JPH047007B2 - - Google Patents
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- JPH047007B2 JPH047007B2 JP17063385A JP17063385A JPH047007B2 JP H047007 B2 JPH047007 B2 JP H047007B2 JP 17063385 A JP17063385 A JP 17063385A JP 17063385 A JP17063385 A JP 17063385A JP H047007 B2 JPH047007 B2 JP H047007B2
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- magnetic
- substrate
- film
- magnetic head
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- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 24
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えは薄膜磁気再生ヘツドや垂直磁
気記録再生ヘツドなどのように基板上に薄膜状の
感磁層を形成した磁気ヘツドに係り、特にそれの
基板に関する。
気記録再生ヘツドなどのように基板上に薄膜状の
感磁層を形成した磁気ヘツドに係り、特にそれの
基板に関する。
この種磁気ヘツドは使用の際、磁気テープや磁
気デイスクなどの磁気記録媒体が磁気ヘツドの基
板端面に摺接するため、基板に耐摩耗性が要求さ
れる。この種磁気ヘツドの基板として、従来は合
成樹脂板やガラス板などが用いられていたが耐摩
耗性が十分でなく、基板の摩耗にともなつて感磁
層が損耗する欠点があつた。
気デイスクなどの磁気記録媒体が磁気ヘツドの基
板端面に摺接するため、基板に耐摩耗性が要求さ
れる。この種磁気ヘツドの基板として、従来は合
成樹脂板やガラス板などが用いられていたが耐摩
耗性が十分でなく、基板の摩耗にともなつて感磁
層が損耗する欠点があつた。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を
解消し、耐用寿命の長い、性能の安定した磁気ヘ
ツドを提供するにある。
解消し、耐用寿命の長い、性能の安定した磁気ヘ
ツドを提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、例えば合
成樹脂、ガラスあるいはセラミツクなどからなる
基板の表面に、例えば磁気抵抗効果素子あるいは
軟磁性材料などからなる薄膜状の感磁層を形成し
てなる磁気ヘツドにおいて、前記基板の少なくと
も磁気テープあるいは磁気デイスクなどの磁気記
録媒体が摺接する表面に、ボロンナイトライド
（BN）膜が形成されていることを特徴とするも
のである。
成樹脂、ガラスあるいはセラミツクなどからなる
基板の表面に、例えば磁気抵抗効果素子あるいは
軟磁性材料などからなる薄膜状の感磁層を形成し
てなる磁気ヘツドにおいて、前記基板の少なくと
も磁気テープあるいは磁気デイスクなどの磁気記
録媒体が摺接する表面に、ボロンナイトライド
（BN）膜が形成されていることを特徴とするも
のである。
前記BN膜は、水素希釈による低濃度のB2H6、
NH3を使用し、減圧下において高周波電界を加
えてプラズマ分解させて、基板表面に析出させる
ことによつて形成することができる。
NH3を使用し、減圧下において高周波電界を加
えてプラズマ分解させて、基板表面に析出させる
ことによつて形成することができる。
次に本発明の実施例を図とともに説明する。第
１図ないし第３図は、第１実施例に係る薄膜磁気
再生ヘツドを説明するための図である。薄膜磁気
再生ヘツドは、ホルダ１と磁気抵抗効果素子組立
体２とから主に構成されている。第１図に示すよ
うにホルダ１の磁気テープ３と接触する側には窓
４を有し、それの裏側は開口凹部５となつてい
る。この開口凹部５から窓４の方向に向けて磁気
抵抗効果素子組立体２が挿入され、隙間に充填し
た接着剤６で固着される。
１図ないし第３図は、第１実施例に係る薄膜磁気
再生ヘツドを説明するための図である。薄膜磁気
再生ヘツドは、ホルダ１と磁気抵抗効果素子組立
体２とから主に構成されている。第１図に示すよ
うにホルダ１の磁気テープ３と接触する側には窓
４を有し、それの裏側は開口凹部５となつてい
る。この開口凹部５から窓４の方向に向けて磁気
抵抗効果素子組立体２が挿入され、隙間に充填し
た接着剤６で固着される。
磁気抵抗効果素子組立体２は第２図および第３
図に示すように、基板７と、その基板７の表面で
かつ磁気テープ３と接触するように端部に形成さ
れた磁気抵抗効果素子８と、基板７の表面に形成
され一端が磁気抵抗効果素子８の端部にそれぞれ
接続されて他端が基板７の後方まで延びた２つの
リード部９と、前記磁気抵抗効果素子８ならびに
リード部９を覆う保護膜１０（第３図参照）とか
ら構成されている。
図に示すように、基板７と、その基板７の表面で
かつ磁気テープ３と接触するように端部に形成さ
れた磁気抵抗効果素子８と、基板７の表面に形成
され一端が磁気抵抗効果素子８の端部にそれぞれ
接続されて他端が基板７の後方まで延びた２つの
リード部９と、前記磁気抵抗効果素子８ならびに
リード部９を覆う保護膜１０（第３図参照）とか
ら構成されている。
