。
センサハウジング14は、好ましくは、ステン
レススチールのような金属から機械加工によつて
仕上げられ、好ましくは「304」のようなオース
テナイト(austenitic)系ステンレススチールが
使用される。一般に、ハウジング14は、好まし
くは、実質的に大きさが等しい二つの部分32,
34から形成され、組立状態では、端部で保持さ
れている感知ダイヤフラム36によつて全体的に
2分されている。感知ダイヤフラム36は、圧力
差のもとで弾性的に偏位し、典型的には、望まれ
る径方向の張力を受ける。
中ぐり孔42,44を設けられた中央の円錐形
くぼみ38が、部分32内に形成され、同様に中
ぐり孔48,50を設けられた中央の円錐形くぼ
み46が、部分34内に形成される。導管52,
54は、それぞれ通路28,30と通じるため
に、部分32,34内に形成される。
導管52,54の内部開口は、ダイヤフラム3
6および部分32内の部材60aの中央部によつ
てきめられた部分32内の第1の室53と、ダイ
ヤフラム36および部分34内の材料60bの中
央部によつて規定された部分34内の第2の室5
5とに連絡する通路28,30の連通部を形成す
る。
電気導体56は、中ぐり孔42を通つてくぼみ
38へ挿入される。同様に、電気導体58は中ぐ
り孔48を通つてくぼみ46へ挿入される。電気
導体56,58は、非圧縮性の流体でセンサ室を
満たすことができるように、金属管で構成するの
がよい。
ハウジング14の電気導体部分は、通路28,
30を形成する金属管、及び導体56,58から
電気的に絶縁されている。ガラスあるいはセラミ
ツクのような非多孔性絶縁材料60a,60b
が、くぼみ38,46及び中ぐり孔42,48中
に満たされ、部分32,34の突合せによつて形
成される面に対して、角度θをなす表面に沿つて
ハウジング部分32,34に結合(接着)され
る。
導体56,58の内端はもちろん、材料60
a,60bの中央部及びハウジングの部分32,
34の中央部は、機械あるいは研摩加工で凹状に
輪郭をつくられ、遮断ダイヤフラムに過度の圧力
が作用して感知ダイヤフラム36が偏位すると
き、好ましくは感知ダイヤフラム36に対して適
当な停止表面を与える。
導管52,54は、図に示されるように単一の
管でもよく、あるいは過度の圧力下で感知ダイヤ
フラムを支持するために、米国特許第3618390号
の教示と一致するごとく、複数の小円筒でもよ
い。
適当な電気伝導材料が61,63で示すよう
に、それぞれのハウジング部内で、絶縁材料60
a,60bの内面上に、層状に設けられる。該層
は、感知ダイヤフラム36の両側の面に対向して
おり、それぞれ電気的に導体56,58へ接続さ
れる。
感知ダイヤフラム36は、好ましくは適当な電
気導体材料から形成され、かつ、連続的なビード
溶着62によつて、ハウジング部分32,34の
間で、かつ層61,63の間に固定され、これに
よつて導電部材層61,63に対する共通電極を
構成し、よつて2個の容量C1,C2を形成する。
適当な導体64が、感知ダイヤフラム36と同電
位であるセンサハウジング14に接続される。
感知ダイヤフラム36はまた非導電材料から形
成されることも可能であり、この場合は、可変容
量センサコンデンサに対する共通電極を形成する
ように、感知ダイヤフラム上あるいはこのダイヤ
フラム内に導電部を有する。適当な導体64が、
該導電部に接続される。ボルト70がセンサハウ
ジング14に圧力を加えるように取り付けられ
る。
シリコーン油のような、実質的に非圧縮性の流
体が、感知ダイヤフラム36によつてハウジング
部32内に形成された感知ダイヤフラム室へ、導
体56,58を通じて変換器構体のそれぞれの側
に満たされる。また、この流体は隔室27にも満
たされ、同様にハウジング部34内の感知室およ
び隔室29にも満たされる。そのように、前記の
各空間に流体が満たされた後、導体56、58
は、その端部でピンチオフされ、適当なリード線
がそこにつけられる。
遮断ダイヤフラム22,24、隔室27,29
内および通路28,30内の実質的に非圧縮性の
流体、ならびに感知ダイヤフラム36への圧力の
作用に関しては、たとえば米国特許第3618390号
に完全に説明されている。米国特許第3618390号
に教示されているような、過圧状態で底に突当る
感知ダイヤフラム36、および過圧状態で底に突
当る遮断ダイヤフラム22あるいは24の発明
