JPH046895B2 - - Google Patents
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- JPH046895B2 JPH046895B2 JP59064216A JP6421684A JPH046895B2 JP H046895 B2 JPH046895 B2 JP H046895B2 JP 59064216 A JP59064216 A JP 59064216A JP 6421684 A JP6421684 A JP 6421684A JP H046895 B2 JPH046895 B2 JP H046895B2
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- Japan
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- thin film
- hydrogen
- optical waveguide
- substrate
- light
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/7703—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水素を感知する為の水素感知器に関
するものである。
するものである。
石油プラント等では、石油製品の改質等の為に
水素が多用されており、安全で且つ信頼性の高い
水素感知器が要求されている。
水素が多用されており、安全で且つ信頼性の高い
水素感知器が要求されている。
第１図は、この様な水素感知器の１つの従来例
を示している。この従来例では、誘電体基板１の
一方の表面にSnO2やZnO等の酸化物半導体２が
膜状に配されており、この半導体２に２個の電極
３，４が接続されている。また、基板１の反対側
の表面には、２個の電極５，６に接続されている
ヒータ７が配されている。
を示している。この従来例では、誘電体基板１の
一方の表面にSnO2やZnO等の酸化物半導体２が
膜状に配されており、この半導体２に２個の電極
３，４が接続されている。また、基板１の反対側
の表面には、２個の電極５，６に接続されている
ヒータ７が配されている。
水素ガスの様な還元性ガスは、酸化物半導体２
の様なｎ型半導体に吸着され易い。酸化物半導体
２に水素が吸着されると、この水素と半導体２と
の間で一般に電子の授受が行われ、半導体２の表
面からある深さの所までキヤリア濃度が増加す
る。
の様なｎ型半導体に吸着され易い。酸化物半導体
２に水素が吸着されると、この水素と半導体２と
の間で一般に電子の授受が行われ、半導体２の表
面からある深さの所までキヤリア濃度が増加す
る。
すると、半導体２の電気抵抗が減少して、電極
２，３を流れる電流が増加するので、この電流の
変化によつて水素ガスの濃度を知ることができ
る。なお、ヒータ７は、この様な反応を促進する
為のものである。
２，３を流れる電流が増加するので、この電流の
変化によつて水素ガスの濃度を知ることができ
る。なお、ヒータ７は、この様な反応を促進する
為のものである。
また、水素感知器の他の従来例として、金属−
半導体接触の整流作用やMOSFETのゲート作用
を利用したものがある。これは、金属と半導体と
の間の電子エネルギー準位差（シヨツトキ障壁）
が水素の吸着によつて変化することを利用したも
のである。
半導体接触の整流作用やMOSFETのゲート作用
を利用したものがある。これは、金属と半導体と
の間の電子エネルギー準位差（シヨツトキ障壁）
が水素の吸着によつて変化することを利用したも
のである。
ところが、以上の従来例の様に水素を電気的に
感知しようとすると、爆発の危険性がある為に感
知器からの配線等に対して耐圧防爆等の特別工事
をしなければならず、また電磁誘導によつて誤動
作する可能性もある。
感知しようとすると、爆発の危険性がある為に感
知器からの配線等に対して耐圧防爆等の特別工事
をしなければならず、また電磁誘導によつて誤動
作する可能性もある。
本発明は、これらの問題点に鑑み、安全で且つ
信頼性の高い水素感知器を提供することを目的と
している。
信頼性の高い水素感知器を提供することを目的と
している。
以下、本発明の第１〜第３実施例を第２図〜第
９図を参照しながら説明する。
９図を参照しながら説明する。
第２図は、本発明の第１実施例を示している。
この第１実施例では、LiNbO3から成る基板１１
中にTiを選択的に熱拡散させることによつて、