前記基板７は例えば合成樹脂、ガラスあるいは
セラミツクなどからなり、それの磁気テープ３と
接触する側の端面には磁気抵抗効果素子８および
リード部９を形成する前に、BN膜１１が全面に
わたつて形成されている。このBN膜１１は次の
ようにして設けられる。
セラミツクなどからなり、それの磁気テープ３と
接触する側の端面には磁気抵抗効果素子８および
リード部９を形成する前に、BN膜１１が全面に
わたつて形成されている。このBN膜１１は次の
ようにして設けられる。
すなわち、誘導結合型のプラズマ分解析出装置
（プラズマCVD装置）内に所定の大きさの基板７
を入れ、H2で0.05％に希釈したB2H6と同じくH2
で0.05％に希釈したNH3とを導入し、周波数
13.56MHz、電力100Wで高周波電界を印加し、
RFグロー放電をさせることにより、基板７の表
面にBN膜１１が形成される。
（プラズマCVD装置）内に所定の大きさの基板７
を入れ、H2で0.05％に希釈したB2H6と同じくH2
で0.05％に希釈したNH3とを導入し、周波数
13.56MHz、電力100Wで高周波電界を印加し、
RFグロー放電をさせることにより、基板７の表
面にBN膜１１が形成される。
BN膜１１の堆積速度は約0.7〜0.9A／minであ
る。またこのBN膜１１の赤外線スペクトルをと
つてみたところ1400cm-1付近にBNの伸縮振動
800cm-1付近にＮ−Ｂ−Ｎの変角振動が見られる。
これはヘキサゴナルBNの特徴を示している。透
過型電子顕微鏡による観察でも電子線回折ではヘ
キサゴナルBNの多結晶であることを確認し、明
視野像でも300〜400〓程度の粒界が見られた。こ
のBN膜１１をマイクロピツカースーカ硬度計を
用いて硬度測定をしたところ、ダイヤモンド圧子
の圧痕は見られず測定不可能であつた。このこと
から析出形成されたBN膜１１は、極めて高硬度
であることが分から。
る。またこのBN膜１１の赤外線スペクトルをと
つてみたところ1400cm-1付近にBNの伸縮振動
800cm-1付近にＮ−Ｂ−Ｎの変角振動が見られる。
これはヘキサゴナルBNの特徴を示している。透
過型電子顕微鏡による観察でも電子線回折ではヘ
キサゴナルBNの多結晶であることを確認し、明
視野像でも300〜400〓程度の粒界が見られた。こ
のBN膜１１をマイクロピツカースーカ硬度計を
用いて硬度測定をしたところ、ダイヤモンド圧子
の圧痕は見られず測定不可能であつた。このこと
から析出形成されたBN膜１１は、極めて高硬度
であることが分から。
このようにしてBN膜１１を形成したのち、公
知の方法によつて磁気抵抗効果素子８、リード部
９，９ならびに二酸化ケイ素からなる保護膜１０
が順次形成されて磁気抵抗効果素子組立体が得ら
れる。この組立体のリード部９，９に第１図に示
す如くリード部１２，１２が半田付けされ、その
後ホルダ１に組込まれて薄膜磁気再生ヘツドとな
る。この再生ヘツドの使用時には、第２図に示す
ように磁気抵抗効果素子８の端面とBN膜１１と
が走行する磁気テープ３と接触して、信号の読取
りがなされる。
知の方法によつて磁気抵抗効果素子８、リード部
９，９ならびに二酸化ケイ素からなる保護膜１０
が順次形成されて磁気抵抗効果素子組立体が得ら
れる。この組立体のリード部９，９に第１図に示
す如くリード部１２，１２が半田付けされ、その
後ホルダ１に組込まれて薄膜磁気再生ヘツドとな
る。この再生ヘツドの使用時には、第２図に示す
ように磁気抵抗効果素子８の端面とBN膜１１と
が走行する磁気テープ３と接触して、信号の読取
りがなされる。
第４図は、本発明の第２実施例に係る垂直磁気
記録再生ヘツドを説明するための図である。この
ヘツドは、軟磁性材からなる主磁極２１と補助磁
極２２とから主に構成される。主磁極２１は、ガ
ラスやポリイミドなどの基板２３の片面にスパツ
タリングによつて約1μｍ厚に形成される訳であ
るが、この主磁極２１を形成する前に基板２３の
磁気デイスク２４と対向する側の端面にBN膜２
５が形成される。このBN膜２５の形成方法は第
１実施例で説明した方法と同様であるので、ここ
ではその説明を省略する。前記補助磁極２２に
は、励磁コイル２６が所定ターン数巻回される。
記録再生ヘツドを説明するための図である。この
ヘツドは、軟磁性材からなる主磁極２１と補助磁
極２２とから主に構成される。主磁極２１は、ガ
ラスやポリイミドなどの基板２３の片面にスパツ
タリングによつて約1μｍ厚に形成される訳であ
るが、この主磁極２１を形成する前に基板２３の
磁気デイスク２４と対向する側の端面にBN膜２
５が形成される。このBN膜２５の形成方法は第
１実施例で説明した方法と同様であるので、ここ
ではその説明を省略する。前記補助磁極２２に
は、励磁コイル２６が所定ターン数巻回される。
主磁極２１と補助磁極２２との間に配置される
磁気デイスク２４はベースフイルム２７と磁性層
２８とから構成され、この磁性層２７が主磁極２
１の端面ならびにBN膜２５と摺接するようにな
つている。
磁気デイスク２４はベースフイルム２７と磁性層
２８とから構成され、この磁性層２７が主磁極２
１の端面ならびにBN膜２５と摺接するようにな
つている。
前記励磁コイル２６に記録されるべき信号電流
を流して主磁極２１を補助磁極２２側から励磁す
ると、主磁極２１の先端付近に強い垂直磁界が発
生する。これによつて磁性層２８がそれの厚さ方
向に磁化されて、所望の磁気記録がなされる。
を流して主磁極２１を補助磁極２２側から励磁す
ると、主磁極２１の先端付近に強い垂直磁界が発