は、所望により、本発明に用いられてもよい。
感知ダイヤフラム36から間隔をおいた遮断ダ
イヤフラム22,24の物理的位置は、概略的な
ものである。なぜならば、これらダイヤフラム
が、非圧縮性流体を通じての圧力以外の、好まし
くない機械的応力をセンサハウジング14に作用
させないように位置付けられているならば、両遮
断ダイヤフラム22、24の位置は臨界的ではな
いからである。
センサハウジング14は、好ましくはハウジン
グ12内に固定して取り付けられているが、これ
は溶接によつて固く取り付けられる必要はない。
図示されているように、弾性のある帯金71によ
つて保持されており、前記帯金は変換器ハウジン
グ12からセンサハウジング14を電気的に隔離
し、センサハウジングを支持するために、電気絶
縁材料から形成される。
隔室27,29、通路28,30(導管52,
54内の開口を含む)、および層61,63と感
知ダイヤフラム36との間の室は非圧縮性の流体
で満たされているので、矢印18,20で示され
る圧力の差は、感知ダイヤフラム36を圧力差に
比例して偏位させ、その結果、層61,63に関
する容量が変化する。
本発明の他の実施例が、第2図に示されてい
る。この実施例において、センサハウジング14
Aは、第1図の実施例のものよりやや広い。第1
図のものとは符号が対応している(大文字のアル
フアベツトが付いたものになつている)。
この図から、センサハウジング14Aの幅が広
いので、中ぐり孔44A,50Aは、中ぐり孔4
4,50より、第2図において幾分深く、材料6
0A,60Bはそのような中ぐり孔の部分を満た
していることが分かる。
角θは、静止状態にある感知ダイヤフラム36
Aの面から、材料60A,60Bが満たされてい
るそれぞれのハウジング部内での凹みをなす円錐
表面までの角度である。この角度は、材料60
A,60B(あるいは、この発明の第1実施例の
60a,60b)のコンデンサ電極61A,63
A(あるいは61,63)を背面支持する有効深
さを決定する。
約45°のθが第1,2図の実施例に対して好ま
しいけれども、25°〜70°の角度でも安定性が改善
され、従来の、たとえば絶縁材料と金属間の非圧
縮結合を含む構造以上の改善された性能があるこ
とがわかつた。角度はまた、ダイヤフラムが静止
しているとき、感知ダイヤフラム36A(あるい
は36)の面に垂直であるセンサハウジングの中
央軸に関して測定することもできる。
本発明の1つのすぐれた利点は、変換器の圧力
(測定)範囲に及ぼす静圧の影響が改善されるこ
とである。従来例においては、測定スパン誤差
(span error)に及ぼす静圧の影響は、1インチ
平方当り(PSI)1000ポンドの静圧の変化につ
き、測定装置の出力範囲で約1%の変化をもたら
すことが判明していた。
そのような従来の変換器では、センサハウジン
グの外側の圧力(遮断ダイヤフラム上に作用する
被感知圧力によつて生ずる)と、非圧縮性流体に
加えられる被感知圧力によつて生じる感知室の内
側からの圧力とが、既知のようにして、ポアツソ
ン比に依存するような、センサハウジングの外向
きの変形を生じさせていた。
さらに、従来の容量型変換器の製造において、
絶縁材料(その上に、導電材料が可変容量の各々
の第2のコンデンサ電極を形成するように付着形
成される)は、ここに示されているように、セン
サハウジングの中央のくぼみ内の絶縁材料の厚み
に比して、比較的、薄いものであつた。
絶縁材料が薄いとき、あるいは金属−絶縁材料
間の接合面が幾分、感知ダイヤフラムの静止軸に
平行(すなわち、ダイヤフラムの面に垂直)であ
るとき、絶縁材料−金属間接合(結合)65a,
65b,65A,65Bは、その結合を弱くする
か、あるいは破損するような剪断力を受ける。
圧力が、破損された結合を有するセンサに作用
すると、そのような圧力は、感知ダイヤフラムか
ら絶縁材料を離れさせる。絶縁材料の移動は、望
ましくない変化をコンデンサの容量に生じさせ、
これが、ライン静圧によつて生じる誤差を増加さ
せる。センサが本発明の開示に従つて作られると
きは、結合65a,65b,65A,65Bは実
質的に圧縮状態にあり、したがつて、そのような
破損に対するもろさがより小さくなる。
入力ポート18,20に作用するライン静圧が
増加してセンサハウジングが感知ダイヤフラムと
ほぼ垂直に膨らむとき、感知ダイヤフラム36の