単一モード光導波路１２が形成されている。
この第１実施例では、LiNbO3から成る基板１１
中にTiを選択的に熱拡散させることによつて、
単一モード光導波路１２が形成されている。
光導波路１２は、
ｎ（ｚ）＝n0＋Δn・exp（−ｚ／ｄ）
なる式で表される屈折率ｎ（ｚ）を有している。
ここでn0は、基板１１の屈折率であり、2.20であ
る。またΔnは、基板１１の表面つまりTiの濃度
が最も高い部分の屈折率＝2.30と基板１１の屈折
率n0＝2.20との差、つまり0.10である。そして、
Ｚは基板１１の表面からの深さであり、ｄは基板
１１との屈折率差がΔn／expとなる深さである
5μmである。
ここでn0は、基板１１の屈折率であり、2.20であ
る。またΔnは、基板１１の表面つまりTiの濃度
が最も高い部分の屈折率＝2.30と基板１１の屈折
率n0＝2.20との差、つまり0.10である。そして、
Ｚは基板１１の表面からの深さであり、ｄは基板
１１との屈折率差がΔn／expとなる深さである
5μmである。
基板１１の表面には、2.50の屈折率を有する
WO3の薄膜１３が、1000Åの厚さに真空蒸着さ
れている。このWO3の薄膜１３は、水素と反応
して吸光係数が変化する性質を有している。第３
図は、薄膜１３の表面から基板１１の深さ方向へ
の屈折率の変化を示している。
WO3の薄膜１３が、1000Åの厚さに真空蒸着さ
れている。このWO3の薄膜１３は、水素と反応
して吸光係数が変化する性質を有している。第３
図は、薄膜１３の表面から基板１１の深さ方向へ
の屈折率の変化を示している。
薄膜１３の真空蒸着は、アルミナでコートされ
たＷ線ルツボ中を１×10-5Torr以下の真空状態
にすると共にこのルツボ中で基板１１の温度を
100℃に保つて、純度99.999％の粉末WO3を使用
して行つた。真空蒸着されたWO3の薄膜１３は、
非晶質であり、比較的短波長の領域の光を吸収す
る様な分光感度を有している。なお、真空蒸着後
に基板１１を200℃でアニーリングすることによ
つて、WO3の薄膜１３を安定化させた。
たＷ線ルツボ中を１×10-5Torr以下の真空状態
にすると共にこのルツボ中で基板１１の温度を
100℃に保つて、純度99.999％の粉末WO3を使用
して行つた。真空蒸着されたWO3の薄膜１３は、
非晶質であり、比較的短波長の領域の光を吸収す
る様な分光感度を有している。なお、真空蒸着後
に基板１１を200℃でアニーリングすることによ
つて、WO3の薄膜１３を安定化させた。
薄膜１３上には、Pdの薄膜１４がスパツタリ
ングによつて500Åの厚さにに積層されている。
このPdの薄膜１４は、水素を吸着して、この吸
着した水素を陽子と電子とに分離する触媒作用を
有している。
ングによつて500Åの厚さにに積層されている。
このPdの薄膜１４は、水素を吸着して、この吸
着した水素を陽子と電子とに分離する触媒作用を
有している。
以下の様な構成を有する水素感知器１５の光導
波路１２の夫々の端面には、入力用及び出力用の
光フアイバ１６，１７が接続されている。
波路１２の夫々の端面には、入力用及び出力用の
光フアイバ１６，１７が接続されている。
次に、水素感知器１５の作用について説明す
る。水素感知器１５の周囲の水素が薄膜１４に吸
着されると、この水素は薄膜１４の触媒作用によ
つて陽子と電子とに分離される。分離された陽子
と電子とは更に薄膜１３と下記の様に反応し、エ
レクトロクロミツク作用によつてWO3がタング
ステンブロンズとなつて着色し、薄膜１３の吸光
係数が増大する。
る。水素感知器１５の周囲の水素が薄膜１４に吸
着されると、この水素は薄膜１４の触媒作用によ
つて陽子と電子とに分離される。分離された陽子
と電子とは更に薄膜１３と下記の様に反応し、エ
レクトロクロミツク作用によつてWO3がタング
ステンブロンズとなつて着色し、薄膜１３の吸光
係数が増大する。
WO3＋xH+＋xe-→HxWO3
この結果、単一モード光導波路１２中を伝播す
る光の内で薄膜１３に吸収されるエバネツセント
波の割合が増加し、伝播光量が減少する。従つ
て、薄膜１３，１４に覆われている光導波路１２
の長さを適当な値に設定すれば、伝播光量が十分
に減少して、水素を高感度で感知することができ
る。
る光の内で薄膜１３に吸収されるエバネツセント
波の割合が増加し、伝播光量が減少する。従つ
て、薄膜１３，１４に覆われている光導波路１２
の長さを適当な値に設定すれば、伝播光量が十分
に減少して、水素を高感度で感知することができ
る。
第４図は、水素感知器１５を適用して実際に水