生する。これによつて磁性層２８がそれの厚さ方
向に磁化されて、所望の磁気記録がなされる。
前述したBN膜はダイヤモンドとほぼ同等の硬
度、耐摩耗性を有しているから、このBN膜でヘ
ツド基板の少なくとも磁気記録媒体と摺接する表
面を覆つておけば、基板の耐摩耗性が向上し、結
局、磁気ヘツドの長寿命化が図れる。また、BN
膜の形成によつて耐摩耗性が向上するから、基板
の材質は特に限定されず選択範囲が拡張され、コ
ストの低減が図れる。
度、耐摩耗性を有しているから、このBN膜でヘ
ツド基板の少なくとも磁気記録媒体と摺接する表
面を覆つておけば、基板の耐摩耗性が向上し、結
局、磁気ヘツドの長寿命化が図れる。また、BN
膜の形成によつて耐摩耗性が向上するから、基板
の材質は特に限定されず選択範囲が拡張され、コ
ストの低減が図れる。
第１図ないし第３図は本発明の第１実施例に係
る薄膜磁気再生ヘツドを説明するための図で、第
１図はその再生ヘツドの縦断面図、第２図はその
ヘツドに用いられる磁気抵抗効果素子組立体の保
護膜形成前の平面図、第３図はその組立体の保護
膜形成後の正面図、第４図は本発明の第２実施例
に係る垂直磁気記録再生ヘツドの使用態様を示す
断面図である。 ３……磁気テープ、７……基板、８……磁気抵
抗効果素子、１１……BN膜、２１……主磁極、
２３……基板、２４……磁気デイスク、２５……
BN膜。
る薄膜磁気再生ヘツドを説明するための図で、第
１図はその再生ヘツドの縦断面図、第２図はその
ヘツドに用いられる磁気抵抗効果素子組立体の保
護膜形成前の平面図、第３図はその組立体の保護
膜形成後の正面図、第４図は本発明の第２実施例
に係る垂直磁気記録再生ヘツドの使用態様を示す
断面図である。 ３……磁気テープ、７……基板、８……磁気抵
抗効果素子、１１……BN膜、２１……主磁極、
２３……基板、２４……磁気デイスク、２５……
BN膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に薄膜状の感磁層を形成してなる磁気
ヘツドにおいて、前記基板の少なくとも磁気記録
媒体が摺接する表面にボロンナイトライド膜が形
成されていることを特徴とする磁気ヘツド。 ２ 特許請求の範囲第１項記載において、前記ボ
ロンナイトライド膜が、減圧下において水素希釈
による低濃度のB2H6、NH3に高周波電界を加え
てプラズマ分解させて析出したボロンナイトライ
ド膜であることを特徴とする磁気ヘツド。 ３ 特許請求の範囲第１項記載において、前記ボ
ロンナイトライド膜が基板の端面に形成されてい
ることを特徴とする磁気ヘツド。 ４ 特許請求の範囲第１項記載において、前記感
磁層が磁気抵抗効果素子で構成されていることを
特徴とする磁気ヘツド。 ５ 特許請求の範囲第１項記載において、前記感
磁層が軟磁性材料で構成されていることを特徴と
する磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17063385A JPS6231010A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17063385A JPS6231010A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231010A JPS6231010A (ja) | 1987-02-10 |
| JPH047007B2 true JPH047007B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15908491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17063385A Granted JPS6231010A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231010A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475552A (en) * | 1992-07-31 | 1995-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having a chromium nitride protective film for use in a magnetic recording and/or reproducing apparatus and a method of manufacturing the same |
| US5636092A (en) * | 1992-07-31 | 1997-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having chromium nitride protective film for use in magnetic recording and/or reproducing apparatus and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP17063385A patent/JPS6231010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231010A (ja) | 1987-02-10 |
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