両側部上のコンデンサ極板の間隔は、感知ダイヤ
フラムに関連する感知部分がわずかに外側へ移動
する。
このとき二つのハウジング部分32,34が、
(第2図及び第5B図に矢印70Aで示れるよう
に)ダイヤフラムに近接するように縮まる傾向が
あるので、上記ライン静圧の増大は、また、部分
32,34をそれぞれの中性軸(第2図及び第5
図に−で示される)の周囲にわずかに曲げよ
うとする。(絶縁材料が第5A,5B図に特に示
されていないのは、これらの図が説明のためだけ
のものであり、第1,2図の輪郭を示すものであ
るからである。) そのような曲げは、部分32,34の静止状態
を示している第5A図を参照することによつて、
またライン静圧を増加させることによつて起こる
ような、誇張(強調)された曲げ状態を示す第5
B図を参照することによつて、恐らく最もよく説
明される。ライン静圧が増加するにつれて、感知
ダイヤフラム36とコンデンサ極板61,63間
の間隔[第5A図のd]が、第5B図のd′にまで
増加する。このような間隔の変化は、明らかに、
この変換器に作用する圧力差を示してはいない。
本発明によると、このような曲げによつて起る
容量の変化は、感知ダイヤフラムに近接する部分
の縮みによつて起るダイヤフラムの径方向張力の
減少によつて実質的に補正される。適当な大きさ
と材料とによつて、製造時に、感知ダイヤフラム
に作用する径方向張力あるいは予応力
(prestress)は、ライン静圧が増加すると減少す
るような、感知ダイヤフラムの弾性ステイフネス
をもたらす。
好ましくは、感知ダイヤフラムの材料は、良好
な弾性特性を有する高張力鋼である。補正の利点
は、すべてのライン静圧で存在するが、より完全
には、500PSI以上のライン静圧で実現される。
次の方程式は、第1の容量C1と第2の容量C2
を有する本発明の好ましい実施例に従うライン静
圧補正を、さらに説明するものである: O=(CH−CL)/(CH+CL)∝ (Xp/Xp) ここに O=圧力差容量セルからの出力信号 CH=C1あるいはC2のうち、大きな方の容量 CL=C1あるいはC2のうち、小さな方の容量 Xp=ライン静圧0での、圧力差Δpに伴なう感
知ダイヤフラムの偏位 Xp=ライン静圧0、圧力差0でのコンデンサ
間隔である。
感知ダイヤフラムの偏位Xpは、圧力差Δpに比
例し、一方感知ダイヤフラムの伸びに反比例する
から、前記偏位は Xp∝Δp/δp と表わされる。この関係を上式に組合わせると、
ライン静圧0での出力はつぎのようになる。
O∝Δp/Xpδp 変換器が本発明にしたがつて構成された場合、
ライン静圧が増加すると、コンデンサ間隔Xp
Xp′に増加し、感知ダイヤフラムの製造時の伸び
(初期の予備伸長)δpはδp′に減少する。それ故に
積Xp・δpを実質的にXp′・δp′に等しく、すなわ
ち、上記積を実質的に定数に等しく維持すれば、
圧力差に伴なう感知ダイヤフラムの偏位Xpはそ
こに作用する圧力差Δpにみに感応し、したがつ
て、出力Oはライン静圧には依存しないようにな
る。
第1,2図の実施例にしたがつて作られたが、
角度θは25°〜70°ではなく、むしろ柱状の、金属
−絶縁材料インターフエース結合を有する−すな
わち、結合インターフエースが、最初は、全体的
に感知ダイヤフラム36と垂直であり(θ=
90°)、それから次第に米国特許第3618390号に示
すように、全体的に感知ダイヤフラム36に平行
となるような変換器が、実際の負荷条件で試験さ
れた。
その発明の前記初期の形は、ここに示された圧
縮結合を含んでおらず、むしろ従来技術の剪断結
合を有していた。改良された結合は、結合の破壊
をさけるという面で、教示されたとおり有効であ
る。そして結合の破壊が起らず、それ故、結合の
性質が試験結果に影響しないということが分析と
評価から信じられている。
試験された実施例において、本発明の他の原理
は、センサハウジング14から隔室ハウジング1
6a,16bを分離し、かつ感知ダイヤフラム3
6に適当な予応力を与えて、センサハウジング1
4の曲げを補正するものであつた。
感知ダイヤフラム36は、厚さ1.8ミル、直径
約1.12インチ、加えられた予応力は約105000PSI
(もつとも、50000〜200000PSIの余応力は許容さ
れる)であり、NiSpanCから形成された。絶縁
材料60a,60b,60A,60Bは
Owens0120ガラスであつた。また、センサハウ