素を感知する為の装置を示している。水素感知器
１５は感知すべき水素ガス雰囲気中に配置されて
おり、入力用の光フアイバ１６にはHe−Neレー
ザ１８から6328Åの波長を有する単一モードレー
ザ光が入力され、出力用の光フアイバ１７には
PINフオトダイオード１９が接続されている。
素を感知する為の装置を示している。水素感知器
１５は感知すべき水素ガス雰囲気中に配置されて
おり、入力用の光フアイバ１６にはHe−Neレー
ザ１８から6328Åの波長を有する単一モードレー
ザ光が入力され、出力用の光フアイバ１７には
PINフオトダイオード１９が接続されている。
第５図は、水素ガス濃度と伝播光量との関係の
一例を示しており、この様に既知の水素ガス濃度
で予めグラフを作成しておけば、伝播光量から水
素ガス濃度を知ることができる。このグラフの10
〜1000ppmの範囲では、±５％の精度で水素ガス
濃度を知ることができた。
一例を示しており、この様に既知の水素ガス濃度
で予めグラフを作成しておけば、伝播光量から水
素ガス濃度を知ることができる。このグラフの10
〜1000ppmの範囲では、±５％の精度で水素ガス
濃度を知ることができた。
以上の第１実施例では、波長6328Åの可視光を
導波光として用いたが、波長0.8〜1.5μmと比較的
長波長の赤外域の光を用いても同様の効果を得る
ことができる。但し、この場合には比較的長波長
の領域の光を吸収する様な分光感度を有する様
に、薄膜１３を形成するWO3は、非晶質よりも
多結晶の方が良い。多結晶WO3の薄膜１３を形
成する為には、真空蒸着時に基板１１の温度を
250〜300℃に保ち、その後360℃でアニーリング
を行う。
導波光として用いたが、波長0.8〜1.5μmと比較的
長波長の赤外域の光を用いても同様の効果を得る
ことができる。但し、この場合には比較的長波長
の領域の光を吸収する様な分光感度を有する様
に、薄膜１３を形成するWO3は、非晶質よりも
多結晶の方が良い。多結晶WO3の薄膜１３を形
成する為には、真空蒸着時に基板１１の温度を
250〜300℃に保ち、その後360℃でアニーリング
を行う。
また、薄膜１３の材料として、エレクトロクロ
ミツク作用を示すWO3以外の無機材料、例えば
MoO3、V2O5、Tio2、Ir（OH）o、Rh2O3・xH2Ｏ
等を用いてもよく、薄膜１４の材料として、Pd
以外にPt等を用いてもよい。
ミツク作用を示すWO3以外の無機材料、例えば
MoO3、V2O5、Tio2、Ir（OH）o、Rh2O3・xH2Ｏ
等を用いてもよく、薄膜１４の材料として、Pd
以外にPt等を用いてもよい。
またこの第１実施例の単一モード光導波路１２
は二次元形であるが、埋め込み形やリツジ形等の
三次元形の光導波路を用いても同様の効果を得る
ことができる。
は二次元形であるが、埋め込み形やリツジ形等の
三次元形の光導波路を用いても同様の効果を得る
ことができる。
また、光フアイバ１６，１７を使用せずに、プ
リズム結合器やレンズ等で光導波路１２中へ光を
直接に入力したり、非晶質Siの様な光検出器を光
導波路１２の出力端へ直接に取り付けてもよい。
リズム結合器やレンズ等で光導波路１２中へ光を
直接に入力したり、非晶質Siの様な光検出器を光
導波路１２の出力端へ直接に取り付けてもよい。
以上の様な第１実施例によれば、光学的な作用
のみで水素を感知することができるので、爆発の
危険性や電磁誘導による誤動作がなく、安全で且
つ信頼性の高い水素感知器１５を得ることができ
る。
のみで水素を感知することができるので、爆発の
危険性や電磁誘導による誤動作がなく、安全で且
つ信頼性の高い水素感知器１５を得ることができ
る。
しかも光フアイバによるローカルエリアネツト
ワークが導入されつつあり、光信号を電気信号へ
変換することなく光だけで感知することができる
技術は、上記の光フアイバによるローカルエリア
ネツトワークとの整合性も極めて良い。
ワークが導入されつつあり、光信号を電気信号へ
変換することなく光だけで感知することができる
技術は、上記の光フアイバによるローカルエリア
ネツトワークとの整合性も極めて良い。
第６図は、本発明の第２実施例を示している。
この第２実施例では、1.55の屈折率を有するガラ
スの基板２１中に、1.567の屈折率を有する厚さ
2μmの単一モード光導波路２２が形成されてい
る。
この第２実施例では、1.55の屈折率を有するガラ
スの基板２１中に、1.567の屈折率を有する厚さ
2μmの単一モード光導波路２２が形成されてい
る。
光導波路２２は、電子分極率の大きなイオン、
例えばTlイオンと、ガラス中に含まれている電
子分極率の小さなイオン、例えばＫイオンとを、
Tlイオンを含む溶融塩中でイオン交換すること
によつて形成したものである。
例えばTlイオンと、ガラス中に含まれている電
子分極率の小さなイオン、例えばＫイオンとを、
Tlイオンを含む溶融塩中でイオン交換すること
によつて形成したものである。
基板２１上には、1.55の屈折率を有するC7059
と称されるガラスの薄膜２３が、スパツタリング
によつて1μmの厚さに積層されている。
と称されるガラスの薄膜２３が、スパツタリング
によつて1μmの厚さに積層されている。
薄膜２３上には、WO3の薄膜２４が2μmの厚
さに積層されている。この薄膜２４は、第１実施
例に於ける薄膜１３と同様に、基板２１の温度を
100℃に保つて真空蒸着を行い、その後200℃でア
ニーリングを行つたものである。第７図は、薄膜
２４の表面から基板２１の深さ方向への屈折率の
変化を示している。
さに積層されている。この薄膜２４は、第１実施
例に於ける薄膜１３と同様に、基板２１の温度を
100℃に保つて真空蒸着を行い、その後200℃でア
ニーリングを行つたものである。第７図は、薄膜
２４の表面から基板２１の深さ方向への屈折率の
変化を示している。
また、薄膜２４上には、Pdの薄膜２５がスパ
ツタリングによつて500Åの厚さに積層されてい
る。
ツタリングによつて500Åの厚さに積層されてい
る。
この様な第２実施例の水素感知器２６では、光
導波路２２と薄膜２４とが薄膜２３によつてエバ
ネツセント波結合されている。この為に、光導波
路２２中を伝播する光のエバネツセント波が、薄
膜２３を介して薄膜２４に吸収される。
導波路２２と薄膜２４とが薄膜２３によつてエバ
ネツセント波結合されている。この為に、光導波
路２２中を伝播する光のエバネツセント波が、薄
膜２３を介して薄膜２４に吸収される。
薄膜２５の触媒作用によつて水素が陽子と電子
とに分離され、この分離された陽子と電子とが薄
膜２４と反応すると、6328Åの波長に対する薄膜
２４の吸光係数が変化する。
とに分離され、この分離された陽子と電子とが薄
膜２４と反応すると、6328Åの波長に対する薄膜
２４の吸光係数が変化する。
この結果、光導波路２２中を伝播する光の量が
減少するので、第１実施例の水素感知器１５と同
様に、出力光量を測定することによつて、水素ガ
ス濃度を知ることができる。
減少するので、第１実施例の水素感知器１５と同
様に、出力光量を測定することによつて、水素ガ
ス濃度を知ることができる。
第８図は、本発明の第３実施例を示している。
この第３実施例では、2.36〜2.38の屈折率を有す
るZnSの基板３１上に、2.43の屈折率を有する厚
さ5μmの薄膜３２が付着されている。この薄膜３
２は、2.76の屈折率を有するZnTeと2.3の屈折率
を有するZnSeとの１対2.5混晶を、CVD法で成長
させたものである。
この第３実施例では、2.36〜2.38の屈折率を有す
るZnSの基板３１上に、2.43の屈折率を有する厚
さ5μmの薄膜３２が付着されている。この薄膜３
２は、2.76の屈折率を有するZnTeと2.3の屈折率
を有するZnSeとの１対2.5混晶を、CVD法で成長
させたものである。
薄膜３２上には、ZnTeとZnSeとの１対２混晶
を3μmの厚さに積層させることによつて、1.2μm
の波長に対して2.45の屈折率を有する単一モード
光導波路３３が形成されている。
を3μmの厚さに積層させることによつて、1.2μm
の波長に対して2.45の屈折率を有する単一モード
光導波路３３が形成されている。
光導波路３３上には、1.2μmの波長に対して
2.43の屈折率を有するWO3の薄膜３４が、5μmの
厚さに積層されている。この薄膜３４は、基板３
１の温度を300℃に保つて真空蒸着を行い、その
後360℃でアニーリングを行つたものである。こ
の結果、WO3の薄膜３４は、多結晶化しており、
1.2〜1.5μmの比較的長波長の領域の光を吸収する
様な分光感度を有している。第９図は、薄膜３４
の表面から基板３１の深さ方向への屈折率の変化
を示している。
2.43の屈折率を有するWO3の薄膜３４が、5μmの
厚さに積層されている。この薄膜３４は、基板３
１の温度を300℃に保つて真空蒸着を行い、その
後360℃でアニーリングを行つたものである。こ
の結果、WO3の薄膜３４は、多結晶化しており、
1.2〜1.5μmの比較的長波長の領域の光を吸収する
様な分光感度を有している。第９図は、薄膜３４