ジング14は、直径約1.250インチのNiSpanCで
あつた。中央部のコンデンサ間隔Xpは約0.0075イ
ンチであつた。隔室ハウジング16a,16bは
ステンレススチール(304SST)から形成され、
直径約3インチで、1/16インチのO.D.ステンレ
ススチール管から形成される通路28,30によ
つて室53,55に接続された。
このような試験の結果が、第3図に示されてい
る。図示されているように、0(ゼロ)PSIGから
2000PSIGまでの、ライン静圧効果によるすべて
のテスト点での偏差は、水柱の0〜240インチの
圧力差の範囲では、0.2%以下である。第3図の
曲線は、非常に小さな機械的ヒステリシスを示し
ている。
そのような機械的ヒステリシスは異常なもので
はなく、圧力差やライン静圧によつて起る応力の
瞬時値のみならず、そのような応力の以前の履歴
によつて決まるものである。
本発明では、さらに変換器の零安定性(従来の
変換器では温度と静圧で変化する)の面でも改良
がなされている。これは、隔室ハウジングがセン
サハウジングと物理的機械的に、直接に接触して
いないからである。通路28,30を形成する管
のみは、センサハウジング14と直接に接触して
いるが、これらの管は、センサハウジング14へ
応力を加えないように、温度による隔室ハウジン
グの負荷あるいは変化を吸収する。
試験はまた、上記本発明の実施例の出力容量信
号の安定性に関して、改良された非補正温度効果
を証明した。そのような結果は第4図に示されて
いる。この“非補正”効果は、いかなる電気信号
の補正もなされないときに存在する誤差である。
電気信号の補正は、通常、誤差をより一層減少す
るために用いられたが、低い非補正誤差を有する
構造を提供することは非常に有益である。
第4図の各曲線は、別個の較正を示している。
幾つかの較正が実施されたが、その中の8個が第
4図に示されている。これらの較正は、100〓、
次に再び100〓、200〓、100〓、0〓、100〓、
200〓、最後に100〓で行なわれた。曲線は、その
構造が100〓での3回の較正での容量偏差が±
0.18%以下であるような、優秀な安定性と非常に
低い熱ヒステリシスを実現していることを示して
いる。熱ヒステリシスは、より高温および、より
低温からそれぞれ較正温度に到達した後の、特定
の温度での較正結果の差に関連している。
異なつた材料、異なる大きさからなる種々の実
施例が試験され、成功した。成功した試験におい
て、感知ダイヤフラム36は、ハミルトンルイン
ダストリー社のHavar(登録商標)鋼、あるいは
エルギロイ社のElgiloy(登録商標)合金からな
り、絶縁材料はアルカリ鉛ガラス(特にコーニン
グ1990ガラス)であり、またセンサハウジング1
4はオーステナイト ステンレス スチールであ
つた。
本発明の1つの利点は、遮断ダイヤフラムがも
はやセンサハウジング14に一体化されておら
ず、遮断ダイヤフラムの大きさがセンサハウジン
グに比較して大きくてもよいということである。
この大きさの増加は、温度効果を減少させる場合
や、全般的な変換器の性能に関する他の要素に関
して重要である。
さらに、工業的な圧力測定に際して、しばしば
そうであるように、電気絶縁が望まれるとき、セ
ンサハウジング14は、変換器回路の単純化のた
め、好ましくは変換器ハウジング12から電気的
に絶縁される。
本発明は可変容量センサを用いて記述されたけ
れども、この分野の熟練者には明らかなように、
可変インピーダンス−すなわち、可変インピーダ
ンス可変リアクタンスセンサが上述と同様にして
本発明に用いられてよい。
要約すれば、この分野で熟練者にとつて明らか
なものに加えて、上記のいくつかの利点が、本発
明の改良によつて実現された。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明にしたがつて作られた圧力変
換器の断面図である。第2図は、圧力変換器のセ
ンサハウジングの他の実施例の断面図である。第
3図は、本発明の一実施例による変換器の試験結
果を示すグラフであり、パーセントエラー(1%
の1/10単位で示す)対圧力差の関係が5種の較正
について示されている。変換器の両側に0(ゼロ)
PSIG(ポンド パースクエア インチ ゲージ)
のライン静圧から2000PSIGまでの、5種類の圧
力を加えた測定結果の例である。第4図は、本発
明の実施例による変換器の試験結果を、パーセン
トで示された出力偏差とライン差圧との関係で示
すグラフであり、いくつかの較正に対する温度効
果(補正されていない)を示している。第5A図
および第5B図は、第1,2図に示した容量形変
換器に加えられるライン静圧の増加の影響を示す
断面図である。 10……変換器、12……変換器ハウジング、
14……センサハウジング、16a,16b……
隔室ハウジング、22,24……遮断ダイヤフラ
ム、27,29……隔室、28,30……通路、
36……感知ダイヤフラム、56,58……電気
導体。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 変換器ハウジングと、 変換器ハウジングに取付けられ、中央空所を有
    するセンサハウジングと、 前記センサハウジングにその周辺で保持され、
    中央空所を2つの中央室に分割するように前記中
    央空所を横切つて延びると共に、組立時に初期ス
    トレスを加えられて伸長状態にされ、加圧時に偏
    向可能とされた薄膜状偏位部材よりなるダイヤフ
    ラム手段であつて、少なくともその1部が、第1
    のコンデンサ電極を構成できる導電性であるダイ
    ヤフラム手段と、 第1のコンデンサ電極となる前記ダイヤフラム
    手段と共に1対の可変センサコンデンサを形成す
    る第2のコンデンサ電極を構成するように、前記
    ダイヤフラム手段から隔離された導電性表面部分
    を有する前記各中央室と、 前記中央室内の流体に加えられるライン静圧に
    応じて、このライン静圧が増加するとき、前記ダ
    イヤフラム手段とほぼ垂直方向に膨らんで、各セ
    ンサコンデンサのコンデンサ電極間の間隔を増大
    させると同時に、前記ダイヤフラム手段を収縮さ
    せてその初期ストレスを減少させ、2つの中央室
    内の圧力差による前記ダイヤフラム手段の偏位を
    増加させて前記電極間間隔の増大を補償する前記
    センサハウジングとを具備したことを特徴とする
    容量型圧力変換器。 2 変換器ハウジングと、 変換器ハウジングに取付けられ、中央空所を有
    するセンサハウジングと、 前記センサハウジングにその周辺で保持され、
    中央空所を2つの中央室に分割するように前記中
    央空所を横切つて延びると共に、組立時に初期ス
    トレスを加えられて伸長状態にされ、加圧時に偏
    向可能とされた薄膜状偏位部材よりなるダイヤフ
    ラム手段であつて、少なくともその1部が、第1
    のコンデンサ電極を構成できる導電性であるダイ
    ヤフラム手段と、 第1のコンデンサ電極となる前記ダイヤフラム
    手段と共に1対の可変センサコンデンサを形成す
    る第2のコンデンサ電極を構成するように、前記
    ダイヤフラム手段から隔離された導電性表面部分
    を有する前記各中央室と、 それぞれが、その内部に隔室を有する1対の隔
    室ハウジングと、 各隔室を別々の中央室に結合する別々の通路手
    段と、 各隔室にそれぞれライン静圧を印加させる手段
    と、 それぞれの隔室、関連する通路手段、および中
    央室に充満された実質上非圧縮性の流体と、 前記中央室内の流体に加えられるライン静圧に
    応じて、このライン静圧が増加するとき、前記ダ
    イヤフラム手段とほぼ垂直方向に膨らんで、各セ
    ンサコンデンサのコンデンサ電極間の間隔を増大
    させると同時に、前記ダイヤフラム手段を収縮さ
    せてその初期ストレスを減少させ、2つの中央室
    内の圧力差による前記ダイヤフラム手段の偏位を
    増加させて前記電極間間隔の増大を補償する前記
    センサハウジングとを具備したことを特徴とする
    容量型圧力変換器。 3 隔室ハウジングはセンサハウジングから物理
    的に隔離して配置されたことを特徴とする請求範
    囲2記載の容量型圧力変換器。 4 ダイヤフラム手段が、ライン静圧の変化に対
    するセンサハウジングの曲りを実質上補償するよ
    うにストレスを変化するような材料で構成された
    ことを特徴とする請求範囲2記載の容量型圧力変
    換器。 5 センサハウジングおよび感知ダイヤフラム手
    段は、差圧が同一の場合、前記ダイヤフラム手段