の表面から基板３１の深さ方向への屈折率の変化
を示している。
また、薄膜３４上には、Pdの薄膜３５がスパ
ツタリングによつて500Åの厚さに積層されてい
る。
ツタリングによつて500Åの厚さに積層されてい
る。
この第３実施例の水素感知器３６では、基板３
１と光導波路３３との中間の屈折率を有する薄膜
３２を、基板３１と光導波路３３との間に設けて
いるので、光導波路１２中を伝播する光の内で薄
膜３４に吸収されるエバネツセント波の割合が多
い。
１と光導波路３３との中間の屈折率を有する薄膜
３２を、基板３１と光導波路３３との間に設けて
いるので、光導波路１２中を伝播する光の内で薄
膜３４に吸収されるエバネツセント波の割合が多
い。
この為に、薄膜３４の吸光係数の変化によつ
て、光導波路１２中を伝播する光の量が大きく変
化し、水素を高感度で感知することができる。
て、光導波路１２中を伝播する光の量が大きく変
化し、水素を高感度で感知することができる。
なお、以上の第１〜第３実施例の何れに於いて
も、WO3の薄膜１３，２４，３４の上にPdの薄
膜１４，２５，３５を積層させたが、WO3の薄
膜１３，２４，３４を水素と直接に反応させる様
にすれば、Pdの薄膜１４，２５，３５は必ずし
も必要ではない。
も、WO3の薄膜１３，２４，３４の上にPdの薄
膜１４，２５，３５を積層させたが、WO3の薄
膜１３，２４，３４を水素と直接に反応させる様
にすれば、Pdの薄膜１４，２５，３５は必ずし
も必要ではない。
上述の如く、本発明は、単一モード光導波路を
覆つている薄膜を水素と反応させ、この反応によ
つて薄膜の吸光係数を変化させ、単一モード光導
波路中を伝播する光の量の変化によつて、水素を
光学的に感知する様にしているので、爆発の危険
性や電磁誘導による誤動作がなく、安全で且つ信
頼性の高い水素感知器を提供することができる。
また、光の伝播経路が基板中の光導波路であり、
伝播光量を変化させる薄膜と光の伝播経路とが一
体化されているので、小型で且つ取扱いの容易な
水素感知器を提供することができる。
覆つている薄膜を水素と反応させ、この反応によ
つて薄膜の吸光係数を変化させ、単一モード光導
波路中を伝播する光の量の変化によつて、水素を
光学的に感知する様にしているので、爆発の危険
性や電磁誘導による誤動作がなく、安全で且つ信
頼性の高い水素感知器を提供することができる。
また、光の伝播経路が基板中の光導波路であり、
伝播光量を変化させる薄膜と光の伝播経路とが一
体化されているので、小型で且つ取扱いの容易な
水素感知器を提供することができる。
また、光導波路が単一モード光導波路であり、
光導波路を覆つている薄膜の吸光係数の変化に対
する伝播光量の変化は、単一モード光導波路の方
が多モード光導波路よりも大きい。このため、感
度の高い水素感知器を提供することができる。
光導波路を覆つている薄膜の吸光係数の変化に対
する伝播光量の変化は、単一モード光導波路の方
が多モード光導波路よりも大きい。このため、感
度の高い水素感知器を提供することができる。
第１図は本発明の一従来例を示す概略的な斜視
図である。 第２図は本発明の第１実施例を示す概略的な側
面図、第３図は第１実施例の屈折率を示すグラ
フ、第４図は第１実施例を適用した装置を示す概
略図、第５図は水素ガス濃度と伝播光量との関係
の一例を示すグラフ、第６図は第２実施例を示す
概略的な側面図、第７図は第２実施例の屈折率を
示すグラフ、第８図は第３実施例を示す概略的な
側面図、第９図は第３実施例の屈折率を示すグラ
フである。 なお図面に用いられた符号において、１１，２
１，３１……基板、１２，２２，３３……単一モ
ード光導波路、１３，２４，３４……薄膜、１
４，２５，３５……薄膜、１５，２６，３６……
水素感知器である。
図である。 第２図は本発明の第１実施例を示す概略的な側
面図、第３図は第１実施例の屈折率を示すグラ
フ、第４図は第１実施例を適用した装置を示す概
略図、第５図は水素ガス濃度と伝播光量との関係
の一例を示すグラフ、第６図は第２実施例を示す
概略的な側面図、第７図は第２実施例の屈折率を
示すグラフ、第８図は第３実施例を示す概略的な
側面図、第９図は第３実施例の屈折率を示すグラ
フである。 なお図面に用いられた符号において、１１，２
１，３１……基板、１２，２２，３３……単一モ
ード光導波路、１３，２４，３４……薄膜、１
４，２５，３５……薄膜、１５，２６，３６……
水素感知器である。
Claims (1)
- １ 透光性の基板と、この基板中に形成されてい
る単一モード光導波路と、この単一モード光導波
路を覆う様に前記基板上に配されており且つ水素
と反応することによつて吸光係数が変化する薄膜
とを夫々具備し、前記単一モード光導波路中を伝
播する光の量の変化によつて前記水素を感知する
様にした水素感知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064216A JPS60209149A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 水素感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064216A JPS60209149A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 水素感知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209149A JPS60209149A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH046895B2 true JPH046895B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=13251669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59064216A Granted JPS60209149A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 水素感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209149A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204545A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素検知光センサ− |
| JPS61207950A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素検知光センサ− |
| JPS62257047A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Hochiki Corp | 水素センサ |
| US4834496A (en) * | 1987-05-22 | 1989-05-30 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Optical fiber sensors for chemical detection |
| JPH03152446A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分布型光ファイバガスセンサ |
| JP3707053B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2005-10-19 | 慎司 岡崎 | ガスセンサ用の膜の製造方法 |
| JP4775708B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2011-09-21 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | 水素ガス検知材とその被膜方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5879141A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Hochiki Corp | 光学式ガス検知器 |
| JPS6039536A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hochiki Corp | ガスセンサ |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59064216A patent/JPS60209149A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60209149A (ja) | 1985-10-21 |
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