    上のライン静圧変化1000PSI(68.9バール)に対し
    て、応答の全スパンにおける出力の最大誤差が1
    %より小となるように、前記ダイヤフラム手段に
    加わる応力が変化するような、弾性係数および相
    対的寸法を有することを特徴とする請求範囲2記
    載の容量型圧力変換器。 6 センサハウジングおよび感知ダイヤフラム手
    段の材料は、差圧が同一の場合、前記ダイヤフラ
    ム手段上のライン静圧変化1000PSI(68.9バール)
    に対して、応答の全スパンにおける出力の最大誤
    差が0.25%より小となるような弾性係数を有する
    ように選定されたことを特徴とする請求範囲2記
    載の容量型圧力変換器。 7 センサハウジングが金属で作られて窪んだ空
    所を含み、前記の窪んだ空所は、センサハウジン
    グの金属との間に接合面を形成する非浸透性の絶
    縁材で部分的に充填され、各中央室が絶縁材の中
    に形成され、絶縁材の上には中央室の導電性表面
    部が形成され、前記絶縁材と金属との接合面は、
    ライン静圧のもとで圧縮力を受けるように、変換
    器の中心軸線に対して位置決めされたことを特徴
    とする請求範囲2記載の容量型圧力変換器。 8 センサハウジングが変換器ハウジングおよび
    隔室ハウジングから電気的に絶縁されたことを特
    徴とする請求範囲2記載の容量型圧力変換器。 9 ダイヤフラム手段に加わる初期ストレスは
    50000PSIから200000PSIの間であることを特徴と
    する請求範囲2記載の容量型圧力変換器。 10 変換器ハウジングはそれに固着された支持
    フレームを有し、前記隔室ハウジングは、前記支
    持フレームの前記変換器ハウジングから離れた位
    置に取付けられたことを特徴とする請求範囲2記
    載の容量型圧力変換器。 11 通路手段は、外部負荷によつて屈曲するチ
    ユーブよりなることを特徴とする請求範囲2記載
    の容量型圧力変換器。 12 センサハウジングは感知ダイヤフラム手段
    の両側に1対の窪みを形成する外側部材よりなる
    と共に、前記ダイヤフラム手段とほぼ垂直な中心
    軸を有し、 前記窪みはそれぞれ、前記ダイヤフラム手段端
    縁から中心軸の方へ向かうにつれて前記ダイヤフ
    ラム手段から離れるように傾斜した窪み表面によ
    つて規定され、前記窪みには絶縁材が充填され、
    前記絶縁材は前記ダイヤフラム手段の両側でこれ
    に隣接した窪み表面を有し、これによつて、負荷
    が加えられたとき、前記ダイヤフラム手段が各窪
    み表面の方へ偏向できるような前記中央室を形成
    することを特徴とする請求範囲2記載の容量型圧
    力変換器。 13 前記絶縁材は窪み内に固着されたガラスま
    たはセラミツク材であることを特徴とする請求範
    囲12記載の容量型圧力変換器。 14 前記窪み表面はおおむね円錐形状であり、
    中心軸のまわりに、前記中心軸に対して25〜70度
    の角度をなすようにされたことを特徴とする請求
    範囲13記載の容量型圧力変換器。 15 センサハウジング表面と絶縁材との間の固
    着は圧縮状態にされたことを特徴とする請求範囲
    14記載の容量型圧力変換器。 16 感知ダイヤフラム手段は初期ストレスの下
    で伸長された感知ダイヤフラムを有し、両方の中
    央室内の圧力が0から増加するにつれてセンサハ
    ウジング構造が屈曲し、その結果、センサハウジ
    ングが弾性的に変形して前記ダイヤフラム手段と
    導電性表面部との間のコンデンサ間隔が増大する
    一方、感知ダイヤフラムの伸長が減少し、感知ダ
    イヤフラムの伸びと前記ダイヤフラム手段および
    導電性表面部間のコンデンサ間隔との積が事実上
    一定値に保持されることを特徴とする請求範囲2
    記載の容量型圧力変換器。 17 隔室ハウジングは、前記隔室ハウジング内
    に形成された隔室と、前記隔室を覆つて偏位可能
    な隔壁を構成する可撓性ダイヤフラムとを備えた
    ことを特徴とする請求範囲2記載の容量型圧力変
    換器。
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